JPS62286257A - フラツトベ−ス形半導体装置 - Google Patents
フラツトベ−ス形半導体装置Info
- Publication number
- JPS62286257A JPS62286257A JP61129665A JP12966586A JPS62286257A JP S62286257 A JPS62286257 A JP S62286257A JP 61129665 A JP61129665 A JP 61129665A JP 12966586 A JP12966586 A JP 12966586A JP S62286257 A JPS62286257 A JP S62286257A
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- JP
- Japan
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- base
- semiconductor element
- electrode
- block
- semiconductor device
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
- H10D18/60—Gate-turn-off devices
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１ 発明の詳細な説明
〔産某上のズ１］用分野〕
本発明はフラットベース形半導体装置に関し、船にスナ
バ−用フラットベース形ダイオードの外装構造に関する
ものである。
バ−用フラットベース形ダイオードの外装構造に関する
ものである。
従来のダイオードの一般的な荷造を第２図に示す。同図
において、１１は半導体素子としてのダイオード素子２
を収容可能に形成されたスタッドで、銅からなる六角部
１１−ｓに、鋼からなるネジ１１−亀と鉄からなるケー
ス１１−１とが接続されて講放される。そして、この六
角部１１−雪とネジ１１−＄は一体化構造を有しケース
１１−１は前記六角部１１−１とろう付けにて固着され
、スタッド１１となる。また、１３は銅からなシ、下部
にツバ部１３ａ ｔ”有する陰極棒、１４はセラミック
からなる絶縁リング、１５は鋼からなる皿バネである。
において、１１は半導体素子としてのダイオード素子２
を収容可能に形成されたスタッドで、銅からなる六角部
１１−ｓに、鋼からなるネジ１１−亀と鉄からなるケー
ス１１−１とが接続されて講放される。そして、この六
角部１１−雪とネジ１１−＄は一体化構造を有しケース
１１−１は前記六角部１１−１とろう付けにて固着され
、スタッド１１となる。また、１３は銅からなシ、下部
にツバ部１３ａ ｔ”有する陰極棒、１４はセラミック
からなる絶縁リング、１５は鋼からなる皿バネである。
さらに、１６はキャップで、セラミックからなる絶縁体
１６−１に、銅からなる中継筒１６−Ｓと鉄からなるフ
ランジ１６−ｓとが接続されて構成される。このとき、
絶縁体１６−１と中継筒１６−ｓ、７ランジ１６−８は
各々ろう付けて絶縁体１６−１に固着されて、キャップ
１６を構成する。また、１７は銅の撚線からなるリード
である。
１６−１に、銅からなる中継筒１６−Ｓと鉄からなるフ
ランジ１６−ｓとが接続されて構成される。このとき、
絶縁体１６−１と中継筒１６−ｓ、７ランジ１６−８は
各々ろう付けて絶縁体１６−１に固着されて、キャップ
１６を構成する。また、１７は銅の撚線からなるリード
である。
このように構成されたダイオードの組立ては、まずスタ
ッド１１内にダイオード素子２を挿入する。次に、陰極
棒１３に絶縁リング１４２皿バネ１５を挿嵌させてこれ
らをそのツバ部１３ａの上面に挿着したうえ、このツバ
部１３ａの下面をダイオード素子２上に載置する。この
とき、陰極棒１３は、スタッド１１０ケース１１−１と
絶縁リング１４によ）中心出しが行なわれる。また、皿
バネ１５はスタッド１１のケース１１−１内壁によって
位置決めが行なわれる。
ッド１１内にダイオード素子２を挿入する。次に、陰極
棒１３に絶縁リング１４２皿バネ１５を挿嵌させてこれ
らをそのツバ部１３ａの上面に挿着したうえ、このツバ
部１３ａの下面をダイオード素子２上に載置する。この
とき、陰極棒１３は、スタッド１１０ケース１１−１と
絶縁リング１４によ）中心出しが行なわれる。また、皿
バネ１５はスタッド１１のケース１１−１内壁によって
位置決めが行なわれる。
次いで、図示しない加圧装置にて皿バネ１５ｔ−上部よ
り圧縮しながら、スタッド１１のケース１１−１の上ｍ
ｔ中心方向に絞り込むことにより、陰極棒１３のツバ部
１３ａとダイオード素子２．スタッド１１の六角部１１
−３とが皿バネ１５によシ圧接され、一体化される。
り圧縮しながら、スタッド１１のケース１１−１の上ｍ
ｔ中心方向に絞り込むことにより、陰極棒１３のツバ部
１３ａとダイオード素子２．スタッド１１の六角部１１
−３とが皿バネ１５によシ圧接され、一体化される。
次いで、このように一体化されたスタッド１１と陰極棒
１３にキャップ１６を被せ、キャップ１６０７ランジ１
６−畠とスタッド１１のケース１１−１の溶接用突起部
１１８Ｌとを溶接にて固着する。これによシ、ダイオー
ド素子２はスタッド１１とキャップ１６とによシ密封さ
れる。
１３にキャップ１６を被せ、キャップ１６０７ランジ１
６−畠とスタッド１１のケース１１−１の溶接用突起部
１１８Ｌとを溶接にて固着する。これによシ、ダイオー
ド素子２はスタッド１１とキャップ１６とによシ密封さ
れる。
最後に、キャップ１６の中継筒１６−３ Ｋ’）−ド１
７を挿入し、この中継筒１６−２の上部及び下部を機様
的に圧縮して、これら中継筒１６−３とリード１７．中
継筒１６−１と陰極棒１３とが圧着により電気的に接続
される。
７を挿入し、この中継筒１６−２の上部及び下部を機様
的に圧縮して、これら中継筒１６−３とリード１７．中
継筒１６−１と陰極棒１３とが圧着により電気的に接続
される。
ところが、このような従来のスタッド形ダイオードにお
いては、例えばゲート・ターンオフ・サイリスタのスナ
バ−用に使用すると、ｌ）陰項棒１３の長さが長く、か
つ直径が小さいため、インダクタンスが大きくなる。ま
た、２）陰極棒１３の回シに鉄系の材質例えば１′ユバ
ネ１５があると、′１ＸＡ電中において皿バネ１５によ
りインダクタンスが大きくなる。などの問題が発生する
。その結果、ターンオフ時のスパイク電圧が大きくなｊ
５、ケ−）・ターンオフ・サイリスタの可制ａｔ流を低
下させるという欠点があった。
いては、例えばゲート・ターンオフ・サイリスタのスナ
バ−用に使用すると、ｌ）陰項棒１３の長さが長く、か
つ直径が小さいため、インダクタンスが大きくなる。ま
た、２）陰極棒１３の回シに鉄系の材質例えば１′ユバ
ネ１５があると、′１ＸＡ電中において皿バネ１５によ
りインダクタンスが大きくなる。などの問題が発生する
。その結果、ターンオフ時のスパイク電圧が大きくなｊ
５、ケ−）・ターンオフ・サイリスタの可制ａｔ流を低
下させるという欠点があった。
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされ
たｔので、電流通路を大きくするとともに短かくして、
その電流通路部のインダクタンスを小さくしたフラット
ベース形半導体装置を提供することを目的とする。
たｔので、電流通路を大きくするとともに短かくして、
その電流通路部のインダクタンスを小さくしたフラット
ベース形半導体装置を提供することを目的とする。
本発明に係るフラットベース形半導体装置は、半導体素
子を収容しかつその周側面を囲むように形成された下部
電極としてのベースと、このベースに収容された半導体
素子の上面に載置されてその密封容器を構成する上部電
極として電極ブロックを具備し、この電極ブロックと前
記ベース間に挾み込まれた半導体素子を、その電極ブロ
ックに挿嵌された非磁性体からなる加圧部材にて加圧接
触することにより、これらベース、電極ブロック間の周
側面を囲むべく形成された対土用キャップにより各々の
両端部を封着して前記半導体素子を密封するようにした
ものでおる。
子を収容しかつその周側面を囲むように形成された下部
電極としてのベースと、このベースに収容された半導体
素子の上面に載置されてその密封容器を構成する上部電
極として電極ブロックを具備し、この電極ブロックと前
記ベース間に挾み込まれた半導体素子を、その電極ブロ
ックに挿嵌された非磁性体からなる加圧部材にて加圧接
触することにより、これらベース、電極ブロック間の周
側面を囲むべく形成された対土用キャップにより各々の
両端部を封着して前記半導体素子を密封するようにした
ものでおる。
本発明のフラットベース形半導体装置においては、密封
容器を構成する上部′Ｆ８！極の形状全ブロック状にし
、その回５にるる加圧部材の材質をステンレスなどの蔚
磁性ｆ本とするととにょシ、装置自体と回路のインダク
タンス２．３．さくすることができる３゜ 〔実施例〕 以下、本発明を１直に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
容器を構成する上部′Ｆ８！極の形状全ブロック状にし
、その回５にるる加圧部材の材質をステンレスなどの蔚
磁性ｆ本とするととにょシ、装置自体と回路のインダク
タンス２．３．さくすることができる３゜ 〔実施例〕 以下、本発明を１直に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
第１図は本発明の一実施例によるフラットベース形ダイ
オードの構造を示す断面図である。第１図において、１
は従来と同様のダイオード素子２を収容してその周側面
を囲むように形成された下部電極としてのベースであり
、このベース１は制からなる円板状のブロック１−１と
鉄からなる筒状のケース１−ｉとがろう付けにより固着
され、そのケース１−ｓの外周面には溶接用リング１−
３ンが形成されている。３は前記ベース１内に収容され
るダイオード素子２上に載置されて密封容器の一部をな
す上部電極としての陰極ブロックでらυ、この陰極ブロ
ック３は銅からなシ、下部にツバ部３−１が形成される
とともに、上部に鉄からなる溶接リング３−ｓがろう付
けによシ固着されている。なお、これらベース１と陰極
ブロック３には、それぞれ中心にネジ穴加工によシ取付
は用ネジ部１１Ｌｍ３ａが設けられ、外側にもネジ加工
によシそれぞれ取付は用ネジ部１ｂ、３ｂが設けられて
いる。
オードの構造を示す断面図である。第１図において、１
は従来と同様のダイオード素子２を収容してその周側面
を囲むように形成された下部電極としてのベースであり
、このベース１は制からなる円板状のブロック１−１と
鉄からなる筒状のケース１−ｉとがろう付けにより固着
され、そのケース１−ｓの外周面には溶接用リング１−
３ンが形成されている。３は前記ベース１内に収容され
るダイオード素子２上に載置されて密封容器の一部をな
す上部電極としての陰極ブロックでらυ、この陰極ブロ
ック３は銅からなシ、下部にツバ部３−１が形成される
とともに、上部に鉄からなる溶接リング３−ｓがろう付
けによシ固着されている。なお、これらベース１と陰極
ブロック３には、それぞれ中心にネジ穴加工によシ取付
は用ネジ部１１Ｌｍ３ａが設けられ、外側にもネジ加工
によシそれぞれ取付は用ネジ部１ｂ、３ｂが設けられて
いる。
また、４は陰極ブロック３のツバ部３−１に当接して挿
嵌可能に形成されたセラミックからなる絶縁リング、５
は同じく陰極ブロック３に挿嵌可能に形成された５ＵＳ
３０４のステンレス材からなる加圧部材としての皿バネ
、６はセラミックからなるリング状の絶縁体６−１と、
該絶縁体６−ｔの上、下部分にそれぞれろう付けされた
鉄からなる７ランジ６−３および６−ａとから構成され
たキャップであシ、このキャップ６は、ベース１の溶接
す／グ１−ｓと陰極ブロック３の溶接リング３−ｓとの
間に封着されて七調部を密封するものとなっている。
嵌可能に形成されたセラミックからなる絶縁リング、５
は同じく陰極ブロック３に挿嵌可能に形成された５ＵＳ
３０４のステンレス材からなる加圧部材としての皿バネ
、６はセラミックからなるリング状の絶縁体６−１と、
該絶縁体６−ｔの上、下部分にそれぞれろう付けされた
鉄からなる７ランジ６−３および６−ａとから構成され
たキャップであシ、このキャップ６は、ベース１の溶接
す／グ１−ｓと陰極ブロック３の溶接リング３−ｓとの
間に封着されて七調部を密封するものとなっている。
しかして、上記実施例構成のダイオードの組立てに際し
ては、まずベース１内にダイオード素子２全挿入し、陰
極ブロック３に絶縁リング４１皿バネ５を挿入して、ダ
イトド素子２上に載置する。
ては、まずベース１内にダイオード素子２全挿入し、陰
極ブロック３に絶縁リング４１皿バネ５を挿入して、ダ
イトド素子２上に載置する。
次に、図示しない加圧装置にて皿バネＳ１を上部：）圧
縮しながら、ベース１のケース１−ｍ上部を中心方向に
絞υ込む。これは、従来の組立方法と全く同様でちる。
縮しながら、ベース１のケース１−ｍ上部を中心方向に
絞υ込む。これは、従来の組立方法と全く同様でちる。
次いで、キャップ６ ｋ陰極ブロック３とベース１に被
せ、このキャップ６のフランジ６−ｓと陰極ブロック３
の溶接リング３−３＃キヤツプ６のフランジ６−ｓと上
記ケース１−１の溶接リング１−ａとをそれぞれ＠着さ
せて溶接にて固着する。これにより、ダイオード素子２
はベース１とキャップ６、陰極ブロック３とにより＠封
される。
せ、このキャップ６のフランジ６−ｓと陰極ブロック３
の溶接リング３−３＃キヤツプ６のフランジ６−ｓと上
記ケース１−１の溶接リング１−ａとをそれぞれ＠着さ
せて溶接にて固着する。これにより、ダイオード素子２
はベース１とキャップ６、陰極ブロック３とにより＠封
される。
このようにして製作されたフラットベース形ダイオード
は、第２図に示した従来９１のものに比べて、高さが大
幅に小さくなる。例えば４００Ａクラスのタイオードに
て比較すると、ダイオード素子２底部からキャップ６上
部までの高さは、従来。
は、第２図に示した従来９１のものに比べて、高さが大
幅に小さくなる。例えば４００Ａクラスのタイオードに
て比較すると、ダイオード素子２底部からキャップ６上
部までの高さは、従来。
８０■あったものが、本発明のものは２５ｍとなる。
また、陰極棒１３の最小寸法は従来、 ｌ０ＦＩＩＩ＋
ちったものが、本発明の陰極ブロック３では２０ｍとな
る。
ちったものが、本発明の陰極ブロック３では２０ｍとな
る。
これは、従来構造においてはキャップ１６により陰極棒
１３とリード１Ｔとを接続するため、構造・寸法的な制
約（高さ寸法が大きくかつ陰極棒の直径が小さくなるこ
とと、キャップ１６とスタッド１１とで密封容器を構成
するため）が生じて高さが高くなる。これに対し、本発
明においては、上記従来構造の制約を取υ去υ、リード
１７との接続は陰極ブロック３のネジ部３ａ、３ｂで行
なえるようにしたので、そのリードの寸法（直径）が大
きくとれる。また、陰極ブロック３も密封容器を構成す
る構造としたので、高さ寸法が小さくできるとともに、
直径を大きくとることが可能となる。
１３とリード１Ｔとを接続するため、構造・寸法的な制
約（高さ寸法が大きくかつ陰極棒の直径が小さくなるこ
とと、キャップ１６とスタッド１１とで密封容器を構成
するため）が生じて高さが高くなる。これに対し、本発
明においては、上記従来構造の制約を取υ去υ、リード
１７との接続は陰極ブロック３のネジ部３ａ、３ｂで行
なえるようにしたので、そのリードの寸法（直径）が大
きくとれる。また、陰極ブロック３も密封容器を構成す
る構造としたので、高さ寸法が小さくできるとともに、
直径を大きくとることが可能となる。
したがって、かかる本発明のダイオードを、ゲート・タ
ーンオフ・サイリスタのスナバ−用に使用すると、ダイ
オード自体のインダクタンスが小さくなシ、ソのターン
オフ時のスノ（イク電圧が小さくなるので、サイリスタ
の可制御電流が大きくとれる。また、各々のベース１
、陰極ブロック３にはネジ部が設けられているので、外
部回路と接続するリードも太いものが使用でき、回路に
おけるインダクタンスも小さくなる等の利点を奏する。
ーンオフ・サイリスタのスナバ−用に使用すると、ダイ
オード自体のインダクタンスが小さくなシ、ソのターン
オフ時のスノ（イク電圧が小さくなるので、サイリスタ
の可制御電流が大きくとれる。また、各々のベース１
、陰極ブロック３にはネジ部が設けられているので、外
部回路と接続するリードも太いものが使用でき、回路に
おけるインダクタンスも小さくなる等の利点を奏する。
なお、上記実施例ではダイオードに近用した場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されることなく、サ
イリスタやトライブックなどにも適用できることはいう
までもないっ 〔発明の効果〕 以上のよう（Ｃ１本発明のフラットベース形半導体装置
によれば、半導体素子を密封する密封容器を構成する上
部−極の形状をブロック状にし、その回りにある加圧部
材に非磁性体を用いることにより、外装電極の高さ寸法
が短かくかつ直径が大きくとれるので、装置自体１回路
のインダクタンスを減少させることができる効果がある
。
て説明したが、本発明はこれに限定されることなく、サ
イリスタやトライブックなどにも適用できることはいう
までもないっ 〔発明の効果〕 以上のよう（Ｃ１本発明のフラットベース形半導体装置
によれば、半導体素子を密封する密封容器を構成する上
部−極の形状をブロック状にし、その回りにある加圧部
材に非磁性体を用いることにより、外装電極の高さ寸法
が短かくかつ直径が大きくとれるので、装置自体１回路
のインダクタンスを減少させることができる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例によるダイオードの断面図、
第２図は従来例によるスタッド形ダイオードの断面図で
ある。 １ ＠１１１１ｅベース、１ １ ＠ ｅ １１ ｍ
ブロック、１−１＃・嗜φケース、１−１１・−溶接用
リング、１ａｊｂ’−・赤ネジ部、２・ｅ１ダイオード
素子、３・・・・陰極フ゛ロック、３−１・・拳・ツバ
部、３−１・・・・溶接リング、３ａ＋３Ｌ＋・・・・
ネジ部、４・φφ・絶巖リング、５・・ ・・皿バネ（
加圧部材）、６・・・・キャップ、６−１・・・・絶綴
体、６−ｚ、６ ａ ・・拳寺７ランジ代 理
人 大 岩 増 融第１図 ２ ＋ り゛イブｒ−ド棄コト 旦・ Ｐ′を名賢プロー１７ ｆＬ： ヤマッデ
第２図は従来例によるスタッド形ダイオードの断面図で
ある。 １ ＠１１１１ｅベース、１ １ ＠ ｅ １１ ｍ
ブロック、１−１＃・嗜φケース、１−１１・−溶接用
リング、１ａｊｂ’−・赤ネジ部、２・ｅ１ダイオード
素子、３・・・・陰極フ゛ロック、３−１・・拳・ツバ
部、３−１・・・・溶接リング、３ａ＋３Ｌ＋・・・・
ネジ部、４・φφ・絶巖リング、５・・ ・・皿バネ（
加圧部材）、６・・・・キャップ、６−１・・・・絶綴
体、６−ｚ、６ ａ ・・拳寺７ランジ代 理
人 大 岩 増 融第１図 ２ ＋ り゛イブｒ−ド棄コト 旦・ Ｐ′を名賢プロー１７ ｆＬ： ヤマッデ
Claims (2)
- （１）半導体素子を収容しかつその周側面を囲むように
形成された下部電極としてのベースと、このベースに収
容された半導体素子の上面に載置されてその密封容器を
構成する上部電極としての電極ブロックを具備し、この
電極ブロックと前記ベース間に挾み込まれた半導体素子
を、その電極ブロックに挿嵌された非磁性体からなる加
圧部材にて加圧接触することにより、これらベース、電
極ブロック間の周側面を囲むべく形成された封止用キャ
ップにより各々の両端部を封着して前記半導体素子を密
封してなることを特徴とするフラットベース形半導体装
置。 - （２）下部電極となるベース、電極ブロックの両方また
はいずれか一方に取付け用ネジ部を設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のフラットベース形半導
体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61129665A JPS62286257A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | フラツトベ−ス形半導体装置 |
| DE19873718598 DE3718598A1 (de) | 1986-06-04 | 1987-06-03 | Halbleiteranordnung |
| US07/289,441 US4893173A (en) | 1986-06-04 | 1988-12-22 | Low-inductance semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61129665A JPS62286257A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | フラツトベ−ス形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286257A true JPS62286257A (ja) | 1987-12-12 |
| JPH0469818B2 JPH0469818B2 (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=15015122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61129665A Granted JPS62286257A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | フラツトベ−ス形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6108026B1 (ja) * | 2016-12-16 | 2017-04-05 | 富士電機株式会社 | 圧接型半導体モジュール |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP61129665A patent/JPS62286257A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6108026B1 (ja) * | 2016-12-16 | 2017-04-05 | 富士電機株式会社 | 圧接型半導体モジュール |
| JP2018098451A (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | 富士電機株式会社 | 圧接型半導体モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0469818B2 (ja) | 1992-11-09 |
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