JPS6115301A - 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法 - Google Patents
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPS6115301A JPS6115301A JP13766184A JP13766184A JPS6115301A JP S6115301 A JPS6115301 A JP S6115301A JP 13766184 A JP13766184 A JP 13766184A JP 13766184 A JP13766184 A JP 13766184A JP S6115301 A JPS6115301 A JP S6115301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor porcelain
- electrodes
- electrode
- ohmic
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001315609 Pittosporum crassifolium Species 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000001089 mineralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）産業上の利用分野
この発明は・、正の抵抗温度特性を有する素子に非オー
ミック性の電極を付与し、オーミック性の電極と同様の
抵抗値を得ることができるＪ：うにした半導体磁器の製
造方法に関ケるものである。
ミック性の電極を付与し、オーミック性の電極と同様の
抵抗値を得ることができるＪ：うにした半導体磁器の製
造方法に関ケるものである。
（２）従来の技術
電流制御用や定温度発熱用などに利用される半導体磁器
として、正の抵抗温度ＩＳｉ性をイ１する索子（以下Ｐ
ＴＣｉ子という。）に非オーミック性の電極を付与して
構成づることが特公昭５３−４６２６０などにより、既
に明らかにされている。
として、正の抵抗温度ＩＳｉ性をイ１する索子（以下Ｐ
ＴＣｉ子という。）に非オーミック性の電極を付与して
構成づることが特公昭５３−４６２６０などにより、既
に明らかにされている。
非オーミック性の電極材料である銀又は銀パラジウムは
、ＮＬ（Ｄ無電解メッキ電極や銀に亜鉛、アンナモンな
どを加えたオーミック性電極材料に比較して、コスト的
に安く、半田付は性や電極強度の面で１やれているため
、注目を集めている。
、ＮＬ（Ｄ無電解メッキ電極や銀に亜鉛、アンナモンな
どを加えたオーミック性電極材料に比較して、コスト的
に安く、半田付は性や電極強度の面で１やれているため
、注目を集めている。
［３） ｌ’ｌ明が解決しようとする問題点しかしな
がら、ＰＴＣ索了に非オーミック性の電極を付与して形
成した半導体磁器は、テスターなどで個々の抵抗値を測
定した揚台、本来の抵抗値のｉ ｏｏｏ倍以上の値にな
ってしまうことや、測定電流によって抵抗値が大ぎく変
化するということがあり、抵抗体としての品質管理がで
きないため、実用に供せないのが現状である。
がら、ＰＴＣ索了に非オーミック性の電極を付与して形
成した半導体磁器は、テスターなどで個々の抵抗値を測
定した揚台、本来の抵抗値のｉ ｏｏｏ倍以上の値にな
ってしまうことや、測定電流によって抵抗値が大ぎく変
化するということがあり、抵抗体としての品質管理がで
きないため、実用に供せないのが現状である。
そこで、この発明はＰＴＣ素子しこ非オーミック性の電
極を付与し、オーミック性の電極と同様の抵抗値を得る
ことができるようにすることを目的とする。
極を付与し、オーミック性の電極と同様の抵抗値を得る
ことができるようにすることを目的とする。
（４） 問題点を解決するための手段上記の問題点を
解決するため、この発明は１−’ Ｔ Ｃ素子に非オー
ミック性の電極を設け、電極と素子の界面に生じたバリ
ヤ層を電極間にパルスを印加して破壊し、オーミック性
電極と同様の抵抗値にするようにしたものである。
解決するため、この発明は１−’ Ｔ Ｃ素子に非オー
ミック性の電極を設け、電極と素子の界面に生じたバリ
ヤ層を電極間にパルスを印加して破壊し、オーミック性
電極と同様の抵抗値にするようにしたものである。
（５） 実施例
以下、この発明の実施例を・添（＝Ｊ図面にもとづいて
３（明する。
３（明する。
第１図の如く、半導体磁器１は、ＰＴＣ素子２の両面に
非オーミック性の電極３．３を設【プて構成されている
。
非オーミック性の電極３．３を設【プて構成されている
。
上記ＰＴＣ素子２は、ヂタン酸バリウムに対し、半導体
化剤として微量のＹ２Ｏ３、鉱化剤として５ＬＯ２、Ｍ
工０３、特性改善剤としてＭｎ ０２を添加し、これら
を）昆合して円板状に成形した後、空気中１３００℃で
１時間焼成し、直径１５ ｍｍ、肉厚２ ｍｍに形成し
た。
化剤として微量のＹ２Ｏ３、鉱化剤として５ＬＯ２、Ｍ
工０３、特性改善剤としてＭｎ ０２を添加し、これら
を）昆合して円板状に成形した後、空気中１３００℃で
１時間焼成し、直径１５ ｍｍ、肉厚２ ｍｍに形成し
た。
このＰＴＣ素子２の両面にガラスフリノｌ−２％を含む
銀ペーストを印刷し、７５０℃で２０分間焼イりけて電
極３．３をイ」与することにより、半導体磁器１に製作
した。
銀ペーストを印刷し、７５０℃で２０分間焼イりけて電
極３．３をイ」与することにより、半導体磁器１に製作
した。
上記の半導体磁器１の抵抗値をテスターで測定したとこ
ろ、１ＭΩ前後の値でｔつ′だ。・これ対し、同（ッ条
件のＰＴＣ索子の両面にＩｎＱａのごとぎオーミック性
の電極を設（プた半導体磁器は正抵抗発生開始温度（キ
ューり温度）１２０°Ｃ１抵抗値は３０Ωであった。
ろ、１ＭΩ前後の値でｔつ′だ。・これ対し、同（ッ条
件のＰＴＣ索子の両面にＩｎＱａのごとぎオーミック性
の電極を設（プた半導体磁器は正抵抗発生開始温度（キ
ューり温度）１２０°Ｃ１抵抗値は３０Ωであった。
このように、非オーミック性の電極を付与した半導体磁
器１の抵抗値がオーミック性の電極に比べて極めて高い
のは、銀電極とＰＴＣ素子の間に金属−半導体接触に起
因するバリヤ層４が形成され、等価回路的には第２図の
如く、直列的に二個のバリスフＢが加えられ、抵抗のバ
ラツキに影響をおよばしている。
器１の抵抗値がオーミック性の電極に比べて極めて高い
のは、銀電極とＰＴＣ素子の間に金属−半導体接触に起
因するバリヤ層４が形成され、等価回路的には第２図の
如く、直列的に二個のバリスフＢが加えられ、抵抗のバ
ラツキに影響をおよばしている。
また、電流電圧特性カーブは、Ａ−ミック性電極を付加
した、半導体磁器が第５図ａであるのに対し、非オーミ
ック性の電極を付加した半導体磁器は同図すの如く、電
圧に対して電流が極めて低い−すのである。
した、半導体磁器が第５図ａであるのに対し、非オーミ
ック性の電極を付加した半導体磁器は同図すの如く、電
圧に対して電流が極めて低い−すのである。
そこで、この発明は、ＰＴＣ素子２の両面に非Ａ−ミン
ク性の電極３．３を設けた半導体磁器１に対し、両電極
間にパルスを印加し、電極３どＰＴＣ素子２の界面に生
じたハリ１１層４を破壊し、その抵抗価をオーミック性
電極の場合と略同様にしたものである。
ク性の電極３．３を設けた半導体磁器１に対し、両電極
間にパルスを印加し、電極３どＰＴＣ素子２の界面に生
じたハリ１１層４を破壊し、その抵抗価をオーミック性
電極の場合と略同様にしたものである。
上記半導体磁器１に対して印加するパルスの電流強度や
印加回数は適宜選択ずれはよいが、例えば半値幅１０μ
ｓｅｃ 、電流強度５０△／ｄのパルスを、極性を変え
て５回印加した。
印加回数は適宜選択ずれはよいが、例えば半値幅１０μ
ｓｅｃ 、電流強度５０△／ｄのパルスを、極性を変え
て５回印加した。
この後、テスターで抵抗を測定したところ、抵抗値は３
３Ωであり、電流、電圧特性は第５図Ｃの如くオーミッ
ク性を示している。
３Ωであり、電流、電圧特性は第５図Ｃの如くオーミッ
ク性を示している。
このことは非オーミック性の電極３を設けたＰＴＣ素子
２にパルスを印加すると、バリヤ層４が破壊され、その
結果第３図に示す本来の抵抗体となり、電流電圧時＋１
もオーミック性電極のものに近い値となる。
２にパルスを印加すると、バリヤ層４が破壊され、その
結果第３図に示す本来の抵抗体となり、電流電圧時＋１
もオーミック性電極のものに近い値となる。
なあ、□抵抗値かオーミック１１電極のものよりも少し
高くなるが、これは銀電極直下の粒子の抵抗か増大して
いるためであり、実用上の問題はない。
高くなるが、これは銀電極直下の粒子の抵抗か増大して
いるためであり、実用上の問題はない。
また、第４図はこの発明に係る半導体磁器の他の例とし
て、積層形Ｐ １− Ｃサーミスタを示している。
て、積層形Ｐ １− Ｃサーミスタを示している。
この積層形ＰＴＣサーミスタは、Ｐ丁Ｃ素子を所要数積
層し、各積層素子面間に銀−パラジウム合金を用いた電
極３を設（ブ、積層体の両端に外部電極５を設けて構成
されており、この場合にも電（勇３とｐ ｒ ｃ索子ど
の界面にハリ１フ層が形成されるので、外部電極５間に
パルスを印加すればハリＶ層を破壊することかできる。
層し、各積層素子面間に銀−パラジウム合金を用いた電
極３を設（ブ、積層体の両端に外部電極５を設けて構成
されており、この場合にも電（勇３とｐ ｒ ｃ索子ど
の界面にハリ１フ層が形成されるので、外部電極５間に
パルスを印加すればハリＶ層を破壊することかできる。
（６）効果
以上のように、この発明によると、ＯＴＣ素子に非オー
ミック性の電極を設けた後、電極間にパルスを印加する
ようにしたので、ＰＴＣ索子と電極の間に生じたバリヤ
層をパルスの印加で破壊することができ、非オーミック
性電極でオーミック＋！１の抵抗値が得られ、非オーミ
ック性電極を用いた半導体磁器の実用化が可能になる。
ミック性の電極を設けた後、電極間にパルスを印加する
ようにしたので、ＰＴＣ索子と電極の間に生じたバリヤ
層をパルスの印加で破壊することができ、非オーミック
性電極でオーミック＋！１の抵抗値が得られ、非オーミ
ック性電極を用いた半導体磁器の実用化が可能になる。
また、非Ａ−ミック性電極の実用化により、廉価な半導
体を製作提供することができる。
体を製作提供することができる。
第１図はこの発明に係る半導体磁器の縦断面図、第２図
はパルスを印加する前の半導体磁器の等価回路図、第３
図は同上のパルス印加後の等価回路図、第４図は半導体
磁器の伯の例を示す縦断面図、第５図は半導体磁器の電
流と電圧の関係を示すグラフである。 １・・・半導体磁器 ２・・・ＰＴＣ素子３・・・非
オーミック性の電極 ４・・・バリヤ層特許出願人
株式会社村田製作所代 理 人
弁理士 和 １） 旧都５図 ≦ｒカロ爆−Ｅし
はパルスを印加する前の半導体磁器の等価回路図、第３
図は同上のパルス印加後の等価回路図、第４図は半導体
磁器の伯の例を示す縦断面図、第５図は半導体磁器の電
流と電圧の関係を示すグラフである。 １・・・半導体磁器 ２・・・ＰＴＣ素子３・・・非
オーミック性の電極 ４・・・バリヤ層特許出願人
株式会社村田製作所代 理 人
弁理士 和 １） 旧都５図 ≦ｒカロ爆−Ｅし
Claims (2)
- （１）正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の素子に非
オーミック性の電極を設け、この電極と素子の界面に生
じたバリヤ層を電極間にパルスを印加して破壊し、オー
ミック性電極の抵抗値にすることを特徴とする正の抵抗
温度特性を有する半導体磁器の製造方法。 - （２）印加するパルスは、パルス幅１ｍ ｓｅｃ以下で
電流密度２０Ａ／ｃｍ＾２以上であり、１回ないし複数
回印加することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13766184A JPS6115301A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13766184A JPS6115301A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6115301A true JPS6115301A (ja) | 1986-01-23 |
| JPH0476201B2 JPH0476201B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15203859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13766184A Granted JPS6115301A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6115301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106434A (en) * | 1997-05-14 | 2000-08-22 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for controlling gearshifts in response to gradient, vehicle speed and busy shift areas or engine brake areas |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP13766184A patent/JPS6115301A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106434A (en) * | 1997-05-14 | 2000-08-22 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for controlling gearshifts in response to gradient, vehicle speed and busy shift areas or engine brake areas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476201B2 (ja) | 1992-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1116310A (en) | Electric heating device comprising a resistance body of p.t.c. material | |
| GB2162686A (en) | Thermistors | |
| JPH0316251Y2 (ja) | ||
| JPH0320041B2 (ja) | ||
| JPS6240403Y2 (ja) | ||
| JPS6115301A (ja) | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器の製造方法 | |
| JP2757305B2 (ja) | チップバリスタ | |
| GB1560012A (en) | Electrical components | |
| JPH0636904A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JP2525864B2 (ja) | サ―ジ吸収装置 | |
| JPH0121526Y2 (ja) | ||
| JPS6010701A (ja) | 正特性サ−ミスタ | |
| JPH0430722B2 (ja) | ||
| JPH0316255Y2 (ja) | ||
| JP2548458B2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JP3166784B2 (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JPH07220860A (ja) | 面状発熱体 | |
| JPS63236785A (ja) | セラミツク電子部品の電極形成方法 | |
| JPS6124186A (ja) | 正特性サ−ミスタ装置 | |
| JP2559524Y2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JPS63128605A (ja) | プラスチツク正特性サ−ミスタ | |
| JPS6331082B2 (ja) | ||
| JPS60130801A (ja) | 正特性サ−ミスタ | |
| JPS61111506A (ja) | 膜抵抗体の製造方法 | |
| JPH08306507A (ja) | 正特性サーミスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |