JPH0476201B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476201B2 JPH0476201B2 JP13766184A JP13766184A JPH0476201B2 JP H0476201 B2 JPH0476201 B2 JP H0476201B2 JP 13766184 A JP13766184 A JP 13766184A JP 13766184 A JP13766184 A JP 13766184A JP H0476201 B2 JPH0476201 B2 JP H0476201B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ohmic electrode
- electrode
- electrodes
- resistance value
- ohmic
- Prior art date
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
(1) 産業上の利用分野
この発明は、正の抵抗温度特性を有する素子に
非オーミツク性の電極を付与し、オーミツク性の
電極と同様の抵抗値を得ることができるようにし
た半導体磁器の製造方法に関するものである。
非オーミツク性の電極を付与し、オーミツク性の
電極と同様の抵抗値を得ることができるようにし
た半導体磁器の製造方法に関するものである。
(2) 従来の技術
電流制御用や定温度発熱用などに利用される半
導体磁器として、正の抵抗温度特性を有する素子
（以下PTC素子という。）に非オーミツク性の電
極を付与して構成することが特公昭53−46260な
どにより、既に明らかにされている。
導体磁器として、正の抵抗温度特性を有する素子
（以下PTC素子という。）に非オーミツク性の電
極を付与して構成することが特公昭53−46260な
どにより、既に明らかにされている。
非オーミツク性の電極材料である銀又は銀パラ
ジウムは、Niの無電解メツキ電極や銀に亜鉛、
アンチモンなどを加えたオーミツク性電極材料に
比較して、コスト的に安く、半田付け性や電極強
度の面で優れているため、注目を集めている。
ジウムは、Niの無電解メツキ電極や銀に亜鉛、
アンチモンなどを加えたオーミツク性電極材料に
比較して、コスト的に安く、半田付け性や電極強
度の面で優れているため、注目を集めている。
(3) 発明が解決しようとする問題点
しかしながら、PTC素子に非オーミツク性の
電極を付与して形成した半導体磁器は、テスター
などで個々の抵抗値を測定した場合、本来の抵抗
値の1000倍以上の値になつてしまうことや、測定
電流によつて抵抗値が大きく変化するということ
があり、抵抗体としての品質管理ができないた
め、実用に供せないのが現状である。
電極を付与して形成した半導体磁器は、テスター
などで個々の抵抗値を測定した場合、本来の抵抗
値の1000倍以上の値になつてしまうことや、測定
電流によつて抵抗値が大きく変化するということ
があり、抵抗体としての品質管理ができないた
め、実用に供せないのが現状である。
そこで、この発明はPTC素子に非オーミツク
性の電極を付与し、オーミツク性の電極と同様の
抵抗値を得ることができるようにすることを目的
とする。
性の電極を付与し、オーミツク性の電極と同様の
抵抗値を得ることができるようにすることを目的
とする。
(4) 問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するため、この発明は、
PTC素子に非オーミツク性の電極を設け、電極
と素子の界面に生じたバリヤ層を電極間にパルス
を印加して破壊し、オーミツク性電極と同様の抵
抗値にするようにしたものである。
PTC素子に非オーミツク性の電極を設け、電極
と素子の界面に生じたバリヤ層を電極間にパルス
を印加して破壊し、オーミツク性電極と同様の抵
抗値にするようにしたものである。
(5) 実施例
以下、この発明の実施例を添付図面にもとづい
て説明する。
て説明する。
第１図に如く、半導体磁器１は、PTC素子２
の両面に非オーミツク性の電極３，３を設けて構
成されている。
の両面に非オーミツク性の電極３，３を設けて構
成されている。
上記PTC素子２は、チタン酸バリウムに対し、
半導体化剤として微量のY2O3、鉱化剤として
SiO2、Al2O3、特性改善剤としてMnO2を添加し、
これらを混合して円板状に成形した後、空気中
1300℃で１時間焼成し、直径15mm、肉厚２mmに形
成した。
半導体化剤として微量のY2O3、鉱化剤として
SiO2、Al2O3、特性改善剤としてMnO2を添加し、
これらを混合して円板状に成形した後、空気中
1300℃で１時間焼成し、直径15mm、肉厚２mmに形
成した。
このPTC素子２の両面にガラスフリツト２％
を含む銀ペーストを印刷し、750℃で20分間焼付
けて電極３，３を付与することにより、半導体磁
器１に製作した。
を含む銀ペーストを印刷し、750℃で20分間焼付
けて電極３，３を付与することにより、半導体磁
器１に製作した。
上記の半導体磁器１の抵抗値をテスターで測定
したところ、1MΩ前後の値であつた。
したところ、1MΩ前後の値であつた。
これ対し、同じ条件のPTC素子の両面にInGa
のごときオーミツク性の電極を設けた半導体磁器
は正抵抗発生開始温度（キユーリ温度）120℃、
抵抗値は30Ωであつた。
のごときオーミツク性の電極を設けた半導体磁器
は正抵抗発生開始温度（キユーリ温度）120℃、
抵抗値は30Ωであつた。
このように、非オーミツク性の電極を付与した
半導体磁器１の抵抗値がオーミツク性の電極に比
べて極めて高いのは、銀電極とPTC素子の間に
金属−半導体接触に起因するバリヤ層４が形成さ
れ、等価回路的には第２図の如く、直列的に二個
のバリスタＢが加えられ、抵抗のバラツキに影響
をおよぼしている。
半導体磁器１の抵抗値がオーミツク性の電極に比
べて極めて高いのは、銀電極とPTC素子の間に
金属−半導体接触に起因するバリヤ層４が形成さ
れ、等価回路的には第２図の如く、直列的に二個
のバリスタＢが加えられ、抵抗のバラツキに影響
をおよぼしている。
また、電流電圧特性カーブは、オーミツク性電
極を付加した、半導体磁器が第５図ａであるのに
対し、非オーミツク性の電極を付加した半導体磁
器は同図ｂの如く、電圧に対して電流が極めて低
いものである。
極を付加した、半導体磁器が第５図ａであるのに
対し、非オーミツク性の電極を付加した半導体磁
器は同図ｂの如く、電圧に対して電流が極めて低
いものである。
そこで、この発明は、PTC素子２の両面に非
オーミツク性の電極３，３を設けた半導体磁器１
に対し、両電極間にパルスを印加し、電極３と
PTC素子２の界面に生じたバリヤ層４を破壊し、
その抵抗値をオーミツク性電極の場合と略同様に
したものである。
オーミツク性の電極３，３を設けた半導体磁器１
に対し、両電極間にパルスを印加し、電極３と
PTC素子２の界面に生じたバリヤ層４を破壊し、
その抵抗値をオーミツク性電極の場合と略同様に
したものである。
上記半導体磁器１に対して印加するパルスの電
流強度や印加回数は適宜選択すればよいが、例え
ば半値幅10μsec、電流強度50A／cm2のパルスを、
極性を変えて５回印加した。
流強度や印加回数は適宜選択すればよいが、例え
ば半値幅10μsec、電流強度50A／cm2のパルスを、
極性を変えて５回印加した。
この後、テスターで抵抗を測定したところ、抵
抗値は33Ωであり、電流、電圧特性を第５図Ｃの
如くオーミツク性を示している。
抗値は33Ωであり、電流、電圧特性を第５図Ｃの
如くオーミツク性を示している。
このことは非オーミツク性の電極３を設けた
PTC素子２にパルスを印加すると、バリヤ層４
が破壊され、その結果第３図に示す本来の抵抗体
となり、電流電圧特性もオーミツク性電極のもの
に近い値となる。
PTC素子２にパルスを印加すると、バリヤ層４
が破壊され、その結果第３図に示す本来の抵抗体
となり、電流電圧特性もオーミツク性電極のもの
に近い値となる。
なお、抵抗値がオーミツク性電極のものよりも
少し高くなるが、これは銀電極直下の粒子の抵抗
が増大しているためであり、実用上の問題はな
い。
少し高くなるが、これは銀電極直下の粒子の抵抗
が増大しているためであり、実用上の問題はな
い。
また、第４図はこの発明に係る半導体磁器の他
の例として、積層形PTCサーミスタを示してい
る。
の例として、積層形PTCサーミスタを示してい
る。
この積層形PTCサーミスタは、PTC素子を所
要数積層し、各積層素子面間に銀−パラジウム合
金を用いた電極３を設け、積層体の両端に外部電
極５を設けて構成されており、この場合にも電極
３とPTC素子との界面にバリヤ層が形成される
ので、外部電極５間にバルスを印加すればバリヤ
層を破壊することができる。
要数積層し、各積層素子面間に銀−パラジウム合
金を用いた電極３を設け、積層体の両端に外部電
極５を設けて構成されており、この場合にも電極
３とPTC素子との界面にバリヤ層が形成される
ので、外部電極５間にバルスを印加すればバリヤ
層を破壊することができる。
(6) 効果
以上のように、この発明によると、OTC素子
に非オーミツク性の電極を設けた後、電極間にパ
ルスを印加するようにしたので、PTC素子と電
極の間に生じたバリヤ層をパルスの印加で破壊す
ることができ、非オーミツク性電極でオーミツク
性の抵抗値が得られ、非オーミツク性電極を用い
た半導体磁器の実用化が可能になる。
に非オーミツク性の電極を設けた後、電極間にパ
ルスを印加するようにしたので、PTC素子と電
極の間に生じたバリヤ層をパルスの印加で破壊す
ることができ、非オーミツク性電極でオーミツク
性の抵抗値が得られ、非オーミツク性電極を用い
た半導体磁器の実用化が可能になる。
また、非オーミツク性電極の実用化により、廉
価な半導体を製作提供することができる。
価な半導体を製作提供することができる。
第１図はこの発明に係る半導体磁器の縦断面
図、第２図はパルスを印加する前の半導体磁器の
等価回路図、第３図は同上のパルス印加後の等価
回路図、第４図は半導体磁器の他の例を示す縦断
面図、第５図は半導体磁器の電流と電圧の関係を
示すグラフである。 １……半導体磁器、２……PTC素子、３……
非オーミツク性の電極、４……バリヤ層。
図、第２図はパルスを印加する前の半導体磁器の
等価回路図、第３図は同上のパルス印加後の等価
回路図、第４図は半導体磁器の他の例を示す縦断
面図、第５図は半導体磁器の電流と電圧の関係を
示すグラフである。 １……半導体磁器、２……PTC素子、３……
非オーミツク性の電極、４……バリヤ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の素子
に非オーミツク性の電極を設け、この電極と素子
の界面に生じたバリヤ層を電極間にパルスを印加
して破壊し、オーミツク性電極の抵抗値にするこ
とを特徴とする正の抵抗温度特性を有する半導体
磁器の製造方法。 ２ 印加するパルスは、パルス幅1msec以下で電
流密度20A／cm2以上であり、１回ないし複数回印
加することを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13766184A JPS6115301A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13766184A JPS6115301A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6115301A JPS6115301A (ja) | 1986-01-23 |
| JPH0476201B2 true JPH0476201B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15203859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13766184A Granted JPS6115301A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6115301A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980087004A (ko) * | 1997-05-14 | 1998-12-05 | 가나이 쯔도무 | 자동차의 자동 변속기 제어 장치 및 제어 방법 |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP13766184A patent/JPS6115301A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6115301A (ja) | 1986-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |