JPH0475379A - 半導体基板 - Google Patents
半導体基板Info
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- JPH0475379A JPH0475379A JP18871090A JP18871090A JPH0475379A JP H0475379 A JPH0475379 A JP H0475379A JP 18871090 A JP18871090 A JP 18871090A JP 18871090 A JP18871090 A JP 18871090A JP H0475379 A JPH0475379 A JP H0475379A
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＳＯＩ基板の材料構成に関する。
従来（７）ＳＯＩ基板として、Ｓ ＩＭＯＸ （Ｓ ｉ
ｌ１ｃｏｎ ＩＭｐＪａｎｔｅｄ ０Ｘｉｄｅ）
や貼り合わせ法による基板すなわち、シリコン基板上に
５ｉｎ２膜を形成し、該５ＩＯ２膜上に単結晶シリコン
膜を形成したものがあった。
ｌ１ｃｏｎ ＩＭｐＪａｎｔｅｄ ０Ｘｉｄｅ）
や貼り合わせ法による基板すなわち、シリコン基板上に
５ｉｎ２膜を形成し、該５ＩＯ２膜上に単結晶シリコン
膜を形成したものがあった。
しかし、上記従来技術によると、シリコン基板上の５ｉ
ｎ２膜にナトリウムが侵入すると、正イオンとなり、単
結晶シリコン膜と下地ＳｉＯ２膜との界面に於て、パッ
ク・チャネルが形成され、単結晶シリコン膜に形成され
たトランジスタのリーク電流の原因となると云う課題が
あった。
ｎ２膜にナトリウムが侵入すると、正イオンとなり、単
結晶シリコン膜と下地ＳｉＯ２膜との界面に於て、パッ
ク・チャネルが形成され、単結晶シリコン膜に形成され
たトランジスタのリーク電流の原因となると云う課題が
あった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、ＳＯＩ基板
に於て、５ｉｎ２膜中のナトリウム・イオンを安定化す
る構造を提供する事を目的とする。
に於て、５ｉｎ２膜中のナトリウム・イオンを安定化す
る構造を提供する事を目的とする。
上記課題を解決する為に、本発明は、半導体基板に係り
、半導体基板上に形成した絶縁膜上に薄い半導体膜を形
成した、いわゆるＳＯＩ基板に於て、下地半導体基板と
絶縁膜の境界面の絶縁膜側かあるいは少なくとも半導体
基板側に高濃度の燐を含有させる手段を取る。
、半導体基板上に形成した絶縁膜上に薄い半導体膜を形
成した、いわゆるＳＯＩ基板に於て、下地半導体基板と
絶縁膜の境界面の絶縁膜側かあるいは少なくとも半導体
基板側に高濃度の燐を含有させる手段を取る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＳＯ■基板の断面図で
ある。すなわち、Ｓｉ基板１の表面から、まづ酸素イオ
ン打込みにより５ｉｎ２膜３を形成すると共に、該Ｓｉ
Ｏ２膜３の表面にＳｉ膜４を残存させたＳＩＭＯＸウェ
ーハに於て、引き続いて、Ｓｉ基板１と５ｉｎ２膜３の
界面にりんイオンを打込み、りんガラス２の層を形成し
たものである。尚、りんイオン打込みをＳｉ基板１と５
ｉ０２膜３の界面に行なう為に、界面のＳｉ基板側にり
んが高い濃度で打込まれたＮ１層を形成しても良い。
ある。すなわち、Ｓｉ基板１の表面から、まづ酸素イオ
ン打込みにより５ｉｎ２膜３を形成すると共に、該Ｓｉ
Ｏ２膜３の表面にＳｉ膜４を残存させたＳＩＭＯＸウェ
ーハに於て、引き続いて、Ｓｉ基板１と５ｉｎ２膜３の
界面にりんイオンを打込み、りんガラス２の層を形成し
たものである。尚、りんイオン打込みをＳｉ基板１と５
ｉ０２膜３の界面に行なう為に、界面のＳｉ基板側にり
んが高い濃度で打込まれたＮ１層を形成しても良い。
第２図は、本発明の他の実施例を示すＳｏｌ基板の断面
図である。すなわち、Ｓｉ基板１１の表面にＮ＋ポリＳ
ｉ膜１２が形成されて成り、該Ｎ゛ポリＳｉ膜１２上に
ＳｉＯ２膜１３を介してＳｉ膜島４が形成されて成る。
図である。すなわち、Ｓｉ基板１１の表面にＮ＋ポリＳ
ｉ膜１２が形成されて成り、該Ｎ゛ポリＳｉ膜１２上に
ＳｉＯ２膜１３を介してＳｉ膜島４が形成されて成る。
尚、本実施例と前記実施例とに於て、Ｓｉ基板１及び１
１を高濃度にりんを含有させたＮ”Ｓｉ基板であっても
良く、又、本実施例のＮ−ポリＳ１膜１２の表面のみを
Ｎ″層にする手たてを施しても良く、又、５１０２膜１
３の下部にりんガラス層を形成しても良い。
１を高濃度にりんを含有させたＮ”Ｓｉ基板であっても
良く、又、本実施例のＮ−ポリＳ１膜１２の表面のみを
Ｎ″層にする手たてを施しても良く、又、５１０２膜１
３の下部にりんガラス層を形成しても良い。
更に、Ｓｉ基板１や１１及びＮ”ポリＳｉ膜１２迄含め
て、石英等の絶縁基板で形成されていても良い。
て、石英等の絶縁基板で形成されていても良い。
更にＳｉ膜４及びＳｌ島１４は多結晶体や準結晶体ある
いはアモルファス体であっても良い。
いはアモルファス体であっても良い。
本発明によりＳｏｌ基板の絶縁膜中のＮａイオンを安定
化させることができ、ひいてはＳＯＩ基板を用いて製作
したトランジスタのリーク電流を減少することができる
効果がある。
化させることができ、ひいてはＳＯＩ基板を用いて製作
したトランジスタのリーク電流を減少することができる
効果がある。
第１図及び第２図は、本発明の実施例を示す、Ｓｏｌ基
板の断面図である。 １．１１・・・Ｓｉ基板 ２ ・ １２ ・ ３． ４ ・ １４ ・ ・りんガラス ・Ｎ１ポリＳｉ膜 ・５ｉｎ２膜 ・Ｓｉ膜 ・Ｓｉ島 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
板の断面図である。 １．１１・・・Ｓｉ基板 ２ ・ １２ ・ ３． ４ ・ １４ ・ ・りんガラス ・Ｎ１ポリＳｉ膜 ・５ｉｎ２膜 ・Ｓｉ膜 ・Ｓｉ島 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された絶縁膜上に薄い半導体膜を
形成した、いわゆるＳＯＩ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に於て、下地半導
体基板と絶縁膜の境界面の絶縁膜側かあるいは少なくと
も半導体基板側には高濃度に燐が含有されて成る事を特
徴とする半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18871090A JPH0475379A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18871090A JPH0475379A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0475379A true JPH0475379A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16228443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18871090A Pending JPH0475379A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0475379A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5689136A (en) * | 1993-08-04 | 1997-11-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
| WO2009066566A1 (ja) * | 2007-11-19 | 2009-05-28 | Air Water Inc. | 単結晶ＳｉＣ基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶ＳｉＣ基板 |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP18871090A patent/JPH0475379A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5689136A (en) * | 1993-08-04 | 1997-11-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
| US6051877A (en) * | 1993-08-04 | 2000-04-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
| US6291877B1 (en) | 1993-08-04 | 2001-09-18 | Hitachi, Ltd. | Flexible IC chip between flexible substrates |
| US6486541B2 (en) | 1993-08-04 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method |
| WO2009066566A1 (ja) * | 2007-11-19 | 2009-05-28 | Air Water Inc. | 単結晶ＳｉＣ基板の製造方法およびそれによって得られた単結晶ＳｉＣ基板 |
| US8603901B2 (en) | 2007-11-19 | 2013-12-10 | Air Water Inc. | Method for producing single crystal SiC substrate and single crystal SiC substrate produced by the same |
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