JPH0467247B2 - - Google Patents
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- JPH0467247B2 JPH0467247B2 JP14013783A JP14013783A JPH0467247B2 JP H0467247 B2 JPH0467247 B2 JP H0467247B2 JP 14013783 A JP14013783 A JP 14013783A JP 14013783 A JP14013783 A JP 14013783A JP H0467247 B2 JPH0467247 B2 JP H0467247B2
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- Japan
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- magnetic
- thin film
- magnetic head
- head
- metal
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/255—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for protection against wear
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気ヘツド特にVTR用等の磁気ヘツ
ドに関する。
ドに関する。
背景技術とその問題点
近年、磁気記録技術の発展に伴ないVTR用の
磁気ヘツドとしては高磁束密度、高抗磁力の磁気
テープへの記録再生が可能であること又、磁気テ
ープの面内での記録密度を向上させるためにでき
るだけ狭トラツク化が可能であることが要求され
ている。この要求に応じるために第１図に示すご
とく、センダスト、アモルハス合金等からなる金
属磁性薄膜２を両側から非磁性セラミツク３とフ
エライト４から成る複合板５，５′で挾んだタイ
プの磁気ヘツド１が用いられている。このように
磁気ヘツドのテープ摺動部に配される非磁性セラ
ミツクとしては耐摩耗性の観点より高硬度セラミ
ツクが使用される。しかし、このようなサフアイ
ヤ、フオステライト、Zn−フエライト、マグネ
シヤ、ベリリヤ等の耐摩耗材３で金属磁性薄膜２
を挾んだ従来技術による磁気ヘツド１はテープ摺
動に際し、第２図に示すごとく、金属磁性薄膜２
が優先摩耗を生じることになる。元来金属磁性材
料は酸化物強磁性材料に比べて摩耗が大きくテー
プとの摺動に際し表面に段差を生じることが通例
である。
磁気ヘツドとしては高磁束密度、高抗磁力の磁気
テープへの記録再生が可能であること又、磁気テ
ープの面内での記録密度を向上させるためにでき
るだけ狭トラツク化が可能であることが要求され
ている。この要求に応じるために第１図に示すご
とく、センダスト、アモルハス合金等からなる金
属磁性薄膜２を両側から非磁性セラミツク３とフ
エライト４から成る複合板５，５′で挾んだタイ
プの磁気ヘツド１が用いられている。このように
磁気ヘツドのテープ摺動部に配される非磁性セラ
ミツクとしては耐摩耗性の観点より高硬度セラミ
ツクが使用される。しかし、このようなサフアイ
ヤ、フオステライト、Zn−フエライト、マグネ
シヤ、ベリリヤ等の耐摩耗材３で金属磁性薄膜２
を挾んだ従来技術による磁気ヘツド１はテープ摺
動に際し、第２図に示すごとく、金属磁性薄膜２
が優先摩耗を生じることになる。元来金属磁性材
料は酸化物強磁性材料に比べて摩耗が大きくテー
プとの摺動に際し表面に段差を生じることが通例
である。
この様にテープ摺動面に段差が生じるとギヤツ
プ部においてテープと金属磁性薄膜コア間に空隙
を形成することにより、いわゆるスペーシングロ
スによりヘツドの再生出力が大幅に低下する。こ
れを解決するためにスペーシングロスを生じさせ
ないようにテープ摺動面に段差を生じないような
非磁性ガード材を用いるとガード材自体の摩耗も
大きいため磁気ヘツドの寿命が短かくなる不都合
がある。
プ部においてテープと金属磁性薄膜コア間に空隙
を形成することにより、いわゆるスペーシングロ
スによりヘツドの再生出力が大幅に低下する。こ
れを解決するためにスペーシングロスを生じさせ
ないようにテープ摺動面に段差を生じないような
非磁性ガード材を用いるとガード材自体の摩耗も
大きいため磁気ヘツドの寿命が短かくなる不都合
がある。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑み、テープ摺動面のギヤツ
プ部における金属磁性薄膜とこれを挾む非磁性材
料との間の段差の発生を防止し、又耐摩耗性にも
富む磁気ヘツドを提供するものである。
プ部における金属磁性薄膜とこれを挾む非磁性材
料との間の段差の発生を防止し、又耐摩耗性にも
富む磁気ヘツドを提供するものである。
発明の概要
本発明は上記の目的を達成するため、金属強磁
性薄膜と強磁性酸化物及び非磁性材料とが接合さ
れて金属磁性薄膜により磁気ギヤツプが形成され
磁気記録媒体対向面に金属磁性薄膜と非磁性材料
とが共存してなる磁気ヘツドにおいて、磁気ギヤ
ツプ近傍の非磁性材料が他の部分の非磁性材料に
比べて低耐摩耗性の非磁性材料より形成したもの
である。
性薄膜と強磁性酸化物及び非磁性材料とが接合さ
れて金属磁性薄膜により磁気ギヤツプが形成され
磁気記録媒体対向面に金属磁性薄膜と非磁性材料
とが共存してなる磁気ヘツドにおいて、磁気ギヤ
ツプ近傍の非磁性材料が他の部分の非磁性材料に
比べて低耐摩耗性の非磁性材料より形成したもの
である。
実施例
以下第３図以降を参照して本発明の実施例を説
明する。
明する。
第３図は本発明による一例の磁気ヘツドの斜視
図で、この磁気ヘツド１１はセンダスト、アモル
ハス合金等からなる金属強磁性薄膜１２を両側か
ら高耐摩耗非磁性材例えば非磁性セラミツク１３
と金属磁性酸化物例えばフエライト１４からなる
複合ガード板１５，１５′により挟んで構成され、
この複合ガード板１５，１５′のテープ摺動部１
５ａ，１５a′を形成する非磁性セラミツク１３，
１３の磁気ギヤツプｇの近傍部を低耐摩耗の非磁
性材料例えば低融点ガラス１６，１６により形成
してある。
図で、この磁気ヘツド１１はセンダスト、アモル
ハス合金等からなる金属強磁性薄膜１２を両側か
ら高耐摩耗非磁性材例えば非磁性セラミツク１３
と金属磁性酸化物例えばフエライト１４からなる
複合ガード板１５，１５′により挟んで構成され、
この複合ガード板１５，１５′のテープ摺動部１
５ａ，１５a′を形成する非磁性セラミツク１３，
１３の磁気ギヤツプｇの近傍部を低耐摩耗の非磁
性材料例えば低融点ガラス１６，１６により形成
してある。
この様に磁気ヘツド１１を形成することにより
磁気ギヤツプｇから離れた部分では第４図に示す
様に金属強磁性薄膜１２と両側のガード板１５，
１５′のテープ摺動部１５ａ，１５a′との間に少
し段差を生じるが、磁気ギヤツプｇの近傍におい
ては第５図に示す様に金属強磁性薄膜１２とガー
ド板１５，１５′のテープ摺動部１５ａ，１５
a′との段差がほとんど消失する。即ちガード板１
５，１５′のテープ摺動部１５ａ，１５a′の磁気
ギヤツプｇ近傍に比較的摩耗度の高い非磁性材例
えば低融点ガラス１６，１６を配することにより
テープＴはその自らの堅さにより第６図に示すご
とく低融点ガラス部１６，１６の摩耗に沿つてテ
ープ摺動部１５ａ，１５a′は曲面をなし金属強磁
性薄膜１２の表面、即ちテープ摺動面への衝撃及
び摩擦は少なくなる。一方、低融点ガラス部１
６，１６のない領域即ち非磁性セラミツク１３，
１３のみの領域は殆んど摩耗されずテープとの接
触時の断面は第７図に示すごとく平面に近いため
テープＴの微妙な振動により金属強磁性薄膜１２
への衝撃、摩擦が多くなるが高耐摩耗であるため
ヘツド寿命の点で好ましい。
磁気ギヤツプｇから離れた部分では第４図に示す
様に金属強磁性薄膜１２と両側のガード板１５，
１５′のテープ摺動部１５ａ，１５a′との間に少
し段差を生じるが、磁気ギヤツプｇの近傍におい
ては第５図に示す様に金属強磁性薄膜１２とガー
ド板１５，１５′のテープ摺動部１５ａ，１５
a′との段差がほとんど消失する。即ちガード板１
５，１５′のテープ摺動部１５ａ，１５a′の磁気
ギヤツプｇ近傍に比較的摩耗度の高い非磁性材例
えば低融点ガラス１６，１６を配することにより
テープＴはその自らの堅さにより第６図に示すご
とく低融点ガラス部１６，１６の摩耗に沿つてテ
ープ摺動部１５ａ，１５a′は曲面をなし金属強磁
性薄膜１２の表面、即ちテープ摺動面への衝撃及
び摩擦は少なくなる。一方、低融点ガラス部１
６，１６のない領域即ち非磁性セラミツク１３，
１３のみの領域は殆んど摩耗されずテープとの接
触時の断面は第７図に示すごとく平面に近いため
テープＴの微妙な振動により金属強磁性薄膜１２
への衝撃、摩擦が多くなるが高耐摩耗であるため
ヘツド寿命の点で好ましい。
この様に本例における磁気ヘツド１１はスペー
シングロスと関係のない磁気ギヤツプｇから離れ
た領域においてはガード板１５，１５′と金属強
磁性薄膜１２との段差を生じるがガード板１５，
１５′の高耐摩耗性により磁気ヘツドの長寿命化
を図ることができ磁気ギヤツプｇ近傍においては
低耐摩耗性の非磁性材１６，１６を在存させるこ
とによりヘツド断面即ちテープ摺動面を曲面とし
てテープの曲面内接接触による衝撃緩和によりス
ペーシングロスが極めて少なくなる。
シングロスと関係のない磁気ギヤツプｇから離れ
た領域においてはガード板１５，１５′と金属強
磁性薄膜１２との段差を生じるがガード板１５，
１５′の高耐摩耗性により磁気ヘツドの長寿命化
を図ることができ磁気ギヤツプｇ近傍においては
低耐摩耗性の非磁性材１６，１６を在存させるこ
とによりヘツド断面即ちテープ摺動面を曲面とし
てテープの曲面内接接触による衝撃緩和によりス
ペーシングロスが極めて少なくなる。
次に以上の様に構成される本例の磁気ヘツドの
製造工程例を第８図〜第１４図について説明す
る。先ず第８図に示すごとく非磁性セラミツクブ
ロツク１３′に回転砥石等により溝加工を施し溝
１３a1，１３a2……を形成し、この溝１３a1′，
１３a2′……に低融点ガラス１６を溶融充填した
後、所定の幅に切断し（第９図参照）、このセラ
ミツクとガラスの複合非磁性材を第１０図に示す
様にフエライト板１４にガラス充填部の一端面側
を対応させて接合した後、平面研摩加工を行なつ
て複合ガード板１５を形成する。この複合ガード
板１５にセンダスト薄膜１２をスパツタリングに
より形成し（第１１図参照）、このセンダスト薄
膜１２の表面側に第１２図に示すごとく第１０図
の複合ガード板１５と同様に形成した複合ガード
板１５′を接合して素材１１′を形成する。この素
材１１′の低融点ガラス部１６，１６の充填部の
中央部から切断し、一方の切断面に巻線用の溝１
７を形成して一対のコア半体１１a′，１１b′を形
成する（第１３図参照）。この一対のコア半体１
１a′，１１b′間にギヤツプスペーサ１８を配して
接合する（第１４図参照）。更に、これを両側面
及びテープ摺動面の研摩加工を施すことにより第
３図に示すごとくガード板１５，１５′のテープ
摺動部１５ａ，１５a′の磁気ギヤツプｇの近傍に
低融点ガラス即ち低耐摩耗性磁性材料１６，１６
が表出した磁気ヘツド１１が得られる。
製造工程例を第８図〜第１４図について説明す
る。先ず第８図に示すごとく非磁性セラミツクブ
ロツク１３′に回転砥石等により溝加工を施し溝
１３a1，１３a2……を形成し、この溝１３a1′，
１３a2′……に低融点ガラス１６を溶融充填した
後、所定の幅に切断し（第９図参照）、このセラ
ミツクとガラスの複合非磁性材を第１０図に示す
様にフエライト板１４にガラス充填部の一端面側
を対応させて接合した後、平面研摩加工を行なつ
て複合ガード板１５を形成する。この複合ガード
板１５にセンダスト薄膜１２をスパツタリングに
より形成し（第１１図参照）、このセンダスト薄
膜１２の表面側に第１２図に示すごとく第１０図
の複合ガード板１５と同様に形成した複合ガード
板１５′を接合して素材１１′を形成する。この素
材１１′の低融点ガラス部１６，１６の充填部の
中央部から切断し、一方の切断面に巻線用の溝１
７を形成して一対のコア半体１１a′，１１b′を形
成する（第１３図参照）。この一対のコア半体１
１a′，１１b′間にギヤツプスペーサ１８を配して
接合する（第１４図参照）。更に、これを両側面
及びテープ摺動面の研摩加工を施すことにより第
３図に示すごとくガード板１５，１５′のテープ
摺動部１５ａ，１５a′の磁気ギヤツプｇの近傍に
低融点ガラス即ち低耐摩耗性磁性材料１６，１６
が表出した磁気ヘツド１１が得られる。
尚、以上の工程において両コア半体１１a′，１
１b′を接合しギヤツプスペーサ１８となる低融点
ガラス部はテープ摺動面に配する低耐摩耗性非磁
性材即ち低融点ガラス１６，１６より更に低融点
のものを使用する。
１b′を接合しギヤツプスペーサ１８となる低融点
ガラス部はテープ摺動面に配する低耐摩耗性非磁
性材即ち低融点ガラス１６，１６より更に低融点
のものを使用する。
又、以上の構成において非磁性材セラミツクブ
ロツク１３′に形成する溝１３a1′，１３a2′……
はなるべく深く即ち溝１３a2′，１３a2′……の底
部の肉厚をできるだけ薄くすることにより磁気ギ
ヤツプｇの近傍に表出される非磁性材即ち非磁性
セラミツク１３の表出幅が少なくなり金属強磁性
薄膜１２とガード板１５，１５′との間の段差の
発生を押えることができる。従つてこの磁気ギヤ
ツプｇの近傍の非磁性セラミツク１３，１３の厚
みをできる限り薄くし、好ましくは非磁性セラミ
ツク１３，１３がガード板１５，１５′のテープ
摺動部１５ａ，１５a′に表出しないように形成す
ることが望ましい。
ロツク１３′に形成する溝１３a1′，１３a2′……
はなるべく深く即ち溝１３a2′，１３a2′……の底
部の肉厚をできるだけ薄くすることにより磁気ギ
ヤツプｇの近傍に表出される非磁性材即ち非磁性
セラミツク１３の表出幅が少なくなり金属強磁性
薄膜１２とガード板１５，１５′との間の段差の
発生を押えることができる。従つてこの磁気ギヤ
ツプｇの近傍の非磁性セラミツク１３，１３の厚
みをできる限り薄くし、好ましくは非磁性セラミ
ツク１３，１３がガード板１５，１５′のテープ
摺動部１５ａ，１５a′に表出しないように形成す
ることが望ましい。
又、以上の構成において金属強磁性薄膜１２は
絶縁膜を介したセンダスト薄膜の積層体又はアモ
ルハス合金の積層体であつてもよいことは言うま
でもない。
絶縁膜を介したセンダスト薄膜の積層体又はアモ
ルハス合金の積層体であつてもよいことは言うま
でもない。
又、本発明は第１５図に示す様に金属強磁性薄
膜１２が磁気ギヤツプｇ近傍のみに表出する凸形
状の金属強磁性薄膜・フエライト複合型ヘツドに
おいても有効であり又、単磁極型ヘツドにおいて
も有効である。尚、第１５図において金属強磁性
薄膜１２の表出部と同幅のテープ摺動面部１５ｂ
をフエライト１４により形成してもよい。
膜１２が磁気ギヤツプｇ近傍のみに表出する凸形
状の金属強磁性薄膜・フエライト複合型ヘツドに
おいても有効であり又、単磁極型ヘツドにおいて
も有効である。尚、第１５図において金属強磁性
薄膜１２の表出部と同幅のテープ摺動面部１５ｂ
をフエライト１４により形成してもよい。
発明の効果
以上の様に本発明によればテープ摺動面に金属
強磁性薄膜と非磁性ガード材とが共存してなる磁
気ヘツドにおいて磁気ギヤツプ近傍の非磁性ガー
ド部を低耐摩耗性の非磁性材料により形成したも
のでテープ摺動に伴なうテープ摺動面の摩耗によ
る段差を磁気ギヤツプ近傍において極少に押える
ことができスペーシングロスが極めて少なく且つ
高耐摩耗性であつて記録再生効率の大きな信頼性
の高い磁気ヘツドを得ることができる。
強磁性薄膜と非磁性ガード材とが共存してなる磁
気ヘツドにおいて磁気ギヤツプ近傍の非磁性ガー
ド部を低耐摩耗性の非磁性材料により形成したも
のでテープ摺動に伴なうテープ摺動面の摩耗によ
る段差を磁気ギヤツプ近傍において極少に押える
ことができスペーシングロスが極めて少なく且つ
高耐摩耗性であつて記録再生効率の大きな信頼性
の高い磁気ヘツドを得ることができる。
第１図は従来の磁気ヘツドの斜視図、第２図は
第１図の−線における摩耗状態の拡大断面
図、第３図は本発明による磁気ヘツドの一例の斜
視図、第４図は第３図の−線における摩耗状
態の拡大断面図、第５図は同、−線の拡大断
面図、第６図は第５図におけるテープ摺動状態を
示す一部分の断面図、第７図は第３図の−線
におけるテープ摺動状態の断面図、第８図〜第１
４図は本発明による磁気ヘツドの一例の製造工程
を示す斜視図、第１５図は本発明による磁気ヘツ
ドの他例の斜視図である。 図中、１１は磁気ヘツド、１２は金属強磁性薄
膜、１４は強磁性酸化物部分、１３は非磁性材料
部分、１５，１５′は複合ガード板、ｇは磁気ギ
ヤツプ、１６は低摩耗性非磁性材料部分である。
第１図の−線における摩耗状態の拡大断面
図、第３図は本発明による磁気ヘツドの一例の斜
視図、第４図は第３図の−線における摩耗状
態の拡大断面図、第５図は同、−線の拡大断
面図、第６図は第５図におけるテープ摺動状態を
示す一部分の断面図、第７図は第３図の−線
におけるテープ摺動状態の断面図、第８図〜第１
４図は本発明による磁気ヘツドの一例の製造工程
を示す斜視図、第１５図は本発明による磁気ヘツ
ドの他例の斜視図である。 図中、１１は磁気ヘツド、１２は金属強磁性薄
膜、１４は強磁性酸化物部分、１３は非磁性材料
部分、１５，１５′は複合ガード板、ｇは磁気ギ
ヤツプ、１６は低摩耗性非磁性材料部分である。
Claims (1)
- １ 金属強磁性薄膜と強磁性酸化物及び非磁性材
料とが接合されて上記金属強磁性薄膜により磁気
ギヤツプが形成され磁気記録媒体対向面に上記金
属強磁性薄膜と上記非磁性材料とが共存してなる
磁気ヘツドにおいて上記磁気ギヤツプ近傍の上記
非磁性材料が上記非磁性材料に比して低耐摩耗性
の非磁性材料より成ることを特徴とする磁気ヘツ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14013783A JPS6032108A (ja) | 1983-07-30 | 1983-07-30 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14013783A JPS6032108A (ja) | 1983-07-30 | 1983-07-30 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032108A JPS6032108A (ja) | 1985-02-19 |
| JPH0467247B2 true JPH0467247B2 (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=15261738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14013783A Granted JPS6032108A (ja) | 1983-07-30 | 1983-07-30 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032108A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322592A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 把手装置 |
-
1983
- 1983-07-30 JP JP14013783A patent/JPS6032108A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6032108A (ja) | 1985-02-19 |
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