JPH045978B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH045978B2 JPH045978B2 JP58070493A JP7049383A JPH045978B2 JP H045978 B2 JPH045978 B2 JP H045978B2 JP 58070493 A JP58070493 A JP 58070493A JP 7049383 A JP7049383 A JP 7049383A JP H045978 B2 JPH045978 B2 JP H045978B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure mask
- cleaning
- section
- defect detection
- protective case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の製造に使用する露光マス
クの洗浄装置に係り、特に洗浄後の露光マスク上
に残留する塵埃及びシミ等によるパターン欠陥を
自動的に検出し、この欠陥を検出した結果とあら
かじめ設定されている良品と判断される残留パタ
ーン欠陥の基準とを比較して洗浄結果の良否を判
断し否の場合この露光マスクを再洗浄する装置に
関する。
クの洗浄装置に係り、特に洗浄後の露光マスク上
に残留する塵埃及びシミ等によるパターン欠陥を
自動的に検出し、この欠陥を検出した結果とあら
かじめ設定されている良品と判断される残留パタ
ーン欠陥の基準とを比較して洗浄結果の良否を判
断し否の場合この露光マスクを再洗浄する装置に
関する。
最近の超高集積度半導体デバイスの製造工程の
如く、高品質、無欠陥が要求される露光マスクの
洗浄後の品質管理は、半導体基板上から得られる
半導体素子の良品率を左右する重要な要素であ
り、特に洗浄後もなお露光マスク上に残留する塵
埃及び在留異物によるシミ等によるパターン欠陥
の管理は重要な要素である。
如く、高品質、無欠陥が要求される露光マスクの
洗浄後の品質管理は、半導体基板上から得られる
半導体素子の良品率を左右する重要な要素であ
り、特に洗浄後もなお露光マスク上に残留する塵
埃及び在留異物によるシミ等によるパターン欠陥
の管理は重要な要素である。
従来の露光マスク洗浄装置における塵埃及びシ
ミによる欠陥の管理は、ある場合は洗浄後の露光
マスクを直接顕微鏡により全面を走査観察するこ
とによりなされ、また、ある場合は該露光マスク
を露光装置に装着し、ホトレジストを被覆した半
導体基板上に露光を施こすことにより得られるホ
トレジスト・パターンを顕微鏡により全面を走査
観察することによりなされている。この観察に要
する時間、労力は計りしれないものであり、これ
に伴いパターン欠陥を除去して良品露光マスクを
得る為に要する時間、労力もまた計りしれない。
ミによる欠陥の管理は、ある場合は洗浄後の露光
マスクを直接顕微鏡により全面を走査観察するこ
とによりなされ、また、ある場合は該露光マスク
を露光装置に装着し、ホトレジストを被覆した半
導体基板上に露光を施こすことにより得られるホ
トレジスト・パターンを顕微鏡により全面を走査
観察することによりなされている。この観察に要
する時間、労力は計りしれないものであり、これ
に伴いパターン欠陥を除去して良品露光マスクを
得る為に要する時間、労力もまた計りしれない。
本発明は上述の従来の洗浄装置の持つ問題点を
除去し、塵埃、シミ等によるパターン欠陥のない
露光マスクを得ることによつて半導体素子の良品
率向上を図ることを目的とする。
除去し、塵埃、シミ等によるパターン欠陥のない
露光マスクを得ることによつて半導体素子の良品
率向上を図ることを目的とする。
本発明によれば、複数の繰り返しパターンを有
する露光マスクが収納された露光マスク保護ケー
スが装着される露光マスク保護ケース収納部と、
この露光マスクに洗浄を施す洗浄部と、この洗浄
部から搬出された露光マスクをステージ上に載置
し、露光マスク上の順次選択される２つの繰返し
パターン対応する部分同士に光線を透過させてそ
の透過光を光学的に検知しそれぞれの検出結果を
比較してその差異により残留する塵埃やシミ等に
よるパターン欠陥を検出する欠陥検査をステージ
を移動させて露光マスク全面に施した後、残留パ
ターン欠陥を検出した結果とあらかじめ設定され
ている良品と判断される残留パターン欠陥の基準
とを比較して洗浄結果の良否を判断する自動欠陥
検出・処理部と、洗浄すべき前記露光マスクを露
光マスク保護ケース収納部から洗浄部へ搬入し又
洗浄後の露光マスクを洗浄部から自動欠陥検出・
処理部へ搬出し又洗浄結果が否の場合露光マスク
を自動欠陥検出・処理部から再度洗浄部へ搬入し
洗浄結果が良の場合露光マスクを自動欠陥検出・
処理部から露光マスク保護ケース収納部へ搬送す
る搬送手段とを有する露光マスク洗浄装置を得
る。これにより得られた良品露光マスクは、露光
マスク保護ケースにより浮遊塵埃等より保護され
る。
する露光マスクが収納された露光マスク保護ケー
スが装着される露光マスク保護ケース収納部と、
この露光マスクに洗浄を施す洗浄部と、この洗浄
部から搬出された露光マスクをステージ上に載置
し、露光マスク上の順次選択される２つの繰返し
パターン対応する部分同士に光線を透過させてそ
の透過光を光学的に検知しそれぞれの検出結果を
比較してその差異により残留する塵埃やシミ等に
よるパターン欠陥を検出する欠陥検査をステージ
を移動させて露光マスク全面に施した後、残留パ
ターン欠陥を検出した結果とあらかじめ設定され
ている良品と判断される残留パターン欠陥の基準
とを比較して洗浄結果の良否を判断する自動欠陥
検出・処理部と、洗浄すべき前記露光マスクを露
光マスク保護ケース収納部から洗浄部へ搬入し又
洗浄後の露光マスクを洗浄部から自動欠陥検出・
処理部へ搬出し又洗浄結果が否の場合露光マスク
を自動欠陥検出・処理部から再度洗浄部へ搬入し
洗浄結果が良の場合露光マスクを自動欠陥検出・
処理部から露光マスク保護ケース収納部へ搬送す
る搬送手段とを有する露光マスク洗浄装置を得
る。これにより得られた良品露光マスクは、露光
マスク保護ケースにより浮遊塵埃等より保護され
る。
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図に
より詳細に説明する。第１図は露光マスク洗浄
部、自動欠陥検出・処理部、露光マスク保護ケー
ス収納部を含む露光マスク洗浄装置全体の概略図
を示し、第２図はその自動欠陥検出・処理部の欠
陥検出のための観察系の説明図である。図中１は
露光マスク洗浄装置、２は露光マスク洗浄部、３
は自動欠陥検出・処理部、４は露光マスク保護ケ
ース収納部、５は欠陥検出データ出力部、６は露
光マスク、７はレーザー・ヘツド（含スキヤナ）、
８はホト・デイテクタ、９はパターン欠陥、１０
は対物レンズ、１１はハーフ・ミラー、１２はス
テージ・スキヤン方向、１３はミラー、２０は搬
送手段を各々示すものとする。
より詳細に説明する。第１図は露光マスク洗浄
部、自動欠陥検出・処理部、露光マスク保護ケー
ス収納部を含む露光マスク洗浄装置全体の概略図
を示し、第２図はその自動欠陥検出・処理部の欠
陥検出のための観察系の説明図である。図中１は
露光マスク洗浄装置、２は露光マスク洗浄部、３
は自動欠陥検出・処理部、４は露光マスク保護ケ
ース収納部、５は欠陥検出データ出力部、６は露
光マスク、７はレーザー・ヘツド（含スキヤナ）、
８はホト・デイテクタ、９はパターン欠陥、１０
は対物レンズ、１１はハーフ・ミラー、１２はス
テージ・スキヤン方向、１３はミラー、２０は搬
送手段を各々示すものとする。
本露出マスク洗浄装置１における露光マスクの
搬送は、次の順序で行なわれる。まず洗浄すべき
露光マスクが収納された露光マスク保護ケース
を、露光マスク保護ケース収納部４に装着する。
次に露光マスクは、自動的に露光マスク保護ケー
ス収納部４の露光マスク保護ケースから搬送手段
２０により自動欠陥検出・処理部３を経由して露
光マスク洗浄部２へ搬入され、各種洗浄を施され
た後再び搬送手段２０により洗浄部２から自動塵
埃検出・処理部３へ搬出され戻される。この洗浄
部２から搬出された露光マスク６は、自動欠陥検
出・処理部３内に設けられたスキヤン・ステージ
上に載置され、第２図に示す観察系で露光マスク
６上の複数の繰返しパターンが観察される。観察
系では、まず、露光マスク６上の繰り返しパター
ンの順次選択される２つのCRT上で重ね合わさ
れて露光マスク６の位置合わせがなされる。これ
によつて選択された２つのパターンの対応する部
分同士が対物レンズ１０とホト・デイテクタ８間
にそれぞれ位置するようになされる。露光マスク
６の上方にあるレーザーヘツド７からのレーザー
光線は、ハーフミラー１１で直進と反射の２つの
レーザー光線に分けられ、この反射したレーザー
光線がミラー１３で反射され、これらのレーザー
光線が２つの対物レンズ１０をそれぞれ経て、露
光マスク６の２つの繰り返しパターンの対応する
部分同士を透過しその透過光が２つのホト・デイ
テクタ８でそれぞれ光学的に検知され、２つの出
力が比較される。この観察系で得られる２つの出
力に差異がある場合は残留する塵埃やシミ等によ
るパターン欠陥と判断される。スキヤン・ステー
ジを第２図のステージ・スキヤン方向１２にスキ
ヤンしながらこれと直交する方向に移動して、露
光マスク全面を走査し、このスキヤンニング操作
によつて露光マスク上の塵埃、シミ等によるパタ
ーン欠陥を検出する欠陥検査を施す。この検出過
程でパターン欠陥の大きさは２つの出力が異なつ
ている時間で検出できると共にパターン欠陥の数
は２つの出力が異なる回数で検出される。この残
留パターン欠陥の大きさと数とを検出した結果
は、自動欠陥検出・処理部３から欠陥検出データ
出力部５のCRTに出力されてオペレータが確認
できるとともに、自動欠陥検出・処理部３にあら
かじめ設定されている良品と判断される残留パタ
ーン欠陥の大きさと数の基準と比較され洗浄結果
の良否が判断される。自動欠陥検出・処理部３の
制御の下で基準の大きさ又は数以上の欠陥の除去
が確認されれば洗浄結果が良となり、露光マスク
は自動的に搬送手段２０により自動欠陥検出・処
理部３から露光マスク保護ケース収納部４へ搬送
されその内の露光マスク保護ケースに収納され
る。洗浄結果が否となつた場合には、露光マスク
は自動欠陥検出・処理部３から再度洗浄部に搬送
手段２０で搬入されて洗浄を施された後、自動欠
陥検出・処理部３へ搬送され、再びパターン欠陥
９の検査が行なわれる。再び洗浄結果が否の場合
は同様に洗浄及び欠陥検査を繰返し、自動欠陥検
出・処理３にあらかじめ設定された制限回数内の
洗浄で良となれば露光マスクは、自動欠陥検出・
処理部３から搬送されて、自動的に露光マスク保
護ケース収納部４内の露光マスク保護ケース内に
収納され、本装置における洗浄を完了する。
搬送は、次の順序で行なわれる。まず洗浄すべき
露光マスクが収納された露光マスク保護ケース
を、露光マスク保護ケース収納部４に装着する。
次に露光マスクは、自動的に露光マスク保護ケー
ス収納部４の露光マスク保護ケースから搬送手段
２０により自動欠陥検出・処理部３を経由して露
光マスク洗浄部２へ搬入され、各種洗浄を施され
た後再び搬送手段２０により洗浄部２から自動塵
埃検出・処理部３へ搬出され戻される。この洗浄
部２から搬出された露光マスク６は、自動欠陥検
出・処理部３内に設けられたスキヤン・ステージ
上に載置され、第２図に示す観察系で露光マスク
６上の複数の繰返しパターンが観察される。観察
系では、まず、露光マスク６上の繰り返しパター
ンの順次選択される２つのCRT上で重ね合わさ
れて露光マスク６の位置合わせがなされる。これ
によつて選択された２つのパターンの対応する部
分同士が対物レンズ１０とホト・デイテクタ８間
にそれぞれ位置するようになされる。露光マスク
６の上方にあるレーザーヘツド７からのレーザー
光線は、ハーフミラー１１で直進と反射の２つの
レーザー光線に分けられ、この反射したレーザー
光線がミラー１３で反射され、これらのレーザー
光線が２つの対物レンズ１０をそれぞれ経て、露
光マスク６の２つの繰り返しパターンの対応する
部分同士を透過しその透過光が２つのホト・デイ
テクタ８でそれぞれ光学的に検知され、２つの出
力が比較される。この観察系で得られる２つの出
力に差異がある場合は残留する塵埃やシミ等によ
るパターン欠陥と判断される。スキヤン・ステー
ジを第２図のステージ・スキヤン方向１２にスキ
ヤンしながらこれと直交する方向に移動して、露
光マスク全面を走査し、このスキヤンニング操作
によつて露光マスク上の塵埃、シミ等によるパタ
ーン欠陥を検出する欠陥検査を施す。この検出過
程でパターン欠陥の大きさは２つの出力が異なつ
ている時間で検出できると共にパターン欠陥の数
は２つの出力が異なる回数で検出される。この残
留パターン欠陥の大きさと数とを検出した結果
は、自動欠陥検出・処理部３から欠陥検出データ
出力部５のCRTに出力されてオペレータが確認
できるとともに、自動欠陥検出・処理部３にあら
かじめ設定されている良品と判断される残留パタ
ーン欠陥の大きさと数の基準と比較され洗浄結果
の良否が判断される。自動欠陥検出・処理部３の
制御の下で基準の大きさ又は数以上の欠陥の除去
が確認されれば洗浄結果が良となり、露光マスク
は自動的に搬送手段２０により自動欠陥検出・処
理部３から露光マスク保護ケース収納部４へ搬送
されその内の露光マスク保護ケースに収納され
る。洗浄結果が否となつた場合には、露光マスク
は自動欠陥検出・処理部３から再度洗浄部に搬送
手段２０で搬入されて洗浄を施された後、自動欠
陥検出・処理部３へ搬送され、再びパターン欠陥
９の検査が行なわれる。再び洗浄結果が否の場合
は同様に洗浄及び欠陥検査を繰返し、自動欠陥検
出・処理３にあらかじめ設定された制限回数内の
洗浄で良となれば露光マスクは、自動欠陥検出・
処理部３から搬送されて、自動的に露光マスク保
護ケース収納部４内の露光マスク保護ケース内に
収納され、本装置における洗浄を完了する。
以上の様に、洗浄後の露光マスク上の残留塵埃
及び残留異物によるシミ等の欠陥は、パターン比
較検査機構によりその数と大きさが管理され、本
装置より供給される露光マスクは、良品であるこ
とが確認されたものとなり、人手による検査時に
付着していた塵埃、シミ等がなくなり、この露光
マスクを使用することにより生産される半導体素
子の良品率を飛躍的に向上せしめることが可能と
なる。また縮小投影式露光装置（ステツパー）へ
の適用に際しては、露光マスク保護ケースに良品
を収納したまま直接取扱うことができる為、洗浄
での良品確認からステツパーへの装着までの間に
おける一切の塵埃の付着の可能性を排除すること
が可能となり、半導体基板上に転写される繰返し
パターン中の共通欠陥を容易に排除でき、ステツ
パーの利用効率も飛躍的に向上せしめることが可
能となる。従つて、本発明の実用上の効果は極め
て大きい。
及び残留異物によるシミ等の欠陥は、パターン比
較検査機構によりその数と大きさが管理され、本
装置より供給される露光マスクは、良品であるこ
とが確認されたものとなり、人手による検査時に
付着していた塵埃、シミ等がなくなり、この露光
マスクを使用することにより生産される半導体素
子の良品率を飛躍的に向上せしめることが可能と
なる。また縮小投影式露光装置（ステツパー）へ
の適用に際しては、露光マスク保護ケースに良品
を収納したまま直接取扱うことができる為、洗浄
での良品確認からステツパーへの装着までの間に
おける一切の塵埃の付着の可能性を排除すること
が可能となり、半導体基板上に転写される繰返し
パターン中の共通欠陥を容易に排除でき、ステツ
パーの利用効率も飛躍的に向上せしめることが可
能となる。従つて、本発明の実用上の効果は極め
て大きい。
第１図は本発明の一実施例の概略図であり、露
光マスク洗浄装置全体を示し、第２図はその一部
である自動欠陥検出・処理部の欠陥検出の説明図
である。 図中、１……露光マスク洗浄装置、２……露光
マスク洗浄部、３……自動欠陥検出・処理部、４
……露光マスク保護ケース収納部、５……欠陥検
出データ出力部、６……露光マスク、７……レー
ザー・ヘツド（含スキヤナ）、８……ホト・デイ
テクタ、９……パターン欠陥、１０……対物レン
ズ、１１……ハーフ・ミラー、１２……ステー
ジ・スキヤン方向、１３……ミラー、２０……搬
送手段。
光マスク洗浄装置全体を示し、第２図はその一部
である自動欠陥検出・処理部の欠陥検出の説明図
である。 図中、１……露光マスク洗浄装置、２……露光
マスク洗浄部、３……自動欠陥検出・処理部、４
……露光マスク保護ケース収納部、５……欠陥検
出データ出力部、６……露光マスク、７……レー
ザー・ヘツド（含スキヤナ）、８……ホト・デイ
テクタ、９……パターン欠陥、１０……対物レン
ズ、１１……ハーフ・ミラー、１２……ステー
ジ・スキヤン方向、１３……ミラー、２０……搬
送手段。
Claims (1)
- １ 複数の繰り返しパターンを有する露光マスク
が収納された露光マスク保護ケースが装着される
露光マスク保護ケース収納部と、前記露光マスク
に洗浄を施す洗浄部と、前記洗浄部から搬出され
た前記露光マスクをステージ上に載置し、前記露
光マスク上の順次選択される２つの前記繰返しパ
ターンの対応する部分同士に光線を透過させてそ
の透過光を光学的に検知しそれぞれの検出結果を
比較してその差異により残留する塵埃やシミ等に
よるパターン欠陥を検出する欠陥検査を前記ステ
ージを移動させて前記露光マスク全面に施した
後、前記残留パターン欠陥を検出した結果とあら
かじめ設定されている良品と判断される残留パタ
ーン欠陥の基準とを比較して洗浄結果の良否を判
断する自動欠陥検出・処理部と、洗浄すべき前記
露光マスクを前記露光マスク保護ケース収納部か
ら前記洗浄部へ搬入し又洗浄後の前記露光マスク
を前記洗浄部から前記自動欠陥検出・処理部へ搬
出し又前記洗浄結果が否の場合前記露光マスクを
前記自動欠陥検出・処理部から再度前記洗浄部へ
搬入し前記洗浄結果が良の場合前記露光マスクを
前記自動欠陥検出・処理部から前記露光マスク保
護ケース収納部へ搬送する搬送手段とを有するこ
とを特徴とする露光マスク洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070493A JPS59195644A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 露光マスク洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070493A JPS59195644A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 露光マスク洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195644A JPS59195644A (ja) | 1984-11-06 |
| JPH045978B2 true JPH045978B2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=13433097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070493A Granted JPS59195644A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 露光マスク洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195644A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0695511B2 (ja) * | 1986-09-17 | 1994-11-24 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 洗浄乾燥処理方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441158B2 (ja) * | 1973-07-14 | 1979-12-06 | ||
| JPS55102233A (en) * | 1979-01-30 | 1980-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Removing method of dust |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58070493A patent/JPS59195644A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59195644A (ja) | 1984-11-06 |
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