JPS60100550A - ノルボルナジエン誘導体の製法 - Google Patents

ノルボルナジエン誘導体の製法

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JPS60100550A
JPS60100550A JP20778983A JP20778983A JPS60100550A JP S60100550 A JPS60100550 A JP S60100550A JP 20778983 A JP20778983 A JP 20778983A JP 20778983 A JP20778983 A JP 20778983A JP S60100550 A JPS60100550 A JP S60100550A
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cyclopentadiene
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Kunihiko Tanaka
邦彦 田中
Katsuyuki Shioda
克幸 塩田
Iwao Dokin
銅金 巌
Zenichi Yoshida
善一 吉田
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式(I) (式中、R+ 、 R2,ILsおよび几4は水素原子
または低級アルキル基を示す。但し、これらが同時に水
素原子であることはない。
R6および凡6は水素原子、低級アルキル基、低級アル
ケニル基またはアリール基を示す。
但()、R5およびR6が同時に水素原子であることは
ない。) で示されるノルボルナジェン誘導体の製造法に関する。
上記一般式(I)で示されるノルボルナジェン誘導体は
、光エネルギーを熱エネルギ゛−に変換させるための化
学的変換方法におけるエネルギー変換剤として極めてす
ぐれた効果を発揮することが知られ、その!!!造法と
しても、シクロベンテノン類をグリニヤール試薬と反応
させたのちジシアンアセチレンと反応させるか、あるい
はシクロペンタジェン類をジシアンアセチレンと反応さ
せる方法が知られている(特開tl/J 57−149
251号公報)。
しかし、この方法による場合には原料であるジシアンア
セチレンが不安定かつ入手が困難であるため、工業的方
法としては不利でJ)る。
また、2.8−ジシアノノルボルナジェンの合成法とし
て、 なるルートが知られている[ Bud、 Chern、
 soe。
JpN、、 (1977)剋2694 ]。この場合に
はジシアンアセチレンを使用しないので合成上有利であ
る、 しかし、本発明イらが、この方法に準じて前記一般式(
1)で示されるノルボルナジェン誘導体を得るべく、一
般式 (式中、R1,R2,几$、几4.R6およびR6は前
記と同cm味を有する。) で示されるカルボン酸エステル類を原料として、アンモ
ニア水f6M、2体アンモニア等を用いて一般的なアミ
ド化条件でアミド化を試みたが、アミド化物は全く生成
せず、従って、目的物を得ることもできなかっfこ。
このようなことから、本発明者らは前記一般式CI)で
示さfLるノルボルナジェン誘導体の新しい製造法につ
いて研究した結果、従来法とは異なる新規な反応経路に
基づく方法で、従来法のもつ欠点を解決し、収率よく目
的物を得る方法を見出し、本発明に至っtこ。
すなわち本発明は、 一般式(4) (式中、R1、R2、几s 、 R4、孔6および凡6
 は前記と同じ意味を有する。) で示されるシクロペンタジェン類をアセチレンジカルボ
ン酸ジアミドと反応させて一般式(11)(式中、R1
,Rz 、 Re 、 R4、RsおよびRe は前記
と同じ意味を有する。) で示されるアミド類を得、ついでこれを脱水することに
より前記一般式(I)で示されるノルボルナジェン誘導
体を製造する方法を提供するものである。
本発明において、シクロペンタジェン類をアセチレンジ
カルボン酸ジアミドと反応させ、次いで脱水して目的と
するノルボルナジェン誘導体を得る方法については従来
全く知られておらず、本発明者らにより初めて明らかに
された方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明において原料となる一般式(4)で示されるシク
ロペンタジェン類は特囲昭57−149251号公報、
テトラヘドロン、19 1989(196B)などに記
載される公知の方法により容易に製造され、また、アセ
チレンジカルボン酸ジアミドは、たとえばアセチレンジ
カルボン酸ジメチルとアンモニア水溶液との反応〔有機
合成化手並485(1965) )により容易に得るこ
とができる。
一般式(2)でボされるシクロペンタジェン類とアセチ
レンジカルボン酸ジアミドとの反応(アミド化反応)に
おいて、アセチレンジカルボン酸ジアミドの使用量はシ
クロペンタジェン類に対して1モル倍以上任意であるが
、好ましくは1〜1.5モル倍である。
反応溶媒としてはジメチルホルムアミド、へ。
R−ジエチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトア
ミド、ヘキサメチレンホスホルアミドなどのアミド化合
物が使用される。
反応温度は通常20〜200 ’Cの範囲で任意である
が、好ましくは50〜170”Cである。
なお、反応に際して反応前の仕込液のpliは収率に影
響を与え、通常、室温においでpif 2〜9、好まし
くはpj14〜7の弱酸性雰囲気Fで行われる。かかる
弱酸性雰囲気下にするものとして、jJ[酸、硫酸、P
−トルエンスルホン酸などの通常の酸が使用される。
か(して得られた反応液から嬢縮、晶析等の操作により
一般式罰)で示されるアミド類が収率よく生成するが、
次工程の脱水反応を行うには必ずしもアミド類を単離す
る必要はなく、反応混合物のまま次工程へ進んでもよい
一般式は)で示されるアミド類から一般式(1)で示さ
れるノルボルナジェン誘導体を得るための脱水反応にお
いて、脱水剤としてはチオニルクロライド、チオニルブ
ロマイドなどのハロゲン化チオニルおよびホスゲンが使
用される。脱水剤の使用量はアミド類に対して2モル倍
以上任意であるが、好ましくは2〜5モル倍の範囲であ
る。
反応溶媒としては前記アミド化反応において使用される
と同様のアミド化合物が用いられる。
反応温度は一20〜100″Cの範囲で任意であるが、
好ましくは−lO〜60℃である。
反応時間については特にfa@されない。
反応終了後、中和し、得られた反応混合物から抽出、濃
縮、蒸留、晶析等の一般的な操作により目的とするノル
ボルナジェン誘導体を高収率で得る。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例1 1.2.8−1−ツメチル−1,8−シクロペンタジエ
ン10.8F(0,1モル)とジメチルホルムアミド2
00fにアセチレンジカルボン酸ジアミド18.4f(
0,12モル)を加え、室温で攪拌下、pfiが6とな
るようにp−トルエンスルホン酸を加えて調整する。そ
の後反応温度60℃で2時間反応させる。
得られた反応液中に、ジメチルホルムアミド80fに塩
化チオニル28.6F(0,24モル)を溶解した浴液
を5°Cで滴下し、更に1時間攪拌を続ける。
得られた反応液を冷水に注ぎ、アルカリで中和後、メチ
ルイソブチルケトンにて抽出分液し、得られた有機層を
m縮後単蒸留することにより2,8−ジシアノ−1,5
,6−ドリメチルノルボルナジエン16.9Fを得た。
収率 97% m、P72℃ NMRCODOts ) δppm 1.58(s 、 8M)、1.68(8、811)、
1.80 (S 、 aft)、2.16(s4LL)
、8.60(l] 、 Ill)元素分析値(Ut2f
ix2Ng ) 0% 8% N% 理論値 78.28 6.57 15.21実測値 7
8.25 6.62 15.15実施例2 1.2.8−1−−ツメチル−1,8−シクロペンタジ
エンに代えて2−アミル−1,8−ジメチル−1,8−
シクロペンゆジェンヲ用いる以外は実施例1と同様に反
応を行なって、213−ジシアノ−6−アミル−1,5
−ジメチルノルボルナジェンを収率86%で得た。
但し、濃縮後の最終処理はクロマト分取を行った。
mm(C1)Cta ) δ1)piflo、70〜0
.150 (m 、 9M)、1.55 (S 、 8
41)、1.81(8,8LL)、2.20(S、2n
)、2.40(S、211)、8.60(S、1fl)
元素分析値(Cx6J、i2o判2) 0% 8% N% 理論(a 79.94 B、40 11.66実測値 
79.64 8.51 11.52実施例8 2.8−ジフェニル−5,5−ジメチル−1,8−シク
ロペンタジェン24.61 (0,1モル)とジメチル
ホルムアミド200gにア七九レンジカルボン酸ジアミ
ドM1.4f(0,12モル)を加え、攪拌ドに反応温
度80゛Cで2時間反応させる。
得られた反応液中1こ、ジメチルホルムアミド80gに
塩化チオニル28.6F(0,24モル)を溶解した溶
液を5°Cで滴下したのちさらに1時間攪拌を続ける。
得られた反応液を冷水中に注ぎ、アルカリで中和後、メ
チルイソブチルケトンにて抽出分液し、得られた有機層
を濃縮後、四塩化炭素溶媒にて再結晶処理を行って、2
,3−ジシアノ−5,6ジフエニルー7.7−シメチル
ーノルボルナジエン26.49 (収率85%)を得た
量化(UCl3) δppm 1.27 (11、811)、1.45 (S 、 a
ll)、8.80(s、2M)、7.07〜7.40(
m、10H) 元素分析値(CofltsNs+ ) 0% 8% N%

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 (式中、ILI 、 R2、R8および几4は水素原子
    または低級アルキル基を示す。但し、これらが同時に水
    素原子であることはない、 RliおよびlLeは水素原子、低級アルキル基、低級
    アルケニル基またはアリール基を示ス。 但し、IL6および几6が同時に水素原子であることは
    ない。) で示されるシクロペンタジェン類をアセチレンジカルボ
    ン酸ジアミドと反応させて、一般式(式中、Rr 、 
    R2、凡8.几4.R5および几6は前記と同じ意味を
    有する。) で示されるアミド類を得、ついでこれを脱水することを
    特徴とする一般式 (式中、R1,R2、几s 、 R4、R5および几6
     は前記と同じ意味を有する。) で示されるノルボルナジェン誘導体の製法。
JP20778983A 1983-11-04 1983-11-04 ノルボルナジエン誘導体の製法 Granted JPS60100550A (ja)

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