JPH0469818B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0469818B2 JPH0469818B2 JP61129665A JP12966586A JPH0469818B2 JP H0469818 B2 JPH0469818 B2 JP H0469818B2 JP 61129665 A JP61129665 A JP 61129665A JP 12966586 A JP12966586 A JP 12966586A JP H0469818 B2 JPH0469818 B2 JP H0469818B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- semiconductor element
- diode
- block
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
- H10D18/60—Gate-turn-off devices
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフラツトベース形半導体装置に関し、
特にスバナー用フラツトベース形ダイオードの外
装構造に関するものである。
特にスバナー用フラツトベース形ダイオードの外
装構造に関するものである。
従来のダイオードの一般的な構造を第２図に示
す。同図において、１１は半導体素子としてのダ
イオード素子２を収容可能に形成されたスタツド
で、銅からなる六角部１１-2に、銅からなるネジ
１１-3と鉄からなるケース１１- 1とが接続されて
構成される。そして、この六角部１１-2とネジ１
１-3は一体化構造を有しケース１１-1は前記六角
部１１-2とろう付けにて固着され、スタツド１１
となる。また、１３は銅からなり、下部にツバ部
１３ａを有する陰極棒、１４はセラミツクからな
る絶縁リング、１５は鋼からなる皿バネである。
さらに、１６はキヤツプで、セラミツクからなる
絶縁体１６-1に、銅からなる中継筒１６-2と鉄か
らなるフランジ１６-3とが接続されて構成され
る。このとき、絶縁体１６-1と中継筒１６-2、フ
ランジ１６-3は各々ろう付けて絶縁体１６-1に固
着されて、キヤツプ１６を構成する。また、１７
は銅の撚線からなるリードである。
す。同図において、１１は半導体素子としてのダ
イオード素子２を収容可能に形成されたスタツド
で、銅からなる六角部１１-2に、銅からなるネジ
１１-3と鉄からなるケース１１- 1とが接続されて
構成される。そして、この六角部１１-2とネジ１
１-3は一体化構造を有しケース１１-1は前記六角
部１１-2とろう付けにて固着され、スタツド１１
となる。また、１３は銅からなり、下部にツバ部
１３ａを有する陰極棒、１４はセラミツクからな
る絶縁リング、１５は鋼からなる皿バネである。
さらに、１６はキヤツプで、セラミツクからなる
絶縁体１６-1に、銅からなる中継筒１６-2と鉄か
らなるフランジ１６-3とが接続されて構成され
る。このとき、絶縁体１６-1と中継筒１６-2、フ
ランジ１６-3は各々ろう付けて絶縁体１６-1に固
着されて、キヤツプ１６を構成する。また、１７
は銅の撚線からなるリードである。
このように構成されたダイオードの組立ては、
まずスタツド１１内にダイオード素子２を挿入す
る。次に、陰極棒１３に絶縁リング１４、皿バネ
１５を挿嵌させてこれらをそのツバ部１３ａの上
面に挿着したうえ、このツバ部１３ａの下面をダ
イオード素子２上に載置する。このとき、陰極棒
１３は、スタツド１１のケース１１-1と絶縁リン
グ１４により中心出しが行なわれる。また、皿バ
ネ１５はスタツド１１のケース１１-1内壁によつ
て位置決めが行なわれる。
まずスタツド１１内にダイオード素子２を挿入す
る。次に、陰極棒１３に絶縁リング１４、皿バネ
１５を挿嵌させてこれらをそのツバ部１３ａの上
面に挿着したうえ、このツバ部１３ａの下面をダ
イオード素子２上に載置する。このとき、陰極棒
１３は、スタツド１１のケース１１-1と絶縁リン
グ１４により中心出しが行なわれる。また、皿バ
ネ１５はスタツド１１のケース１１-1内壁によつ
て位置決めが行なわれる。
次いで、図示しない加圧装置にて皿バネ１５を
上部より圧縮しながら、スタツド１１のケース１
１-1の上部を中心方向に絞り込むことにより、陰
極棒１３のツバ部１３ａとダイオード素子２、ス
タツド１１の六角部１１-2とが皿バネ１５により
圧接され、一体化される。
上部より圧縮しながら、スタツド１１のケース１
１-1の上部を中心方向に絞り込むことにより、陰
極棒１３のツバ部１３ａとダイオード素子２、ス
タツド１１の六角部１１-2とが皿バネ１５により
圧接され、一体化される。
次いで、このように一体化されたスタツド１１
と陰極棒13にキヤツプ１６を被せ、キヤツプ１６
のフランジ１６-3とスタツド１１のケース１１-2
の溶接用突起部１１ａとを溶接にて固着する。こ
れにより、ダイオード素子２はスタツド１１とキ
ヤツプ１６とにより密封される。
と陰極棒13にキヤツプ１６を被せ、キヤツプ１６
のフランジ１６-3とスタツド１１のケース１１-2
の溶接用突起部１１ａとを溶接にて固着する。こ
れにより、ダイオード素子２はスタツド１１とキ
ヤツプ１６とにより密封される。
最後に、キヤツプ１６の中継筒１６-2にリード
１７を挿入し、この中継筒１６-2の上部及び下部
を機械的に圧縮して、これら中継筒１６-2とリー
ド１７、中継筒１６-2と陰極棒１３とが圧着によ
り電気的に接続される。
１７を挿入し、この中継筒１６-2の上部及び下部
を機械的に圧縮して、これら中継筒１６-2とリー
ド１７、中継筒１６-2と陰極棒１３とが圧着によ
り電気的に接続される。
ところが、このような従来のスタツド形ダイオ
ードにおいては、例えばゲート・ターンオフ・サ
イリスタのスナバー用に使用すると、１）陰極棒
１３の長さが長く、かつ直径が小さいため、イン
ダクタンスが大きくなる。また、２）陰極棒１３
の回りに鉄系の材質例えば皿バネ１５があると、
通電中において皿バネ１５によりインダクタンス
が大きくなる。などの問題が発生する。その結
果、ターンオフ時のスパイク電圧が大きくなり、
ゲート・ターンオフ・サイリスタの可制御電流を
低下させるという欠点があつた。
ードにおいては、例えばゲート・ターンオフ・サ
イリスタのスナバー用に使用すると、１）陰極棒
１３の長さが長く、かつ直径が小さいため、イン
ダクタンスが大きくなる。また、２）陰極棒１３
の回りに鉄系の材質例えば皿バネ１５があると、
通電中において皿バネ１５によりインダクタンス
が大きくなる。などの問題が発生する。その結
果、ターンオフ時のスパイク電圧が大きくなり、
ゲート・ターンオフ・サイリスタの可制御電流を
低下させるという欠点があつた。
本発明は、上記のような問題点を解消するため
になされたもので、電流通路を大きくするととも
に短かくして、その電流通路部のインダクタンス
を小さくしたフラツトベース形半導体装置を提供
することを目的とする。
になされたもので、電流通路を大きくするととも
に短かくして、その電流通路部のインダクタンス
を小さくしたフラツトベース形半導体装置を提供
することを目的とする。
本発明に係るフラツトベース形半導体装置は、
半導体素子を収容しかつその周側面を囲むように
形成された下部電極としてのベースと、このベー
スに収容された半導体素子の上面に載置されてそ
の密封容器を構成する上部電極としての電極ブロ
ツクを具備し、この電極ブロツクと前記ベース間
に挾み込まれた半導体素子を、その電極ブロツク
に挿嵌された非磁性体からなる加圧部材にて加圧
接触することにより、これらベース、電極ブロツ
ク間の周側面を囲むべく形成された封止用キヤツ
プにより各々の両端部を封着して前記半導体素子
を密封するようにしたものである。
半導体素子を収容しかつその周側面を囲むように
形成された下部電極としてのベースと、このベー
スに収容された半導体素子の上面に載置されてそ
の密封容器を構成する上部電極としての電極ブロ
ツクを具備し、この電極ブロツクと前記ベース間
に挾み込まれた半導体素子を、その電極ブロツク
に挿嵌された非磁性体からなる加圧部材にて加圧
接触することにより、これらベース、電極ブロツ
ク間の周側面を囲むべく形成された封止用キヤツ
プにより各々の両端部を封着して前記半導体素子
を密封するようにしたものである。
本発明のフラツトベース形半導体装置において
は、密封容器を構成する上部電極の形状をブロツ
ク状にし、その回りにある加圧部材の材質をステ
ンレスなどの非磁性体とすることにより、装置自
体と回路のインダクタンスを小さくすることがで
きる。
は、密封容器を構成する上部電極の形状をブロツ
ク状にし、その回りにある加圧部材の材質をステ
ンレスなどの非磁性体とすることにより、装置自
体と回路のインダクタンスを小さくすることがで
きる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の一実施例によるフラツトベー
ス形ダイオードの構造を示す断面図である。第１
図において、１は従来と同様のダイオード素子２
を収容してその周側面に囲むように形成された下
部電極としてのベースであり、このベース１は銅
からなる円板状のブロツク１-1と鉄からなる筒状
のケース１-2とがろう付けにより固着され、その
ケース１-2の外周面には溶接用リング１-3が形成
されている。３は前記ベース１内に収容されるダ
イオード素子２上に載置されて密封容器の一部を
なす上部電極としての陰極ブロツクであり、この
陰極ブロツク３は銅からなり、下部にツバ部３-1
が形成されるとともに、上部に鉄からなる溶接リ
ング３-2がろう付けにより固着されている。な
お、これらベース１と陰極ブロツク３には、それ
ぞれ中心にネジ穴加工により取付け用ネジ部１
ａ，３ａが設けられ、外側にもネジ加工によりそ
れぞれ取付け用ネジ部１ｂ，３ｂが設けられてい
る。
ス形ダイオードの構造を示す断面図である。第１
図において、１は従来と同様のダイオード素子２
を収容してその周側面に囲むように形成された下
部電極としてのベースであり、このベース１は銅
からなる円板状のブロツク１-1と鉄からなる筒状
のケース１-2とがろう付けにより固着され、その
ケース１-2の外周面には溶接用リング１-3が形成
されている。３は前記ベース１内に収容されるダ
イオード素子２上に載置されて密封容器の一部を
なす上部電極としての陰極ブロツクであり、この
陰極ブロツク３は銅からなり、下部にツバ部３-1
が形成されるとともに、上部に鉄からなる溶接リ
ング３-2がろう付けにより固着されている。な
お、これらベース１と陰極ブロツク３には、それ
ぞれ中心にネジ穴加工により取付け用ネジ部１
ａ，３ａが設けられ、外側にもネジ加工によりそ
れぞれ取付け用ネジ部１ｂ，３ｂが設けられてい
る。
また、４は陰極ブロツク３のツバ部３-1に当接
して挿嵌可能に形成されたセラミツクからなる絶
縁リング、５は同じく陰極ブロツク３に挿嵌可能
に形成されたSUS304のステンレス材からなる加
圧部材としての皿バネ、６はセラミツクからなる
リング状の絶縁体６-1と、該絶縁体６-1の上、下
部分にそれぞれろう付けされた鉄からなるフラン
ジ６-2および６-3とから構成されたキヤツプであ
り、このキヤツプ６は、ベース１の溶接リング１
-3と陰極ブロツク３の溶接リング３-2との間に封
着されてその内部を密封するものとなつている。
して挿嵌可能に形成されたセラミツクからなる絶
縁リング、５は同じく陰極ブロツク３に挿嵌可能
に形成されたSUS304のステンレス材からなる加
圧部材としての皿バネ、６はセラミツクからなる
リング状の絶縁体６-1と、該絶縁体６-1の上、下
部分にそれぞれろう付けされた鉄からなるフラン
ジ６-2および６-3とから構成されたキヤツプであ
り、このキヤツプ６は、ベース１の溶接リング１
-3と陰極ブロツク３の溶接リング３-2との間に封
着されてその内部を密封するものとなつている。
しかして、上記実施例構成のダイオードの組立
てに際しては、まずベース１内にダイオード素子
２を挿入し、陰極ブロツク３に絶縁リング４、皿
バネ５を挿入して、ダイオード素子２上に載置す
る。次に、図示しない加圧装置にて皿バネ５を上
部より圧縮しながら、ベース１のケース１-2上部
を中心方向に絞り込む。これは、従来の組立方法
と全く同様である。次いで、キヤツプ６を陰極ブ
ロツク３とベース１に被せ、このキヤツプ６のフ
ランジ６-3と陰極ブロツク３の溶接リング３-2、
キヤツプ６のフランジ６-3と上記ケース１-2の溶
接リング１-3とをそれぞれ密着させて溶接にて固
着する。これにより、ダイオード素子２はベース
１とキヤツプ６、陰極ブロツク３とにより密封さ
れる。
てに際しては、まずベース１内にダイオード素子
２を挿入し、陰極ブロツク３に絶縁リング４、皿
バネ５を挿入して、ダイオード素子２上に載置す
る。次に、図示しない加圧装置にて皿バネ５を上
部より圧縮しながら、ベース１のケース１-2上部
を中心方向に絞り込む。これは、従来の組立方法
と全く同様である。次いで、キヤツプ６を陰極ブ
ロツク３とベース１に被せ、このキヤツプ６のフ
ランジ６-3と陰極ブロツク３の溶接リング３-2、
キヤツプ６のフランジ６-3と上記ケース１-2の溶
接リング１-3とをそれぞれ密着させて溶接にて固
着する。これにより、ダイオード素子２はベース
１とキヤツプ６、陰極ブロツク３とにより密封さ
れる。
このようにして製作されたフラツトベース形ダ
イオードは、第２図に示した従来例のものに比べ
て、高さが大幅に小さくなる。例えば400Aクラ
スのダイオードにて比較すると、ダイオード素子
２底部からキヤツプ６上部までの高さは、従来、
80mmあつたものが、本発明のものは25mmとなる。
また、陰極棒１３の最小寸法は従来、10mmあつた
ものが、本発明の陰極ブロツク３では20mmとな
る。これは、従来構造においてはキヤツプ１６に
より陰極棒１３とリード１７とを接続するため、
構造・寸法的な制約（高さ寸法が大きくかつ陰極
棒の直径が小さくなることと、キヤツプ１６とス
タツド１１とで密封容器を構成するため）が生じ
て高さが高くなる。これに対し、本発明において
は、上記従来構造の制約を取り去り、リード１７
との接続は陰極ブロツク３のネジ部３ａ，３ｂで
行なえるようにしたので、そのリードの寸法（直
径）が大きくとれる。また、陰極ブロツク３も密
封容器を構成する構造としたので、高さ寸法が小
さくできるとともに、直径を大きくとることが可
能となる。
イオードは、第２図に示した従来例のものに比べ
て、高さが大幅に小さくなる。例えば400Aクラ
スのダイオードにて比較すると、ダイオード素子
２底部からキヤツプ６上部までの高さは、従来、
80mmあつたものが、本発明のものは25mmとなる。
また、陰極棒１３の最小寸法は従来、10mmあつた
ものが、本発明の陰極ブロツク３では20mmとな
る。これは、従来構造においてはキヤツプ１６に
より陰極棒１３とリード１７とを接続するため、
構造・寸法的な制約（高さ寸法が大きくかつ陰極
棒の直径が小さくなることと、キヤツプ１６とス
タツド１１とで密封容器を構成するため）が生じ
て高さが高くなる。これに対し、本発明において
は、上記従来構造の制約を取り去り、リード１７
との接続は陰極ブロツク３のネジ部３ａ，３ｂで
行なえるようにしたので、そのリードの寸法（直
径）が大きくとれる。また、陰極ブロツク３も密
封容器を構成する構造としたので、高さ寸法が小
さくできるとともに、直径を大きくとることが可
能となる。
したがつて、かかる本発明のダイオードを、ゲ
ート・ターンオフ・サイリスタのスナバー用に使
用すると、ダイオード自体のインダクタンスが小
さくなり、そのターンオフ時のスパイク電圧が小
さくなるので、サイリスタの可制御電流が大きく
とれる。また、各々のベース１、陰極ブロツク３
にはネジ部が設けられているので、外部回路と接
続するリードも太いものが使用でき、回路におけ
るインダクタンスも小さくなる等の利点を奏す
る。
ート・ターンオフ・サイリスタのスナバー用に使
用すると、ダイオード自体のインダクタンスが小
さくなり、そのターンオフ時のスパイク電圧が小
さくなるので、サイリスタの可制御電流が大きく
とれる。また、各々のベース１、陰極ブロツク３
にはネジ部が設けられているので、外部回路と接
続するリードも太いものが使用でき、回路におけ
るインダクタンスも小さくなる等の利点を奏す
る。
なお、上記実施例ではダイオードに適用した場
合について説明したが、本発明はこれに限定され
ることなく、サイリスタやトライアツクなどにも
適用できることはいうまでもない。
合について説明したが、本発明はこれに限定され
ることなく、サイリスタやトライアツクなどにも
適用できることはいうまでもない。
以上のように、本発明のフラツトベース形半導
体装置によれば、半導体素子を密封する密封容器
を構成する上部電極の形状をブロツク状にし、そ
の回りにある加圧部材に非磁性体を用いることに
より、外装電極の高さ寸法が短かくかつ直径が大
きくとれるので、装置自体、回路のインダクタン
スを減少させることができる効果がある。
体装置によれば、半導体素子を密封する密封容器
を構成する上部電極の形状をブロツク状にし、そ
の回りにある加圧部材に非磁性体を用いることに
より、外装電極の高さ寸法が短かくかつ直径が大
きくとれるので、装置自体、回路のインダクタン
スを減少させることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるダイオードの
断面図、第２図は従来例によるスタツド形ダイオ
ードの断面図である。 １…ベース、１-1…ブロツク、１-2…ケース、
１-3…溶接用リング、１ａ，１ｂ…ネジ部、２…
ダイオード素子、３…陰極ブロツク、３-1…ツバ
部、３-2…溶接リング、３ａ，３ｂ…ネジ部、４
…絶縁リング、５…皿バネ（加圧部材）、６…キ
ヤツプ、６-1…絶縁体、６-2，６-3…フランジ。
断面図、第２図は従来例によるスタツド形ダイオ
ードの断面図である。 １…ベース、１-1…ブロツク、１-2…ケース、
１-3…溶接用リング、１ａ，１ｂ…ネジ部、２…
ダイオード素子、３…陰極ブロツク、３-1…ツバ
部、３-2…溶接リング、３ａ，３ｂ…ネジ部、４
…絶縁リング、５…皿バネ（加圧部材）、６…キ
ヤツプ、６-1…絶縁体、６-2，６-3…フランジ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子を収容しかつその周側面を囲むよ
うに形成された下部電極としてのベースと、この
ベースに収容された半導体素子の上面に載置され
てその密封容器を構成する上部電極としての電極
ブロツクを具備し、この電極ブロツクと前記ベー
ス間に挾み込まれた半導体素子を、その電極ブロ
ツクに挿嵌された非磁性体からなる加圧部材にて
加圧接触することにより、これらベース、電極ブ
ロツク間の周側面を囲むべく形成された封止用キ
ヤツプにより各々の両端部を封着して前記半導体
素子を密封してなることを特徴とするフラツトベ
ース形半導体装置。 ２ 下部電極となるベース、電極ブロツクの両方
またはいずれか一方に取付け用ネジ部を設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフラ
ツトベース形半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61129665A JPS62286257A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | フラツトベ−ス形半導体装置 |
| DE19873718598 DE3718598A1 (de) | 1986-06-04 | 1987-06-03 | Halbleiteranordnung |
| US07/289,441 US4893173A (en) | 1986-06-04 | 1988-12-22 | Low-inductance semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61129665A JPS62286257A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | フラツトベ−ス形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286257A JPS62286257A (ja) | 1987-12-12 |
| JPH0469818B2 true JPH0469818B2 (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=15015122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61129665A Granted JPS62286257A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | フラツトベ−ス形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286257A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6108026B1 (ja) * | 2016-12-16 | 2017-04-05 | 富士電機株式会社 | 圧接型半導体モジュール |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP61129665A patent/JPS62286257A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62286257A (ja) | 1987-12-12 |
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