JPH0465901B2 - - Google Patents

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JPH0465901B2
JPH0465901B2 JP61168053A JP16805386A JPH0465901B2 JP H0465901 B2 JPH0465901 B2 JP H0465901B2 JP 61168053 A JP61168053 A JP 61168053A JP 16805386 A JP16805386 A JP 16805386A JP H0465901 B2 JPH0465901 B2 JP H0465901B2
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JP
Japan
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silicon steel
zone
base material
material plate
silicon
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP61168053A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6326312A (ja
Inventor
Masahiro Abe
Kazuhisa Okada
Tsunehiro Yamaji
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JFE Engineering Corp
Original Assignee
Nippon Kokan Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Kokan Ltd filed Critical Nippon Kokan Ltd
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Publication of JPS6326312A publication Critical patent/JPS6326312A/ja
Publication of JPH0465901B2 publication Critical patent/JPH0465901B2/ja
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  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、鋼板、特に、電磁材料用の電気鉄
板として用いられる高珪素鋼板の製造装置に関す
るものである。
〔従来技術とその問題点〕
変圧器等の鉄心電気鉄板には、高珪素鋼板が使
用されている。高珪素鋼板においては、珪素の含
有量が多いほど鉄損が低減し、そして、珪素の含
有量が約6.5wt%になると、磁気歪がほぼ0とな
ると共に最大透磁率がピークになる。このように
高珪素鋼板は、優れた磁気特性を有する。
従来、上記高珪素鋼板の製造方法として、次の
方法、所謂、滲珪処理法が知られている。即ち、
普通鋼板または4wt%以下の珪素を含有する低珪
素鋼板(以下、母材板と云う)に対し、4塩化珪
素ガス(SiCl4)を含有する無酸化ガス中におい
て、高温度下でCVD法(化学気相蒸着法)ある
いはPVD(物理気相蒸着法)により蒸着処理を施
し、これにより、母材板の表面に珪素を蒸着し、
次いで、4塩化珪素ガスを含有しない無酸化ガス
中において、蒸着した珪素を母材板中に拡散さ
せ、かくして、母材板中に珪素を浸透させる。
上述した滲珪処理法によつて製造される高珪素
鋼板においては、母材板の表面に蒸着された珪素
を拡散させる過程で結晶粒が成長して粒径が大き
くなる。この結果、上述したように磁気特性が良
好になる反面、粒界割れが生じやすくなる。
このようなことから、上述した滲珪処理法によ
つて製造された高珪素鋼板に加える加工の程度が
小さい場合には、高珪素鋼板を若干(200〜300
℃)加熱すれば加工できるので問題は生じない
が、高珪素鋼板に大きな加工を加える場合には、
上述した理由によつてこれが行なえない。
そこで、滲珪処理法によつて高珪素鋼板を連続
的に製造する場合に、製造後に施す加工の程度に
応じて結晶粒の粒径を変えることができる、高珪
素鋼板の製造装置に開発が望まれているが、かか
る装置はまだ提案されていない。
〔発明の目的〕
従つて、この発明の目的は、滲珪処理法によつ
て高珪素鋼板を連続的に製造する場合に、製造後
に施す加工の程度に応じて結晶粒の粒径を変える
ことができる、高珪素鋼板の製造装置を提供する
ことにある。
〔発明の概要〕
この発明は、コイル状に巻かれた低珪素鋼板か
らなる母材板を繰り出すためのアンコイラーと、
前記アンコイラーに続いて設けられた、前記母材
板を加熱するための加熱帯と、前記加熱帯に続い
て設けられた、前記加熱帯内で加熱された前記母
材板に蒸着処理を施すための蒸着帯と、前記蒸着
帯に続いて設けられた、前記蒸着帯内で前記母材
板の表面に蒸着された珪素を前記母材板中に拡散
させて、高珪素鋼板を得るための均熱帯と、前記
均熱帯内を、製造する高珪素鋼板の用途目的に応
じて結晶粒の成長を制御するために、酸化性雰囲
気あるいは還元性雰囲気に切り替え、且つ、必要
に応じて、その酸化あるいは還元強度を制御し得
るガス供給手段と、前記均熱帯に続いて設けられ
た、前記高珪素鋼板を冷却するための冷却帯と、
前記冷却帯に続いて設けられた、前記冷却帯内で
冷却された前記高珪素鋼板を巻き取るためのコイ
ラーとからなることに特徴を有するものである。
〔発明の構成〕 次に、この発明の、高珪素鋼板の製造装置の一
実施態様を図面を参照しながら説明する。
第1図は、この発明の、高珪素鋼板の製造装置
の一実施態様を示すブロツク図である。
第1図において、アンコイラー1は、低珪素鋼
板からなるコイル状に巻かれた母材板2を繰り出
す。
加熱帯3は、後述する蒸着帯内で母材板2に、
例えば、CVD法により蒸着が行なえるように、
母材板2を1100〜1200℃に加熱する。蒸着帯4
は、母材板2の表面に向けて吹付けノズルからア
ルゴンガス等のキヤリヤガスと共にSiCl4ガスを
吹き付けて、無酸化ガス中で母材板の表面に珪素
を蒸着する。
均熱帯5は、蒸着帯4によつて表面に珪素が蒸
着された母材板2を1200〜1400℃に加熱して、母
材板2の表面に蒸着された珪素を母材板2中に拡
散させ4.0〜7.3wt%、例えば、6.5wt%の珪素を
母材板2中に浸透させ、かくして、高珪素鋼板8
を製造する。
ガス供給手段6は、Ar、He等の不活性ガスと
共にH2、CH4、CnHn、NH3等の還元性ガス、
または、空気、O2、H2O、CO2等の酸化性ガスを
均熱帯5に供給して、均熱帯5内を還元性または
酸化性雰囲気に維持する。
冷却帯7は、均熱帯5によつて得られた高珪素
鋼板8を所定温度に冷却する。コイラー9は、冷
却帯7によつて冷却された高珪素鋼板8をコイル
状に巻き取る。
上述した、この発明の、高珪素鋼板の製造装置
の一実施態様によつて、製造後に大きな加工を施
す高珪素鋼板を製造するには、ガス供給手段6か
ら不活性ガスと共に酸化性ガスを均熱帯5内に供
給する。
これによつて、蒸着帯4内で母材板2の表面に
蒸着された珪素は、酸化性ガス雰囲気に維持され
た均熱帯5内で母材板2中に拡散して高珪素鋼板
8が連続的に製造されるが、酸化性ガス雰囲気下
で拡散が行なわれるので、高珪素鋼板8の結晶粒
は余り成長しない。この結果、高珪素鋼板8に大
きな加工を施すことができる。なお、加工を施し
た後の高珪素鋼板8には、磁気特性を高珪素によ
る作用と相俟つて向上させるために高温下で焼鈍
を施して、その結晶粒の粒径を大きくする。
一方、製造後にそれぼと大きな加工を施さない
高珪素鋼板を製造するには、ガス供給手段6から
不活性ガスと共に還元性ガスと均熱帯5に供給す
る。
これによつて、蒸着帯4内で母材板2の表面に
蒸着された珪素は、還元性ガス雰囲気に維持され
た均熱帯5内で母材板2中に拡散して高珪素鋼板
8が連続的に製造される。このように、母材板2
の表面に蒸着された珪素が還元性ガス雰囲気下で
母材板2中に拡散すると、得られた高珪素鋼板8
の結晶粒が成長して、その粒径が大きくなるの
で、高珪素による作用と相俟つて磁気特性の優れ
た高珪素鋼板8が連続的に製造される。
次に、均熱帯5内の雰囲気をアルゴン:98%、
酸素:2%の酸化性ガス雰囲気に維持し、拡散処
理温度を1200℃および1300℃にそれぞれ保持し、
得られた高珪素鋼板8の平均結晶粒径と拡散処理
温度との関係について調べ、そして、均熱帯5内
の雰囲気をアルゴン:75%、水素:25%の還元性
ガス雰囲気に維持し、拡散処理温度を1200℃およ
び1300℃にそれぞれ保持し、得られた高珪素鋼板
8の平均結晶粒径と拡散処理時間との関係につい
て調べた。これらの結果を第2図に示す。
第2図から明らかなように、酸化性ガス雰囲気
下で拡散処理を施した場合には、拡散処理時間が
経過しても結晶粒径はほとんど変らず、一方、還
元性ガス雰囲気下で拡散処理を施した場合には、
拡散処理時間が経過するにつれて結晶粒径が大き
くなることがわかる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、滲珪
処理法によつて、高珪素鋼板を連続的に製造する
場合に、製造後に施す加工の程度に応じて結晶粒
の粒径を変えることができるといつたきわめて有
用な効果がもたらされる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の、高珪素鋼板の製造装置
の一実施態様を示すブロツク図、第2図は、平均
結晶粒径と拡散処理時間との関係を示すグラフで
ある。 図面において、1……アンコイラー、2……母
材板、3……加熱帯、4……蒸着処理帯、5……
均熱帯、6……ガス供給手段、7……冷却帯、8
……高珪素鋼板、9……コイラー。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 コイル状に巻かれた低珪素鋼板からなる母材
    板を繰り出すためのアンコイラーと、前記アンコ
    イラーに続いて設けられた、前記母材板を加熱す
    るための加熱帯と、前記加熱帯に続いて設けられ
    た、前記加熱帯内で加熱された前記母材板に蒸着
    処理を施すための蒸着帯と、前記蒸着帯に続いて
    設けられた、前記蒸着帯内で前記母材板の表面に
    蒸着された珪素を前記母材板中に拡散させて、高
    珪素鋼板を得るための均熱帯と、前記均熱帯内
    を、製造する高珪素鋼板の用途目的に応じて結晶
    粒の成長を制御するために、酸化性雰囲気あるい
    は還元性雰囲気に切り替え可能なガス供給手段
    と、前記均熱帯に続いて設けられた、前記高珪素
    鋼板を冷却するための冷却帯と、前記冷却帯に続
    いて設けられた、前記冷却帯内で冷却された前記
    高珪素鋼板を巻き取るためのコイラーとからなる
    ことを特徴とする、高珪素鋼板の製造装置。 2 前記ガス供給手段は、酸化性雰囲気あるいは
    還元性雰囲気に切り替え可能であり、且つ、その
    酸化あるいは還元強度を制御し得ることを特徴と
    する、特許請求の範囲1に記載された、高珪素鋼
    板の製造装置。
JP16805386A 1986-07-18 1986-07-18 高珪素鋼板の製造装置 Granted JPS6326312A (ja)

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JP16805386A JPS6326312A (ja) 1986-07-18 1986-07-18 高珪素鋼板の製造装置

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JPS6326312A JPS6326312A (ja) 1988-02-03
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