JPH0476429A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH0476429A JPH0476429A JP19149490A JP19149490A JPH0476429A JP H0476429 A JPH0476429 A JP H0476429A JP 19149490 A JP19149490 A JP 19149490A JP 19149490 A JP19149490 A JP 19149490A JP H0476429 A JPH0476429 A JP H0476429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strain gauge
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- barrier metal
- aluminum wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、オフセラ）・ドリフトを低減させた半導体
圧力センサに関するものである。
圧力センサに関するものである。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は半導体圧力センサのダイヤフラ
ムと歪ゲージの構造上の関係を示す図で、第２図（ａ）
は圧力センサのチップ断面図、第２図（ｂ）は、第２図
（ａ）の点線で示す枠内の歪ゲージの部分断面図、第２
図（ｃ）はダイヤフラム領域に歪ゲージをブリッジ構成
に配置した平面図である。また、第３図は半導体圧力セ
ンサの等価回路図であり、第４図は歪ゲージとアルミ配
線との関係を示す断面図である。これらの図において、
１は圧力センサチップ、２はダイヤフラム・３は前記ダ
イヤフラム２上にブリッジ構成１こ配置された正ゲージ
で、ｐ′ｌ拡散領域で構成される。
ムと歪ゲージの構造上の関係を示す図で、第２図（ａ）
は圧力センサのチップ断面図、第２図（ｂ）は、第２図
（ａ）の点線で示す枠内の歪ゲージの部分断面図、第２
図（ｃ）はダイヤフラム領域に歪ゲージをブリッジ構成
に配置した平面図である。また、第３図は半導体圧力セ
ンサの等価回路図であり、第４図は歪ゲージとアルミ配
線との関係を示す断面図である。これらの図において、
１は圧力センサチップ、２はダイヤフラム・３は前記ダ
イヤフラム２上にブリッジ構成１こ配置された正ゲージ
で、ｐ′ｌ拡散領域で構成される。
４ばこの正ゲージ３間を接続するアルミ配線、５はＳｉ
Ｏ□膜である。
Ｏ□膜である。
次に、動作について説明する。
半導体圧カセノサのダイヤフラム２により、圧力を応力
として受け、歪ゲージ３のゲージ抵抗の値が向かい合う
ものどうし増減して圧力変化を電圧変化として出力する
。
として受け、歪ゲージ３のゲージ抵抗の値が向かい合う
ものどうし増減して圧力変化を電圧変化として出力する
。
上記歪ゲージ３をブリッジに形成するとき、アルミ配線
４て配線するが、そのとき歪ゲージ３と構成するｐ＋拡
散領域からアルミ配線４により直接コンタクＩ・をとっ
ていた。
４て配線するが、そのとき歪ゲージ３と構成するｐ＋拡
散領域からアルミ配線４により直接コンタクＩ・をとっ
ていた。
従来の半導体圧力センサは以上のように構成されている
ので、ウェハプロセス中での熱処理等に際し、アルミ配
線４中にＳｉが析出し、コンククト部での不純物濃度が
不均一となり、温度変化に対してオーミック性が悪いこ
とがあった。そのため、通常ブリッジ内金てのフンタフ
）・てオーξ・ンク性を示すはずが、温度変化によって
ダイオード性を示すことがあり、オフセラ１〜電圧（圧
力無印加での出力）が大きく変化して、オフセットドリ
フ１・（圧力無印加でのオフセット電圧温度変化）が大
きくなるという問題点があった。
ので、ウェハプロセス中での熱処理等に際し、アルミ配
線４中にＳｉが析出し、コンククト部での不純物濃度が
不均一となり、温度変化に対してオーミック性が悪いこ
とがあった。そのため、通常ブリッジ内金てのフンタフ
）・てオーξ・ンク性を示すはずが、温度変化によって
ダイオード性を示すことがあり、オフセラ１〜電圧（圧
力無印加での出力）が大きく変化して、オフセットドリ
フ１・（圧力無印加でのオフセット電圧温度変化）が大
きくなるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するなめになさ
れたもので、オフセットドリフトをはかった半導体圧カ
セノサを得ることを目的とする。
れたもので、オフセットドリフトをはかった半導体圧カ
セノサを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体圧力センサは、歪ゲージとアルミ
配線とのコンタクト部にバリヤメタルを介在させたもの
である。
配線とのコンタクト部にバリヤメタルを介在させたもの
である。
この発明においては、歪ゲージとアルζ配線とのコンタ
クト部にバリヤメタルを介在させてコンタクトをとるこ
とにより、ウェハプロセス中での高温時にアルミへＳｉ
が析出するのを防止でき、コノタクト部の不純物濃度を
均一とてきるため、イーミック性が向上する。
クト部にバリヤメタルを介在させてコンタクトをとるこ
とにより、ウェハプロセス中での高温時にアルミへＳｉ
が析出するのを防止でき、コノタクト部の不純物濃度を
均一とてきるため、イーミック性が向上する。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、３，４．５は第４図を同しものであり
、６は前記歪ゲージ３を構成するｐ＋拡散領域とアルミ
配線４の間に介在させたバリヤメタルである。
、６は前記歪ゲージ３を構成するｐ＋拡散領域とアルミ
配線４の間に介在させたバリヤメタルである。
上記のように歪ゲージ３をブリッジに形成する際のアル
ミ配線４とｐ“拡散領域との間にバリヤメタル６を介在
させてコンタクトをとることにより、高温熱処理でのア
ルミへの８１析出を防止ことができる。
ミ配線４とｐ“拡散領域との間にバリヤメタル６を介在
させてコンタクトをとることにより、高温熱処理でのア
ルミへの８１析出を防止ことができる。
以上説明したように、この発明は、歪ゲージとアルミ配
線とのコンククト部にバリヤメタルを介在させたので、
高温熱処理時のアルミへのＳｉ析出を防止でき、コンタ
クト部の不純物濃度が均一となり、温度変化によってコ
ンタクト部がオーミック性を示したり、ダイオード性を
示したりすることがなくなるので、オフセット電圧の変
動が小さくなる。したがって、オフセットドリフト減す
る効果がある。
線とのコンククト部にバリヤメタルを介在させたので、
高温熱処理時のアルミへのＳｉ析出を防止でき、コンタ
クト部の不純物濃度が均一となり、温度変化によってコ
ンタクト部がオーミック性を示したり、ダイオード性を
示したりすることがなくなるので、オフセット電圧の変
動が小さくなる。したがって、オフセットドリフト減す
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体圧力センサの
歪ゲージ部分の断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の
半導体圧力センサを設けたダイヤフラムの側面図と、そ
の要部の部分断面図ならびに平面図、第３図は従来の半
導体圧力センサの等価回路図、第４図は従来の歪ゲージ
部分の断面図である。 図において、４はアルミ配線、５はＳｉＯ□膜、６はバ
リヤメタルである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第２図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 持訂庁長官殿 １、事件の表示 平 特願叫２−１９１４９４号 発明の名称 半導体圧力センサ ３、補正をする者 代表者 第 図 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄 ６、？ｌ１１正の内界 （１）明細書の第４頁８行のし第４図を」を、１第４図
とＪと補正する。 （２） 間しく第５頁１０行の［半導体圧力センサを
設けた」を、［半導体圧力セン号のｊと補正する。 以 上
歪ゲージ部分の断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の
半導体圧力センサを設けたダイヤフラムの側面図と、そ
の要部の部分断面図ならびに平面図、第３図は従来の半
導体圧力センサの等価回路図、第４図は従来の歪ゲージ
部分の断面図である。 図において、４はアルミ配線、５はＳｉＯ□膜、６はバ
リヤメタルである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 第２図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 持訂庁長官殿 １、事件の表示 平 特願叫２−１９１４９４号 発明の名称 半導体圧力センサ ３、補正をする者 代表者 第 図 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄 ６、？ｌ１１正の内界 （１）明細書の第４頁８行のし第４図を」を、１第４図
とＪと補正する。 （２） 間しく第５頁１０行の［半導体圧力センサを
設けた」を、［半導体圧力セン号のｊと補正する。 以 上
Claims (1)
- 歪ゲージをダイヤフラム領域にブリッジ構成に配置し、
前記歪ゲージ間をアルミ配線で配線した半導体圧力セン
サにおいて、前記歪ゲージとアルミ配線とのコンタクト
部にバリヤメタルを介在させたことを特徴とする半導体
圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19149490A JPH0476429A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19149490A JPH0476429A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476429A true JPH0476429A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16275579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19149490A Pending JPH0476429A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476429A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245523A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | アルミニウム膜の成長方法 |
| JPS6250634A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH01244643A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01251741A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH02116123A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH02130958A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH02159065A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンタクト電極の形成方法 |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP19149490A patent/JPH0476429A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245523A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | アルミニウム膜の成長方法 |
| JPS6250634A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH01244643A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01251741A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH02116123A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH02130958A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH02159065A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンタクト電極の形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3745502A (en) | High temperature strain gage | |
| JPS60128673A (ja) | 半導体感圧装置 | |
| JPH0476429A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0447244A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3571765B2 (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JP2733136B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2516211B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS63102377A (ja) | 薄膜圧力センサの製造方法 | |
| JPS5826237A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH01183165A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS59213165A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6310575A (ja) | 半導体歪検出器 | |
| JPH0319232Y2 (ja) | ||
| JPS6142956A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH02143465A (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
| JPH03208375A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0419494B2 (ja) | ||
| JPS6154270B2 (ja) | ||
| JPS61216356A (ja) | 半導体抵抗 | |
| JPH0234972A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JP2573309Y2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS62291073A (ja) | 半導体歪検出器 | |
| JPS63170973A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS63263773A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JPH0239474A (ja) | 半導体圧力センサー |