JPH0465018A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0465018A JPH0465018A JP2176645A JP17664590A JPH0465018A JP H0465018 A JPH0465018 A JP H0465018A JP 2176645 A JP2176645 A JP 2176645A JP 17664590 A JP17664590 A JP 17664590A JP H0465018 A JPH0465018 A JP H0465018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- less
- mol
- weight
- cao
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 8
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 organic acid salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910000311 lanthanide oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、大きな比誘電率(i r)を持ち、共振周波
数の温度係数(τf)が、小さくかつ広範囲に制御でき
る誘電体磁器組成物に関するものである。
数の温度係数(τf)が、小さくかつ広範囲に制御でき
る誘電体磁器組成物に関するものである。
(従来の技術)
MHz帯からGHz帯のマイクロ波帯域の電波を利用し
た自動車電話、コードレス電話等の移動無線器に、最近
、セラミックフィルターが多く用いられるようになった
。これは、セラミックフィルターを構成している誘電体
が大きな比誘電率(εr)、無負荷Q(Qo)を持ち、
共振周波数の温度係数(τf)の値が、その誘電体の組
成によりOを中心として正負いずれも自由に制御できる
という利点を持つことに起因している。
た自動車電話、コードレス電話等の移動無線器に、最近
、セラミックフィルターが多く用いられるようになった
。これは、セラミックフィルターを構成している誘電体
が大きな比誘電率(εr)、無負荷Q(Qo)を持ち、
共振周波数の温度係数(τf)の値が、その誘電体の組
成によりOを中心として正負いずれも自由に制御できる
という利点を持つことに起因している。
従来、上述の誘電体材料として、MgO−Ca0−Ti
O□系、ZrO□−Tie□−5nO□系、Bad−T
iO2−ランタノイド酸化物系を使用していた。
O□系、ZrO□−Tie□−5nO□系、Bad−T
iO2−ランタノイド酸化物系を使用していた。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、これらの材料はsrがたかだか100以
下であり、共振素子を作成した場合その小型化(1/ε
r)には、おのずと限界があった。
下であり、共振素子を作成した場合その小型化(1/ε
r)には、おのずと限界があった。
従って、εrの高い誘電体磁器組成物が切望されていた
。
。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、MHz帯からGHz帯のマイクロ波領域
において、εrが100以上、かっτfが±1100p
p/ ”C以下、かつQ。が100以上の組成物を得る
べく、種々の組成系について検討した結果、CaOcモ
ル%、 SrObモル%、 Bi2O3cモル%。
において、εrが100以上、かっτfが±1100p
p/ ”C以下、かつQ。が100以上の組成物を得る
べく、種々の組成系について検討した結果、CaOcモ
ル%、 SrObモル%、 Bi2O3cモル%。
TiO□ 6モル%の組成系よりなり、それぞれの組成
範囲が 0≦a (30,O< b≦20 10≦c≦50. 40≦d≦80 ただしO< a + b≦30である主成分に、酸化バ
ナジウム(V2O5)を2重量%以下、酸化ニオブ(N
b2Os)を5重量%以下、酸化タンタル(Ta20.
)を5重量%以下のうち少なくとも1種類添加した時に
、所望の特性が得られることを明らかとしたものである
。
範囲が 0≦a (30,O< b≦20 10≦c≦50. 40≦d≦80 ただしO< a + b≦30である主成分に、酸化バ
ナジウム(V2O5)を2重量%以下、酸化ニオブ(N
b2Os)を5重量%以下、酸化タンタル(Ta20.
)を5重量%以下のうち少なくとも1種類添加した時に
、所望の特性が得られることを明らかとしたものである
。
また、CaOcモル%、 SrObモル%、 Bi2O
,cモル%、 TiO□dモル%の組成系よりなり、そ
れぞれの組成範囲が、 0≦a <30. O< b≦2010≦c≦50
. 40≦d≦80 ただしO< a + b≦30である主成分に、酸化ラ
ンタン(La2O3)を5重量%以下、酸化ネオジム(
Nd203)を5重量%以下、酸化サマリウム(Sm。
,cモル%、 TiO□dモル%の組成系よりなり、そ
れぞれの組成範囲が、 0≦a <30. O< b≦2010≦c≦50
. 40≦d≦80 ただしO< a + b≦30である主成分に、酸化ラ
ンタン(La2O3)を5重量%以下、酸化ネオジム(
Nd203)を5重量%以下、酸化サマリウム(Sm。
03)を5重量%以下、酸化ガドリニウム(Gd203
)を5重量%以下のうち少なくとも1種類添加したと
きに、所望の特性が得られることを明らかにしたもので
ある。
)を5重量%以下のうち少なくとも1種類添加したと
きに、所望の特性が得られることを明らかにしたもので
ある。
本発明において、CaO1SrO1Bi、 0.、Ti
O2の組成は、この範囲外では、Qoが100以下とな
り実用的ではない。
O2の組成は、この範囲外では、Qoが100以下とな
り実用的ではない。
また、■20s の添加量が2重量%を越えると、Qo
が100以下となり、τfもマイナス側に大きくなる。
が100以下となり、τfもマイナス側に大きくなる。
また+ Nb2O,、Ta2O,の添加量が、5重量%
を越えると、Qoが100以下に低下してしまう。また
、τfも測定時、高温側で測定ピークがノイズに埋もれ
てしまい測定不能となり、実用に不適当である。
を越えると、Qoが100以下に低下してしまう。また
、τfも測定時、高温側で測定ピークがノイズに埋もれ
てしまい測定不能となり、実用に不適当である。
また、La20. 、 S+m203. Gd、02の
添加量が5重量%を超えると、Qo が100以下とな
り、τfもプラス側に大きくなり、実用には不適当とな
る。
添加量が5重量%を超えると、Qo が100以下とな
り、τfもプラス側に大きくなり、実用には不適当とな
る。
なお、本発明の誘電体磁器組成物は、所定量の素原料を
混合・焼成することにより、最終的に酸化物磁器組成物
になればよく、素原料は熱分解して酸化物となる炭酸塩
・硝酸塩・有機酸塩などでも良い。
混合・焼成することにより、最終的に酸化物磁器組成物
になればよく、素原料は熱分解して酸化物となる炭酸塩
・硝酸塩・有機酸塩などでも良い。
(実施例)
CaCO,、5rCO,、Bi、0.、 TiO,t
V、Ost NbzOst Ta2O、を第1表に示す
各組成で秤量し、めのうボールを入れたポリエチレンポ
ットにアセトンとともに投入し、16時間湿式混合した
。
V、Ost NbzOst Ta2O、を第1表に示す
各組成で秤量し、めのうボールを入れたポリエチレンポ
ットにアセトンとともに投入し、16時間湿式混合した
。
このスラリーを加熱乾燥した後、5メツシユのふるいで
整粒し、空気中において1000℃=2時間で仮焼し、
再び、めのうボールを入れたポリエチレンポットにアセ
トンとともに投入し、16時間粉砕した。
整粒し、空気中において1000℃=2時間で仮焼し、
再び、めのうボールを入れたポリエチレンポットにアセ
トンとともに投入し、16時間粉砕した。
得られたスラリーを加熱乾燥した後、ポリビニルアルコ
ール水溶液を加えて混線を行い、32メツシユのふるい
で造粒した。
ール水溶液を加えて混線を行い、32メツシユのふるい
で造粒した。
造粒粉をit/cdで成形し、空気中において1200
〜1400℃4時間で焼成した。得られた焼成体を直径
約30閣、高さ約15閣に加工し、約I GHzに生ず
るTEo> 1モードのピークで、εrおよびQoを算
出し、次いで一20℃から+60℃における共振周波数
の変化より、τfを求めた。
〜1400℃4時間で焼成した。得られた焼成体を直径
約30閣、高さ約15閣に加工し、約I GHzに生ず
るTEo> 1モードのピークで、εrおよびQoを算
出し、次いで一20℃から+60℃における共振周波数
の変化より、τfを求めた。
各特性を第1表に示した。なお1本発明の組成範囲内の
試料は実施例、本発明の組成範囲外の試料は比較例とし
て区別した。
試料は実施例、本発明の組成範囲外の試料は比較例とし
て区別した。
また、 CaC0,、5rCO,、Bi2O3、TiO
2,La20.、 pjd2O3,S閣2O3、Gd、
03を第2表に示す各組成で秤量し、めのうボールを入
れたポリエチレンポットにアセトンとともに投入し、
16時時間式混合した。
2,La20.、 pjd2O3,S閣2O3、Gd、
03を第2表に示す各組成で秤量し、めのうボールを入
れたポリエチレンポットにアセトンとともに投入し、
16時時間式混合した。
このスラリーを加熱乾燥した後、5メツシユのふるいで
整粒し、空気中において1000℃:2時間で仮焼し、
再び、めのうボールを入れたポリエチレンポットにアセ
トンとともに投入し、16時間粉砕した。
整粒し、空気中において1000℃:2時間で仮焼し、
再び、めのうボールを入れたポリエチレンポットにアセ
トンとともに投入し、16時間粉砕した。
得られたスラリーを加熱乾燥した後、ポリビニルアルコ
ール水溶液を加えて混線を行い、32メツシユのふるい
で造粒した。
ール水溶液を加えて混線を行い、32メツシユのふるい
で造粒した。
造粒粉を1t/ciで成形し、空気中において1200
〜1400℃4時間で焼成した。得られた焼成体を直径
約30閣、高さ約15■に加工し、約I G)Izに生
ずるTE01−1モードのピークで、srおよびQ、を
算出し1次いで一20℃から+60℃における共振周波
数の変化より、τfを求めた。
〜1400℃4時間で焼成した。得られた焼成体を直径
約30閣、高さ約15■に加工し、約I G)Izに生
ずるTE01−1モードのピークで、srおよびQ、を
算出し1次いで一20℃から+60℃における共振周波
数の変化より、τfを求めた。
各特性を第2表に示した。なお、本発明の組成範囲内の
試料は実施例、本発明の組成範囲外の試料は比較例とし
て区別した。
試料は実施例、本発明の組成範囲外の試料は比較例とし
て区別した。
第2表
(発明の効果)
本発明は、以上のようにマイクロ波領域において、εr
が大きく、Qo も高く、又τfの値をCaOとSrO
の組成比、又V2O3,Nb2O5+ Tamesの添
加量、又はLa20. 、 Nd2O3,Sm2O3,
Gd2O,の添加量により幅広く調整できるものであり
、マイクロ波用誘電体、また温度補償用コンデンサなど
に用t\ることかでき、工業的価値が高いものである。
が大きく、Qo も高く、又τfの値をCaOとSrO
の組成比、又V2O3,Nb2O5+ Tamesの添
加量、又はLa20. 、 Nd2O3,Sm2O3,
Gd2O,の添加量により幅広く調整できるものであり
、マイクロ波用誘電体、また温度補償用コンデンサなど
に用t\ることかでき、工業的価値が高いものである。
特許出願人 日立フェライト株式会社/
手続補正書彷式)
%式%
1、事件の表示
平成2年特許願第176645号
2、発明の名称
誘電体磁器組成物
3、補正をする者
事件との関係
Claims (2)
- 1.酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(
SrO)、酸化ビスマス(Bi_2O_3)および酸化
チタン(TiO_2)を構成成分とし、組成式を a CaO・b SrO・c Bi_2O_3・d T
iO_2で表した時、a,b,c,dがモル%で、それ
ぞれ 0≦a<30, 0<b≦20 10≦c≦50, 40≦d≦80 ただし 0<a+b≦30 の範囲からなる主成分に、酸化バナジウム(V_2O_
5)を2重量%以下、酸化ニオブ(Nb_2O_5)を
5重量%以下、酸化タンタル(Ta_2O_5)を5重
量%以下のうち少なくとも1種類添加したことを特徴と
する誘電体磁器組成物。 - 2.酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(
SrO)、酸化ビスマス(Bi_2O_3)、酸化チタ
ン(TiO_2)を構成成分とし、組成式を a CaO・b SrO・c Bi_2O_3・d T
iO_2で表した時、a,b,c,d,がモル%で、そ
れぞれ 0≦a<30,0<b≦20 10≦c≦50,40≦d≦80 ただし 0<a+b≦30 の範囲からなる主成分に、酸化ランタン(La_2O_
3)を5重量%以下、酸化ネオジム(Nd_2O_3)
を5重量%以下、酸化サマリウム(Sm_2O_3)を
5重量%以下、酸化ガドリニウム(Gd_2O_3)を
5重量%以下のうち少なくとも1種類添加したことを特
徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176645A JPH0465018A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176645A JPH0465018A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465018A true JPH0465018A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16017206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2176645A Pending JPH0465018A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465018A (ja) |
-
1990
- 1990-07-02 JP JP2176645A patent/JPH0465018A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0230662A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3011123B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
| JPS61173408A (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 | |
| CN103435342B (zh) | 钛酸盐微波介电陶瓷Ba2Ti5Zn1-xMgxO13及其制备方法 | |
| JPS6118283B2 (ja) | ||
| JPH0465018A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0369560A (ja) | マイクロ波誘電体セラミックス | |
| JPH0571538B2 (ja) | ||
| JPH01100051A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0465019A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR100188709B1 (ko) | 유전체 세라믹스 | |
| JPH0280366A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2731940B2 (ja) | マイクロ波用誘電体セラミックス | |
| JPH0465020A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03192606A (ja) | マイクロ波誘電体セラミックス | |
| JPH04265269A (ja) | マイクロ波用誘電体セラミックス | |
| JPH0527922B2 (ja) | ||
| JPH05298922A (ja) | マイクロ波用誘電体セラミックス | |
| JPH0669904B2 (ja) | 誘電体磁器 | |
| JPH0765627A (ja) | マイクロ波用誘電体セラミックス | |
| JPH0460072B2 (ja) | ||
| JPH0334163B2 (ja) | ||
| JPH03285870A (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0562520A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH09227229A (ja) | 高周波用誘電体組成物 |