JPH0459948B2 - - Google Patents

Description

段に接続したワイピングガス排出口１６ を備えたことを特徴とする、帯状体への塗布液の
ワイピング装置。

２ 前記囲繞体の下端を開放端として、前記帯状
体を浸漬、引上げる塗布液浴２に浸漬した、特許
請求の範囲第１項記載のワイピング装置。

３ 前記ガスワイピングノズルの先端部から前記
下部空間内に伸びたワイピングガスの湾曲案内板
２０をさらに備えた、特許請求の範囲第１項もし
くは第２項記載のワイピング装置。

４ 前記湾曲案内板が前記バツフル板を兼用す
る、特許請求の範囲第３項記載のワイピング装
置。

５ ワイピングガスに同伴された余剰塗布液の受
け皿部１８を、前記下部空間内に設けた、特許請
求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の
ワイピング装置。

【発明の詳細な説明】

（産業上の利用分野） 本発明は、帯状体への塗布液にワイピング装
置、特に、帯状体の高速走行時にワイピングガス
の流れを調節することによつて、スプラツシユミ
ストによるノズル閉塞さらには品質劣化を防止す
る装置に関する。

近年のメツキラインは生産性向上を目的にして
高速化が要求されている。このことは、塗布型化
成処理法についても同様であり、高速化が求めら
れている。

本発明は、このような当業界での今日的要求に
応えるものである。

（従来の技術） ところで、従来、化成処理皮膜の付着量コント
ロール法としてロール絞りが、一般的であつた
が、ラインスピードにより付着量が変化すると
か、またロールがストリツプエツジで損傷される
とその傷が成品に転写される、等の問題がみられ
る。あるいは、ストリツプエツジ部への回り込み
によるエツジ着色等の問題があつた。

かかる問題の解決策として、高速ガスを吹付け
て余剰の塗布液を払拭するガスワイピング法が提
案されているが、この方法の最大の欠点は、ワイ
ピング時に生じるスプラツシユによるミスト発生
（以下、単に「スプラツシユミスト」という）で
ある。スプラツシユミストが発生すると、ワイピ
ングノズルの閉塞、帯状体への付着、不均一付着
等の問題が生じてくる。

かかるスプラツシユミストにたいして従来その
解決策が種々提案されてきた。

例えば、特開昭53−52549号は、ガスワイピン
グの際のスプラツシユミストによる付着量の調
整、品質確保を目的に、ワイピングノズルで周囲
空間を二分し、上側空間を大きくすることによ
り、その上側空間からのガス流れを下側空間に持
ち来して、ワイピングノズル周囲の空間内におい
て全体として下向きの強力なガス流れを生成さ
せ、スプラツシユミストによる害作用を防止しよ
うとしている。かかる方式では、ワイピングノズ
ルの背後から回り込んだ下向きのガス流れは不可
欠である。

特開昭58−55069号にあつては、ガスワイピン
グノズルの下方にバツフル板を設けるとともに、
このバツフル板との間に二次空気通路を設け、ノ
ズル下端にミストを同伴していないきれいな二次
空気を取り入れている。この場合にも、ガスワイ
ピングノズルの下端面でのノズル先端に向かう空
気流れは必須である。

しかしながら、本発明者らの実験結果からは、
上述のような従来の装置では、今日要求されてい
るような、例えば150m／分以上というような高
速処理を行う場合、スプラツシユミストによる害
作用を必ずしも充分に満足できる程度に防止でき
ないことが判つた。

すなわち、高速になればなるほどスプラツシユ
ミストによる害作用が顕著になつてくるのであ
る。

（発明が解決しようとする問題点） したがつて、本発明の目的は、スプラツシユミ
ストによる害作用を防止するワイピング装置を提
供することである。

また、本発明の別の目的は、帯状体の走行速度
が、例えば、150m／min以上と大きくなつて、
ミストの発散速度が大きくなつても、帯状体の走
行方向の上流側にミストを効果的に排出できるワ
イピング装置を提供することである。

（問題点を解決するための手段） かくして、本発明者らは、かかる目的達成のた
めに、鋭意検討を重ねたところ、従来にあつて、
バツフル板を設けるのはよいが、そのバツフル板
の上面をワイピングノズルの下端面との間に空間
を設けてそのノズル先端に向かつたガス流れを生
成させても、ミストを構成する細かい粒子は運動
エネルギーを与えられているため、そのようなガ
ス流れに抗して容易に飛散してしまうことを知つ
た。

このように、ワイピングノズル下端面の流れに
反してスプラツシユ自体の運動エネルギーでワイ
ピングノズルとバツフル板との間を囲繞体側壁の
方向に飛散するスプラツシユミストが存在し、こ
れがこの囲繞体側壁近傍に不可避的に存在する上
昇気流に乗りワイピング処理後の成品に付着する
のである。かかるスプラツシユはライン速度が高
速になればストリツプにより持ち上げられる化成
処理液量が多くなるためより激しくなる。

ここに、本発明の要旨とするところは、塗布液
の付着した、走行する帯状体の少なくとも一方の
面に対向して設けられたガスワイピングノズル； 前記帯状体およびガスワイピングノズルを包囲
し、該帯状体の出口部を備えた囲繞体； 該囲繞体内にあつて、前記ガスワイピングノズ
ルの下端面に接して配置され、前記帯状体の走行
する開口部を残して、該囲繞体を、前記ガスワイ
ピングノズルが配置された上部空間と下部空間と
に分離、区画する一対のバツフル板；および 前記囲繞体の下部空間に連通し、吸引、排気手
段に接続したワイピングガス排出口 を備えたことを特徴とする、帯状体への塗布液の
ワイピング装置である。

ガスワイピングノズルを帯状体の両側に対向し
て設ける場合にはバツフル板も帯状体を挟んで対
向設置される。

また、前記囲繞体の下端を開放端として、前記
帯状体を浸漬、引上げる塗布液浴に浸漬してもよ
く、および／または前記ガスワイピングノズルの
先端部から前記下部空間内に伸びたワイピングガ
スの湾曲案内板をさらに備えてもよい。

さらにまた、前記湾曲案内板が前記バツフル板
を兼用していても、ワイピングガスに同伴された
余剰塗布液の受け皿部を、前記下部空間内に設け
てもよい。

本発明の処理の対象となるのは、溶融亜鉛めつ
きなどの溶融めつき処理、電気めつき鋼板等に対
するクロメート処理などの化成処理、その他各種
の表面処理であり、それらの処理に際して、塗布
液の均一付着、回り込み防止、等を目的に行うガ
スワイピング法一般に適用されるのである。

したがつて、「塗布液」には、溶融金属、化成
液、その他の表面処理液が包含される。

「帯状体」にも、したがつて、いわゆる鋼スト
リツプばかりでなく、アルミストリツプ等も包含
されるのである。

（作用） ここで、添付図面を参照しながら本発明をさら
に詳細に説明する。

第１図ないし第３図は、本発明にかかるワイピ
ング装置の概念を模式的に示すものであり、第４
図は、本発明に係る装置を具体的に組み立てたと
きの斜視図である。図示態様では帯状体の両面に
対向してガスワイピングノズルが配置されている
が、これは片面のみに配置されてもよく、それに
伴つてバツフル板もガスワイピングノズル側にの
み設けられるだけでもよい。この点、本発明にあ
つてバツフル板とガスワイピングノズルとを密着
させ、このバツフル板により区画された下部空間
から吸引、排気することを特徴とするのであつ
て、これは両面めつき、片面めつきに制限されな
い。

各図面において、同一部材は同一符号で示す。

第１図において、塗布液の浴２から引き上げら
れる帯状体４および一般に対になつて配置されて
いるガスワイピングノズル６は囲繞体８によつて
包囲されており、帯状体４の出口９を頂部に設け
た該囲繞体８はバツフル板１０によつて上部空間
１２と下部空間１４とに区画されている。下部空
間１４にはワイピングガスの排出口１６が設けら
れている。このガスワイピングノズル６は慣用の
ものであつて、特に制限はない。

図示例では囲繞体８の下端は開放端となつてい
て浴２に浸漬されている。変更例としては、下端
部も閉じて、帯状体４の入口部のみを設けるよう
にしてもよい。

本発明によれば、ガスワイピングノズル６の下
端とバツフル板１０との間には空気通路も空間も
設けられていない。すなわち、バツフル板１０は
ガスワイピングノズル６の下端面に接して配置さ
れている。また、上部空間１２と下部空間１４と
は帯状体４の通路となる開口部１７によつてのみ
連絡しているだけである。ワイピングノズル６か
らのワイピングガスは、図中、矢印で示すよう
に、専ら上記排出口１６から吸引、排出される。
この排出口１６は、適宜吸引、排気装置（図示せ
ず）に接続されている。

このため、ワイピング装置内には絶えず通板方
向と逆方向にワイピングガスの流れがみられ、そ
の流速は排出口１６からの吸引、排出速度を変え
ることによつて容易に変えることができる。

したがつて、上述のような構成により、帯状体
の高速走行時においても、スプラツシユそのもの
の発生は阻止できないがスプラツシユミストによ
る成品汚染は消滅し、美麗な処理表面が得られる
のである。

第１図に示す構造例は最も単純化したものであ
るが、第２ずにおいては、ワイピングガスに同伴
した塗布液の受皿部１８を設けており、図示例の
場合、ワイピングガスの湾曲案内板がバツフル１
０と兼用となつている。さらに第３図において
は、バツフル板１０の先端、つまりガスワイピン
グノズル６の先端から伸びた湾曲案内板２０がバ
ツフル板１０とは別に設けられており、ガスワイ
ピングノズル６の先端から伸びていて、第１図の
場合と同様にバツフル板１０から垂下している。

第４図は、第３図の構造例の装置の略式斜視図
であり、同図において、囲繞体８内は吸引、排出
口１６から排気されているために絶えずノズル開
口部を通して下向きのガス流れがみられ、スプラ
ツシユミストも絶えず下向きに吸引されワイピン
グ処理後の帯状体４には付着しない。ノズル開口
部を経てワイピングガスに同伴されたスプラツシ
ユミストは湾曲案内板２０に沿つて吸引されるに
つれ減速してゆき、このとき同伴ミストを受け皿
部１８に落下させ、このミストを構成する塗布液
は浴２に戻される。

なお、囲繞体８の外への排気はワイピングガス
量と同等以上吸引するのが望ましく、望ましくは
ガス量の1.5倍以上を吸引することが望ましい。
吸引比が１以上であれば、囲繞体上部開口部が外
気吸引となり、化成処理ヒユームが囲繞体の外へ
出ていくことがなくなり、有害物質をコーテイン
グする場合のコーテイングに適する。

次に、上述のような構造の本発明にかかる装置
が効果的にスプラツシユミストの害作用を効果的
に防止できることを明らかにするために、実施例
を示す。

実施例 第３図および第４図に示す装置を使つて、クロ
メート処理を鋼ストリツプに対して行つた。その
ときのクロメート処理液を塗布液としてワイピン
グガスとして空気を使い、下記条件でワイピング
処理した。

第１表 ガス圧： 0.5Kg／cm² ノズルスリツト： 1.0mm ノズルストリツプ（間隔）： 15mm ストリツプ寸法： 0.8×1000mm 処理液： 2.5％Cr溶液 クロム付着量： 30〜40mg／m² 比較のため、バツフル板を設けなかつた例を比
較例−１、バツフル板とガスワイピングノズルと
を離間設置した例を比較例−２、この比較例−２
においてバツフル板下方の空間を吸引排気した例
を比較例−３として同様にしてクロメート処理し
た。

なお、第２図の装置を使つた例を本発明例−
１、同じく第３図の場合を本発明例−２とする。

結果を第５図にグラフにまとめて示す。図中、
各記号は第２表に示す通り。

第２表 比較例−１ ・・・× 〃 −２ ・・・▲ 〃 −３ ・・・△ 本発明例−１・・・○ 〃 −２・・・● 第５図のグラフにおいて、成品外観は目視によ
り５段階に評価し、スプラツシユ汚染の程度で評
価した。◎印レベルはスプラツシユミスト皆無の
外観である。本発明例においては200m／分の高
速処理においてもスプラツシユ汚染は皆無であ
り、従来技術に比べ格段の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は、本発明の装置の概念
図；第４図は、第３図の装置の一部破壊して示す
斜視図；および第５図は、実施例の結果をまとめ
て示すグラフである。 ２……浴、４……帯状体、６……ガスワイピン
グノズル、８……囲繞体、９……出口部、１０…
…バツフル板、１２……上部空間、１４……下部
空間、１６……排出口。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 塗布液の付着した、走行する帯状体４の少な
   くとも一方の面に対向して設けられたガスワイピ
   ングノズル６； 前記帯状体およびガスワイピングノズルを包囲
   し、該帯状体の出口部９を備えた囲繞体８； 該囲繞体内にあつて、前記ガスワイピングノズ
   ルの下端面に接して配置され、前記帯状体の走行
   する開口部１７を残して、該囲繞体を、前記ガス
   ワイピングノズルが配置された上部空間１２と下
   部空間１４とに分離、区画するバツフル板１０；
   および 前記囲繞体の下部空間に連通し、吸引、排気手