JPH046209Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH046209Y2 JPH046209Y2 JP1985096765U JP9676585U JPH046209Y2 JP H046209 Y2 JPH046209 Y2 JP H046209Y2 JP 1985096765 U JP1985096765 U JP 1985096765U JP 9676585 U JP9676585 U JP 9676585U JP H046209 Y2 JPH046209 Y2 JP H046209Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- heat sink
- sealing resin
- resin
- hybrid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、ハイブリツドIC、特に回路基板に
放熱板が固着され、かつ粉体塗装で樹脂封止され
たヘイブリツドICに関連する。
放熱板が固着され、かつ粉体塗装で樹脂封止され
たヘイブリツドICに関連する。
従来の技術
第３図は、粉体塗装で樹脂封止された従来のハ
イブリツドICの一例を示す。図において、１は
アルミナ製の回路基板、２銀−パラジウム系の厚
膜導体、５はパワートランジスタチツプ、７はラ
バー系の接着剤、８は銅製の放熱板、９はシリコ
ンラバーから成る保護用樹脂、１０は粉体塗装で
被覆されたエポキシ樹脂から成る封止樹脂であ
る。
イブリツドICの一例を示す。図において、１は
アルミナ製の回路基板、２銀−パラジウム系の厚
膜導体、５はパワートランジスタチツプ、７はラ
バー系の接着剤、８は銅製の放熱板、９はシリコ
ンラバーから成る保護用樹脂、１０は粉体塗装で
被覆されたエポキシ樹脂から成る封止樹脂であ
る。
考案が解決しようとする問題点
ところで、上記のような構造のハイブリツド
ICは、耐環境性能が不足することが判明した。
すなわち、第３図のハイブリツドICを温度サイ
クル試験に供したところ、封止樹脂１０の側面部
１０ａにおいて、封止樹脂１０に亀裂が生じるこ
とがあつた。この亀裂が生じると、封止樹脂１０
の封止効果が不完全となつて短期間でハイブリツ
ドICの電気的特性が劣化するようになり、信頼
性の乏しいものとなる。このような問題は、樹脂
封止を粉体塗装で行つたことによる独特の問題
で、トランスフアモールド法等により樹脂封止し
た製品では問題視されていなかつたことである。
ICは、耐環境性能が不足することが判明した。
すなわち、第３図のハイブリツドICを温度サイ
クル試験に供したところ、封止樹脂１０の側面部
１０ａにおいて、封止樹脂１０に亀裂が生じるこ
とがあつた。この亀裂が生じると、封止樹脂１０
の封止効果が不完全となつて短期間でハイブリツ
ドICの電気的特性が劣化するようになり、信頼
性の乏しいものとなる。このような問題は、樹脂
封止を粉体塗装で行つたことによる独特の問題
で、トランスフアモールド法等により樹脂封止し
た製品では問題視されていなかつたことである。
上記亀裂の発生は、回路基板１、放熱板８およ
び封止樹脂１０の熱膨張係数が、下記のとおり大
きく相違することに基因していると考えている。
すなわち、温度変化時の熱膨張の差に基づくスト
レスが、主として回路基板１および放熱板８の境
界周縁で大きくなり、封止樹脂の側面部１０ａに
亀裂を発生させるものと考えている。
び封止樹脂１０の熱膨張係数が、下記のとおり大
きく相違することに基因していると考えている。
すなわち、温度変化時の熱膨張の差に基づくスト
レスが、主として回路基板１および放熱板８の境
界周縁で大きくなり、封止樹脂の側面部１０ａに
亀裂を発生させるものと考えている。
回路基板（アルミナ） ：６×10-6／℃
放熱板（銅） ：1.8×10-5／℃
封止樹脂（エポキシ樹脂） ：２×10-5／℃
そこで本考案の目的は、この種のハイブリツド
ICにおいて、温度サイクルによつて封止樹脂に
亀裂が発生することを防止し、信頼性の向上を計
ることにある。
ICにおいて、温度サイクルによつて封止樹脂に
亀裂が発生することを防止し、信頼性の向上を計
ることにある。
問題点を解決するための手段
本考案による粉体塗装で樹脂封止されたハイブ
リツドICは一方の主面に回路面が形成され且つ
四角形の平面形状を有する回路基板と、該回路基
板に固定された複数の外部リードと、回路基板の
前記回路面と反対側の面に固着された放熱板と、
該放熱板及び回路基板とを被覆する粉体塗装で形
成された封止樹脂とを有する。放熱板は一方の縁
部に形成された凹部と、凹部の両端から突出する
一対の脚部とを有する。回路基板の一辺側は放熱
板の一対の脚部に跨つて配置される。複数の外部
リードの又状の端部は放熱板の凹部内で回路基板
を挟持して固着されている。回路基板の前記一辺
を除いた他の３辺は、放熱板の縁部よりも内側に
配設されている。封止樹脂は回路基板の各辺と放
熱板の縁部との間に形成された段差部を被覆して
いる。
リツドICは一方の主面に回路面が形成され且つ
四角形の平面形状を有する回路基板と、該回路基
板に固定された複数の外部リードと、回路基板の
前記回路面と反対側の面に固着された放熱板と、
該放熱板及び回路基板とを被覆する粉体塗装で形
成された封止樹脂とを有する。放熱板は一方の縁
部に形成された凹部と、凹部の両端から突出する
一対の脚部とを有する。回路基板の一辺側は放熱
板の一対の脚部に跨つて配置される。複数の外部
リードの又状の端部は放熱板の凹部内で回路基板
を挟持して固着されている。回路基板の前記一辺
を除いた他の３辺は、放熱板の縁部よりも内側に
配設されている。封止樹脂は回路基板の各辺と放
熱板の縁部との間に形成された段差部を被覆して
いる。
実施例
以下、本考案の実施例を第１図および第２図に
基づいて説明する。これらの図では、第３図と同
一部分については、同一符号を付し、その説明を
省略する。図において、３は酸化ルテニウム系厚
膜抵抗、４はチツプコンデンサ、６はAg製のリ
ード線、１１はニツケル被覆鉄材から成る外部リ
ードである。
基づいて説明する。これらの図では、第３図と同
一部分については、同一符号を付し、その説明を
省略する。図において、３は酸化ルテニウム系厚
膜抵抗、４はチツプコンデンサ、６はAg製のリ
ード線、１１はニツケル被覆鉄材から成る外部リ
ードである。
外部リード１１は、２又状に形成された一端部
が回路基板１を挟持するようにして、回路基板１
に固着されている。封止樹脂１０は、粉体塗装
（粉末樹脂を被封止体に融着する方法）により形
成されている。粉体塗装も粉末樹脂を被封止体に
被着させる方式の違いによつて種々の方法がある
が、ここでは半導体装置の封止用として一般的に
利用されている流動浸漬法を採用している。回路
基板の表面（回路面）に形成される各種電子部品
については、第１図では代表的なものを２〜５と
して一部のみ図示している。第１図では、保護樹
脂９および封止樹脂１０を破断面表示しており、
保護樹脂９および封止樹脂１０で隠れた部分につ
いては、回路基板１および放熱板８の外形のみを
破線で表示している。放熱板８は公知のように接
着剤により回路基板１に固着されている。
が回路基板１を挟持するようにして、回路基板１
に固着されている。封止樹脂１０は、粉体塗装
（粉末樹脂を被封止体に融着する方法）により形
成されている。粉体塗装も粉末樹脂を被封止体に
被着させる方式の違いによつて種々の方法がある
が、ここでは半導体装置の封止用として一般的に
利用されている流動浸漬法を採用している。回路
基板の表面（回路面）に形成される各種電子部品
については、第１図では代表的なものを２〜５と
して一部のみ図示している。第１図では、保護樹
脂９および封止樹脂１０を破断面表示しており、
保護樹脂９および封止樹脂１０で隠れた部分につ
いては、回路基板１および放熱板８の外形のみを
破線で表示している。放熱板８は公知のように接
着剤により回路基板１に固着されている。
ところで、回路基板１の上縁部１ａから放熱板
８の上縁部８ａが突出することにより、段差部１
２ａが形成されている。さらに、回路基板の右側
縁部１ｂおよび左側縁部１ｃからそれぞれ放熱板
の右側縁部８ｂおよび左側縁部８ｃが突出するこ
とにより、それぞれ段差部１２ｂ，１２ｃが形成
されている。一方、回路基板の下縁部１ｄでは上
記突出の関係が逆になり、放熱板８の凹部８ｄか
ら回路基板１の下縁部１ｄが突出することによ
り、段差部１２ｄが形成されている。放熱板８に
は一対の脚部８ｅ，８ｆが形成されているため、
段差部１２ａ，１２ｂ，１２ｃと同様に放熱板８
の上面側に形成される段差部１２ｅ，１２ｆ、お
よび段差部１２ｄと同様に回路基板１の裏面側に
形成される段差部１２ｇ，１２ｈが生じている。
これらの段差部１２ａ〜１２ｈは、段差部１２ｅ
と１２ｇの間および段差部１２ｆと１２ｈの間で
厳密には不連続になつているとも言えるが、実質
的には全体として環状に連続していると見なせ
る。したがつて、第３図のように、回路基板１と
放熱板８の周縁部がそろつた形状で樹脂封止され
ている部分は、実質的に存在しない。換言すれ
ば、本考案では、回路基板１と放熱板８のうちい
ずれか一方の周縁が他方の周縁に対して突出する
ことにより、回路基板１と放熱板８の全周縁部に
沿つて段差部１２が形成される。
８の上縁部８ａが突出することにより、段差部１
２ａが形成されている。さらに、回路基板の右側
縁部１ｂおよび左側縁部１ｃからそれぞれ放熱板
の右側縁部８ｂおよび左側縁部８ｃが突出するこ
とにより、それぞれ段差部１２ｂ，１２ｃが形成
されている。一方、回路基板の下縁部１ｄでは上
記突出の関係が逆になり、放熱板８の凹部８ｄか
ら回路基板１の下縁部１ｄが突出することによ
り、段差部１２ｄが形成されている。放熱板８に
は一対の脚部８ｅ，８ｆが形成されているため、
段差部１２ａ，１２ｂ，１２ｃと同様に放熱板８
の上面側に形成される段差部１２ｅ，１２ｆ、お
よび段差部１２ｄと同様に回路基板１の裏面側に
形成される段差部１２ｇ，１２ｈが生じている。
これらの段差部１２ａ〜１２ｈは、段差部１２ｅ
と１２ｇの間および段差部１２ｆと１２ｈの間で
厳密には不連続になつているとも言えるが、実質
的には全体として環状に連続していると見なせ
る。したがつて、第３図のように、回路基板１と
放熱板８の周縁部がそろつた形状で樹脂封止され
ている部分は、実質的に存在しない。換言すれ
ば、本考案では、回路基板１と放熱板８のうちい
ずれか一方の周縁が他方の周縁に対して突出する
ことにより、回路基板１と放熱板８の全周縁部に
沿つて段差部１２が形成される。
放熱板に設けられた一対の脚部８ｅ，８ｆは、
外部リード１１の導出方向に延在し、これらの先
端部は封止樹脂１０で被覆されていない。脚部８
ｅ，８ｆの先端は、外部リード１１の先端１１ａ
と外部リード１１を被覆する封止樹脂１０の先端
１０ｂの中間に位置する。
外部リード１１の導出方向に延在し、これらの先
端部は封止樹脂１０で被覆されていない。脚部８
ｅ，８ｆの先端は、外部リード１１の先端１１ａ
と外部リード１１を被覆する封止樹脂１０の先端
１０ｂの中間に位置する。
このハイブリツドICを、第３図のハイブリツ
ドICのときと同じ条件で温度サイクル試験に供
したところ、封止樹脂１０に亀裂等の異常は発生
しなかつた。この理由は、次のように考えてい
る。熱膨張の差に基づくストレスは、回路基板１
と放熱板８の境界部に隣接する封止樹脂１０に最
も顕著に作用する。第３図の従来構造では、上記
境界部において上記ストレスに厚みｌの封止樹脂
１０で抗することになり、上記ストレスに耐え切
れずに上記境界部の近傍で封止樹脂１０に亀裂が
発生した。ところが、実施例の構造では、第２図
に示すように、段差部１２ａがあるために第３図
のｌに相当する封止樹脂１０の厚みがＬとなり、
従来に比べて大幅に厚くなつている。また、段差
部１２ａの段差を緩和するように封止樹脂１０が
なめらかな曲線を描いて被覆される。すなわち、
単純にＬとｌの比率で比較はできないとしても、
段差部１２ａの近傍において封止樹脂１０が比較
的厚く被覆されることには違いない。段差部１２
ｂ〜１２ｈについても同様である。したがつて、
段差部１２ａ〜１２ｈの存在によつて上記ストレ
スの顕著に作用する部分の封止樹脂１０の厚みが
大きくなり、ストレスに耐える力がその分強くな
つて、封止樹脂１０に亀裂が発生しなくなる。
ドICのときと同じ条件で温度サイクル試験に供
したところ、封止樹脂１０に亀裂等の異常は発生
しなかつた。この理由は、次のように考えてい
る。熱膨張の差に基づくストレスは、回路基板１
と放熱板８の境界部に隣接する封止樹脂１０に最
も顕著に作用する。第３図の従来構造では、上記
境界部において上記ストレスに厚みｌの封止樹脂
１０で抗することになり、上記ストレスに耐え切
れずに上記境界部の近傍で封止樹脂１０に亀裂が
発生した。ところが、実施例の構造では、第２図
に示すように、段差部１２ａがあるために第３図
のｌに相当する封止樹脂１０の厚みがＬとなり、
従来に比べて大幅に厚くなつている。また、段差
部１２ａの段差を緩和するように封止樹脂１０が
なめらかな曲線を描いて被覆される。すなわち、
単純にＬとｌの比率で比較はできないとしても、
段差部１２ａの近傍において封止樹脂１０が比較
的厚く被覆されることには違いない。段差部１２
ｂ〜１２ｈについても同様である。したがつて、
段差部１２ａ〜１２ｈの存在によつて上記ストレ
スの顕著に作用する部分の封止樹脂１０の厚みが
大きくなり、ストレスに耐える力がその分強くな
つて、封止樹脂１０に亀裂が発生しなくなる。
なお、このハイブリツドICをプリント基板に
装着するためにプリント基板に設けた孔に外部リ
ード１１を差し込んだとき、一対の脚部８ｅ，８
ｆがストツパとなる。したがつて、プリント基板
に対するハイブリツドICの取付位置を一定にす
ることができ、取付作業が簡単になる。放熱板８
の回路基板１に対する左右への突出部から伸びる
ように脚部８ｅ，８ｆを形成しているので、脚部
８ｅ，８ｆによつて外部リード１１を取付ける回
路基板の下縁部１ｄが短く制限されることもな
い。脚部８ｅ，８ｆの先端に封止樹脂１０を被覆
していないので、これらの先端位置の精度もよ
い。
装着するためにプリント基板に設けた孔に外部リ
ード１１を差し込んだとき、一対の脚部８ｅ，８
ｆがストツパとなる。したがつて、プリント基板
に対するハイブリツドICの取付位置を一定にす
ることができ、取付作業が簡単になる。放熱板８
の回路基板１に対する左右への突出部から伸びる
ように脚部８ｅ，８ｆを形成しているので、脚部
８ｅ，８ｆによつて外部リード１１を取付ける回
路基板の下縁部１ｄが短く制限されることもな
い。脚部８ｅ，８ｆの先端に封止樹脂１０を被覆
していないので、これらの先端位置の精度もよ
い。
考案の効果
以上述べたように、本考案によれば、回路基板
と放熱板の境界部の周辺に段差部を設けることに
より、温度変化の激しい使用環境の下でも封止樹
脂に亀裂が生じることはなくなつた。したがつ
て、製造コストの低い粉体塗装を電力用ハイブリ
ツドICに応用することが可能になり、低コス
ト・高信頼性の放熱板付電力用ハイブリツドIC
を提供できるようになつた。
と放熱板の境界部の周辺に段差部を設けることに
より、温度変化の激しい使用環境の下でも封止樹
脂に亀裂が生じることはなくなつた。したがつ
て、製造コストの低い粉体塗装を電力用ハイブリ
ツドICに応用することが可能になり、低コス
ト・高信頼性の放熱板付電力用ハイブリツドIC
を提供できるようになつた。
第１図は本考案によるハイブリツドICの斜視
図で、その一部は破断面で表示されている。第２
図は、第１図の−線に沿つた断面図である。
第３図は、従来のハイブリツドICの一部を示す
断面図である。 １……回路基板、１ａ〜１ｄ……回路基板の周
縁部、２，３，４，５……電子部品、７……接着
剤、８……放熱板、８ａ〜８ｄ……放熱板の周縁
部、８ｅ〜８ｆ……放熱板の脚部、９……保護樹
脂、１０……封止樹脂、１１……外部リード、１
２，１２ａ〜１２ｈ……段差部。
図で、その一部は破断面で表示されている。第２
図は、第１図の−線に沿つた断面図である。
第３図は、従来のハイブリツドICの一部を示す
断面図である。 １……回路基板、１ａ〜１ｄ……回路基板の周
縁部、２，３，４，５……電子部品、７……接着
剤、８……放熱板、８ａ〜８ｄ……放熱板の周縁
部、８ｅ〜８ｆ……放熱板の脚部、９……保護樹
脂、１０……封止樹脂、１１……外部リード、１
２，１２ａ〜１２ｈ……段差部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一方の主面に回路面が形成され且つ四角形の平
面形状を有する回路基板と、該回路基板に固定さ
れた複数の外部リードと、前記回路基板の前記回
路面と反対側の面に固着された放熱板と、該放熱
板及び前記回路基板とを被覆する粉体塗装で形成
された封止樹脂とを有するハイブリツドICにお
いて、 前記放熱板は一方の縁部に形成された凹部と、
該凹部の両端から突出する一対の脚部とを有し、
前記回路基板の一辺側は前記放熱板の一対の脚部
に跨つて配置され、前記複数の外部リードの又状
の端部は前記放熱板の凹部内で前記回路基板を挟
持して固着され、前記回路基板の前記一辺を除い
た他の３辺は、前記放熱板の縁部よりも内側に配
設され、前記封止樹脂は前記回路基板の各辺と前
記放熱板の縁部との間に形成された段差部を被覆
していることを特徴とする粉体塗装で樹脂封止さ
れたハイブリツドIC。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985096765U JPH046209Y2 (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985096765U JPH046209Y2 (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625645U JPS625645U (ja) | 1987-01-14 |
| JPH046209Y2 true JPH046209Y2 (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=30962893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985096765U Expired JPH046209Y2 (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH046209Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56174859U (ja) * | 1980-05-26 | 1981-12-23 | ||
| JPS5839018A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路の組立方法 |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP1985096765U patent/JPH046209Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS625645U (ja) | 1987-01-14 |
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