JPH0467331A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPH0467331A JPH0467331A JP2172658A JP17265890A JPH0467331A JP H0467331 A JPH0467331 A JP H0467331A JP 2172658 A JP2172658 A JP 2172658A JP 17265890 A JP17265890 A JP 17265890A JP H0467331 A JPH0467331 A JP H0467331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acrylate
- mono
- optical disk
- acid ester
- ester compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザーなどの光により、情報の記録、再生
を行う光ディスクに関する。
を行う光ディスクに関する。
光ディスクは高密度・大容量の情報記録媒体として注目
され種々のタイプの光ディスクの研究開発が行われてい
る。
され種々のタイプの光ディスクの研究開発が行われてい
る。
これらのなかで、消去可能で書換え自由な光磁気ディス
クは応用分野が広く、将来への期待が大きい。そのため
、種々の材料・システムが発表されており、その実用化
が期待される。
クは応用分野が広く、将来への期待が大きい。そのため
、種々の材料・システムが発表されており、その実用化
が期待される。
これらの光ディスクには、はこりなどの付着を防ぐため
帯電防止処理を行う必要があり、通常は基板の表面に帯
電防止剤を塗工したり、帯電防止剤の基板への練り込み
による方法などがとられている。しかし、前者の処理で
は耐久性に問題があり、後者では成形性、光透過性の点
で問題がある。
帯電防止処理を行う必要があり、通常は基板の表面に帯
電防止剤を塗工したり、帯電防止剤の基板への練り込み
による方法などがとられている。しかし、前者の処理で
は耐久性に問題があり、後者では成形性、光透過性の点
で問題がある。
一方、光ディスクの基板は一般にポリカーボネート樹脂
などが用いられるために、基板の表面硬度が小さい。そ
こで、表面の損傷を避けるためにUV硬化樹脂などによ
り表面硬化処理を施すことが提案されている。
などが用いられるために、基板の表面硬度が小さい。そ
こで、表面の損傷を避けるためにUV硬化樹脂などによ
り表面硬化処理を施すことが提案されている。
しかし、これらのUV硬化樹脂の塗工による被覆では、
ディスクの回転中に空気との摩擦による樹脂の帯電があ
り、ゴミ、ホコリの付着による読み出し面の汚れなどが
多く、記録、読み出し信号の信幀性を低下させている。
ディスクの回転中に空気との摩擦による樹脂の帯電があ
り、ゴミ、ホコリの付着による読み出し面の汚れなどが
多く、記録、読み出し信号の信幀性を低下させている。
本発明は、耐久性に優れた帯電防止性を有ししかも充分
な表面硬度を有する光ディスクの提供を目的とする。
な表面硬度を有する光ディスクの提供を目的とする。
本発明は、光ディスクの少なくとも光照射面(読み取り
面)を一般式(I) 〔式中、R1、R1は水素原子またはメチル基を、nは
1〜23の整数を、mは1または2の整数を示す、〕 で表されるポリエチレンオキシドまたはポリプロピレン
オキシドのモノ(メタ)アクリル酸エステル化合物のモ
ノもしくはジ燐酸エステル化合物を0.1〜60重量%
含有する硬化性樹脂組成物を硬化してなる塗膜で被覆し
たことを特徴とする光ディスクである。
面)を一般式(I) 〔式中、R1、R1は水素原子またはメチル基を、nは
1〜23の整数を、mは1または2の整数を示す、〕 で表されるポリエチレンオキシドまたはポリプロピレン
オキシドのモノ(メタ)アクリル酸エステル化合物のモ
ノもしくはジ燐酸エステル化合物を0.1〜60重量%
含有する硬化性樹脂組成物を硬化してなる塗膜で被覆し
たことを特徴とする光ディスクである。
本発明の光ディスクとしては、樹脂などからなる基板上
にビットが形成された記録媒体からなるビットタイプの
光ディスク、基板上に熱的記録層が形成された記録媒体
からなり、レーザー光などの照射によりバブルを形成し
、反射光の変化でレベル変動を検知するバブルタイプの
光ディスクおよび基板上に光磁気記録層が形成された記
録媒体からなる光磁気ディスクが含まれる。
にビットが形成された記録媒体からなるビットタイプの
光ディスク、基板上に熱的記録層が形成された記録媒体
からなり、レーザー光などの照射によりバブルを形成し
、反射光の変化でレベル変動を検知するバブルタイプの
光ディスクおよび基板上に光磁気記録層が形成された記
録媒体からなる光磁気ディスクが含まれる。
光ディスクの光照射面とは、読み取りまたは/および書
き込みの光ビームが入射される面で、通常樹脂などの基
板の記録層の形成されている面の反対側の面である。光
照射面は、例えば光磁気ディスクにおいてはグループが
形成されておらずフラットな面である。
き込みの光ビームが入射される面で、通常樹脂などの基
板の記録層の形成されている面の反対側の面である。光
照射面は、例えば光磁気ディスクにおいてはグループが
形成されておらずフラットな面である。
本発明は、前記光ディスクの少なくとも光照射面(読み
取り面)を一般式(I)で表されるポリエチレンオキシ
ドまたはポリプロピレンオキシドのモノ(メタ)アクリ
ル酸エステル化合物のモノもしくはジ燐酸エステル化合
物を001〜60重量%含有する硬化性樹脂組成物を硬
化してなる塗膜で被覆したことを特徴とする。
取り面)を一般式(I)で表されるポリエチレンオキシ
ドまたはポリプロピレンオキシドのモノ(メタ)アクリ
ル酸エステル化合物のモノもしくはジ燐酸エステル化合
物を001〜60重量%含有する硬化性樹脂組成物を硬
化してなる塗膜で被覆したことを特徴とする。
一般式(1)中、R+、Rtは水素原子またはメチル基
を、nは1〜23の整数を、mは1または2の整数を示
す。
を、nは1〜23の整数を、mは1または2の整数を示
す。
この中で、nは1〜15が好ましく、1〜10が特に好
ましい。
ましい。
一般式(I)で表されるポリエチレンオキシドまたはポ
リプロピレンオキシドのモノ(メタ)アクリル酸エステ
ル化合物のモノもしくはジ燐酸エステル化合物としては
、例えば、 する。
リプロピレンオキシドのモノ(メタ)アクリル酸エステ
ル化合物のモノもしくはジ燐酸エステル化合物としては
、例えば、 する。
CI。
暮
[CHz=C−CO(OCHzCHz)RO]□POH
[CH!=[Jl−Co(QC)IICult) n
O]tPOtl(ただし、式中、nは1〜23の整数を
示す)などが挙げられ、さらに具体的には、 CHt=CH−COOCHzCl(zOP(OR)z
(ライトエステルDM。
[CH!=[Jl−Co(QC)IICult) n
O]tPOtl(ただし、式中、nは1〜23の整数を
示す)などが挙げられ、さらに具体的には、 CHt=CH−COOCHzCl(zOP(OR)z
(ライトエステルDM。
共栄社油脂■製)、
カル■製)、
CHz=CH−Co(OCHzCHz) −0P(01
1)xカル■製)、 ユニケミカル■製)、 ユニケミカル■製)、 CH。
1)xカル■製)、 ユニケミカル■製)、 ユニケミカル■製)、 CH。
(CHz□C−C00CHzCHzO) −0P(OH
)s−1I(ただし、nは1または2)(RW−116
2HP、日本乳化剤■製) などが挙げられる。
)s−1I(ただし、nは1または2)(RW−116
2HP、日本乳化剤■製) などが挙げられる。
本発明の一般式(I)で表されるポリエチレンオキシド
またはポリプロピレンオキシドのモノ(メタ)アクリル
酸エステル化合物のモノもしくはジ燐酸エステル化合物
は、硬化性樹脂組成物中0.1〜60重量%、好ましく
は0. 2〜50重量%、とくに好ましくは0.5〜5
0重量%含有される。該化合物が0.1重量%未満では
帯電防止効果が不足し、一方60重量%を趨えると被覆
した光ディスクの表面硬度が不十分で好ましくない。
またはポリプロピレンオキシドのモノ(メタ)アクリル
酸エステル化合物のモノもしくはジ燐酸エステル化合物
は、硬化性樹脂組成物中0.1〜60重量%、好ましく
は0. 2〜50重量%、とくに好ましくは0.5〜5
0重量%含有される。該化合物が0.1重量%未満では
帯電防止効果が不足し、一方60重量%を趨えると被覆
した光ディスクの表面硬度が不十分で好ましくない。
本発明において、一般に知られた重合性単量体や重合性
オリゴマー、重合性プレポリマーが用いられる。例えば
ビスフェノールAエポキシアクリレート、脂肪酸変性エ
ポキシアクリレート、ノボラックエポキシアクリレート
、フェノールノボラックエポキシアクリレート、ポリエ
ステルオリゴウレタンアクリレート、多官能ヒドロキシ
化合物のウレタンアクリレート、ポリブタジェンアクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレ
ート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレー
ト、(ポリ)アルキレングリコールのジ(メタ)アクリ
レートなどの脂肪族多官能アクリレート、多官能オリゴ
エステルアクリレート、多官能ポリエステルアクリレー
ト、ホスファゼン化合物のアクリレート変性物、イソシ
アヌル酸の多官能アクリレート、その他ビニル重合性化
合物、アクリル系重合性化合物などが使用できる。これ
らの重合性化合物は単独あるいは混合して使用される。
オリゴマー、重合性プレポリマーが用いられる。例えば
ビスフェノールAエポキシアクリレート、脂肪酸変性エ
ポキシアクリレート、ノボラックエポキシアクリレート
、フェノールノボラックエポキシアクリレート、ポリエ
ステルオリゴウレタンアクリレート、多官能ヒドロキシ
化合物のウレタンアクリレート、ポリブタジェンアクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレ
ート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレー
ト、(ポリ)アルキレングリコールのジ(メタ)アクリ
レートなどの脂肪族多官能アクリレート、多官能オリゴ
エステルアクリレート、多官能ポリエステルアクリレー
ト、ホスファゼン化合物のアクリレート変性物、イソシ
アヌル酸の多官能アクリレート、その他ビニル重合性化
合物、アクリル系重合性化合物などが使用できる。これ
らの重合性化合物は単独あるいは混合して使用される。
本発明の硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、光重合開
始剤、熱重合開始剤などのラジカル重合開始剤などを添
加して用いる。
始剤、熱重合開始剤などのラジカル重合開始剤などを添
加して用いる。
光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、ミヒラーズケ
トンなどのベンゾフェノン系開始剤、ベンジル、フェニ
ルメトキシジケトンなどのジケトン系開始側、アセトフ
ェノンなどのアセトフェノン系開始剤、ベンゾインエチ
ルエーテル、ベンジルジメチルケタールなどのベンゾイ
ン系開始剤、2.4−ジエチルチオキサントンなどのチ
オキサントン系開始荊、2−メチルアントラキノン、カ
ンファーキノンなどのキノン系開始側などが好適に用い
られる。
トンなどのベンゾフェノン系開始剤、ベンジル、フェニ
ルメトキシジケトンなどのジケトン系開始側、アセトフ
ェノンなどのアセトフェノン系開始剤、ベンゾインエチ
ルエーテル、ベンジルジメチルケタールなどのベンゾイ
ン系開始剤、2.4−ジエチルチオキサントンなどのチ
オキサントン系開始荊、2−メチルアントラキノン、カ
ンファーキノンなどのキノン系開始側などが好適に用い
られる。
必要に応じてアミン系促進剤などの促進剤の併用も可能
である。
である。
用いる開始剤量としては、組成物に対して0.1〜10
phr、好ましくは0.5〜7phrが用いられる。ま
た、熱硬化の場合にはアゾビスイソブチロニトリル(A
IBN)、ベンゾイルペルオキシド(BPO)、クメン
ヒドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジターシ
中リーブチルペルオキシド、ラウロイルペルオキシドな
どが挙げられる。
phr、好ましくは0.5〜7phrが用いられる。ま
た、熱硬化の場合にはアゾビスイソブチロニトリル(A
IBN)、ベンゾイルペルオキシド(BPO)、クメン
ヒドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジターシ
中リーブチルペルオキシド、ラウロイルペルオキシドな
どが挙げられる。
本発明の硬化性樹脂組成物は塗布性の改善、作業性の向
上などのために、必要に応じて溶媒で希釈される。なお
、ポリカーボネート樹脂を基板として用いる場合はメタ
ノール、エタノール、イソプロパツールなどのアルコー
ル性溶媒が好適に用いられる。
上などのために、必要に応じて溶媒で希釈される。なお
、ポリカーボネート樹脂を基板として用いる場合はメタ
ノール、エタノール、イソプロパツールなどのアルコー
ル性溶媒が好適に用いられる。
光ディスクの硬化性樹脂組成物による被覆は、記録層の
形成前であっても形成後であってもよい。
形成前であっても形成後であってもよい。
本発明の硬化性樹脂組成物は、公知のスピンコーティン
グ法、浸漬コーティング法、ドクターナイフによるコー
ティング、バーコーターによる方法で、光ディスクの表
面を被覆することができる。
グ法、浸漬コーティング法、ドクターナイフによるコー
ティング、バーコーターによる方法で、光ディスクの表
面を被覆することができる。
光ディスクの被覆にあたっては、光ディスクの側面をも
被覆すると帯電防止効果を向上させることができる。
被覆すると帯電防止効果を向上させることができる。
本発明の塗膜の硬化後の厚さは、2〜30μmであり、
好ましくは5〜25μmである。
好ましくは5〜25μmである。
硬化性樹脂組成物を塗布した光ディスクは、低圧水銀灯
、中圧水銀灯、高圧水銀灯などの紫外うンプ、ハロゲン
ランプ、電子線などの活性光線、あるいは熱処理などを
用いて公知の方法、条件により硬化される。この中で、
紫外ランプ、ハロゲンランプ、電子線などの活性光線を
用いるのが操作性、生産性の観点から好ましい。
、中圧水銀灯、高圧水銀灯などの紫外うンプ、ハロゲン
ランプ、電子線などの活性光線、あるいは熱処理などを
用いて公知の方法、条件により硬化される。この中で、
紫外ランプ、ハロゲンランプ、電子線などの活性光線を
用いるのが操作性、生産性の観点から好ましい。
本発明で得られる光ディスクの表面抵抗は、19150
7口未満が好ましい、これ以上の抵抗を有するものは帯
電防止性の観点から効果がない。
7口未満が好ましい、これ以上の抵抗を有するものは帯
電防止性の観点から効果がない。
また、表面硬度は、取扱いの観点から鉛筆硬度がH8以
上のものが好ましい。
上のものが好ましい。
以下実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はかかる実施例に限定されない。
発明はかかる実施例に限定されない。
実施例において、表面抵抗(Ω/口)はJISK−69
11によった。また鉛筆硬度は、JIS K−540
0に準拠し、三菱鉛筆製ユニを用いて測定した。
11によった。また鉛筆硬度は、JIS K−540
0に準拠し、三菱鉛筆製ユニを用いて測定した。
実施例1〜6、比較例1〜2
130閣直径、ISO規格準拠のフォーマット、CCS
サーボ方式のポリカーボネート基板に5iN(1300
人)/TbFeCo (200人)/5iN(350人
)/、!合金(400人)の積層構成〔()内は各層膜
厚を示す〕の記録層をスパッタ法で形成し、A1合金反
射層上にフェノール・ノボラック・アクリレートを主成
分とする紫外線硬化樹脂を約IOμmの厚さに形成した
。
サーボ方式のポリカーボネート基板に5iN(1300
人)/TbFeCo (200人)/5iN(350人
)/、!合金(400人)の積層構成〔()内は各層膜
厚を示す〕の記録層をスパッタ法で形成し、A1合金反
射層上にフェノール・ノボラック・アクリレートを主成
分とする紫外線硬化樹脂を約IOμmの厚さに形成した
。
このディスクのフラット面に硬化性樹脂組成物(日本積
比■製、N5C−7106)と、下記ポリエチレンオキ
シドまたはポリプロピレンオキシドのモノ(メタ)アク
リル酸のエステル化合物のモノもしくはジ燐酸エステル
化合物(共重合モノマー)との混合物を、5〜10μm
の厚さになるようにスピンコード法により塗布した。引
き続き、長さ約27C1m、2Kwの高圧水銀灯を用い
、201の高さから紫外線を1分間照射し、塗膜を硬化
させた。
比■製、N5C−7106)と、下記ポリエチレンオキ
シドまたはポリプロピレンオキシドのモノ(メタ)アク
リル酸のエステル化合物のモノもしくはジ燐酸エステル
化合物(共重合モノマー)との混合物を、5〜10μm
の厚さになるようにスピンコード法により塗布した。引
き続き、長さ約27C1m、2Kwの高圧水銀灯を用い
、201の高さから紫外線を1分間照射し、塗膜を硬化
させた。
共重合モノマー:
ライトエステルDM、共栄社油脂■製
CBよ=Cll−C00CHzCHxOP(OB) t
、ホスマーM1ユニケミカル■製 ホスマーP、二二ケミカル■製 ホスマーPE、ユニケミカル■製 前記硬化条件でこれら塗布物を硬化させた場合、外見硬
化は充分で残存モノマーを示すベタツキなどは認められ
なかった。
、ホスマーM1ユニケミカル■製 ホスマーP、二二ケミカル■製 ホスマーPE、ユニケミカル■製 前記硬化条件でこれら塗布物を硬化させた場合、外見硬
化は充分で残存モノマーを示すベタツキなどは認められ
なかった。
硬化後のポリカーボネートディスクの硬化面について、
表面抵抗および鉛筆硬度を測定した。
表面抵抗および鉛筆硬度を測定した。
ホスマーPP、ユニケミカル■製
RW−1162HP、日本乳化剤■製
I3
[CH*□C−C00CI(zCLO]−P(OB)!
−−(ただし、nは1および2の混合物) 比較例1は共重合モノマーを用いない場合であり、比較
例2はポリカーボネート基板上に、練り込み型帯電防止
剤ソルビタンラウレート(日本積比■製)をアルコール
に溶がして塗布し、乾燥させたものである。 ゛ 実施例1〜6および比較例1で得られた光磁気ディスク
を、室温下に24時間純水中に浸漬後表面抵抗を測定し
たが変化はなかった。比較例2の光磁気ディスクの同様
の処理後の表面抵抗は2xlO”Ω/口であった。
−−(ただし、nは1および2の混合物) 比較例1は共重合モノマーを用いない場合であり、比較
例2はポリカーボネート基板上に、練り込み型帯電防止
剤ソルビタンラウレート(日本積比■製)をアルコール
に溶がして塗布し、乾燥させたものである。 ゛ 実施例1〜6および比較例1で得られた光磁気ディスク
を、室温下に24時間純水中に浸漬後表面抵抗を測定し
たが変化はなかった。比較例2の光磁気ディスクの同様
の処理後の表面抵抗は2xlO”Ω/口であった。
実施例7
6官能ウレタンアクリレートオリゴマー(U1226A
、新中村化学工業■製)40重量%、6官能アクリレー
トオリゴマー(KAYARADDPC60、日本化薬■
製)20重量%、および燐酸モノエチレングリコールア
クリレート(ライトエステルDM、共栄社油脂■製)4
0重量%、光開始剤ダロキュア1173p 3phr
からなる硬化性樹脂組成物を、実施例1の積層構成の記
録層を有する光磁気ディスクのポリカーボネート基板に
塗布し、前記と同様に光硬化させた。得られたディスク
の表面硬度はFであり、表面抵抗は1、lXl0I!Ω
/口であった。
、新中村化学工業■製)40重量%、6官能アクリレー
トオリゴマー(KAYARADDPC60、日本化薬■
製)20重量%、および燐酸モノエチレングリコールア
クリレート(ライトエステルDM、共栄社油脂■製)4
0重量%、光開始剤ダロキュア1173p 3phr
からなる硬化性樹脂組成物を、実施例1の積層構成の記
録層を有する光磁気ディスクのポリカーボネート基板に
塗布し、前記と同様に光硬化させた。得られたディスク
の表面硬度はFであり、表面抵抗は1、lXl0I!Ω
/口であった。
実施例8
ホスファゼンのへキサアクリレート(U−1000、出
光石油化学鞠製)55重量%に燐酸モノエチレングリコ
ールアクリレート(ライトエステルDM、共栄社油脂■
製)45重量%、光開始剤イルガキュア907(チバガ
イギー社製)5phrからなる硬化性樹脂組成物を実施
例7と同様に光硬化させた。硬化塗膜の表面硬度はHB
で表面抵抗は3.8X1010Ω/口であった。
光石油化学鞠製)55重量%に燐酸モノエチレングリコ
ールアクリレート(ライトエステルDM、共栄社油脂■
製)45重量%、光開始剤イルガキュア907(チバガ
イギー社製)5phrからなる硬化性樹脂組成物を実施
例7と同様に光硬化させた。硬化塗膜の表面硬度はHB
で表面抵抗は3.8X1010Ω/口であった。
実施例9
ホスファゼンのへキサアクリレート(U−1000、出
光石油化学■製)95重量%に燐酸モノエチレングリコ
ールアクリレート(ライトエステルDM、共栄社油脂■
製)5重量%、ラジカル開始剤AIBNを5phrから
なる硬化性樹脂組成物を実施例1と同じ積層構成の記録
層を有する光磁気ディスクのポリカーボネート基板上に
スピンコードし、80℃で熱硬化させた。硬化塗膜の表
面硬度はHBで表面抵抗は5.2X10”Ω/口であっ
た。
光石油化学■製)95重量%に燐酸モノエチレングリコ
ールアクリレート(ライトエステルDM、共栄社油脂■
製)5重量%、ラジカル開始剤AIBNを5phrから
なる硬化性樹脂組成物を実施例1と同じ積層構成の記録
層を有する光磁気ディスクのポリカーボネート基板上に
スピンコードし、80℃で熱硬化させた。硬化塗膜の表
面硬度はHBで表面抵抗は5.2X10”Ω/口であっ
た。
本発明は、高度の耐久性をもつ帯電防止性を有し、表面
硬度に優れた光ディスクを提供することができる。
硬度に優れた光ディスクを提供することができる。
特許出願人 帝 人 株式会社
代理人 弁理士 白 井 重 隆
Claims (1)
- (1)光ディスクの少なくとも光照射面を一般式( I
)▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔式中、R_1、R_2は水素原子またはメチル基を、
nは1〜23の整数を、mは1または2の整数を示す。 〕 で表されるポリエチレンオキシドまたはポリプロピレン
オキシドのモノ(メタ)アクリル酸エステル化合物のモ
ノもしくはジ燐酸エステル化合物を0.1〜60重量%
含有する硬化性樹脂組成物を硬化してなる塗膜で被覆し
たことを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2172658A JPH0467331A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 光デイスク |
| PCT/JP1991/000886 WO1992000588A1 (fr) | 1990-07-02 | 1991-07-01 | Disque optique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2172658A JPH0467331A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467331A true JPH0467331A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=15945981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2172658A Pending JPH0467331A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0467331A (ja) |
-
1990
- 1990-07-02 JP JP2172658A patent/JPH0467331A/ja active Pending
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