JPH0465019A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0465019A JPH0465019A JP2176646A JP17664690A JPH0465019A JP H0465019 A JPH0465019 A JP H0465019A JP 2176646 A JP2176646 A JP 2176646A JP 17664690 A JP17664690 A JP 17664690A JP H0465019 A JPH0465019 A JP H0465019A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、大きな比誘電率（εｒ）を持ち、共振周波数
の温度係数（τｆ）が、小さくかつ広範囲に制御できる
誘電体磁器組成物に関するものである。
の温度係数（τｆ）が、小さくかつ広範囲に制御できる
誘電体磁器組成物に関するものである。
（従来の技術）
ＭＩ（ｚ帯からＧＨｚ帯のマイクロ波帯域の電波を利用
した自動車電話、コードレス電話等の移動無線機に、最
近、セラミックフィルターが多く用いられるようになっ
た。これは、セラミックフィルターを構成している誘電
体が大きな比誘電率（εｒ）。
した自動車電話、コードレス電話等の移動無線機に、最
近、セラミックフィルターが多く用いられるようになっ
た。これは、セラミックフィルターを構成している誘電
体が大きな比誘電率（εｒ）。
無負荷Ｑ （ＱＯ）を持ち、共振周波数の温度係数（τ
ｆ）の値が、その誘電体の組成により０を中心として正
負いずれも自由に制御できるという利点を持つことに起
因している。
ｆ）の値が、その誘電体の組成により０を中心として正
負いずれも自由に制御できるという利点を持つことに起
因している。
従来、上述の誘電体材料として、 ＭｇＯ−ＣａＯ−Ｔ
ｉＯ２系、ＺｒＯ□−ＴｉＯｚ−５ｎ０２系、Ｂａｄ−
Ｔｉｅ□−ランタノイド酸化物系を使用していた。
ｉＯ２系、ＺｒＯ□−ＴｉＯｚ−５ｎ０２系、Ｂａｄ−
Ｔｉｅ□−ランタノイド酸化物系を使用していた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、これらの材料はεｒがたかだか１００以
下であり、共振素子を作成した場合その小型化（１／ｉ
ｒ）には、おのずと限界があった。
下であり、共振素子を作成した場合その小型化（１／ｉ
ｒ）には、おのずと限界があった。
従って、εｒの高い誘電体磁器組成物が切望されていた
。
。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、Ｍ Ｈｚ帯からＧＨｚ帯のマイクロ波領
域において、［ｒが１００以上、かっτｆが±１００ｐ
ｐｒｎ／ ℃以下、かつＱ。が１００以上の組成物を得
るべく、種々の組成系について検討した結果、ＣａＯｄ
モル％、５ｒＯｂモル％、 Ｂｉ２Ｏ，ｃモル％。
域において、［ｒが１００以上、かっτｆが±１００ｐ
ｐｒｎ／ ℃以下、かつＱ。が１００以上の組成物を得
るべく、種々の組成系について検討した結果、ＣａＯｄ
モル％、５ｒＯｂモル％、 Ｂｉ２Ｏ，ｃモル％。
Ｔｉｅ、 ｄモル％の組成系よりなり、それぞれの組成
範囲が Ｏ≦ａ ＜３０． Ｏ＜ ｂ≦２０１０≦ｃ≦５０
． ４０≦ｄ≦８０ ただしＯ＜ ａ ＋ ｂ≦３０である主成分に、酸化鉄
（Ｆｅｚｅｓ）を５重量％以下、酸化ニッケル（ＮｉＯ
）を１重量％以下、酸化鉛（ＰｂＯ）を５重量％以下の
うち少なくとも１種類添加した時に、所望の特性が得ら
れることを明らかとしたものである。
範囲が Ｏ≦ａ ＜３０． Ｏ＜ ｂ≦２０１０≦ｃ≦５０
． ４０≦ｄ≦８０ ただしＯ＜ ａ ＋ ｂ≦３０である主成分に、酸化鉄
（Ｆｅｚｅｓ）を５重量％以下、酸化ニッケル（ＮｉＯ
）を１重量％以下、酸化鉛（ＰｂＯ）を５重量％以下の
うち少なくとも１種類添加した時に、所望の特性が得ら
れることを明らかとしたものである。
本発明において、Ｃａｂ、 ５ｒＯ１Ｂｉ２ｏ、、 Ｔ
ｉｅ２の組成は、この範囲外では、Ｑ、が１００以下と
なり実用的ではない。
ｉｅ２の組成は、この範囲外では、Ｑ、が１００以下と
なり実用的ではない。
また、Ｆｅ２Ｏ，の添加量が５重量％を越えると、Ｑｏ
が１００以下となり、τｆもマイナス側に大きくなる。
が１００以下となり、τｆもマイナス側に大きくなる。
また、ＮｘＯの添加量が１重量％より多い場合、又ｐｂ
ｏの添加量が５重量％より多い場合。
ｏの添加量が５重量％より多い場合。
Ｑ、は１００以下となり、τｆもプラス側に大きくなり
、実用には不適となる。
、実用には不適となる。
なお、本発明の誘電体磁器組成物は、所定量の素原料を
混合・焼成することにより、最終的に酸化物磁器組成物
になればよく、素原料は熱分解して酸化物となる炭酸塩
・硝酸塩・有機酸塩などでも良い。
混合・焼成することにより、最終的に酸化物磁器組成物
になればよく、素原料は熱分解して酸化物となる炭酸塩
・硝酸塩・有機酸塩などでも良い。
（実施例）
ＣａＣＯ３１ＳｒＣＯ３ＨＢｘ２０３１ ＴｊＯｚ ＋
Ｆｅ２Ｏ３＋ Ｎ１０１ ｐｂ。
Ｆｅ２Ｏ３＋ Ｎ１０１ ｐｂ。
を第１表に示す各組成で秤量し、めのうボールを入れた
ポリエチレンポットにアセトンとともに投入し、１６時
時間式混合した。
ポリエチレンポットにアセトンとともに投入し、１６時
時間式混合した。
このスラリーを加熱乾燥した後、５メツシユのふるいで
整粒し、空気中において１０００℃：２時間で仮焼し、
再び、めのうボールを入れたポリエチレンポットにアセ
トンとともに投入し、１６時間粉砕した。
整粒し、空気中において１０００℃：２時間で仮焼し、
再び、めのうボールを入れたポリエチレンポットにアセ
トンとともに投入し、１６時間粉砕した。
得られたスラリーを加熱乾燥した後、ポリビニルアルコ
ール水溶液を加えて混線を行い、３２メツシユのふるい
で造粒した。
ール水溶液を加えて混線を行い、３２メツシユのふるい
で造粒した。
造粒粉をｉｔ／ｃｄで成形し、空気中において１２００
〜１４００℃４時間で焼成した。得られた焼成体を直径
約３０ｍ、高さ約１５ｎｍに加工し、約Ｉ ＧＨｚに生
ずるＴＥｏ１ｘモードのピークで、εｒおよびＱ。を算
出し、次いで一２０℃から＋６０℃における共振周波数
の変化より、τｆを求めた。
〜１４００℃４時間で焼成した。得られた焼成体を直径
約３０ｍ、高さ約１５ｎｍに加工し、約Ｉ ＧＨｚに生
ずるＴＥｏ１ｘモードのピークで、εｒおよびＱ。を算
出し、次いで一２０℃から＋６０℃における共振周波数
の変化より、τｆを求めた。
各特性を第１表に示した。なお、本発明の組成範囲内の
試料は実施例１本発明の組成範囲外の試料は比較例とし
て区別した。
試料は実施例１本発明の組成範囲外の試料は比較例とし
て区別した。
（発明の効果）
本発明は、以上のようにマイクロ波領域において、εｒ
が大きく、Ｑｏ も高く、又τｆの値をＣａＯとＳｒＯ
の組成比、又Ｆｅ２Ｏ３，Ｎｉｐ、 ＰｂＯの添加量に
より幅広く調整できるものであり、マイクロ波用誘電体
、また温度補償用コンデンサなどに用いることができ、
工業的価値が高いものである。
が大きく、Ｑｏ も高く、又τｆの値をＣａＯとＳｒＯ
の組成比、又Ｆｅ２Ｏ３，Ｎｉｐ、 ＰｂＯの添加量に
より幅広く調整できるものであり、マイクロ波用誘電体
、また温度補償用コンデンサなどに用いることができ、
工業的価値が高いものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｏ）、酸化ビスマス（Ｂｉ＿２Ｏ＿３）および酸化チタ
ン（ＴｉＯ＿２）を構成成分とし、組成式を ａＣａＯ・ｂ ＳｒＯ・ｃ Ｂｉ＿２Ｏ＿３・ｄ Ｔｉ
Ｏ＿２で表した時、ａ，ｂ，ｃ，ｄがモル％で、それぞ
れ ０≦ａ＜３０，０＜ｂ≦２０ １０≦ｃ≦５０，４０≦ｄ≦８０ ただし ０＜ａ＋ｂ≦３０ の範囲からなる主成分に、酸化鉄（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）を
５重量％以下、酸化ニッケル（ＮｉＯ）を１重量％以下
、酸化鉛（ＰｂＯ）を５重量％以下のうち少なくとも１
種類添加したことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176646A JPH0465019A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176646A JPH0465019A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465019A true JPH0465019A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16017222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2176646A Pending JPH0465019A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9837446B2 (en) | 2011-08-02 | 2017-12-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| CN107867826A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-04-03 | 苏州科茂电子材料科技有限公司 | 一种耐高温陶瓷介电材料的制备方法 |
-
1990
- 1990-07-02 JP JP2176646A patent/JPH0465019A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9837446B2 (en) | 2011-08-02 | 2017-12-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
| CN107867826A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-04-03 | 苏州科茂电子材料科技有限公司 | 一种耐高温陶瓷介电材料的制备方法 |
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