JPH0475226B2 - - Google Patents

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JPH0475226B2
JPH0475226B2 JP20778983A JP20778983A JPH0475226B2 JP H0475226 B2 JPH0475226 B2 JP H0475226B2 JP 20778983 A JP20778983 A JP 20778983A JP 20778983 A JP20778983 A JP 20778983A JP H0475226 B2 JPH0475226 B2 JP H0475226B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式() (式中、R1,R2,R3およびR4は水素原子また
は低級アルキル基を示す。但し、これらが同時に
水素原子であることはない。
R5およびR6は水素原子、低級アルキル基、低
級アルケニル基またはアリール基を示す。但し、
R5およびR6が同時に水素原子であることはな
い。) で示されるノルボルナジエン誘導体の製造法に関
する。
上記一般式()で示されるノルボルナジエン
誘導体は、光エネルギーを熱エネルギーに変換さ
せるための化学的変換方法におけるエネルギー変
換剤として極めてすぐれた効果を発揮することが
知られ、その製造法としても、シクロペンテノン
類をグリニヤール試薬と反応させたのちジシアン
アセチレンと反応させるか、あるいはシクロペン
タジエン類をジシアンアセチレンと反応させる方
法が知られている(特開昭57−149251号公報)。
しかし、この方法による場合には原料であるジ
シアンアセチレンが不安定かつ入手が困難である
ため、工業的方法としては不利である。
また、2,3−ジシアノノルボルナジエンの合
成法として、 なるルートが知られている〔Bull.Chem.Soc.
JpN.,(1977)50 2694〕。この場合にはジシアン
アセチレンを使用しないので合成上有利である。
しかし、本発明者らが、この方法に準じて前記
一般式()で示されるノルボルナジエン誘導体
を得るべく、一般式 (式中、R1,R2,R3,R4,R5およびR6は前記
と同じ意味を有する。) で示されるカルボン酸エステル類を原料として、
アンモニア水溶液、液体アンモニア等を用いて一
般的なアミド化条件でアミド化を試みたが、アミ
ド化物は全く生成せず、従つて、目的物を得るこ
ともできなかつた。
このようなことから、本発明者らは前記一般式
()で示されるノルボルナジエン誘導体の新し
い製造法について研究した結果、従来法とは異な
る新規な反応経路に基づく方法で、従来法のもつ
欠点を解決し、収率よく目的物を得る方法を見出
し、本発明に至つた。
すなわち本発明は、 一般式() (式中、R1,R2,R3,R4,R5およびR6は前記
と同じ意味を有する。) で示されるシクロペンタジエン類をアセチレンジ
カルボン酸ジアミドと反応させて一般式() (式中、R1,R2,R3,R4,R5およびR6は前記
と同じ意味を有する。) で示されるアミド類を得、ついでこれを脱水する
ことにより前記一般式()で示されるノルボル
ナジエン誘導体を製造する方法を提供するもので
ある。
本発明において、シクロペンタジエン類をアセ
チレンジカルボン酸ジアミドと反応させ、次いで
脱水して目的とするノルボルナジエン誘導体を得
る方法については従来全く知られておらず、本発
明者らにより初めて明らかにされた方法である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において原料となる一般式()で示さ
れるシクロペンタジエン類は特開昭57−149251号
公報、テトラヘドロン、19 1939(1963)などに記
載される公知の方法により容易に製造され、ま
た、アセチレンジカルボン酸ジアミドは、たとえ
ばアセチレンジカルボン酸ジメチルとアンモニア
水溶液との反応〔有機合成化学23 435(1965)〕に
より容易に得ることができる。
一般式()で示されるシクロペンタジエン類
とアセチレンジカルボン酸ジアミドとの反応(ア
ミド化反応)において、アセチレンジカルボン酸
ジアミドの使用量はシクロペンタジエン類に対し
て1モル倍以上任意であるが、好ましくは1〜
1.5モル倍である。
反応溶媒としてはジメチルホルムアミド、N,
N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルア
セトアミド、ヘキサメチレンホスホルアミドなど
のアミド化合物が使用される。
反応温度は通常20〜200℃の範囲で任意である
が、好ましくは50〜170℃である。
なお、反応に際して反応前の仕込液のPHは収率
に影響を与え、通常、室温においてPH2〜9、好
ましくはPH4〜7の弱酸性雰囲気下で行われる。
かかる弱酸性雰囲気下にするものとして、塩酸、
硫酸、p−トルエンスルホン酸などの通常の酸が
使用される。
かくして得られた反応液から濃縮、晶析等の操
作により一般式()で示されるアミド類が収率
よく生成するが、次工程の脱水反応を行うには必
ずしもアミド類を単離する必要はなく、反応混合
物のまま次工程へ進んでもよい。
一般式()で示されるアミド類から一般式
()で示されるノルボンナジエン誘導体を得る
ための脱水反応において、脱水剤としてはチオニ
ルクロライド、チオニルブロマイドなどのハロゲ
ン化チオニルおよびホスゲンが使用される。脱水
剤の使用量はアミド類に対して2モル倍以上任意
であるが、好ましくは2〜5モル倍の範囲であ
る。
反応溶媒としては前記アミド化反応において使
用されると同様のアミド化合物が用いられる。
反応温度は−20〜100℃の範囲で任意であるが、
好ましくは−10〜60℃である。
反応時間については特に制限されない。
反応終了後、中和し、得られた反応混合物から
抽出、濃縮、蒸留、晶析等の一般的な操作により
目的とするノルボルナジエン誘導体を高収率で得
る。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例 1 1,2,3−トリメチル−1,3−シクロペン
タジエン10.8g(0.1モル)とジメチルホルムア
ミド200gにアセチレンジカルボン酸ジアミド
13.4g(0.12モル)を加え、室温で攪拌下、PHが
6となるようにp−トルエンスルホン酸を加えて
調整する。その後反応温度60℃で2時間反応させ
る。
得られた反応液中に、ジメチルホルムアミド30
gに塩化チオニル28.6g(0.24モル)を溶解した
溶液を5℃で滴下し、更に1時間攪拌を続ける。
得られた反応液を冷水に注ぎ、アルカリで中和
後、メチルイソブチルケトンにて抽出分液し、得
られた有機層を濃縮後単蒸留することにより2,
3−ジシアノ−1,5,6−トリメチルノルボン
ナジエン16.9gを得た。
収率 97% m.p 72℃ NMR(CDC3) δppm 1.53(s,3H)、1.68(s,3H)、1.80
(s,3H)、2.16(s,2H)、3.60(s,1H) 元素分析値(C12H12N2) C% H% N% 理論値 78.28 6.57 15.21 実測値 78.25 6.62 15.15 実施例 2 1,2,3−トリメチル−1,3−シクロペン
タジエンに代えて2−アミル−1,3−ジメチル
−1,3−シクロペンタジエンを用いる以外は実
施例1と同様に反応を行なつて、2,3−ジシア
ノ−6−アミル−1,5−ジメチルノルボルナジ
エンを収率86%で得た。但し、濃縮後の最終処理
はクロマト分取を行つた。
NMR(CDC3) δppm 0.70〜0.150(m,9H)、1.55(s,
3H)、1.81(s,3H)、2.20(s,2H)、2.40(s,
2H)、3.60(s,1H) 元素分析値(C16H20N2) C% H% N% 理論値 79.94 8.40 11.66 実測値 79.64 8.51 11.52 実施例 3 2,3−ジフエニル−5,5−ジメチル−1,
3−シクロペンタジエン24.6g(0.1モル)とジ
メチルホルムアミド200gにアセチレンジカルボ
ン酸ジアミド13.4g(0.12モル)を加え、攪拌下
に反応温度80℃で2時間反応させる。
得られた反応液中に、ジメチルホルムアミド30
gに塩化チオニル28.6g(0.24モル)を溶解した
溶液を5℃で滴下したのちさらに1時間攪拌を続
ける。
得られた反応液を冷水中に注ぎ、アルカリで中
和後、メチルイソブチルケトンにて抽出分液し、
得られた有機層を濃縮後、四塩化炭素溶媒にて再
結晶処理を行つて、2,3−ジシアノ−5,6ジ
フエニル−7,7−ジメチル−ノルボルナジエン
26.4g(収率85%)を得た。
NMR(CDC4) δppm 1.27(s,3H)、1.45(s,3H)、3.80
(s,2H)、7.07〜7.40(m,10H) 元素分析値(C22H18N2) C% H% N% 理論値 85.68 5.63 8.69 実測値 85.53 5.82 8.63

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、R1,R2,R3およびR4は水素原子また
    は低級アルキル基を示す。但し、これらが同時に
    水素原子であることはない。 R5およびR6は水素原子、低級アルキル基、ま
    たはアリール基を示す。但し、R5およびR6が同
    時に水素原子であることはない。) で示されるシクロペンタジエン類をアセチレンジ
    カルボン酸ジアミドと反応させて、一般式 (式中、R1,R2,R3,R4,R5およびR6は前記
    と同じ意味を有する。) で示されるアミド類を得、ついでこれを脱水する
    ことを特徴とする一般式 (式中、R1,R2,R3,R4,R5およびR6は前記
    と同じ意味を有する。) で示されるノルボルナジエン誘導体の製法。
JP20778983A 1983-11-04 1983-11-04 ノルボルナジエン誘導体の製法 Granted JPS60100550A (ja)

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JPS60100550A JPS60100550A (ja) 1985-06-04
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