JPH0469142B2 - - Google Patents
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- JPH0469142B2 JPH0469142B2 JP59137492A JP13749284A JPH0469142B2 JP H0469142 B2 JPH0469142 B2 JP H0469142B2 JP 59137492 A JP59137492 A JP 59137492A JP 13749284 A JP13749284 A JP 13749284A JP H0469142 B2 JPH0469142 B2 JP H0469142B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- phase
- response
- smectic
- speed
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
- C09K19/22—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and nitrogen atoms as chain links, e.g. Schiff bases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性スメクチツク液晶の電界へ
の応答を利用した電気光学素子に有用な新規の液
晶化合物に関する。 〔従来の技術〕 液晶は、既に種々の電気光学素子として応用さ
れ、時計や電卓等の表示に実用化されてきてい
る。現在実用化されている液晶表示素子は、ネマ
テイツク液晶やコレステリツク液晶の誘電的配列
効果を利用したものが大部分である。しかし、期
待されている画素数の多い表示素子への応用に当
つては、応答性の面や、駆動マージンが取れない
事によるコストラスト、視角特性の面で問題とな
つている。そのため、各画素毎にスイツチング素
子を形成するMOSパネルやTFTパネルが一方に
おいて研究開発がさかんになつている。 こうした中で、clarkら（V.S.pat.4367924）
は、かかる液晶素子の欠点を除去する、スメクチ
ツク相を用いた新しい表示原理による液晶素子を
考案した。これについて若干の説明をする。 図１は、スメクチツクC*相またはＨ相の模式
図である。液晶は各分子層１から成つており、
個々の層の中では、分子長軸の平均的な方向が、
層に垂直な方向と角度ψ0だけ傾いている。
MeyerらはLe Journal de Physique Vol.36
（March.1975PPL−69 to Ｌ−71）の「強誘電性
液晶」というタイトルの論文において、光学活性
な分子から成るスメクチツクC*あるいはＨ相は、
一般に電気双極子密度Ｐ→を有し、強誘電的である
ことを示している。この双極子密度Ｐ→は、分子の
傾き方向n^に垂直で、スメクチツクの層面に平行
である。彼らの示したことは、スメクチツクＨ相
でも適用可能であるが、Ｈ相では、層に垂直な軸
のまわりの回転に対する粘性がより大きくなる。
これらのカイラルスメクチツク液晶における電気
双極子の存在は、誘電異方性におけるよりも、電
場に対してずつと強い結合力を与える。更に、こ
の結合力は、Ｐ→の好ましい方向が電場Ｅと平行な
方向であるという意味で極性のあるものなので、
印加した電場の方向を反軸することにより、Ｐ→の
方向を反転させることになる。つまり、電場を反
転させることにより、図２で示したように、分子
をコーンに沿つた運動により（このコーンの角＝
ψ0を以下コーン角という）、その方向を制御する
ことが出来る。そしてこの分子の平均的な長軸方
向の変化を２枚の偏光板で検出することにより、
電気光学素子として利用し得る。 このスメクチツクC*相またはＨ相の電界へ応
答を利用した電気光学素子は、その自発分極と電
界との結合力が、誘電異方性による結合力よりも
３〜４オーダー大きい故に、TN型液晶素子に比
して、優れた高速応答性を有し、かつ適当な配向
制御を選択することにより、メモリー性をもたす
ことが可能であり、高速光学シヤツターや表示情
報量の多いデイスプレイとしての応用が期待され
ている。 ところで、この強誘電性を有するカイラルスメ
クタツチ液晶材料は、種々合成され研究されてき
ている。強誘電性液晶として最初に合成されたの
は、DOBAMBCと呼称されているＰ−
decyloxyben−zilidene−P′−amino−２−
methylbutlcynnamateであり、この系列の液晶
は、以下の構造式の形で、強誘電性液晶の研究対
象として種々合成されてきている。 （ここで、ｘは−Ｈ、Cl、−CNであり、Ｙは−
Cl、−C2H5であり、＊印は不整炭素原子である。） しかし、この系列の液晶は、室温以上の比較的
高温側でカイラルスメクチツク相を呈するため、
室温では使えない事や、シツク系であり、水分に
より分解し、安定性が悪い事などの欠点がある。 この系の発展系として、一般式 で表わされる、一方のベンゼン環に水酸基が導入
され、分子内の水素結合を有するシツク系のカイ
ラルスメクチツク液晶化合物が、B.I.Ostrovskii
ら〔Ferroellectrics 24（1980）309〕や、 A.Hallsbyら〔Mol.Cryst.Lig.Cryst、Letter82
（1982）61〕によつて発表され、室温を含む広い
温度範囲で、スメクチツクC*相を呈する化合物
として注目されている。又、分子内水素結合を有
するため、水分による分解が起りにくく、安定性
の面でも、通常のシツク系液晶に比べ優れてい
る。しかし、実用的には、０℃以下でも、結晶化
しない事が要求されるのでいまだ、この系で合成
されている液晶材料だけでは不十分である。 他に、アゾキシ系の液晶材料がP.kellerら
〔Amn.Phys.（1978）139〕によつて発表されてい
るが、温度範囲の面で十分でなく、又、濃い黄色
の化合物であるため実用上問題がある。 こうした中で、TN型液晶材料として広く実用
化され安定性の面で実績のあるエステル系液晶は
注目し得る液晶材料である。公知の文献では、
B.I.Ostrovskiiらによつて の構造式で表わされる液晶化合物が、比較的室温
に近い温度範囲でカイラルスメクチツク液晶を呈
する材料として報告されている。又、G.W.Gray
ら〔Mol.Cryst.Liq.Cryst、37（1976）189（1978）
37〕により、高い温度範囲でカイラルスメクチツ
ク液晶相を呈するビフエニルエステル系材料が報
告されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 以上見てきたように、現状では、実用に供せら
れる室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチ
ツク相を呈する液晶材料はいまだ存在せず、種々
の液晶のブレンドによつて、Sc*相を呈する温度
範囲を広げなければならない現状である。また、
我々は、既知の様々なSc*相を呈する液晶化合物
の応答特性を測定したが、室温近辺でSc*相を呈
する材料では、上記(1)式のｍ＝１、ｎ＝８のいわ
ゆるMBRA8と呼ばれている液晶化合物が約
500μsecの応答速度であり、最も速かつた。しか
し、この強誘電性液晶デイスプレイの高速応答と
いう特徴を生かしていくためには、更に速い応答
性を有する液晶材料が要求される。 そこで、本発明は、室温近辺でSc*相を有し、
かつ、高速応答性を有する新規の液晶化合物を提
供することを目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するため、次の一般式で表わ
される新規液晶化合物を合成した。 （ここで、ｍは０〜10、ｎは５〜14、＊印は不整
炭素原子を示す）で表わされる光学活性な液晶化
合物である。 〔作用〕 これらの液晶化合物は、室温近辺でSc*相を呈
する化合物が多く、又、速い応答性を有すること
が明らかになつた。我々の実験で、室温近辺で
Sc*相を呈する液晶化合物で一番応答の速かつた
MBRA8以上の高速応答性を示した。 応答速度τは以下のように表わされる。 τ∝η／Ps.E （ここで、ηは回転粘度、Psは自発分極、Ｅは
電解強度である。） 本発明の化合物が、高速応答性を示すのは、自
発極Psに関与する側鎖の−Ｏ−を
の応答を利用した電気光学素子に有用な新規の液
晶化合物に関する。 〔従来の技術〕 液晶は、既に種々の電気光学素子として応用さ
れ、時計や電卓等の表示に実用化されてきてい
る。現在実用化されている液晶表示素子は、ネマ
テイツク液晶やコレステリツク液晶の誘電的配列
効果を利用したものが大部分である。しかし、期
待されている画素数の多い表示素子への応用に当
つては、応答性の面や、駆動マージンが取れない
事によるコストラスト、視角特性の面で問題とな
つている。そのため、各画素毎にスイツチング素
子を形成するMOSパネルやTFTパネルが一方に
おいて研究開発がさかんになつている。 こうした中で、clarkら（V.S.pat.4367924）
は、かかる液晶素子の欠点を除去する、スメクチ
ツク相を用いた新しい表示原理による液晶素子を
考案した。これについて若干の説明をする。 図１は、スメクチツクC*相またはＨ相の模式
図である。液晶は各分子層１から成つており、
個々の層の中では、分子長軸の平均的な方向が、
層に垂直な方向と角度ψ0だけ傾いている。
MeyerらはLe Journal de Physique Vol.36
（March.1975PPL−69 to Ｌ−71）の「強誘電性
液晶」というタイトルの論文において、光学活性
な分子から成るスメクチツクC*あるいはＨ相は、
一般に電気双極子密度Ｐ→を有し、強誘電的である
ことを示している。この双極子密度Ｐ→は、分子の
傾き方向n^に垂直で、スメクチツクの層面に平行
である。彼らの示したことは、スメクチツクＨ相
でも適用可能であるが、Ｈ相では、層に垂直な軸
のまわりの回転に対する粘性がより大きくなる。
これらのカイラルスメクチツク液晶における電気
双極子の存在は、誘電異方性におけるよりも、電
場に対してずつと強い結合力を与える。更に、こ
の結合力は、Ｐ→の好ましい方向が電場Ｅと平行な
方向であるという意味で極性のあるものなので、
印加した電場の方向を反軸することにより、Ｐ→の
方向を反転させることになる。つまり、電場を反
転させることにより、図２で示したように、分子
をコーンに沿つた運動により（このコーンの角＝
ψ0を以下コーン角という）、その方向を制御する
ことが出来る。そしてこの分子の平均的な長軸方
向の変化を２枚の偏光板で検出することにより、
電気光学素子として利用し得る。 このスメクチツクC*相またはＨ相の電界へ応
答を利用した電気光学素子は、その自発分極と電
界との結合力が、誘電異方性による結合力よりも
３〜４オーダー大きい故に、TN型液晶素子に比
して、優れた高速応答性を有し、かつ適当な配向
制御を選択することにより、メモリー性をもたす
ことが可能であり、高速光学シヤツターや表示情
報量の多いデイスプレイとしての応用が期待され
ている。 ところで、この強誘電性を有するカイラルスメ
クタツチ液晶材料は、種々合成され研究されてき
ている。強誘電性液晶として最初に合成されたの
は、DOBAMBCと呼称されているＰ−
decyloxyben−zilidene−P′−amino−２−
methylbutlcynnamateであり、この系列の液晶
は、以下の構造式の形で、強誘電性液晶の研究対
象として種々合成されてきている。 （ここで、ｘは−Ｈ、Cl、−CNであり、Ｙは−
Cl、−C2H5であり、＊印は不整炭素原子である。） しかし、この系列の液晶は、室温以上の比較的
高温側でカイラルスメクチツク相を呈するため、
室温では使えない事や、シツク系であり、水分に
より分解し、安定性が悪い事などの欠点がある。 この系の発展系として、一般式 で表わされる、一方のベンゼン環に水酸基が導入
され、分子内の水素結合を有するシツク系のカイ
ラルスメクチツク液晶化合物が、B.I.Ostrovskii
ら〔Ferroellectrics 24（1980）309〕や、 A.Hallsbyら〔Mol.Cryst.Lig.Cryst、Letter82
（1982）61〕によつて発表され、室温を含む広い
温度範囲で、スメクチツクC*相を呈する化合物
として注目されている。又、分子内水素結合を有
するため、水分による分解が起りにくく、安定性
の面でも、通常のシツク系液晶に比べ優れてい
る。しかし、実用的には、０℃以下でも、結晶化
しない事が要求されるのでいまだ、この系で合成
されている液晶材料だけでは不十分である。 他に、アゾキシ系の液晶材料がP.kellerら
〔Amn.Phys.（1978）139〕によつて発表されてい
るが、温度範囲の面で十分でなく、又、濃い黄色
の化合物であるため実用上問題がある。 こうした中で、TN型液晶材料として広く実用
化され安定性の面で実績のあるエステル系液晶は
注目し得る液晶材料である。公知の文献では、
B.I.Ostrovskiiらによつて の構造式で表わされる液晶化合物が、比較的室温
に近い温度範囲でカイラルスメクチツク液晶を呈
する材料として報告されている。又、G.W.Gray
ら〔Mol.Cryst.Liq.Cryst、37（1976）189（1978）
37〕により、高い温度範囲でカイラルスメクチツ
ク液晶相を呈するビフエニルエステル系材料が報
告されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 以上見てきたように、現状では、実用に供せら
れる室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチ
ツク相を呈する液晶材料はいまだ存在せず、種々
の液晶のブレンドによつて、Sc*相を呈する温度
範囲を広げなければならない現状である。また、
我々は、既知の様々なSc*相を呈する液晶化合物
の応答特性を測定したが、室温近辺でSc*相を呈
する材料では、上記(1)式のｍ＝１、ｎ＝８のいわ
ゆるMBRA8と呼ばれている液晶化合物が約
500μsecの応答速度であり、最も速かつた。しか
し、この強誘電性液晶デイスプレイの高速応答と
いう特徴を生かしていくためには、更に速い応答
性を有する液晶材料が要求される。 そこで、本発明は、室温近辺でSc*相を有し、
かつ、高速応答性を有する新規の液晶化合物を提
供することを目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点を解決するため、次の一般式で表わ
される新規液晶化合物を合成した。 （ここで、ｍは０〜10、ｎは５〜14、＊印は不整
炭素原子を示す）で表わされる光学活性な液晶化
合物である。 〔作用〕 これらの液晶化合物は、室温近辺でSc*相を呈
する化合物が多く、又、速い応答性を有すること
が明らかになつた。我々の実験で、室温近辺で
Sc*相を呈する液晶化合物で一番応答の速かつた
MBRA8以上の高速応答性を示した。 応答速度τは以下のように表わされる。 τ∝η／Ps.E （ここで、ηは回転粘度、Psは自発分極、Ｅは
電解強度である。） 本発明の化合物が、高速応答性を示すのは、自
発極Psに関与する側鎖の−Ｏ−を
【式】に
置きかえ、Psが大きくなつたためである。
本発明の液晶化合物は、その高速応答性故に、
他のカイラルスメクイツク液晶化合物にブレンド
材として添加して、反応性を良くすることができ
ることも明らかになつた。 本発明の液晶化合物の合成法の１例を化学式で
以下に示す。 或いは
他のカイラルスメクイツク液晶化合物にブレンド
材として添加して、反応性を良くすることができ
ることも明らかになつた。 本発明の液晶化合物の合成法の１例を化学式で
以下に示す。 或いは
【式】と
【式】とを縮合剤（例えばDCC
など）の存在下で反応させ、得られた
に
光学活性な４−（３−メチルペンチルカルボキ
シ）−２−ヒドロキシ−ベンジリデン−4′−オ
クチルアニリン まず合成法を記す。 第一段 光学活性な３−メチルペンチルカルボキシ−２
−ヒドロキシベンズアルデヒドの合成 市販の活性アミルアルコールから合成した光学
活性な３−メチル吉草酸2.7ｇに塩化チオニル30
mlを加え、加熱還流下３時間反応した後、過剰の
塩化チオニルを留去し油状の３−メチル吉草酸ク
ロリドを得た。 b.p. 141〜144゜ Ｖfilm max 1810cm-1 得られた酸クロリドは、乾燥エーテル６mlに溶
解し、２，４−ジヒドロキシベンズアルデヒド
6.77ｇ、乾燥ピリジン7.76ｇ、乾燥エーテル14ml
の混合物に、氷冷下滴下した。滴下後、室温にも
どし、さらに還流下５時間反応した。反応終了後
氷水に加え入れ、エーテル抽出した。有機層は、
2N−HCl、５％NaOH、水、飽和食塩水で洗浄
し乾燥後、エーテルを留去した。得た抽状物を繰
り返し精製し、光学活性な３−メチルベンチルカ
ルボキシ−２−ヒドロキシベンズアルデヒド5.4
ｇを得た。 Ｖfilm max(cm-1) 3080 2740 1765 1695 δCDCl3 TMS(ppm) 11.37、Ｓ、1H、−OH（D.O
exchangeable） 9.96、Ｓ、1H、−CHO 6.80〜8.03、ｍ、3H、Aromatic Ｈ 2.33〜2.52、ｍ、2H
シ）−２−ヒドロキシ−ベンジリデン−4′−オ
クチルアニリン まず合成法を記す。 第一段 光学活性な３−メチルペンチルカルボキシ−２
−ヒドロキシベンズアルデヒドの合成 市販の活性アミルアルコールから合成した光学
活性な３−メチル吉草酸2.7ｇに塩化チオニル30
mlを加え、加熱還流下３時間反応した後、過剰の
塩化チオニルを留去し油状の３−メチル吉草酸ク
ロリドを得た。 b.p. 141〜144゜ Ｖfilm max 1810cm-1 得られた酸クロリドは、乾燥エーテル６mlに溶
解し、２，４−ジヒドロキシベンズアルデヒド
6.77ｇ、乾燥ピリジン7.76ｇ、乾燥エーテル14ml
の混合物に、氷冷下滴下した。滴下後、室温にも
どし、さらに還流下５時間反応した。反応終了後
氷水に加え入れ、エーテル抽出した。有機層は、
2N−HCl、５％NaOH、水、飽和食塩水で洗浄
し乾燥後、エーテルを留去した。得た抽状物を繰
り返し精製し、光学活性な３−メチルベンチルカ
ルボキシ−２−ヒドロキシベンズアルデヒド5.4
ｇを得た。 Ｖfilm max(cm-1) 3080 2740 1765 1695 δCDCl3 TMS(ppm) 11.37、Ｓ、1H、−OH（D.O
exchangeable） 9.96、Ｓ、1H、−CHO 6.80〜8.03、ｍ、3H、Aromatic Ｈ 2.33〜2.52、ｍ、2H
【式】
第二段
光学活性な４−（３−メチルペンチルカルボキ
シ）−２−ヒドロキシ−ベンジリデン−4′オク
チルアニリンの合成 50ml三つ口フラスコに、４−（３−メチルペン
チルカルボキシ）−２−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド2.84ｇ、４−ｎ−オクチルアニリン2.46ｇ、
乾燥エタノール25mlを入れ、加熱還流下３時間反
応した。反応後、冷却し、析出した結晶を取し
た。得られた粗結晶を、繰り返し精製し、光学活
性な４−（３−メチルペンチルカルボキシ）−２−
ヒドロキシ−ベンジリデン−4′−オクチルアニリ
ン3.46ｇを得た。 Ｖsmjol max(cm-1) 1765、1612、1605 δCDCl3 TMS(ppm) 13.77、broads、1H、−OH
（D2Oexchangeable） 8.6、Ｓ、1H−CH＝Ｎ− 6.67〜7.93、ｍ、7H、AromaticH 2.32〜2.82、ｍ、4H、
シ）−２−ヒドロキシ−ベンジリデン−4′オク
チルアニリンの合成 50ml三つ口フラスコに、４−（３−メチルペン
チルカルボキシ）−２−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド2.84ｇ、４−ｎ−オクチルアニリン2.46ｇ、
乾燥エタノール25mlを入れ、加熱還流下３時間反
応した。反応後、冷却し、析出した結晶を取し
た。得られた粗結晶を、繰り返し精製し、光学活
性な４−（３−メチルペンチルカルボキシ）−２−
ヒドロキシ−ベンジリデン−4′−オクチルアニリ
ン3.46ｇを得た。 Ｖsmjol max(cm-1) 1765、1612、1605 δCDCl3 TMS(ppm) 13.77、broads、1H、−OH
（D2Oexchangeable） 8.6、Ｓ、1H−CH＝Ｎ− 6.67〜7.93、ｍ、7H、AromaticH 2.32〜2.82、ｍ、4H、
【式】
この液晶化合物（LC−１とする）は、以下の
ような転移温度であつた。 Cry48.8℃ −−−→ ←−−− Sc*64.3℃ −−−→ Ch69.4℃ −−−→ IS0 （ここで、＊印は過冷却であることを示す） この液晶化合物LC−１を、PVAラビングの一
軸配向処理を施した基板間に挟持し、液晶層厚を
3μｍとし、±10Vの電圧印加で、直交ニコル下で、
特性を測定した。測定温度は、27℃であつた。 応答速度 −320μsec コントラスト（Ton／Toff） −7.8 コーン角 −41.5゜ 過冷却状態での測定データであるが、極めて速
い応答性をもつているのが特徴である。 このLC−１の応答速度の温度依存性のグラフ
を第３図に示す。比較の意味で、MBRA8及び
MBRA8とLC−１との３：１のブレンド組成物
について、同一条件下で測定し、第３図に合わせ
載せた。又、LC−１とMBRA8とをブレンドし
た時の相図を第４図に示した。 以上のように、この液晶化合物LC−１は、
MBRA8以上の応答速度であり、MBRA8にブレ
ンドして、その応答を高めることが可能である。
MBRA8とのブレンドでは、Sc*相の温度範囲を
大きく広げることは出来ないが、応答性を良くす
る材料として、有効であることが判明した。 以上見てきたように、本発明による新規の液晶
化合物は、Sc*相を呈し、かつ、極めて速い応答
特性を有する。そのため、多分割の動画表示パネ
ルや高速光学シヤツター等高速応答性が要求され
る強誘電性液晶表示素子用の液晶材料として、有
効であり、強誘電性スメクチツク液晶表示素子の
実用化に大きく寄与するものである。
ような転移温度であつた。 Cry48.8℃ −−−→ ←−−− Sc*64.3℃ −−−→ Ch69.4℃ −−−→ IS0 （ここで、＊印は過冷却であることを示す） この液晶化合物LC−１を、PVAラビングの一
軸配向処理を施した基板間に挟持し、液晶層厚を
3μｍとし、±10Vの電圧印加で、直交ニコル下で、
特性を測定した。測定温度は、27℃であつた。 応答速度 −320μsec コントラスト（Ton／Toff） −7.8 コーン角 −41.5゜ 過冷却状態での測定データであるが、極めて速
い応答性をもつているのが特徴である。 このLC−１の応答速度の温度依存性のグラフ
を第３図に示す。比較の意味で、MBRA8及び
MBRA8とLC−１との３：１のブレンド組成物
について、同一条件下で測定し、第３図に合わせ
載せた。又、LC−１とMBRA8とをブレンドし
た時の相図を第４図に示した。 以上のように、この液晶化合物LC−１は、
MBRA8以上の応答速度であり、MBRA8にブレ
ンドして、その応答を高めることが可能である。
MBRA8とのブレンドでは、Sc*相の温度範囲を
大きく広げることは出来ないが、応答性を良くす
る材料として、有効であることが判明した。 以上見てきたように、本発明による新規の液晶
化合物は、Sc*相を呈し、かつ、極めて速い応答
特性を有する。そのため、多分割の動画表示パネ
ルや高速光学シヤツター等高速応答性が要求され
る強誘電性液晶表示素子用の液晶材料として、有
効であり、強誘電性スメクチツク液晶表示素子の
実用化に大きく寄与するものである。
第１図はスメクチツクC*相またはＨ相の模式
図であり、第２図はカイラルスメクチツク相の液
晶分子の電界によるコーンに沿つた運動を示す模
式図であり、第３図は応答速度の温度依存性を示
すグラフであり、第４図は２種の液晶をブレンド
した場合の相図である。
図であり、第２図はカイラルスメクチツク相の液
晶分子の電界によるコーンに沿つた運動を示す模
式図であり、第３図は応答速度の温度依存性を示
すグラフであり、第４図は２種の液晶をブレンド
した場合の相図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （ここで、ｍは０〜10、ｎは５〜14、＊印は不整
炭素原子を示す）で表わされる光学活性な液晶化
合物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137492A JPS6117552A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 液晶化合物 |
| US06/743,094 US4633012A (en) | 1984-07-03 | 1985-06-10 | Liquid crystal compound |
| EP85304222A EP0168963B1 (en) | 1984-07-03 | 1985-06-13 | Liquid crystal compound |
| DE8585304222T DE3574986D1 (de) | 1984-07-03 | 1985-06-13 | Fluessigkristallverbindung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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