JPH0463993B2 - - Google Patents
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- JPH0463993B2 JPH0463993B2 JP60063534A JP6353485A JPH0463993B2 JP H0463993 B2 JPH0463993 B2 JP H0463993B2 JP 60063534 A JP60063534 A JP 60063534A JP 6353485 A JP6353485 A JP 6353485A JP H0463993 B2 JPH0463993 B2 JP H0463993B2
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- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25J—LIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
- F25J3/00—Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification
- F25J3/02—Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream
- F25J3/04—Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air
- F25J3/044—Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by rectification, i.e. by continuous interchange of heat and material between a vapour stream and a liquid stream for air using a single pressure main column system only
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- F25J3/04151—Purification and (pre-)cooling of the feed air; recuperative heat-exchange with product streams
- F25J3/04163—Hot end purification of the feed air
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- F25J3/04163—Hot end purification of the feed air
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- F25J2215/44—Ultra high purity nitrogen, i.e. generally less than 1 ppb impurities
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- Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、空気から窒素等の製品ガスを分離す
る空気分離装置に係り、特に高純度窒素を製造す
るのに好適な方法および装置に関する。
る空気分離装置に係り、特に高純度窒素を製造す
るのに好適な方法および装置に関する。
一般に、空気分離装置は、原料空気を圧縮機に
て圧縮昇圧させ、この圧縮熱により高温となつた
原料空気をアフタークーラーにて冷却し、次いで
原料空気中の水分（H2O）および二酸化炭素
（CO2）を吸着塔によつて吸着除去し、H2Oおよ
びCO2除去後の原料空気を熱交換器を介して精留
塔に供給して製品ガス（窒素あるいは酸素）を精
留分離している。このような空気分離装置は、例
えば特開昭56−97772号、特開昭55−49681号、特
開昭55−38423号、特開昭54−52667号、特開昭54
−84888号に開示される。
て圧縮昇圧させ、この圧縮熱により高温となつた
原料空気をアフタークーラーにて冷却し、次いで
原料空気中の水分（H2O）および二酸化炭素
（CO2）を吸着塔によつて吸着除去し、H2Oおよ
びCO2除去後の原料空気を熱交換器を介して精留
塔に供給して製品ガス（窒素あるいは酸素）を精
留分離している。このような空気分離装置は、例
えば特開昭56−97772号、特開昭55−49681号、特
開昭55−38423号、特開昭54−52667号、特開昭54
−84888号に開示される。
ところで、半導体製造プロセス等では、大量の
窒素が使用されているが、ここで使用される窒素
は、非常に高純度のものが要求される。特に、窒
素中に一酸化炭素、水素が含まれることは、半導
体の性能劣化、品質不良の原因となり好ましくな
い。深冷分離により製造された窒素ガス中には、
窒素と同程度の沸点を有するか、それより低い沸
点を有する物質が混入している。この様な物質と
しては、ヘリウム、ネオン、水素、アルゴン、一
酸化炭素が挙げられる。一方、炭素水素、塩素、
二酸化炭素、水分等は、窒素より沸点が高いた
め、窒素中にはほとんど含まれない。従つて、半
導体製造プロセスに使用する窒素を深冷分離によ
る空気分離法で製造する場合には、水素および一
酸化炭素を如何にする除去するかが問題となる。
この様な背景のもとで、従来は、窒素ガス中に含
まれる水素、一酸化炭素を除去する精製装置が使
用されていた。以下、従来の精製装置の構成につ
いて概略説明する。第３図に従来の水素および一
酸化炭素の除去装置の系統図を示す。
窒素が使用されているが、ここで使用される窒素
は、非常に高純度のものが要求される。特に、窒
素中に一酸化炭素、水素が含まれることは、半導
体の性能劣化、品質不良の原因となり好ましくな
い。深冷分離により製造された窒素ガス中には、
窒素と同程度の沸点を有するか、それより低い沸
点を有する物質が混入している。この様な物質と
しては、ヘリウム、ネオン、水素、アルゴン、一
酸化炭素が挙げられる。一方、炭素水素、塩素、
二酸化炭素、水分等は、窒素より沸点が高いた
め、窒素中にはほとんど含まれない。従つて、半
導体製造プロセスに使用する窒素を深冷分離によ
る空気分離法で製造する場合には、水素および一
酸化炭素を如何にする除去するかが問題となる。
この様な背景のもとで、従来は、窒素ガス中に含
まれる水素、一酸化炭素を除去する精製装置が使
用されていた。以下、従来の精製装置の構成につ
いて概略説明する。第３図に従来の水素および一
酸化炭素の除去装置の系統図を示す。
導管４１から供給される水素、一酸化炭素を含
む窒素ガスに対して、導管４２を通して、燃焼用
の酸素ガスが添加される。添加する酸素ガスの量
は、水素と一酸化炭素を燃焼するに必要な量よ
り、多少多目とし、未燃の水素、一酸化炭素が残
存しない様にする。次に、この混合ガスは、電気
ヒータ５１により、90〜120℃程度まで昇温した
後、燃焼触媒を充填した触媒槽５２に供給され
る。これは、水素は室温でも酸素と反応燃焼する
が、一酸化炭素の燃焼開始には前記の温度まで昇
温する必要があるためである。触媒槽５２の中
で、水素は酸素と反応して水分に、一酸化炭素は
酸素と反応して二酸化炭素となる。未反応の加剰
に加えられた酸素は、次に設けられた酸素吸収触
媒（例えばCu）を充填した触媒槽５３により反
応吸収され、窒素ガス中から除去される。次い
で、導管４６を介して冷却器５４に導かれ、ここ
で室温まで冷却される。冷却された窒素ガスは導
管４７を介して吸着塔５５に供給され、ここに充
填されている吸着剤により、水分と炭酸ガスが除
去される。通常、酸素吸収触媒槽５３と吸着塔５
５は、夫々２基設置され、切替使用される。すな
わち、一方が吸収または吸着動作中に他方はその
機能を再生させ、これらを切替えることによつて
連続して吸収または吸着動作を行わせる。
む窒素ガスに対して、導管４２を通して、燃焼用
の酸素ガスが添加される。添加する酸素ガスの量
は、水素と一酸化炭素を燃焼するに必要な量よ
り、多少多目とし、未燃の水素、一酸化炭素が残
存しない様にする。次に、この混合ガスは、電気
ヒータ５１により、90〜120℃程度まで昇温した
後、燃焼触媒を充填した触媒槽５２に供給され
る。これは、水素は室温でも酸素と反応燃焼する
が、一酸化炭素の燃焼開始には前記の温度まで昇
温する必要があるためである。触媒槽５２の中
で、水素は酸素と反応して水分に、一酸化炭素は
酸素と反応して二酸化炭素となる。未反応の加剰
に加えられた酸素は、次に設けられた酸素吸収触
媒（例えばCu）を充填した触媒槽５３により反
応吸収され、窒素ガス中から除去される。次い
で、導管４６を介して冷却器５４に導かれ、ここ
で室温まで冷却される。冷却された窒素ガスは導
管４７を介して吸着塔５５に供給され、ここに充
填されている吸着剤により、水分と炭酸ガスが除
去される。通常、酸素吸収触媒槽５３と吸着塔５
５は、夫々２基設置され、切替使用される。すな
わち、一方が吸収または吸着動作中に他方はその
機能を再生させ、これらを切替えることによつて
連続して吸収または吸着動作を行わせる。
このような精製装置を付加することによつて、
空気分離装置で製造された窒素を精製し、窒素中
から一酸化炭素、水素を除去することができる。
しかし、これでは装置全体が複雑化すると共に、
高純度の酸素の使用、電力エネルギーの消費等に
よる運転費のコストアツプとなる。
空気分離装置で製造された窒素を精製し、窒素中
から一酸化炭素、水素を除去することができる。
しかし、これでは装置全体が複雑化すると共に、
高純度の酸素の使用、電力エネルギーの消費等に
よる運転費のコストアツプとなる。
本発明の目的は、圧縮機の昇圧熱により原料空
気を昇温して触媒反応させ、水素及び一酸化炭素
を含まない高純度の窒素ガスを製造する窒素製造
方法及び装置を提供することにある。
気を昇温して触媒反応させ、水素及び一酸化炭素
を含まない高純度の窒素ガスを製造する窒素製造
方法及び装置を提供することにある。
本発明は、原料空気を空気圧縮機で圧縮し、圧
縮により原料空気の温度を触媒反応に適した90℃
〜120℃温度まで昇温し、該昇温された原料空気
を触媒槽に導入し該触媒槽で原料空気中の可燃成
分である水素及び精留によつて窒素と分離が困難
な一酸化炭素と酸素とを反応・燃焼させ、該反
応・燃焼で昇温した圧縮された原料空気を常温ま
で冷却後原料空気中の不純物である反応生成物
（水分および二酸化炭素）を除去し、該不純物の
除去された原料空気から深冷分離により高純度の
窒素ガスを製造することを特徴とする。
縮により原料空気の温度を触媒反応に適した90℃
〜120℃温度まで昇温し、該昇温された原料空気
を触媒槽に導入し該触媒槽で原料空気中の可燃成
分である水素及び精留によつて窒素と分離が困難
な一酸化炭素と酸素とを反応・燃焼させ、該反
応・燃焼で昇温した圧縮された原料空気を常温ま
で冷却後原料空気中の不純物である反応生成物
（水分および二酸化炭素）を除去し、該不純物の
除去された原料空気から深冷分離により高純度の
窒素ガスを製造することを特徴とする。
以下、本発明を実施例により説明する。第１図
は本発明の一実施例を示すフローシート図であ
る。第１図において、フイルター１は原料となる
空気中のちり等を除去する。空気圧縮機２はフイ
ルター１通過後の原料空気を圧縮（昇圧）する。
触媒槽３には、白金やパラジウム等の触媒が充填
されており、ここで空気中の可燃成分が燃焼され
る。冷却器４は原料空気を冷却する。吸着塔５に
は、水分および二酸化炭素等の不純物を吸着する
吸着剤が充填されており、ここで原料空気中の水
分および二酸化炭素等の不純物を吸着除去する。
100は深冷分離部であり、熱交換器６、精留塔７
等で構成される。熱交換器６は、原料空気を精留
塔７からの戻りのガスの寒冷によつて深冷温度ま
で低下させる。精留塔７は、熱交換器６によつて
低温となつた原料空気の供給を受け、製品ガス
（この例では、窒素のみ）を精留分離する。ここ
での廃ガスおよび製品ガスは、熱交換器６の戻り
ガスとなる。８は精留塔上部の凝縮器、１１〜２
３は導管、３１は膨張弁、３２〜３９は吸着塔５
の切替弁である。
は本発明の一実施例を示すフローシート図であ
る。第１図において、フイルター１は原料となる
空気中のちり等を除去する。空気圧縮機２はフイ
ルター１通過後の原料空気を圧縮（昇圧）する。
触媒槽３には、白金やパラジウム等の触媒が充填
されており、ここで空気中の可燃成分が燃焼され
る。冷却器４は原料空気を冷却する。吸着塔５に
は、水分および二酸化炭素等の不純物を吸着する
吸着剤が充填されており、ここで原料空気中の水
分および二酸化炭素等の不純物を吸着除去する。
100は深冷分離部であり、熱交換器６、精留塔７
等で構成される。熱交換器６は、原料空気を精留
塔７からの戻りのガスの寒冷によつて深冷温度ま
で低下させる。精留塔７は、熱交換器６によつて
低温となつた原料空気の供給を受け、製品ガス
（この例では、窒素のみ）を精留分離する。ここ
での廃ガスおよび製品ガスは、熱交換器６の戻り
ガスとなる。８は精留塔上部の凝縮器、１１〜２
３は導管、３１は膨張弁、３２〜３９は吸着塔５
の切替弁である。
水素、一酸化炭素等を燃焼させる燃焼触媒を充
填した触媒槽３は、空気圧縮機２の出口と、冷却
器４の中間に設けられている。これは、圧縮熱に
より空気の温度が90〜120℃に上昇していること
を利用して触媒槽３における反応を起こさせるた
めである。空気中の水素、一酸化炭素は空気中に
大過剰に存在する酸素と燃焼触媒のもとで反応す
る。反応生成物は、水分および二酸化炭素であ
る。酸素21％に対して、水素、一酸化炭素の濃度
は高々数十ppm程度であり、未反応の水素、一酸
化炭素が残存する可能性は非常に希である。反応
による生成熟もわずかであり、温度上昇は高々数
度Ｃなので、加熱防止等の考慮は必要でない。水
素、一酸化炭素等が燃焼除去された空気は、導管
１３を通つて冷却器４に導かれる。冷却器で水に
より室温まで冷却された後、導管１４により、吸
着塔５に導かれる。吸着塔は通常２基からそれ以
上設けられ、一方を再生しながら、交互に切替え
られて使用される。吸着塔５には水分、炭酸ガス
を吸着除去する吸着剤が充填されているので、吸
着塔出口の空気中には水分、二酸化炭素等の不純
物はほとんど含まれない。吸着塔５を出た空気
は、熱交換器６、精留塔７塔で構成される深冷分
離部１００に導かれる。まず、導管１５により原
料空気は熱交換器６に導入される。原料空気は、
ここで窒素ガス、廃ガスと熱交換し冷却される。
更にこの空気は、精留塔７の底部に導管１６を通
して供給される。ここで、原料空気は塔内に多数
設けられている精留皿上の液体と気液接触し、精
留分離される。この結果、精留塔７の底部には酸
素濃度の高い液体空気が溜まる。一方窒素ガス
は、精留塔上部の導管１７を通して精留塔より抜
出され、空気熱交換器６の内部で温度回復して、
製品窒素ガスとして導管１８を通して送出され
る。この場合、精留操作前でCO、H2を除去して
おり、製品窒素ガス中に一酸化炭素、水素（可燃
成分）は含まれない。なお、この例では、精留塔
７は、窒素のみを製造する単式精留塔としたが、
これは酸素ガスを同時に採取する複式精留塔であ
つてもかまわない。一方液体空気は導管１９を通
して精留塔から抜出され、途中膨張弁３１で脱圧
され、所謂ジユール・トムソン効果により、温度
降下した後、凝縮器８の冷熱源として凝縮器に供
給され、ここで蒸発した後、導管２１、空気熱交
換器６を通して常温まで温度回復し、吸着塔５の
再生ガスとして使用され、大気中に導管２３を通
して放出される。
填した触媒槽３は、空気圧縮機２の出口と、冷却
器４の中間に設けられている。これは、圧縮熱に
より空気の温度が90〜120℃に上昇していること
を利用して触媒槽３における反応を起こさせるた
めである。空気中の水素、一酸化炭素は空気中に
大過剰に存在する酸素と燃焼触媒のもとで反応す
る。反応生成物は、水分および二酸化炭素であ
る。酸素21％に対して、水素、一酸化炭素の濃度
は高々数十ppm程度であり、未反応の水素、一酸
化炭素が残存する可能性は非常に希である。反応
による生成熟もわずかであり、温度上昇は高々数
度Ｃなので、加熱防止等の考慮は必要でない。水
素、一酸化炭素等が燃焼除去された空気は、導管
１３を通つて冷却器４に導かれる。冷却器で水に
より室温まで冷却された後、導管１４により、吸
着塔５に導かれる。吸着塔は通常２基からそれ以
上設けられ、一方を再生しながら、交互に切替え
られて使用される。吸着塔５には水分、炭酸ガス
を吸着除去する吸着剤が充填されているので、吸
着塔出口の空気中には水分、二酸化炭素等の不純
物はほとんど含まれない。吸着塔５を出た空気
は、熱交換器６、精留塔７塔で構成される深冷分
離部１００に導かれる。まず、導管１５により原
料空気は熱交換器６に導入される。原料空気は、
ここで窒素ガス、廃ガスと熱交換し冷却される。
更にこの空気は、精留塔７の底部に導管１６を通
して供給される。ここで、原料空気は塔内に多数
設けられている精留皿上の液体と気液接触し、精
留分離される。この結果、精留塔７の底部には酸
素濃度の高い液体空気が溜まる。一方窒素ガス
は、精留塔上部の導管１７を通して精留塔より抜
出され、空気熱交換器６の内部で温度回復して、
製品窒素ガスとして導管１８を通して送出され
る。この場合、精留操作前でCO、H2を除去して
おり、製品窒素ガス中に一酸化炭素、水素（可燃
成分）は含まれない。なお、この例では、精留塔
７は、窒素のみを製造する単式精留塔としたが、
これは酸素ガスを同時に採取する複式精留塔であ
つてもかまわない。一方液体空気は導管１９を通
して精留塔から抜出され、途中膨張弁３１で脱圧
され、所謂ジユール・トムソン効果により、温度
降下した後、凝縮器８の冷熱源として凝縮器に供
給され、ここで蒸発した後、導管２１、空気熱交
換器６を通して常温まで温度回復し、吸着塔５の
再生ガスとして使用され、大気中に導管２３を通
して放出される。
上述した実施例では、圧縮熱を利用しているの
で、水素、一酸化炭素を燃焼温度まで昇温するヒ
ーターが不用となつている。又、深冷方式の空気
分離装置と組合せてあるので、窒素ガスより沸点
の低い炭化水素類も除去できる等の効果を同時に
得ることが出来る。さらに、本実施例では原料空
気中の不純物（水分および二酸化炭素）の除去手
段に吸着等を用いているが、これは可逆式熱交換
器による除去装置を用いても同様の効果を得るこ
とが出来る。
で、水素、一酸化炭素を燃焼温度まで昇温するヒ
ーターが不用となつている。又、深冷方式の空気
分離装置と組合せてあるので、窒素ガスより沸点
の低い炭化水素類も除去できる等の効果を同時に
得ることが出来る。さらに、本実施例では原料空
気中の不純物（水分および二酸化炭素）の除去手
段に吸着等を用いているが、これは可逆式熱交換
器による除去装置を用いても同様の効果を得るこ
とが出来る。
第２図は、空気の圧縮熱が十分でない場合の本
発明の他の実施例である。圧縮機２と触媒槽３の
間に加熱器９を設けて、水素および一酸化炭素等
の可燃成分の燃焼に適当な90℃〜120℃の温度ま
で、加熱器で昇温している。加熱器の熱源として
は、電気、蒸気、燃焼ガスなどが挙げられる。水
素、一酸化炭素等の可燃成分を除去した後の系統
は第１図の場合と同様であり、説明は省略する。
発明の他の実施例である。圧縮機２と触媒槽３の
間に加熱器９を設けて、水素および一酸化炭素等
の可燃成分の燃焼に適当な90℃〜120℃の温度ま
で、加熱器で昇温している。加熱器の熱源として
は、電気、蒸気、燃焼ガスなどが挙げられる。水
素、一酸化炭素等の可燃成分を除去した後の系統
は第１図の場合と同様であり、説明は省略する。
以上説明したように、本発明によれば、圧縮機
の昇圧熱により原料空気を昇温して触媒反応さ
せ、水素及び一酸化炭素を含まない高純度の窒素
ガス製造方法および装置を提供することが出来
る。
の昇圧熱により原料空気を昇温して触媒反応さ
せ、水素及び一酸化炭素を含まない高純度の窒素
ガス製造方法および装置を提供することが出来
る。
第１図及び第２図は、夫々本発明の一実施例を
示す窒素製造装置の系統図であり、第３図は従来
の窒素精製装置の一例を示す系統図である。 １……フイルター、２……空気圧縮機、３……
触媒槽、４……冷却器、５……吸着塔、６……燃
交換器、７……精留塔、８……凝縮器、１１〜２
３……導管、３１……膨張弁。
示す窒素製造装置の系統図であり、第３図は従来
の窒素精製装置の一例を示す系統図である。 １……フイルター、２……空気圧縮機、３……
触媒槽、４……冷却器、５……吸着塔、６……燃
交換器、７……精留塔、８……凝縮器、１１〜２
３……導管、３１……膨張弁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 原料空気を空気圧縮機で圧縮し該圧縮により
原料空気の温度を触媒反応に適した90℃〜120℃
の温度まで昇温し、該昇温された原料空気を触媒
槽に導入し該触媒槽で原料空気中の水素及び精留
によつて窒素と分離が困難な一酸化炭素と酸素と
を反応・燃焼させ、該反応・燃焼で昇温した圧縮
された原料空気を常温まで冷却後原料空気中の不
純物である反応生成物を除去し、該不純物の除去
された原料空気から深冷分離により高純度の窒素
ガスを製造することを特徴とする窒素製造方法。 ２ 原料空気を圧縮する圧縮機と、該圧縮機で圧
縮されて触媒反応に適した90℃〜120℃の温度ま
で原料空気を昇温後導入し原料空気中の水素及び
精留によつて窒素と分離が困難な一酸化炭素と酸
素とを反応・燃焼させる触媒槽と、該触媒槽で反
応・燃焼後の圧縮された原料空気を冷却する冷却
器と、該冷却器で冷却された原料空気中の不純物
である反応生成物を除去する除去装置と、該除去
装置を経た原料空気から深冷分離により、高純度
の窒素ガスを製造する深冷分離装置とを具備した
ことを特徴とする窒素製造装置。 ３ 前記触媒反応に適した90℃〜120℃の温度ま
での原料空気の昇温は、圧縮機と触媒槽との間に
設けた過熱器で昇温させるように構成したことを
特徴とする特許請求の範囲第２記載の窒素製造装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60063534A JPS61225568A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 空気分離装置 |
| JP2012587A JPH0711384B2 (ja) | 1985-03-29 | 1990-01-24 | 窒素製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60063534A JPS61225568A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 空気分離装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012587A Division JPH0711384B2 (ja) | 1985-03-29 | 1990-01-24 | 窒素製造方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225568A JPS61225568A (ja) | 1986-10-07 |
| JPH0463993B2 true JPH0463993B2 (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=13231976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60063534A Granted JPS61225568A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 空気分離装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225568A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1137643A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Osaka Oxygen Ind Ltd | 空気分離方法および空気分離装置 |
| JPH1190181A (ja) * | 1997-09-24 | 1999-04-06 | Osaka Oxygen Ind Ltd | 空気清浄装置 |
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| JP3306517B2 (ja) * | 1992-05-08 | 2002-07-24 | 日本酸素株式会社 | 空気液化分離装置及び方法 |
| JP3277340B2 (ja) * | 1993-04-22 | 2002-04-22 | 日本酸素株式会社 | 半導体製造工場向け各種ガスの製造方法及び装置 |
Family Cites Families (2)
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-
1985
- 1985-03-29 JP JP60063534A patent/JPS61225568A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1137643A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Osaka Oxygen Ind Ltd | 空気分離方法および空気分離装置 |
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| Publication number | Publication date |
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| JPS61225568A (ja) | 1986-10-07 |
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