JPH04164313A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04164313A JPH04164313A JP2291580A JP29158090A JPH04164313A JP H04164313 A JPH04164313 A JP H04164313A JP 2291580 A JP2291580 A JP 2291580A JP 29158090 A JP29158090 A JP 29158090A JP H04164313 A JPH04164313 A JP H04164313A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に露光に用い
られるアライメントマークの形成方法（こ関する。
られるアライメントマークの形成方法（こ関する。
従来、基板上の金属を含む材料よりなる被膜、例えばア
ルニミウム被膜やシリサイド被膜（以下金属含有被膜と
いう〉上の感光性有機材料膜に露光装置用いて露光する
場合、既に前工程でアライメントマークを形成した基板
上に金属含有被膜を形成し次いで感光性有機材料を塗布
した後、金属含有被膜と感光性有機材料膜により被覆さ
れたアライメントマークからの回折光や反射光を検出し
位置合わせを行ない露光する方法が一般的であった。
ルニミウム被膜やシリサイド被膜（以下金属含有被膜と
いう〉上の感光性有機材料膜に露光装置用いて露光する
場合、既に前工程でアライメントマークを形成した基板
上に金属含有被膜を形成し次いで感光性有機材料を塗布
した後、金属含有被膜と感光性有機材料膜により被覆さ
れたアライメントマークからの回折光や反射光を検出し
位置合わせを行ない露光する方法が一般的であった。
この従来の方法により形成したアライメントマークを用
いて露光を行なった場合、以下のような問題点があった
。
いて露光を行なった場合、以下のような問題点があった
。
第一に、金属含有被膜はダレインを有しその表面の凹凸
によるアライメント光の散乱の為に、アライメントマー
クからの回折光や反射光からえられるアライメント信号
にノイズが加わり、アライメント精度がグレインの無い
場合に比較して大幅に低下する。
によるアライメント光の散乱の為に、アライメントマー
クからの回折光や反射光からえられるアライメント信号
にノイズが加わり、アライメント精度がグレインの無い
場合に比較して大幅に低下する。
第二に、スパッタリングにより金属含有被膜を形成する
場合、アライメントマーク上の金属含有材料の付着がマ
ークの中心に対して非対称になる場合がありアライメン
ト信号のマーク中心と実際のマーク中心との間に誤差を
生ずる場合がある。
場合、アライメントマーク上の金属含有材料の付着がマ
ークの中心に対して非対称になる場合がありアライメン
ト信号のマーク中心と実際のマーク中心との間に誤差を
生ずる場合がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、アライメントマーク
を含む基板上に感光性有機材料膜を被着したのち選択的
に除去して前記アライメントマーク上に有機材料膜を形
成する工程と、金属を含む材料よりなる被膜を形成する
工程と、前記有機材料膜を溶剤にて溶解し有機材料膜と
その直上の金属を含む材料よりなる被膜を除去する工程
と、他の感光性有機材料を塗布する工程と、露光装置に
より前記アライメントマークを用いて位置合わせ及び露
光を行なう工程を備えている。
を含む基板上に感光性有機材料膜を被着したのち選択的
に除去して前記アライメントマーク上に有機材料膜を形
成する工程と、金属を含む材料よりなる被膜を形成する
工程と、前記有機材料膜を溶剤にて溶解し有機材料膜と
その直上の金属を含む材料よりなる被膜を除去する工程
と、他の感光性有機材料を塗布する工程と、露光装置に
より前記アライメントマークを用いて位置合わせ及び露
光を行なう工程を備えている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例１を説明
する為に工程順に示した断面模式図である。
する為に工程順に示した断面模式図である。
第１図（ａ）は、半導体基板又はその上に酸化シリコン
膜などを形成したものを基板１として、その上に絶縁物
、半導体あるいは導電体からなるアライメントマーク２
が形成された状態を示している。
膜などを形成したものを基板１として、その上に絶縁物
、半導体あるいは導電体からなるアライメントマーク２
が形成された状態を示している。
次に、第１図（ｂ）に示すように、基板１上に感光性有
機材料膜３を形成する。
機材料膜３を形成する。
次いで第１図（Ｃ）に示すように９、アライメントマー
ク２を除いた領域が選択的に露光、現像され、所定パタ
ーンの有機材料膜３ａによってアライメントマークを含
む領域のみが被覆される。このとき、有機材料膜３ａは
オーバーハング形状を有する様にし、その為に感光性有
機材料としてノボラック樹脂とナフトキノンジアジドか
らなるポジ型フォトレジストを用いイメージリバーサル
処理あるいはアルカリ現像液による表面処理を施す。
ク２を除いた領域が選択的に露光、現像され、所定パタ
ーンの有機材料膜３ａによってアライメントマークを含
む領域のみが被覆される。このとき、有機材料膜３ａは
オーバーハング形状を有する様にし、その為に感光性有
機材料としてノボラック樹脂とナフトキノンジアジドか
らなるポジ型フォトレジストを用いイメージリバーサル
処理あるいはアルカリ現像液による表面処理を施す。
次いで第１図（ｄ）に示した如く金属含有被膜４、例え
ば１％Ｓｉを含有したＡ１被膜をスパッタリングにより
０．８μｍの膜厚で形成する。
ば１％Ｓｉを含有したＡ１被膜をスパッタリングにより
０．８μｍの膜厚で形成する。
その後、基板１のメチルエチルケトン、エチルセルソル
ブアセテート等の溶剤中に浸漬し有機材料膜３ａを溶解
しその直上の金属含有被膜４を除去する。この様にして
第１図（ｅ）に示した如く、アライメントマーク２上の
金属含有被膜４を除去することができる０次に、通常の
通り、フォトリソグラフィー技術により金属含有被膜の
パターニングを行うが、そのとき本アライメントマーク
を用いて位置合わせを行なった場合アライメントマーク
上には金属含有被膜がないのでグレインに起因するアラ
イメント信号へのノイズの発生が無い、また、スパッタ
リングの際発生する金属含有材料のアライメントマーク
への非対称な付着が原因となるアライメント信号の非対
称に基づく位置ずれも起こらない。
ブアセテート等の溶剤中に浸漬し有機材料膜３ａを溶解
しその直上の金属含有被膜４を除去する。この様にして
第１図（ｅ）に示した如く、アライメントマーク２上の
金属含有被膜４を除去することができる０次に、通常の
通り、フォトリソグラフィー技術により金属含有被膜の
パターニングを行うが、そのとき本アライメントマーク
を用いて位置合わせを行なった場合アライメントマーク
上には金属含有被膜がないのでグレインに起因するアラ
イメント信号へのノイズの発生が無い、また、スパッタ
リングの際発生する金属含有材料のアライメントマーク
への非対称な付着が原因となるアライメント信号の非対
称に基づく位置ずれも起こらない。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施例を説明す
る為に工程順に示した断面模式図、第３図は第２の実施
例で使用するレティクルの断面図である。
る為に工程順に示した断面模式図、第３図は第２の実施
例で使用するレティクルの断面図である。
第２図（ａ＞に示すように、基板１上にアライメントマ
ーク２とチップ分離パターン６を形成し、その上を絶縁
物被膜５で被覆する。アライメントマーク２を絶縁物被
膜５で被覆することにより、アライメントマークが金属
含有被膜で被覆された時に生ずる様な問題を回避するこ
とができる。なお、チップ分離パターン６によって基板
上に作成された複数の半導体チップがスクライブ領域を
介して分離されている。
ーク２とチップ分離パターン６を形成し、その上を絶縁
物被膜５で被覆する。アライメントマーク２を絶縁物被
膜５で被覆することにより、アライメントマークが金属
含有被膜で被覆された時に生ずる様な問題を回避するこ
とができる。なお、チップ分離パターン６によって基板
上に作成された複数の半導体チップがスクライブ領域を
介して分離されている。
次に、基板１と絶縁物被膜５上に形成される金属含有被
膜４との電気的導通をとるためのリソグラフィー工程が
行なわれるが、このときチップ分離パターン６で挟まれ
たスクライブ領域上のみ選択的に厚く有機材料膜３ａを
形成する。これは第３図に示したようなレティクルを用
いることによって可能となる。即ち従来のレティクルと
異なり、マスクブランクス７とクロムパターン９の問に
光学的半透明膜８を設はレティクルを透過する光強度を
従来のレティクルの様に２段階ではなく３段階に分けて
いる。
膜４との電気的導通をとるためのリソグラフィー工程が
行なわれるが、このときチップ分離パターン６で挟まれ
たスクライブ領域上のみ選択的に厚く有機材料膜３ａを
形成する。これは第３図に示したようなレティクルを用
いることによって可能となる。即ち従来のレティクルと
異なり、マスクブランクス７とクロムパターン９の問に
光学的半透明膜８を設はレティクルを透過する光強度を
従来のレティクルの様に２段階ではなく３段階に分けて
いる。
第３図に示したレティクルを用いポジ型フォトレジスト
被膜を選択的に露光することによって半導体装置内にホ
ールパターンを形成しかつチップ分離パターン６で挟ま
れたスクライブ領域上のみ厚い膜厚を有するレジストパ
ターンを形成する。
被膜を選択的に露光することによって半導体装置内にホ
ールパターンを形成しかつチップ分離パターン６で挟ま
れたスクライブ領域上のみ厚い膜厚を有するレジストパ
ターンを形成する。
この状態を第２図（ｂ）に示した。この後、平行平板、
電極を備えたりアクティブイオンエツチング装置を用い
て絶縁物被膜５にコンタクトホールなどを形成する。続
いて０２ガスプラズマを用いた有機物灰化装置によりレ
ジスト膜を除去するが、スクライブ領域ではレジストの
膜厚が他部分より厚いため除去しきれず第２図（ｃ）に
示すような構造となる。
電極を備えたりアクティブイオンエツチング装置を用い
て絶縁物被膜５にコンタクトホールなどを形成する。続
いて０２ガスプラズマを用いた有機物灰化装置によりレ
ジスト膜を除去するが、スクライブ領域ではレジストの
膜厚が他部分より厚いため除去しきれず第２図（ｃ）に
示すような構造となる。
以下第１の実施例と同様に、第２図（ｄ）に示すように
、金属含有被膜４もスパッタリングにより形成した後、
第２図（ｅ）に示すように、基板１を溶剤に浸漬し有機
材料膜３ａを溶解するとともにその直上の金属含有被膜
４を除去する。
、金属含有被膜４もスパッタリングにより形成した後、
第２図（ｅ）に示すように、基板１を溶剤に浸漬し有機
材料膜３ａを溶解するとともにその直上の金属含有被膜
４を除去する。
この方法で形成したアライメントマークを用いることに
よって、第１の実施例と同様にグレインによるアライメ
ント信号へのノイズやスパッタリングの非対称性による
アライメント信号への悪影響をとり除くことができる。
よって、第１の実施例と同様にグレインによるアライメ
ント信号へのノイズやスパッタリングの非対称性による
アライメント信号への悪影響をとり除くことができる。
以上説明したように本発明は、表面に金属含有被膜の付
着していないアライメントマークと、そのアライメント
マークを中心としてその近傍で対称に配置された金属含
有被膜を形成して、フォトリソグラフィー工程を行なう
ので、高精度な位１合わせを可能にするという効果を有
する。
着していないアライメントマークと、そのアライメント
マークを中心としてその近傍で対称に配置された金属含
有被膜を形成して、フォトリソグラフィー工程を行なう
ので、高精度な位１合わせを可能にするという効果を有
する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例を説明す
る為に工程順に示した断面模式図、第２図（ａ）〜（ｅ
）は本発明の第２の実施例を説明する為に工程順に示し
た断面模式図、第３図は第２の実施例２において使用す
るレティクルの断面図である。 １・・・基板、２・・・アライメントマーク、３・・・
感光性有機材料膜、３ａ・・・有機材料膜、４・・・金
属含有被膜、５・・・絶縁物被膜、６・・・チップ分離
パターン、７・・・マスクブランクス、８・・・光学的
半透明膜、９・−・クロムパターン、１０・・・酸化ク
ロムパターン、１１・・・コンタクトホールパターン。
る為に工程順に示した断面模式図、第２図（ａ）〜（ｅ
）は本発明の第２の実施例を説明する為に工程順に示し
た断面模式図、第３図は第２の実施例２において使用す
るレティクルの断面図である。 １・・・基板、２・・・アライメントマーク、３・・・
感光性有機材料膜、３ａ・・・有機材料膜、４・・・金
属含有被膜、５・・・絶縁物被膜、６・・・チップ分離
パターン、７・・・マスクブランクス、８・・・光学的
半透明膜、９・−・クロムパターン、１０・・・酸化ク
ロムパターン、１１・・・コンタクトホールパターン。
Claims (1)
- アライメントマークを含む基板上に感光性有機材料膜
を被着したのち選択的に除去して前記アライメントマー
ク上に有機材料膜を形成する工程と、金属を含む材料よ
りなる被膜を形成する工程と、前記有機材料膜を溶剤に
て溶解し有機材料膜とその直上の金属を含む材料よりな
る被膜を除去する工程と、他の感光性有機材料を塗布す
る工程と、露光装置により前記アライメントマークを用
いて位置合わせ及び露光を行なう工程を備えていること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291580A JP2626234B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2291580A JP2626234B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164313A true JPH04164313A (ja) | 1992-06-10 |
| JP2626234B2 JP2626234B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=17770771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2291580A Expired - Lifetime JP2626234B2 (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626234B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023153437A1 (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体素子、および光半導体素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP2291580A patent/JP2626234B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023153437A1 (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体素子、および光半導体素子の製造方法 |
| JP2023117139A (ja) * | 2022-02-10 | 2023-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体素子、および光半導体素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2626234B2 (ja) | 1997-07-02 |
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