JPH0476063U - - Google Patents

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JPH0476063U
JPH0476063U JP12018290U JP12018290U JPH0476063U JP H0476063 U JPH0476063 U JP H0476063U JP 12018290 U JP12018290 U JP 12018290U JP 12018290 U JP12018290 U JP 12018290U JP H0476063 U JPH0476063 U JP H0476063U
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【図面の簡単な説明】
第１図ａは、本考案の一実施例の平面図、第１
図ｂは、その下面図、第１図ｃは、第１図ａのＸ
−Ｘ線断面図、第２図は、第１図の実施例の等価
回路図、第３図は、従来例の平面図である。 １１，３１……発光ダイオード、１２，３２…
…受光素子、１２ａ，３２ａ……アノード電極、
１２ｂ，３２ｂ……カソード電極、１３……ＭＯ
ＳＦＥＴ装置、３３……ＭＯＳＦＥＴ、１３ａ，
３３ａ……ゲート電極、１３ｂ，３３ｂ……ソー
ス電極、１３ｃ……ドレイン電極、１４，３４…
…入力端子、１４ａ，３４ａ……アイランド、１
５，３５……出力端子、１５ａ，３５ａ……アイ
ランド、１６……中継端子、３６……端子、３６
ａ……アイランド、１７，３７……ボンデイング
ワイヤ、１８，３８……透明シリコン樹脂（光結
合路）、１９，３９……モールド樹脂。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 発光素子と、該発光素子と光結合路を介して光
    学的に結合された受光素子と、該受光素子の出力
    信号により制御される半導体能動素子と、を含む
    光結合半導体装置において、前記受光素子がリー
    ドフレームの第１の主面にマウントされ前記半導
    体能動素子が前記リードフレームの第２の主面に
    マウントされていることを特徴とする光結合半導
    体装置。
JP1990120182U 1990-11-16 1990-11-16 光結合半導体装置 Expired - Lifetime JP2549480Y2 (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61128564A (ja) * 1984-11-28 1986-06-16 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS6448057U (ja) * 1987-09-18 1989-03-24
JPH02136343U (ja) * 1989-04-19 1990-11-14
JPH0436260U (ja) * 1990-07-25 1992-03-26

Patent Citations (4)

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JPH0436260U (ja) * 1990-07-25 1992-03-26

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