JPH0467329A - 光デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザーなどの光により、情報の記録、再生
を行う光ディスクに関する。

〔従来の技術〕

光ディスクは、高密度・大容量の情報記録媒体として種
々の研究開発が行われている。

特に、情報消去の可能な光磁気ディスクは応用分野が広
く種々の材料・システムが発表されており、その実用化
が期待されている。

これらの光ディスクには、はこりなどの付着を防ぐため
帯電防止処理を行う必要があり、通常は基板の表面に帯
電防止剤を塗工したり、帯電防止剤の基板への練り込み
による方法などが採られている。しかし、前者の処理で
は耐久性に問題があり、後者では成形性、光透過性の点
で問題があった。

一方、光ディスクの基板は一般的にはポリカーボネート
樹脂などが用いられるために、基板の表面硬度が小さい
、そこで、表面の損傷を避けるためにＵＶ硬化樹脂など
により表面硬化処理を施すことが提案されている。

しかし、これらのＵＶ硬化樹脂の塗工による被覆では、
ディスクの回転中に空気との摩擦による樹脂の帯電があ
り、ゴミ、ホコリの付着による読み出し面の汚れなどが
多く、記録、読み出し信号の信頼性を低下させている。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、耐久性に優れた帯電防止性を有し、しかも、
充分な表面硬度を有する光ディスクの提供を目的とする
。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、光ディスクの少なくとも光照射面（読み取り
面）を一般式（１） （式中、Ｒｔ、Ｒｚは水素原子またはメチル基を、Ｒ３
は炭素数１〜９のアルキル基、フェニル基、炭素数１〜
９のアルキル基で置換されたフェニル基または炭素数１
〜９のアルコキシ基で置換されたフェニル基を、ｎは５
〜２３の整数を示す）で表されるポリエチレンオキシド
またはポリプロピレンオキシドのモノ（メタ）アクリル
酸エステルのエーテル誘導体を５〜７０重量％含有する
硬化性樹脂組成物を硬化してなる塗膜で被覆したことを
特徴とする光ディスクである。

本発明の光ディスクとしては、樹脂などからなる基板上
にビットが形成された記録媒体からなるビットタイプの
光ディスク、基板上に熱的記録層が形成された記録媒体
からなり、レーザー光などの照射によりバブルを形成し
、反射光の変化でレベル変動を検知するバブルタイプの
光ディスク、あるいは基板上に光磁気記録層が形成され
た記録媒体からなる光磁気ディスクなどが含まれる。

光ディスクの光照射面とは、読み取りまたは／および書
き込みの光ビームが入射される面で、通常樹脂などの基
板上に記録層が形成されている面の反対側の面である。

光照射面（読み取り面）は、例えば光磁気ディスクにお
いてはグループが形成されておらずフラットな面である
。

本発明は、前記光ディスクの少な（とも光照射面（読み
取り面）を一般式（１）で表されるポリエチレンオキシ
ドまたはポリプロピレンオキシドのモノ（メタ）アクリ
ル酸エステルのエーテル誘導体を５〜７０重量％含有す
る硬化性樹脂組成物を硬化してなるＶ！膜で被覆したこ
とを特徴とする。

一般式（Ｉ）中、Ｒ”　、Ｒ，は水素原子またはメチル
基を、Ｒ１は炭素数１〜９のアルキル基、フェニル基、
炭素数１〜９のアルキル基で置換されたフェニル基また
は炭素数１〜９のアルコキシ基で置換されたフェニルを
、ｎは５〜２３の整数を示す。

Ｒ１中の炭素数１〜９のアルキル基としては、例えばメ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
、オクチル基などが挙げられ、これらは枝分かれしてい
てもよい、これらのなかで炭素数１〜４のメチル、エチ
ル、プロピル、ブチル基が好適である。また、炭素数１
〜９のアルキル基で置換されたフェニルとしては、ノニ
ルフェニル、ブチルフェニル、メチルフヱニルなどが挙
げられる。

また、一般式（１）中、ｎは５〜２３の整数を示す、ｎ
が５未満であるとグリコール残基の親木性が低く充分な
除電性を示さない、一方、ｎが２３を超えると溶解性が
低下するので好ましくない、ｎは６〜２０が好ましい。

一般式（１）で表されるポリエチレンオキシドまたはポ
リプロピレンオキシドのモノ（メタ）アクリル酸エステ
ルのエーテル誘導体としては、例えば ＣＦＩｔ　”ＣＩ−Ｃｏ（ＯＣＨｚＣｕｔ）　−０ＣＲ
ｓ　１ＧＨｚ＝ＣＩ−ＣＯ（ＯＣＨｔＣＨｇ）　、　０
ＣＪｓ、ＣＨｇ　＝Ｃ１ｌ−ＣＤ（ＯＣＩｌｔＣｌｌｔ
）　−０ＰｂＣａＨｗ（式中、ｎは５〜２３、ｐｈはｐ
−フェニレン基を表す）などが挙げられ、具体的には、
ＣＨｚ−Ｃ’−Ｃｏ（ＯＣｌｌｔＣＩＩｇ）　＊０ＣＨ
ｓ　（メトキシポリエチレングリコール＃４００メタク
リレート）、レンゲリコール＃１０００メタクリレート
）、ＣＦｌｚ＝ＣＩｌ−Ｃｏ（ＯＣＨｚＣＨｚ）＊０Ｃ
Ｆｌｓ　　（メトキシポリエチレングリコール＃４００
アクリレート）、日本乳化側■製） が挙げられるがこれらに限定されない。

本発明の一般式（１）で示されるポリエチレンオキシド
またはポリプロピレンオキシドの（メタ）アクリル酸エ
ステルのエーテル誘導体は、硬化性樹脂組成物中５〜７
０重量％、好ましくは１０〜６０重置％、特に好ましく
は１５〜５０重量％含有される。該化合物が５重量％未
満では帯電防止効果が不足し、一方７０重量％を超える
と硬化性樹脂組成物で被覆し硬化させた光ディスクの表
面被膜硬度が不充分で好ましくない。

本発明において、前記（１）式の化合物以外の硬化性樹
脂組成物には、一般に般に知られた重合性単量体や重合
性オリゴマー、重合性プレポリマーが用いられる０例え
ば、ビスフェノールＡエポキシアクリレート、脂肪酸変
性エポキシアクリレート、ノボラックエポキシアクリレ
ート、フェノールノボラックエポキシアクリレート、ポ
リエステルオリゴウレタンアクリレート、多官能ヒドロ
キシ化合物のウレタンアクリレート、ポリブタジェンア
クリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アク
リレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アク
リレート、トリメチロールプロパントリ　（メタ）アク
リレート、（ポリ）アルキレングリコールのジ（メタ）
アクリレートなどの脂肪族多官能アクリレート、多官能
オリゴエステルアクリレート、多官能ポリエステルアク
リレート、ホスファゼン化合物のアクリレート変性物、
イソシアヌル酸の多官能アクリレート、その他ビニル重
合性化合物、アクリル系重合性化合物などが使用できる
。これらの重合性化合物は単独あるいは混合して使用さ
れる０本発明の硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、光
重合開始剤、熱重合開始剤などのラジカル重合開始剤な
どを添加して用いる。光重合開始剤としては、ベンゾフ
ェノン、ミヒラーズケトンなどのベンゾフェノン系開始
側、ベンジル、フェニルメトキシジケトンなどのジケト
ン系開始剤、アセトフェノンなどのアセトフェノン系開
始側、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルジメチルケ
タールなどのベンゾイン系開始剤、２．４−ジエチルチ
オキサントンなどのチオキサントン系開始剤、２−メチ
ルアントラキノン、カンファーキノンなどのキノン系開
始側などが好適に用いられる。

本発明の硬化性樹脂組成物には必要に応じてアミン系促
進剤などの促進剤の併用も可能である。

開始剤量としては、該組成物に対して０．１〜１０ｐｈ
ｒ、好ましくは０．５〜Ｔｐｈｒが用いられる。また、
熱硬化の場合にはアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢ
Ｎ）、ベンゾイルペルオキシＦ　（ＢＰＯ）　、’）メ
ンヒドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジター
シ中リーブチルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド
などが挙げられる。

本発明の硬化性樹脂は、塗布性の改善、作業性の向上な
どのために、必要に応じて溶媒で希釈される。なお、ポ
リカーボネート樹脂を基板として用いる場合はメタノー
ル、エタノール、イソプロパツールなどのアルコール性
溶媒が好適に用いられる。

光ディスクの硬化性樹脂組成物による被覆は、記録層の
形成前であっても形成後であってもよい。

本発明の硬化性樹脂組成物は、公知のスピンコーティン
グ法、浸漬コーティング法、ドクターナイフによるコー
ティング法、バーコーターによる方法で、光ディスクの
表面を被覆することができる。光ディスクの被覆にあた
っては、光ディスクの側面をも被覆すると帯電防止効果
を向上させることができる。

本発明の硬化後の塗膜の厚さは、２〜３０μｍであり、
好ましくは５〜２５μｍである。

重合性単量体組成物を塗布した光ディスクは、低圧水銀
灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯などの紫外ランプ、ハロゲ
ンランプ、電子線などの活性光線、あるいは熱処理など
を用いて公知の方法、条件により硬化される。この中で
、紫外ランプ、ハロゲンランプ、電子線などの活性光線
を用いるのが操作性、生産性の観点から好ましい。

本発明で得られる光ディスクの表面抵抗は、１０ＩｓΩ
／口未満が好ましい。これ以上の抵抗を有するものは帯
電防止性の観点から効果がない。

また、表面硬度は、取扱いの観点から鉛筆硬度がＨ８以
上のものが好ましい。

〔実施例〕

以下実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はかかる実施例に限定されない。

実施例において、表面抵抗（Ω／口）はＪＩＳＫ−６９
１１によった。また鉛筆硬度は、ＪＩＳ　　Ｋ−５４０
０に準拠し、三菱鉛筆製二二を用いて測定した。

実施例１〜４、比較例１〜２ １３０閣直径、ＩＳＯ規格準拠のフォーマット、ＣＣＳ
サーボ方式のポリカーボネート基板に５ｉＮ（１３００
人）／ＴｂＦｅＣｏ　（２００人）／５ｉＮ（３５０人
）／Ａ１合金（４００人）の積層構成〔（）内は各層膜
厚を示す〕の記録層をスパッタ法で形成し、ＡＩ１合金
反射層上にフェノール・ノボラック・アクリレートを主
成分とする紫外線硬化樹脂を約１０μｍの厚さに形成し
た。

このディスクのフラット面に硬化性樹脂組成物（日本積
比■、Ｎ５Ｃ−７１０６）に下記ポリエチレンオキシド
（ｎ＝１５）のモノメタクリル酸エステルのエーテル誘
導体（共重合モノマー）を第１表に示す量（％は重量％
）添加したものを５〜１０ｔＩｍの厚さになるようにス
ピンコード法により塗布した。引き続き、長さ約２−７
　ＣＩ、２Ｋｗの高圧水銀灯を用い、２０ＣＩの高さか
ら紫外線を１分間照射して塗膜を硬化させた。

共重合モノマー： ＭＰＧ１３０ＭＡ、日本乳化剤■製 ＨＭＡ−８６２、日本乳化剤■製 第１表 比較例１は共重合モノマーを用いない場合であり、比較
例２はポリカーボネート基板上に練り込み型帯電防止剤
ソルビタンラウレート（日本積比■製）をアルコールに
溶かして塗布し、乾燥したものである。

前記効果条件でこれら塗布物を硬化させた場合、外見硬
化は充分で残存上ツマ−を示すベタツキなどは認められ
なかった。

硬化後のポリカーボネートディスクの硬化面について表
面抵抗および鉛筆硬度を調べた。

結果を第１表に示す。

（以下余白） 実施例１〜８および比較例１で得られた光磁気ディスク
を、室温下２４時間純水中に浸漬後表面抵抗を測定した
が変化はなかった。

比較例２の光磁気ディスクの同様処理後の表面抵抗は２
Ｘ１０１ＳΩ／口であった。

実施例９ ホスファゼンのへキサアクリレート（Ｕ−１０００、出
光石油化学■製）８０重量％、メトキシポリエチレング
リコール＃４００モノメタクリレート２０重量％、ＡＩ
ＢＮを５ｐｈｒからなる硬化性樹脂組成物を実施例１と
同じ積層構成の記録層を有する光ディスクのポリカーボ
ネート基板上にスピンコードし、８０℃で熱硬化させた
。

硬化塗膜の表面硬度はＦで、表面抵抗は７．３×１０１
４Ω／口であった。

〔発明の効果〕

本発明は、高度の耐久性をもつ帯電防止性を有し、しか
も充分な表面硬度を有する光ディスクを提供することが
できる。

特許出願人　　帝　人　株式会社 代理人　弁理士　白　井　重　隆

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光ディスクの少なくとも光照射面を一般式（ I
   ）▲数式、化学式、表等があります▼・・・・（ I ） （式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は水素原子またはメチル基を、
   Ｒ＿３は炭素数１〜９のアルキル基、フェニル基、炭素
   数１〜９のアルキル基または炭素数１〜９のアルコキシ
   基で置換されたフェニル基を、ｎは５〜２３の整数を示
   す） で表されるポリエチレンオキシドまたはポリプロピレン
   オキシドのモノ（メタ）アクリル酸エステルのエーテル
   誘導体を５〜７０重量％含有する硬化性樹脂組成物を硬
   化してなる塗膜で被覆したことを特徴とする光ディスク
   。