JPH0470701U - - Google Patents
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- JPH0470701U JPH0470701U JP11373690U JP11373690U JPH0470701U JP H0470701 U JPH0470701 U JP H0470701U JP 11373690 U JP11373690 U JP 11373690U JP 11373690 U JP11373690 U JP 11373690U JP H0470701 U JPH0470701 U JP H0470701U
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- JP
- Japan
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- thermistor
- thermistor element
- chip
- thin film
- vapor
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例のサーミスタ素子の
断面図、第２図は従来例のサーミスタ素子の断面
図である。 １０……サーミスタ素子、１２……サーミスタ
・チツプ、１３……蒸着薄膜電極、１４……リー
ド線、１５……耐熱導電材、１６……ガラス、α
１２乃至α１４……線膨張係数。
断面図、第２図は従来例のサーミスタ素子の断面
図である。 １０……サーミスタ素子、１２……サーミスタ
・チツプ、１３……蒸着薄膜電極、１４……リー
ド線、１５……耐熱導電材、１６……ガラス、α
１２乃至α１４……線膨張係数。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) サーミスタ・チツプの両面に形成された蒸
着薄膜電極にリード線端部を耐熱導電材にて電気
的に接合し、これらをガラスで封止したサーミス
タ素子において、前記サーミスタ・チツプに対す
る当該素子の他の構成材料の線膨張係数の比率を
０．７５乃至１．３５の範囲内とすることを特徴
とするサーミスタ素子。 (2) 前記サーミスタ・チツプは、焼成後に６０
０乃至１０００℃の還元又は中性雰囲気下で熱処
理したものとする請求項１記載のサーミスタ素子
。 (3) 前記蒸着薄膜電極は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｐｔ、Ｐｄのうち少なくとも１つを使用した請求
項１又は２記載のサーミスタ素子。 (4) 前記サーミスタ・チツプは、遷移金属酸化
物を主原料とした複合酸化物固溶体からなるスピ
ネル形結晶構造のものとする請求項１，２又は３
記載のサーミスタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11373690U JPH0470701U (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11373690U JPH0470701U (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0470701U true JPH0470701U (ja) | 1992-06-23 |
Family
ID=31861345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11373690U Pending JPH0470701U (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0470701U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017104645A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | サーミスタ及びサーミスタを用いた装置 |
| CN109074923A (zh) * | 2016-04-28 | 2018-12-21 | 埃普科斯股份有限公司 | 用于进行接通电流限制的电子器件和电子器件的应用 |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP11373690U patent/JPH0470701U/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017104645A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | サーミスタ及びサーミスタを用いた装置 |
| JPWO2017104645A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-12-14 | Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 | サーミスタ及びサーミスタを用いた装置 |
| CN108369845A (zh) * | 2015-12-18 | 2018-08-03 | 世美特株式会社 | 热敏电阻及使用热敏电阻的装置 |
| CN108369845B (zh) * | 2015-12-18 | 2021-02-19 | 世美特株式会社 | 热敏电阻及使用热敏电阻的装置 |
| CN109074923A (zh) * | 2016-04-28 | 2018-12-21 | 埃普科斯股份有限公司 | 用于进行接通电流限制的电子器件和电子器件的应用 |
| JP2019523980A (ja) * | 2016-04-28 | 2019-08-29 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | 突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスのアプリケーション |
| JP2021010014A (ja) * | 2016-04-28 | 2021-01-28 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | 突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスのアプリケーション |
| CN114156027A (zh) * | 2016-04-28 | 2022-03-08 | 埃普科斯股份有限公司 | 用于进行接通电流限制的电子器件和电子器件的应用 |
| US11289244B2 (en) | 2016-04-28 | 2022-03-29 | Epcos Ag | Electronic component for limiting the inrush current |
| DE102016107931B4 (de) * | 2016-04-28 | 2026-01-22 | Tdk Electronics Ag | Elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verwendung eines elektronischen Bauelements |
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