JPH0465342A - 超電導体及びその製造法 - Google Patents
超電導体及びその製造法Info
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- JPH0465342A JPH0465342A JP2176577A JP17657790A JPH0465342A JP H0465342 A JPH0465342 A JP H0465342A JP 2176577 A JP2176577 A JP 2176577A JP 17657790 A JP17657790 A JP 17657790A JP H0465342 A JPH0465342 A JP H0465342A
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-
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は超電導体及びその製造法に関する。
(従来の技術)
従来の超電導体としては、1988年1月20日、金属
材料技術研究所の前88!!合研究官らによって発見さ
れたビスマス、ストロンチウム、カル/ラム及び銅を主
成分とするB1−8r−Ca−CuO系の酸化物超電導
体が一般に知られており、′またこのBi −5r−C
a−Cu −0系の酸化物超電導体の電気抵抗が零にな
る臨界温度(以下T’3erOとする)はll0Kであ
り、タリウム、バリウム、カルシウム及び銅を主成分と
するTl−Ba−Ca−CuO系に次いで高いことが知
られている。
材料技術研究所の前88!!合研究官らによって発見さ
れたビスマス、ストロンチウム、カル/ラム及び銅を主
成分とするB1−8r−Ca−CuO系の酸化物超電導
体が一般に知られており、′またこのBi −5r−C
a−Cu −0系の酸化物超電導体の電気抵抗が零にな
る臨界温度(以下T’3erOとする)はll0Kであ
り、タリウム、バリウム、カルシウム及び銅を主成分と
するTl−Ba−Ca−CuO系に次いで高いことが知
られている。
一方B1−8r−Ca−Cu−0系の酸化物超電導体は
、 Tl−Ba−Ca−Cu−0系の酸化物超電導体
よりも毒性が弱いという特徴を有するが、結晶相におい
てT2erOが110にとなる2223相よシも。
、 Tl−Ba−Ca−Cu−0系の酸化物超電導体
よりも毒性が弱いという特徴を有するが、結晶相におい
てT2erOが110にとなる2223相よシも。
Tぎ0が80にの2212相又はT■0が20にの22
01相が生成し易いという欠点がある。
01相が生成し易いという欠点がある。
その後、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド
・フィジックス(Japanese Journa l
of Applied Physics) Vol、
27.6号(1988年6月刊)、L1041〜L10
43頁に示されるように、鉛を添加したB1−Pb−8
r−Ca−Cu−0系の酸化物超電導体で2223相が
多く得られることが明らかになった。
・フィジックス(Japanese Journa l
of Applied Physics) Vol、
27.6号(1988年6月刊)、L1041〜L10
43頁に示されるように、鉛を添加したB1−Pb−8
r−Ca−Cu−0系の酸化物超電導体で2223相が
多く得られることが明らかになった。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら上記のB1−Pb−8r−Ca−Cu−0
系の酸化物超電導体(以下ビスマス系超電導体とする)
ii、2223相の他に少量の2212相。
系の酸化物超電導体(以下ビスマス系超電導体とする)
ii、2223相の他に少量の2212相。
CazPbO4等の異相が残留し易<、2223相の含
有量を多くするためには長時間の焼成が必要である。
有量を多くするためには長時間の焼成が必要である。
上記の異相のうち2212相は、THeroが80に程
度と低いが、容易に生成することができ、とりあえず液
体窒素温度(77K)での応用は可能である。しかし超
電導体でないCazPbO<が多量残留すると超電導体
の含有率が低下して臨界電流密度(以下Jcとする)の
低下を引き起こす問題がある。
度と低いが、容易に生成することができ、とりあえず液
体窒素温度(77K)での応用は可能である。しかし超
電導体でないCazPbO<が多量残留すると超電導体
の含有率が低下して臨界電流密度(以下Jcとする)の
低下を引き起こす問題がある。
さらに磁場の印加によF)Jcが低下し易いという問題
があると共に焼結体の密度を高くすることが困難であシ
1粒子同士のつながシの改善が強く求められていた。
があると共に焼結体の密度を高くすることが困難であシ
1粒子同士のつながシの改善が強く求められていた。
本発明は上記のような問題のない超電導体及びその製造
法を提供することを目的とするものである。
法を提供することを目的とするものである。
(!!題を解決するための手段)
本発明はビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅
を主成分とした酸化物並びに全組成物中に銀を10〜3
5重量%及びパラジウムを0.1〜2重量%含有してな
る超電導体及びビスマス、ストロンチウム、カルシウム
及び銅の混合粉末に上記に示す量の銀及びパラジウムを
添加して均一に混合した後焼成する超電導体の製造法に
関する。
を主成分とした酸化物並びに全組成物中に銀を10〜3
5重量%及びパラジウムを0.1〜2重量%含有してな
る超電導体及びビスマス、ストロンチウム、カルシウム
及び銅の混合粉末に上記に示す量の銀及びパラジウムを
添加して均一に混合した後焼成する超電導体の製造法に
関する。
本発明においてビスマス、ストロンチウム、カルシウム
及び銅の配合割合については特に制限はないが、 B
i: Sr: Ca: Cuが原子比で2:2:12又
は2:2:2 :3であれば超電導体になシ易いので好
ましく1%に2:2:2:3の場合ビスマス中の10〜
30モルチを鉛に置換すればTぎ0の高い超電導体が得
られるので好ましい。
及び銅の配合割合については特に制限はないが、 B
i: Sr: Ca: Cuが原子比で2:2:12又
は2:2:2 :3であれば超電導体になシ易いので好
ましく1%に2:2:2:3の場合ビスマス中の10〜
30モルチを鉛に置換すればTぎ0の高い超電導体が得
られるので好ましい。
銀の添加量は全組成物中に10〜35重量%の範囲とさ
れ、10重量%未満ではパラジウムの添加効果を均一化
する助剤としての効果が低く、35重量%を越えると該
効果はあるが、超電導体の体積率が低下する。
れ、10重量%未満ではパラジウムの添加効果を均一化
する助剤としての効果が低く、35重量%を越えると該
効果はあるが、超電導体の体積率が低下する。
一部パラジウムの添加量は全組成物中に0.1〜2重量
%の範囲とされ、0.1重量%未満ではパラジウムによ
る高Jc化、磁場特性の改善の効果が少なく、2重量%
を越えると高価になるという欠点が生じる。
%の範囲とされ、0.1重量%未満ではパラジウムによ
る高Jc化、磁場特性の改善の効果が少なく、2重量%
を越えると高価になるという欠点が生じる。
超電導体を構成する原料のうち銀としては、銀粉末の他
、酸化鋏、塩化銀、硝酸鋏等が用いられ焼成後銀単位に
なる物質であれば特に制限はない。
、酸化鋏、塩化銀、硝酸鋏等が用いられ焼成後銀単位に
なる物質であれば特に制限はない。
またパラジウムとしては、パラジウム粉末の他。
酸化パラジウムなどが用いられ、焼成後パラジウム単体
になる物質であれば特に制限はない。
になる物質であれば特に制限はない。
上記に示す原料の他のビスマス、鉛、ストロンチウム、
カルシウム及び銅を含む原料(出発原料)について特に
制限はないが1例えば、酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、
酢酸塩、硝酸塩、金属アルコキシド等の1種又は211
以上が用いられる。
カルシウム及び銅を含む原料(出発原料)について特に
制限はないが1例えば、酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、
酢酸塩、硝酸塩、金属アルコキシド等の1種又は211
以上が用いられる。
上記に示す原料の混合法については特に制限はないが1
例えば9合成樹脂製のボールミル内に合成樹脂で被覆し
たボール、エタノール等の溶媒及び原料を充てんし、湿
式混合する方法、溶媒中に原料を溶解した後に共沈生成
物を得る共沈法、アルコキシドなどの原料を加水分解さ
せてゾルを作製し、これをゲル化させるゾル−ゲル法等
を用いることができる。
例えば9合成樹脂製のボールミル内に合成樹脂で被覆し
たボール、エタノール等の溶媒及び原料を充てんし、湿
式混合する方法、溶媒中に原料を溶解した後に共沈生成
物を得る共沈法、アルコキシドなどの原料を加水分解さ
せてゾルを作製し、これをゲル化させるゾル−ゲル法等
を用いることができる。
焼成温度及び焼成時間は、各原料の配合割合及び雰囲気
により適宜選定されるが、 Bi : Sr: Ca:
Cuが原子比で2:2:1:2の場合は、810〜90
0℃の温度で5〜50時間、 Bi: Sr: Ca
・Cuがおよそ2:2:2°3でビスマスの一部が鉛で
置換されている場合は、845土20℃好ましくは84
5土10℃の温度で20〜200時間焼成することが好
ましい。
により適宜選定されるが、 Bi : Sr: Ca:
Cuが原子比で2:2:1:2の場合は、810〜90
0℃の温度で5〜50時間、 Bi: Sr: Ca
・Cuがおよそ2:2:2°3でビスマスの一部が鉛で
置換されている場合は、845土20℃好ましくは84
5土10℃の温度で20〜200時間焼成することが好
ましい。
鎖及びパラジウムの添加法については特に制限はないが
2例えば銀及びパラジウムを含む原料の微粉を用いてビ
スマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を含む原料
の混合粉末と共にボールミル、乳鉢等を用いて乾式又は
湿式で混合、均一化する方法があげられる。この他にビ
スマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を含む原料
の混合粉末に銀及びパラジウムを含む原料の水溶液を添
加後、これを均一に加熱する方法があげられる。
2例えば銀及びパラジウムを含む原料の微粉を用いてビ
スマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を含む原料
の混合粉末と共にボールミル、乳鉢等を用いて乾式又は
湿式で混合、均一化する方法があげられる。この他にビ
スマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を含む原料
の混合粉末に銀及びパラジウムを含む原料の水溶液を添
加後、これを均一に加熱する方法があげられる。
(実施例)
以下本発明の詳細な説明する。
実施例1
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比
率が原子比で第1表に示す組成になるように、三酸化ビ
スマス(高純度化学研究所製、純度99,9%)、−酸
化鉛(黄色)(和光紬薬製。
率が原子比で第1表に示す組成になるように、三酸化ビ
スマス(高純度化学研究所製、純度99,9%)、−酸
化鉛(黄色)(和光紬薬製。
試薬%li&)、 炭酸ストロンチウム(レアメタリ
ック裂、純度99.9チ)、炭酸カルシウム(高純度化
学研究所製、純度99.9%)及び醗化第二銅(高純度
化学研究所製、純度99.9チ)を秤量し。
ック裂、純度99.9チ)、炭酸カルシウム(高純度化
学研究所製、純度99.9%)及び醗化第二銅(高純度
化学研究所製、純度99.9チ)を秤量し。
出発原料とした。
次に上記の出発原料を合成樹脂製のボールミル内に合成
樹脂で被覆し次鋼球ボール及びメタノールと共に充てん
し、毎分50回転の条件で60時時間式混合及び粉砕し
た。この後、粉砕物をボールミルから取り呂して、10
0℃24時間で乾燥した後、これをアルミナ焼板にのせ
、電気炉を用いて大気中で800℃で24時間仮焼し、
ついで乳鉢で粗粉砕し念後1合成樹脂製ボールミル内に
−) ルコニア灸ボール、メタノールと共に充てンシ。
樹脂で被覆し次鋼球ボール及びメタノールと共に充てん
し、毎分50回転の条件で60時時間式混合及び粉砕し
た。この後、粉砕物をボールミルから取り呂して、10
0℃24時間で乾燥した後、これをアルミナ焼板にのせ
、電気炉を用いて大気中で800℃で24時間仮焼し、
ついで乳鉢で粗粉砕し念後1合成樹脂製ボールミル内に
−) ルコニア灸ボール、メタノールと共に充てンシ。
毎分50回転の条件で48時時間式粉砕し、乾燥して合
成用粉末を得た。
成用粉末を得た。
この後該合成用粉末をアルミナ焼板にのせ、電気炉を用
いて体積比で02 : N2 ” 1 : 10の低酸
素圧雰囲気中で840℃の温度で50時間加熱した後冷
却してビスマス系超電導体を合成した。ついで乳鉢で粗
粉砕し念後9合成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボ
ール、メタノールと共に充てんし、毎分50回転の条件
で48時時間式粉砕して粉砕物を得た。この粉砕物89
9重量%に銀粉(口中貴金属製、商品名AY−6080
,平均粒径0.8μm)を10重量%及びパラジウム粉
(徳力化学製、平均粒径1,0μm)を0.1重量%添
加し、さらに5時間混合して均一にした。
いて体積比で02 : N2 ” 1 : 10の低酸
素圧雰囲気中で840℃の温度で50時間加熱した後冷
却してビスマス系超電導体を合成した。ついで乳鉢で粗
粉砕し念後9合成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボ
ール、メタノールと共に充てんし、毎分50回転の条件
で48時時間式粉砕して粉砕物を得た。この粉砕物89
9重量%に銀粉(口中貴金属製、商品名AY−6080
,平均粒径0.8μm)を10重量%及びパラジウム粉
(徳力化学製、平均粒径1,0μm)を0.1重量%添
加し、さらに5時間混合して均一にした。
乾燥後得られた粉末を147MPaの圧力で直径30■
、厚さIImのペレットに成形後、大気中で840℃で
10時間焼成して超電導体を得た。
、厚さIImのペレットに成形後、大気中で840℃で
10時間焼成して超電導体を得た。
実施例2
ビスマス、ストロンチウム、カルンウム及ヒ銅の比率が
原子比で第1表に示す組成になるように秤量し、以下実
施例1と同様の工程を経てビスマス系超電導体を合成し
た。なお上記に示す原料は実施例1と同一メーカーの物
を使用した。以下同じ。
原子比で第1表に示す組成になるように秤量し、以下実
施例1と同様の工程を経てビスマス系超電導体を合成し
た。なお上記に示す原料は実施例1と同一メーカーの物
を使用した。以下同じ。
次に上記で得たビスマス系超電導体を実施例1と同様の
方法で湿式粉砕し、この粉砕物74.25重量%に実施
例1で用いたものと同じ銀粉を25重量%及びパラジウ
ム粉を0.75重量%添加し。
方法で湿式粉砕し、この粉砕物74.25重量%に実施
例1で用いたものと同じ銀粉を25重量%及びパラジウ
ム粉を0.75重量%添加し。
以下実施例1と同様の工程を経て超電導体を得意。
実施例3
ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比
率が原子比で第1表に示す組成になるように秤量し、以
下実施例1と同様の工程を経てビスマス系超電導体を合
成した。
率が原子比で第1表に示す組成になるように秤量し、以
下実施例1と同様の工程を経てビスマス系超電導体を合
成した。
次に上記で得たビスマス系超電導体を実施例1と同様の
方法で湿式粉砕し、この粉砕物69.4重量%に実施例
1で用いたものと同様の銀粉を30重量%及びパラジウ
ム粉を0.6重量%添加し、以下実施例1と同様の工程
を経て超電導体を得た。
方法で湿式粉砕し、この粉砕物69.4重量%に実施例
1で用いたものと同様の銀粉を30重量%及びパラジウ
ム粉を0.6重量%添加し、以下実施例1と同様の工程
を経て超電導体を得た。
実施例4
実施例2で得九粉砕物64重量%に実施例1で用いた本
のと同様の銀粉を34重量%及びパラジウム粉を2重量
%添加し、以下実施例1と同様の工程を経て超電導体を
得た。
のと同様の銀粉を34重量%及びパラジウム粉を2重量
%添加し、以下実施例1と同様の工程を経て超電導体を
得た。
比較例1
実施例1で得た粉砕物90重量%に実施例1で用いたも
のと同様の銀粉を10重量%添加し、以下実施例1と同
様の工程を経て超電導体を得た。
のと同様の銀粉を10重量%添加し、以下実施例1と同
様の工程を経て超電導体を得た。
比較例2
実施例2で得た粉砕物75重量%に実施例1で用いた本
のと同様の銀粉を25重量%添加し、以下実施例1と同
様の工程を経て超電導体を得た。
のと同様の銀粉を25重量%添加し、以下実施例1と同
様の工程を経て超電導体を得た。
比較例3
実施例アで得た粉砕物67.5重量−に実施例1で用い
たものと同様の銀粉を30重量%及びパラジウム粉を2
.5重量%添加し、以下実施例1と同様の工程を経て超
電導体を得た。
たものと同様の銀粉を30重量%及びパラジウム粉を2
.5重量%添加し、以下実施例1と同様の工程を経て超
電導体を得た。
比較例4
実施例2で得た粉砕物63重量1に実施例1で用いたも
のと同様の銀粉を34重量%及びパラジウム粉を3重量
%添加し、以下実施例1と同様の工程を経て超電導体を
得た。
のと同様の銀粉を34重量%及びパラジウム粉を3重量
%添加し、以下実施例1と同様の工程を経て超電導体を
得た。
次に各実施例及び比較例で得た超電導体を長さ20−X
幅3mX厚さ1mの直方体に加工し、四端子法で抵抗の
温度変化を測定し、TZeroを求めた。ま之上記と同
様の試料を用いて液体窒素温度(77,3K)でのJc
6を測定すると共に液体窒素中0.05テスラの磁場中
での’Jco、asを測定した。
幅3mX厚さ1mの直方体に加工し、四端子法で抵抗の
温度変化を測定し、TZeroを求めた。ま之上記と同
様の試料を用いて液体窒素温度(77,3K)でのJc
6を測定すると共に液体窒素中0.05テスラの磁場中
での’Jco、asを測定した。
これらの測定結果及びJc(LO5とJc6との比を合
わせて第1表に示す。
わせて第1表に示す。
なお上記の組成においてO(酸素)の量は、銅の量及び
銅の酸化状態によって定まる。しかし酸化状態がどのよ
うになっているかを厳密にそして精度よく測定すること
ができず本発明においてはXで表わした。
銅の酸化状態によって定まる。しかし酸化状態がどのよ
うになっているかを厳密にそして精度よく測定すること
ができず本発明においてはXで表わした。
また実施例1.比較例1及び比較例3は、ビスマス中の
25モルチを鉛に置換し、実施例3は。
25モルチを鉛に置換し、実施例3は。
ビスマス中の20モルチを鉛に置換した組成とした。
第1表から本発明の実施例になる超電導体は。
T:eroが80に以上で、磁場の印加によるJcの低
下の小さいことが示される。これに対し比較例の超電導
体は r):erOは79に以上の値を示すが。
下の小さいことが示される。これに対し比較例の超電導
体は r):erOは79に以上の値を示すが。
磁場の印加によりJcの低下が大きいことが示される。
(発明の効果)
本発明になる超電導体Jf1. T:erOの低下が
少なく、ま九磁場の印加によるJcの低下本小さく。
少なく、ま九磁場の印加によるJcの低下本小さく。
代理人 弁理士 若 林 邦伸、!
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅を主
成分とした酸化物並びに全組成物中に銀を10〜35重
量%及びパラジウムを0.1〜2重量%含有してなる超
電導体。 2、ビスマスの一部を鉛で置換してなる請求項1記載の
超電導体。 3、ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅の混
合粉末に請求項1記載に示す量の銀及びパラジウムを添
加して均一に混合した後焼成することを特徴とする超電
導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176577A JPH0465342A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 超電導体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176577A JPH0465342A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 超電導体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465342A true JPH0465342A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16015996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2176577A Pending JPH0465342A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 超電導体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003525189A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-08-26 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 反応性の向上したPb−Bi−Sr−Ca−Cu−酸化物粉末混合物、およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP2176577A patent/JPH0465342A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003525189A (ja) * | 1999-07-30 | 2003-08-26 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 反応性の向上したPb−Bi−Sr−Ca−Cu−酸化物粉末混合物、およびその製造方法 |
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