JPH0469534A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH0469534A JPH0469534A JP2183270A JP18327090A JPH0469534A JP H0469534 A JPH0469534 A JP H0469534A JP 2183270 A JP2183270 A JP 2183270A JP 18327090 A JP18327090 A JP 18327090A JP H0469534 A JPH0469534 A JP H0469534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- glass pedestal
- package
- die
- bond pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体圧力センサの構造に関するものであ
る。
る。
第2図は従来の圧力センサの構造を示すもので、図にお
いて、1は圧力センサチップ、2はそのガラス台座、3
は外部リード、4は圧カセンサチ・ンブ1と外部リード
3を電気的に接続するワイヤ、5は圧力センサ内部に充
填されるシリコンゲル、6は圧力センサパッケージのベ
ース、7はキャップ、8は上記ガラス台座2をダイボン
ドするダイボンドパッドである。
いて、1は圧力センサチップ、2はそのガラス台座、3
は外部リード、4は圧カセンサチ・ンブ1と外部リード
3を電気的に接続するワイヤ、5は圧力センサ内部に充
填されるシリコンゲル、6は圧力センサパッケージのベ
ース、7はキャップ、8は上記ガラス台座2をダイボン
ドするダイボンドパッドである。
次に以上のような構成のものの組立態様について詳述す
ると、圧力センサチップ1とガラス台座2を真空中にお
いて陽極接合し、その接合したものをダイボンドパッド
8にダイボンドする。そして、圧力センサチップ1と外
部リード3にワイヤ4をワイヤボンドし、ワイヤボンド
完了したベース6にキャップ7をかぶせ、シリコンゲル
5を注入する。よって、パッケージからの応力は、ダイ
ボンドパッド8を通してガラス台座2及び圧力センサチ
ップ1に加わる。
ると、圧力センサチップ1とガラス台座2を真空中にお
いて陽極接合し、その接合したものをダイボンドパッド
8にダイボンドする。そして、圧力センサチップ1と外
部リード3にワイヤ4をワイヤボンドし、ワイヤボンド
完了したベース6にキャップ7をかぶせ、シリコンゲル
5を注入する。よって、パッケージからの応力は、ダイ
ボンドパッド8を通してガラス台座2及び圧力センサチ
ップ1に加わる。
従来の圧力センサは以上のように構成されているので、
パッケージからの応力を緩和するためにはガラス台座の
厚みを厚くすることが必要になるが、このようにガラス
台座の厚みを薄くできないため、パッケージの小型化が
困難であるという問題点があった。
パッケージからの応力を緩和するためにはガラス台座の
厚みを厚くすることが必要になるが、このようにガラス
台座の厚みを薄くできないため、パッケージの小型化が
困難であるという問題点があった。
この発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たもので、極めて簡単な構成にて小型化が可能な半導体
圧力センサを得ることを目的とする。
たもので、極めて簡単な構成にて小型化が可能な半導体
圧力センサを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体圧力センサは、ガラス台座をダイ
ボンドするダイボンドパッド部分を厚くするとともに、
そのまわりに溝を備えたものである。
ボンドするダイボンドパッド部分を厚くするとともに、
そのまわりに溝を備えたものである。
この発明における半導体圧力センサは、ダイボンドパッ
ド部分を厚くし、そのまわりに溝を備えることにより、
パッケージからの応力が溝の部分で緩和され、ダイボン
ドパッドすなわちガラス台座に加わる応力が小さくでき
る。
ド部分を厚くし、そのまわりに溝を備えることにより、
パッケージからの応力が溝の部分で緩和され、ダイボン
ドパッドすなわちガラス台座に加わる応力が小さくでき
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、上記第2図に示した従来例のものと異なる
ところは、ガラス台座2をダイボンドするダイボンドパ
ッド8の部分を比較的厚く形成するとともに、そのまわ
りに応力緩和用溝9を設けた点である。
図において、上記第2図に示した従来例のものと異なる
ところは、ガラス台座2をダイボンドするダイボンドパ
ッド8の部分を比較的厚く形成するとともに、そのまわ
りに応力緩和用溝9を設けた点である。
なお以上のものの組立態様は上記従来例のものと同様で
あるので説明を省略する。
あるので説明を省略する。
以上のようにこの発明によれば、圧力センサのガラス台
座のダイボンドパッド部分を厚くし、そのまわりに渭を
設けることで、ダイボンドパッド部分、すなわちガラス
台座に加わるパッケージからの応力が小さくでき、よっ
てガラス台座の厚みを薄くできてパッケージの小型化が
図れる効果がある。
座のダイボンドパッド部分を厚くし、そのまわりに渭を
設けることで、ダイボンドパッド部分、すなわちガラス
台座に加わるパッケージからの応力が小さくでき、よっ
てガラス台座の厚みを薄くできてパッケージの小型化が
図れる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による半導体圧力センサを
示す断面図、第2図は従来の半導体圧力センサを示す断
面図である。 図中、1は圧力センサチップ、2はガラス台座、3は外
部リード、4はワイヤ、5はシリコンゲル、6はベース
、7はキャップ、8はタイボンドパッド、9は溝である
。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示す断面図、第2図は従来の半導体圧力センサを示す断
面図である。 図中、1は圧力センサチップ、2はガラス台座、3は外
部リード、4はワイヤ、5はシリコンゲル、6はベース
、7はキャップ、8はタイボンドパッド、9は溝である
。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 圧力センサチップを接合したガラス台座をパッケージ
上のダイボンドパッド部分にダイボンドするものにおい
て、上記圧力センサチップのガラス台座のダイボンドパ
ッド部分を厚くし、そのまわりに応力緩和用溝を備えた
ことを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183270A JPH0469534A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183270A JPH0469534A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469534A true JPH0469534A (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=16132724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2183270A Pending JPH0469534A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015052588A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-03-19 | 株式会社デンソー | 力学量センサ |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2183270A patent/JPH0469534A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015052588A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-03-19 | 株式会社デンソー | 力学量センサ |
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