JPH0480387B2 - - Google Patents
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- JPH0480387B2 JPH0480387B2 JP59120024A JP12002484A JPH0480387B2 JP H0480387 B2 JPH0480387 B2 JP H0480387B2 JP 59120024 A JP59120024 A JP 59120024A JP 12002484 A JP12002484 A JP 12002484A JP H0480387 B2 JPH0480387 B2 JP H0480387B2
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0605—Carbocyclic compounds
- G03G5/0607—Carbocyclic compounds containing at least one non-six-membered ring
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は電子写真装置に用いる電子写真感光体
に関し、さらに詳しくは導電層等の上に電荷発生
層を設け、その上に電荷移送層、電荷発生層を順
次設けた層構成をもつた正負両極性の帯電に関し
感度をもたせた電子写真感光体に関する。 従来の技術 従来、電子写真感光体を用いた電子写真法にお
いて、その現像方式が反転現像を用いる系に関し
ては、転写帯電と一次帯電の極性が逆である。電
子写真感光体のうち有機半導体のように機能分離
型の積層構造をもつものは、正負いづれか一方の
極性にしか感度を持たないものが多く、このよう
な感光体を用いて反転現像系を用いると前露光前
に感光体上の電位が感度をもたない極性に帯電さ
れてしまい、一次帯電前に感感光体上の電位を消
去することが不可能となり、このような系で実際
に画像出しを行うと、画像上に濃度むら等を生じ
るという欠点があつた。 発明が解決しようとする問題点 本発明は上記の如き欠点を解決し、正負両極性
の帯電に感度を持つた感光体を提供するものであ
る。 問題点を解決するための手段及び作用 本発明に用いる電子写真感光体の層構成は図に
示す電子写真感光体のような構成である。符号１
は導電性基体、２は電荷発生層、３は電荷移送
層、４は最上部の電荷発生層を示すものとする。
このような構成を持たせれば、正負両極性の帯電
に関して感度を持つ電子写真感光体となる。 すなわち、例えば電荷移送層が、プラスのキヤ
リアーしか移送しない場合、マイナス帯電に対し
ては、基体上に構成された電荷発生層からのプラ
スのキヤリアーが、電荷移送層を通り感光体表面
のマイナス帯電を消去する。この際プラスキヤリ
アーと同時に発生したマイナスのキヤリアーは、
導電性基体に注入され感光体表面の電荷発生層で
生成したキヤリアーはマイナスのキヤリアーが電
荷移送層を通らないために感度に寄与することは
ない。 次にプラス帯電を行つた場合は感光体表面の電
荷発生層で生成したマイナスキヤリアーによつて
感光体表面のプラス電荷が消去され、マイナスキ
ヤリアーと同時に発生したプラスキヤリアーは電
荷移送層を通り導電性基体へ注入される。この際
基体上の電荷発生層で生成したキヤリアーは電界
強度の関係で電荷発生層に注入されず感度に寄与
することはない。 以下、本発明を図面に従つて説明する。 第１図は、本発明の電子写真感光体の断面図の
一部を表わしている。 本発明に用いる電荷発生層２及び４の電荷発生
物質は、下記一般式（），（）又は（）で表
わされるアズレニウム塩化合物によつて構成され
る。アズレニウム塩化合物を使用した感光体は通
常可視領域から波長1000nm以上の赤外領域まで
感度があり、反転現像系を用いるようなイメージ
スキヤンレーザービームプリンターにも用いるこ
とが可能であり、またレーザービームプリンター
機能と原稿に光を当てその反射光又は原稿がフイ
ルムの場合その透過光を感光体に当て、感光体上
に潜像を形成するいわゆる電子写真式複写機能を
合わせもつた装置にも使用しうる。 一般式 一般式において、R1〜R7は、水素原子、ハロ
ゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又は
１価の有機残基を表わす。１価の有機残基として
は、広範なものから選択することができるが、特
にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ア
ミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチル
ヘキシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基
（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシな
ど）、置換もしくは未置換のアリール基（フエニ
ル、トリル、キシリル、エチルフエニル、メトキ
シフエニル、エトキシフエニル、クロロフエニ
ル、ニトロフエニル、ジメチルアミノフエニル、
α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしく
は未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フエニ
ルエチル、２−フエニル−１−メチルエチル、ブ
ロモベンジル、２−ブロモフエニルエチル、メチ
ルベンジル、メトキシベンジル、ニトロベンジ
ル）、アシル基（アセチル、プロピオニル、ブチ
リル、バレリル、ベンゾイル、トリオイル、ナフ
トイル、フタロイル、フロイルなど）、置換若し
くは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルア
ミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換若しくは未
置換スチリル基（スチリル、ジメチルアミノスチ
リル、ジエチルアミノスチリル、ジプロピルアミ
ノスチリル、メトキシスチリル、エトキシスチリ
ル、メチルスチリルなど）、ニトロ基、ヒドロキ
シ基、カルボキシル基、シアノ基又は置換若しく
は未置換アリールアゾ基（フエニルアゾ、α−ナ
フチルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノ
フエニルアゾ、クロロフエニルアゾ、ニトロフエ
ニルアゾ、メトキシフエニルアゾ、トリルアゾな
ど）を挙げることができる。又、R1とR2，R3と
R4，R4とR5，R5とR6およびR6とR7の組合せのう
ち、少なくとも１つの組合で置換又は未置換の芳
香族環（ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼ
ン、ブロモベンゼン、メチルベンゼン、エチルベ
ンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼンな
ど）を形成してもよい。 Ａは、２重結合によつて結合した２価の有機残
基を表わす。かかるＡを含む本発明の具体的な例
を下記一般式(1)〜(10)で表わされるものを挙げるこ
とができる。但し、式中のＱ は下記のアズレニ
ウム骨格を示し、式中のＱ を除く右辺がＡを示
している。 アズレニウム骨格Ｑ 一般式 式中、R1〜R7は前記で定義したものと同一の
定義を有する。 式中、R1〜R7は前記で定義したものと同一の
定義を有する。 式中、R′1〜R′7は、水素原子、ハロゲン原子
（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有
機残基を表わす。１価の有機残基としては、広範
なものから選択することができるが、特にアルキ
ル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−アミル、ｎ
−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシ
ル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置
換もしくは未置換のアリール基（フエニル、トリ
ル、キシリル、エチルフエニル、メトキシフエニ
ル、エトキシフエニル、クロロフエニル、ニトロ
フエニル、ジメチルアミノフエニル、α−ナフチ
ル、β−ナフチルなど）、置換もしくは未置換の
アラルキル基（ベンジル、２−フエニルエチル、
２−フエニル−１−メチルエチル、ブロモベンジ
ル、２−ブロモフエニルエチル、メチルベンジ
ル、メトキシベンジル、ニトロベンジル）、アシ
ル基（アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレ
リル、ベンゾイル、トリオイル、ナフトイル、フ
タロイル、フロイルなど）、置換若しくは未置換
アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベン
ゾイルアミノなど）、置換若しくは未置換スチリ
ル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエ
チルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリ
ル、メトキシスチリル、エトキシスチリル、メチ
ルスチリルなど）、ニトロ基、ヒドロキシ基、カ
ルボキシル基、シアノ基又は置換若しくは未置換
アリールアゾ基（フエニルアゾ、α−ナフチルア
ゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノフエニル
アゾ、クロロフエニルアゾ、ニトロフエニルア
ゾ、メトキシフエニルアゾ、トリルアゾなど）を
挙げることができる。又、R′1とR′2，R′3とR′4，
R′4とR′5，R′5とR′6およびR′6とR′7の組合せのう
ち、少なくとも１つの組合で置換又は未置換の芳
香族環（ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼ
ン、ブロモベンゼン、メチルベンゼン、エチルベ
ンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼンな
ど）を形成してもよい。又、Ｑ で示すアズレニ
ウム骨格と前記式(3)における右辺のアズレン骨格
とは対称であつてもよく又は非対称であつてもよ
い。Ｚ は、前記で定義したものと同一の定義を
有す。R8は、水素原子、ニトロ基、シアノ基、
アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル
など）又はアリール基（フエニル、トリル、キシ
リルなど）を表わし、ｎは０，１又は２を表わ
す。 式中、R1〜R7およびＺ は前記で定義したも
のと同一の定義を有する。 式中、R1〜R7，R′1〜R′7およびＺ は前記で
定義したものと同一の定義を有する。 式中、Ｘはピリジン、チアゾール、ベンゾチア
ゾール、ナフトチアゾール、オキサゾール、ベン
ゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、イミダゾ
ール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾー
ル、２−キノリン、４−キノリン、イソキノリン
又はインドールなどの含窒素複素環を完成するに
必要な非金属原子群を表わし、かかる複素環に
は、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原
子）、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、
ブチルなど）、アリール基（フエニル、トリル、
キシリルなど）などによつて置換されていてもよ
い。R8はアルキル基（メチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなど）、置換アルキル基（２−ヒドロ
キシエチル、２−メトキシエチル、２−エトキシ
エチル、３−ヒドロキシプロピル、３−メトキシ
プロピル、３−エトキシプロピル、３−クロロプ
ロピル、３−ブロモプロピル、３−カルボキシプ
ロピルなど）、環式アルキル基（シクロヘキシル、
シクロプロピル）、アリル、アラルキル基（ベン
ジル、２−フエニルエチル、３−フエニルプロピ
ル、４−フエニルブチル、α−ナフチルメチル、
β−ナフチルメチル）、置換アラルキル基（メチ
ルベンジル、エチルベンジル、ジメチルベンジ
ル、トリメチルベンジル、クロロベンジル、ブロ
モベンジルなど）、アリール基（フエニル、トリ
ル、キシリル、α−ナフチル、β−ナフチル）又
は置換アリール基（クロロフエニル、ジクロロフ
エニル、トリクロロフエニル、エチルフエニル、
メトキシフエニル、ジメトキシフエニル、アミノ
フエニル、ニトロフエニル、ヒドロキシフエニル
など）を表わす。ｍは０又は１を表わし、Ｚ は
前記で定義したものと同一の定義を有する。 (7) Ｑ ＝CH−R9 Ｚ 式中、R9は置換又は未置換のアリール基（フ
エニル、トリル、キシリル、ビフエニル、α−ナ
フチル、β−ナフチル、アントラリル、ピレニ
ル、メトキシフエニル、ジメトキシフエニル、ト
リメトキシフエニル、エトキシフエニル、ジエト
キシフエニル、クロロフエニル、ジクロロフエニ
ル、トリクロロフエニル、ブロモフエニル、ジブ
ロモフエニル、トリブロモフエニル、エチルフエ
ニル、ジエチルフエニル、ニトロフエニル、アミ
ノフエニル、ジメチルアミノフエニル、ジエチル
アミノフエニル、ジベンジルアミノフエニル、ジ
プロピルアミノフエニル、モルホリノフエニル、
ピペリジニルフエニル、ピペラジノフエニル、ジ
フエニルアミノフエニル、アセチルアミノフエニ
ル、ベンゾイルアミノフエニル、アセチルフエニ
ル、ベンゾイルフエニル、シアノフエニルなど）
を表わし、Ｚ は前記で定義したものと同一の定
義を有する。 (8) Ｑ ＝CH−R10 Ｚ 式中、R10はフラン、チオフエン、ベンゾフラ
ン、チオナフテン、ジベンゾフラン、カルバゾー
ル、フエノチアジン、フエノキサジン、ピリジン
などの複数環から誘導された１価の複素環基を表
わし、Ｚ は前記で定義したものと同一の定義を
有する。 式中、R11は水素原子、アルキル基（メチル、
エチル、プロピル、ブチルなど）又は置換もしく
は未置換のアリール基（フエニル、トリル、キシ
リル、ビフエニル、エチルフエニル、クロロフエ
ニル、メトキシフエニル、エトキシフエニル、ニ
トロフエニル、アミノフエニル、ジメチルアミノ
フエニル、ジエチルアミノフエニル、アセチルア
ミノフエニル、α−ナフチル、β−ナフチル、ア
ントラリル、ピレニルなど）を表わす。R9およ
びＺ は、前記で定義したものと同一の定義を有
する。 (10) Ｑ ＝CH−Ｃ≡Ｃ−R9 Ｚ 式中、R9およびＺ は前記で定義したものと
同一の定義を有する。 又、式中のＺ は、パークロレート、フルオロ
ボレート、スルフオアセテート、アイオダイド、
クロライド、ブロマイド、Ｐ−トルエンスルホネ
ート、アルキルスルホネート、アルキルジスルホ
ネート、ベンゼンジスルホネート、ハロスルホネ
ート、ピクラート、テトラシアノエチレンアニオ
ン、テトラシアノキノジメタンアニオンなどのア
ニオン残基を表わす。 前述の一般式(1)〜(10)で表わされたアズレニウム
塩化合物の具体例については西独公開特許第
3320674号明細書に開示されている。 又、電荷発生層２と４のうち、何れか一方の電
荷発生層に前述のアズレニウム塩化合物と異なる
電荷発生物質（例えばジスアゾ顔料、トリヌアゾ
顔料、ピリリウム染料など）を用いることも可能
である。 この電荷発生性物質を、ポリエステル、ポリス
チレン、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロ
リドン、メチルセルロース、ポリアクリル酸エス
テル類、セルロースエステルなどの結着剤樹脂に
分散して形成される。その厚さは0.01〜1μ、好ま
しくは0.05〜0.5μ程度である。 また、電荷移送層３は主鎖又は側鎖にアントラ
セン、ピレン、フエナントレン、コロネンなどの
多環芳香族化合物又はインドール、カルバゾー
ル、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾー
ル、イミダゾール、ピラゾール、オキサジアゾー
ル、ピラゾリン、チアジアゾール、トリアゾール
などの含窒素環式構造を有する化合物、ヒドラゾ
ン化合物等の正孔輸送性物質を成膜成のある樹脂
に溶解させて形成される。これは電荷輸送性物質
が一般的に低分子量で、それ自身では成膜性に乏
しいためである。そのような樹脂としては、ポリ
カーボネート、ポリメタクリル酸エステル類、ポ
リアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポ
リサルホン、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−メタクリル酸メチルコポリマー
等が挙げられる。電荷移送層の厚さは５〜20μで
ある。 又、本発明は基体１として広範な導電性のもの
から選択することができる。具体的には、アルミ
ニウム、黄銅、ステンレス、ニツケルなどの金属
をシリンダーやプレート形状にしたもの、あるい
はアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズをプ
ラスチツクや紙に蒸着又はラミネートしたものア
ルミ蒸着のポリエチレンテレフタレートフイルム
などを挙げることができる。 又、基体１と電荷発生層２の間に設ける下引き
層（図示せず）としてはポリウレタン、ナイロ
ン、ポリビニルアルコール、エポキシ、ポリアミ
ド、ポリエステル、エリビニルアセテート、カゼ
イン、ニトロセルロール等使用する基体と密着性
の良いものを使用する。 実施例 １ 基体として60φ×260mmのアルミニウムシリン
ダーを用いた。 電荷発生物質として下記の構造をもつアズレニ
ウム塩化合物を用いた。 200ml三ツ口フラスコに３，４−ジヒドロキシ
−３−シクロブテン−１，２−ジオン1.2g
（0.0105モル）と、ｎ−ブタノール80mlを加え、
撹拌しながら100℃まで加熱し溶解させた。 次に、キノリン３ml、１，４−ジメチル−７−
イソプロピルアズレン4.46g（0.0225モル）および
ベンゼン30mlを順次フラスコ中に加え、反応を開
始させた。反応は95〜110℃において、ベンゼン
45ml、ｎ−ブタノール30mlを分割添加しながら、
水を共沸留去させて５時間行なつた。 反応液を冷却後、吸引過し、ｎ−ブタノール
50ml、メタノール100mlで順次洗浄し、粗顔料を
得た。 さらにテトラヒドロフラン100mlで２回煮沸、
過し、前述の構造をもつ化合物を得た。 この化合物15部（重量部以下同）にアクリル樹
脂（商品名：アクリベースCMZ−20、藤倉化成
(株)製、固型分40％）10部、トルエン40部を加え、
ボールミルにて４時間の分散を行い、この分散液
を上記シリンダーに浸漬法で塗布して50℃で20分
乾燥して0.5μ厚の電荷発生層を形成した。 次いで、下記構造式のヒドラゾン化合物を10部 およびスチレン−メタクリル酸メチル共重合樹脂
（商品名：MS200；製鉄化学(株)製）15部をトルエ
ン80部に溶解した。この液を上記電荷発生層上に
塗布して100℃で１時間の熱風乾燥をして、16μ
厚の電荷移送層を形成した。最後に前と同じ方法
で電荷移送層の上に電荷発生層を形成した。 実施例 ２ 実施例１で用いたアズレニウム塩化合物の代わ
りに次の構造をもつものを用いた。 アズレン0.64g、オルトギ酸エチル7.5mlそして
エタノール15mlより成る溶液を室温下に撹拌し、
この液中に70％過塩素酸1.25mlとエタノール7.5
mlより成る液を加えた。すぐに、黒色の針状晶の
析出が認められた。この液を40分間室温で撹拌し
た後、吸引過し化合物No.12を得た。エタノール
20mlで２回洗浄過した後、水30ml中に入れ30分
間撹拌後過した。次にエタノール20mlで再度洗
浄後乾燥した。 以下実施例１と同様にして感光体を作成した。 実施例 ３ 実施例１と同様の電荷発生層、電荷移送層を用
い基体と電荷発生層の間に共重合ナイロン樹脂
（商品名：アミランCM8000、東レ(株)製）10部
（重量部、以下同様）をメタノール60部、ブタノ
ール40部の混合液に溶解し、上記中間層上に浸漬
塗布して、1μ厚のポリアミド樹脂層をもうけた。 下引き層より上の層構成は実施例１と同様であ
る。 比較例 実施例１と同様に電荷移送層まで塗布したもの
で電荷発生層、電荷移送層は実施例１と同じもの
を使用した。 この各感光体をキヤノンPC20複写機の改造機
を用いて＋転写、反転現像系を用いて、一帯電画
像出しを行つた。 実施例１〜３で作成した電子写真感光体を用い
た画像は画像中心とA4画像で中心より一番距離
のある位置（いわゆる画像のカドに当たる部分）
との濃度差は0.01以内であつた。（原稿は濃度0.3
のものを使用、濃度はマクベスRD514濃度測定
機を用いた。）これに対し比較例の画像は中心と
カドとの濃度差は最大0.4の濃度差があつた。 又、正負両極性で帯電させて785nmの波長の半
導体レーザーを用いて感度を測定したところ、次
の結果を得た。
に関し、さらに詳しくは導電層等の上に電荷発生
層を設け、その上に電荷移送層、電荷発生層を順
次設けた層構成をもつた正負両極性の帯電に関し
感度をもたせた電子写真感光体に関する。 従来の技術 従来、電子写真感光体を用いた電子写真法にお
いて、その現像方式が反転現像を用いる系に関し
ては、転写帯電と一次帯電の極性が逆である。電
子写真感光体のうち有機半導体のように機能分離
型の積層構造をもつものは、正負いづれか一方の
極性にしか感度を持たないものが多く、このよう
な感光体を用いて反転現像系を用いると前露光前
に感光体上の電位が感度をもたない極性に帯電さ
れてしまい、一次帯電前に感感光体上の電位を消
去することが不可能となり、このような系で実際
に画像出しを行うと、画像上に濃度むら等を生じ
るという欠点があつた。 発明が解決しようとする問題点 本発明は上記の如き欠点を解決し、正負両極性
の帯電に感度を持つた感光体を提供するものであ
る。 問題点を解決するための手段及び作用 本発明に用いる電子写真感光体の層構成は図に
示す電子写真感光体のような構成である。符号１
は導電性基体、２は電荷発生層、３は電荷移送
層、４は最上部の電荷発生層を示すものとする。
このような構成を持たせれば、正負両極性の帯電
に関して感度を持つ電子写真感光体となる。 すなわち、例えば電荷移送層が、プラスのキヤ
リアーしか移送しない場合、マイナス帯電に対し
ては、基体上に構成された電荷発生層からのプラ
スのキヤリアーが、電荷移送層を通り感光体表面
のマイナス帯電を消去する。この際プラスキヤリ
アーと同時に発生したマイナスのキヤリアーは、
導電性基体に注入され感光体表面の電荷発生層で
生成したキヤリアーはマイナスのキヤリアーが電
荷移送層を通らないために感度に寄与することは
ない。 次にプラス帯電を行つた場合は感光体表面の電
荷発生層で生成したマイナスキヤリアーによつて
感光体表面のプラス電荷が消去され、マイナスキ
ヤリアーと同時に発生したプラスキヤリアーは電
荷移送層を通り導電性基体へ注入される。この際
基体上の電荷発生層で生成したキヤリアーは電界
強度の関係で電荷発生層に注入されず感度に寄与
することはない。 以下、本発明を図面に従つて説明する。 第１図は、本発明の電子写真感光体の断面図の
一部を表わしている。 本発明に用いる電荷発生層２及び４の電荷発生
物質は、下記一般式（），（）又は（）で表
わされるアズレニウム塩化合物によつて構成され
る。アズレニウム塩化合物を使用した感光体は通
常可視領域から波長1000nm以上の赤外領域まで
感度があり、反転現像系を用いるようなイメージ
スキヤンレーザービームプリンターにも用いるこ
とが可能であり、またレーザービームプリンター
機能と原稿に光を当てその反射光又は原稿がフイ
ルムの場合その透過光を感光体に当て、感光体上
に潜像を形成するいわゆる電子写真式複写機能を
合わせもつた装置にも使用しうる。 一般式 一般式において、R1〜R7は、水素原子、ハロ
ゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又は
１価の有機残基を表わす。１価の有機残基として
は、広範なものから選択することができるが、特
にアルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ア
ミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチル
ヘキシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基
（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシな
ど）、置換もしくは未置換のアリール基（フエニ
ル、トリル、キシリル、エチルフエニル、メトキ
シフエニル、エトキシフエニル、クロロフエニ
ル、ニトロフエニル、ジメチルアミノフエニル、
α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換もしく
は未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フエニ
ルエチル、２−フエニル−１−メチルエチル、ブ
ロモベンジル、２−ブロモフエニルエチル、メチ
ルベンジル、メトキシベンジル、ニトロベンジ
ル）、アシル基（アセチル、プロピオニル、ブチ
リル、バレリル、ベンゾイル、トリオイル、ナフ
トイル、フタロイル、フロイルなど）、置換若し
くは未置換アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルア
ミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換若しくは未
置換スチリル基（スチリル、ジメチルアミノスチ
リル、ジエチルアミノスチリル、ジプロピルアミ
ノスチリル、メトキシスチリル、エトキシスチリ
ル、メチルスチリルなど）、ニトロ基、ヒドロキ
シ基、カルボキシル基、シアノ基又は置換若しく
は未置換アリールアゾ基（フエニルアゾ、α−ナ
フチルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノ
フエニルアゾ、クロロフエニルアゾ、ニトロフエ
ニルアゾ、メトキシフエニルアゾ、トリルアゾな
ど）を挙げることができる。又、R1とR2，R3と
R4，R4とR5，R5とR6およびR6とR7の組合せのう
ち、少なくとも１つの組合で置換又は未置換の芳
香族環（ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼ
ン、ブロモベンゼン、メチルベンゼン、エチルベ
ンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼンな
ど）を形成してもよい。 Ａは、２重結合によつて結合した２価の有機残
基を表わす。かかるＡを含む本発明の具体的な例
を下記一般式(1)〜(10)で表わされるものを挙げるこ
とができる。但し、式中のＱ は下記のアズレニ
ウム骨格を示し、式中のＱ を除く右辺がＡを示
している。 アズレニウム骨格Ｑ 一般式 式中、R1〜R7は前記で定義したものと同一の
定義を有する。 式中、R1〜R7は前記で定義したものと同一の
定義を有する。 式中、R′1〜R′7は、水素原子、ハロゲン原子
（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有
機残基を表わす。１価の有機残基としては、広範
なものから選択することができるが、特にアルキ
ル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−アミル、ｎ
−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシ
ル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置
換もしくは未置換のアリール基（フエニル、トリ
ル、キシリル、エチルフエニル、メトキシフエニ
ル、エトキシフエニル、クロロフエニル、ニトロ
フエニル、ジメチルアミノフエニル、α−ナフチ
ル、β−ナフチルなど）、置換もしくは未置換の
アラルキル基（ベンジル、２−フエニルエチル、
２−フエニル−１−メチルエチル、ブロモベンジ
ル、２−ブロモフエニルエチル、メチルベンジ
ル、メトキシベンジル、ニトロベンジル）、アシ
ル基（アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレ
リル、ベンゾイル、トリオイル、ナフトイル、フ
タロイル、フロイルなど）、置換若しくは未置換
アミノ基（アミノ、ジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベン
ゾイルアミノなど）、置換若しくは未置換スチリ
ル基（スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエ
チルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリ
ル、メトキシスチリル、エトキシスチリル、メチ
ルスチリルなど）、ニトロ基、ヒドロキシ基、カ
ルボキシル基、シアノ基又は置換若しくは未置換
アリールアゾ基（フエニルアゾ、α−ナフチルア
ゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノフエニル
アゾ、クロロフエニルアゾ、ニトロフエニルア
ゾ、メトキシフエニルアゾ、トリルアゾなど）を
挙げることができる。又、R′1とR′2，R′3とR′4，
R′4とR′5，R′5とR′6およびR′6とR′7の組合せのう
ち、少なくとも１つの組合で置換又は未置換の芳
香族環（ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼ
ン、ブロモベンゼン、メチルベンゼン、エチルベ
ンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼンな
ど）を形成してもよい。又、Ｑ で示すアズレニ
ウム骨格と前記式(3)における右辺のアズレン骨格
とは対称であつてもよく又は非対称であつてもよ
い。Ｚ は、前記で定義したものと同一の定義を
有す。R8は、水素原子、ニトロ基、シアノ基、
アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル
など）又はアリール基（フエニル、トリル、キシ
リルなど）を表わし、ｎは０，１又は２を表わ
す。 式中、R1〜R7およびＺ は前記で定義したも
のと同一の定義を有する。 式中、R1〜R7，R′1〜R′7およびＺ は前記で
定義したものと同一の定義を有する。 式中、Ｘはピリジン、チアゾール、ベンゾチア
ゾール、ナフトチアゾール、オキサゾール、ベン
ゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、イミダゾ
ール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾー
ル、２−キノリン、４−キノリン、イソキノリン
又はインドールなどの含窒素複素環を完成するに
必要な非金属原子群を表わし、かかる複素環に
は、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原
子）、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、
ブチルなど）、アリール基（フエニル、トリル、
キシリルなど）などによつて置換されていてもよ
い。R8はアルキル基（メチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなど）、置換アルキル基（２−ヒドロ
キシエチル、２−メトキシエチル、２−エトキシ
エチル、３−ヒドロキシプロピル、３−メトキシ
プロピル、３−エトキシプロピル、３−クロロプ
ロピル、３−ブロモプロピル、３−カルボキシプ
ロピルなど）、環式アルキル基（シクロヘキシル、
シクロプロピル）、アリル、アラルキル基（ベン
ジル、２−フエニルエチル、３−フエニルプロピ
ル、４−フエニルブチル、α−ナフチルメチル、
β−ナフチルメチル）、置換アラルキル基（メチ
ルベンジル、エチルベンジル、ジメチルベンジ
ル、トリメチルベンジル、クロロベンジル、ブロ
モベンジルなど）、アリール基（フエニル、トリ
ル、キシリル、α−ナフチル、β−ナフチル）又
は置換アリール基（クロロフエニル、ジクロロフ
エニル、トリクロロフエニル、エチルフエニル、
メトキシフエニル、ジメトキシフエニル、アミノ
フエニル、ニトロフエニル、ヒドロキシフエニル
など）を表わす。ｍは０又は１を表わし、Ｚ は
前記で定義したものと同一の定義を有する。 (7) Ｑ ＝CH−R9 Ｚ 式中、R9は置換又は未置換のアリール基（フ
エニル、トリル、キシリル、ビフエニル、α−ナ
フチル、β−ナフチル、アントラリル、ピレニ
ル、メトキシフエニル、ジメトキシフエニル、ト
リメトキシフエニル、エトキシフエニル、ジエト
キシフエニル、クロロフエニル、ジクロロフエニ
ル、トリクロロフエニル、ブロモフエニル、ジブ
ロモフエニル、トリブロモフエニル、エチルフエ
ニル、ジエチルフエニル、ニトロフエニル、アミ
ノフエニル、ジメチルアミノフエニル、ジエチル
アミノフエニル、ジベンジルアミノフエニル、ジ
プロピルアミノフエニル、モルホリノフエニル、
ピペリジニルフエニル、ピペラジノフエニル、ジ
フエニルアミノフエニル、アセチルアミノフエニ
ル、ベンゾイルアミノフエニル、アセチルフエニ
ル、ベンゾイルフエニル、シアノフエニルなど）
を表わし、Ｚ は前記で定義したものと同一の定
義を有する。 (8) Ｑ ＝CH−R10 Ｚ 式中、R10はフラン、チオフエン、ベンゾフラ
ン、チオナフテン、ジベンゾフラン、カルバゾー
ル、フエノチアジン、フエノキサジン、ピリジン
などの複数環から誘導された１価の複素環基を表
わし、Ｚ は前記で定義したものと同一の定義を
有する。 式中、R11は水素原子、アルキル基（メチル、
エチル、プロピル、ブチルなど）又は置換もしく
は未置換のアリール基（フエニル、トリル、キシ
リル、ビフエニル、エチルフエニル、クロロフエ
ニル、メトキシフエニル、エトキシフエニル、ニ
トロフエニル、アミノフエニル、ジメチルアミノ
フエニル、ジエチルアミノフエニル、アセチルア
ミノフエニル、α−ナフチル、β−ナフチル、ア
ントラリル、ピレニルなど）を表わす。R9およ
びＺ は、前記で定義したものと同一の定義を有
する。 (10) Ｑ ＝CH−Ｃ≡Ｃ−R9 Ｚ 式中、R9およびＺ は前記で定義したものと
同一の定義を有する。 又、式中のＺ は、パークロレート、フルオロ
ボレート、スルフオアセテート、アイオダイド、
クロライド、ブロマイド、Ｐ−トルエンスルホネ
ート、アルキルスルホネート、アルキルジスルホ
ネート、ベンゼンジスルホネート、ハロスルホネ
ート、ピクラート、テトラシアノエチレンアニオ
ン、テトラシアノキノジメタンアニオンなどのア
ニオン残基を表わす。 前述の一般式(1)〜(10)で表わされたアズレニウム
塩化合物の具体例については西独公開特許第
3320674号明細書に開示されている。 又、電荷発生層２と４のうち、何れか一方の電
荷発生層に前述のアズレニウム塩化合物と異なる
電荷発生物質（例えばジスアゾ顔料、トリヌアゾ
顔料、ピリリウム染料など）を用いることも可能
である。 この電荷発生性物質を、ポリエステル、ポリス
チレン、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロ
リドン、メチルセルロース、ポリアクリル酸エス
テル類、セルロースエステルなどの結着剤樹脂に
分散して形成される。その厚さは0.01〜1μ、好ま
しくは0.05〜0.5μ程度である。 また、電荷移送層３は主鎖又は側鎖にアントラ
セン、ピレン、フエナントレン、コロネンなどの
多環芳香族化合物又はインドール、カルバゾー
ル、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾー
ル、イミダゾール、ピラゾール、オキサジアゾー
ル、ピラゾリン、チアジアゾール、トリアゾール
などの含窒素環式構造を有する化合物、ヒドラゾ
ン化合物等の正孔輸送性物質を成膜成のある樹脂
に溶解させて形成される。これは電荷輸送性物質
が一般的に低分子量で、それ自身では成膜性に乏
しいためである。そのような樹脂としては、ポリ
カーボネート、ポリメタクリル酸エステル類、ポ
リアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポ
リサルホン、スチレン−アクリロニトリルコポリ
マー、スチレン−メタクリル酸メチルコポリマー
等が挙げられる。電荷移送層の厚さは５〜20μで
ある。 又、本発明は基体１として広範な導電性のもの
から選択することができる。具体的には、アルミ
ニウム、黄銅、ステンレス、ニツケルなどの金属
をシリンダーやプレート形状にしたもの、あるい
はアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズをプ
ラスチツクや紙に蒸着又はラミネートしたものア
ルミ蒸着のポリエチレンテレフタレートフイルム
などを挙げることができる。 又、基体１と電荷発生層２の間に設ける下引き
層（図示せず）としてはポリウレタン、ナイロ
ン、ポリビニルアルコール、エポキシ、ポリアミ
ド、ポリエステル、エリビニルアセテート、カゼ
イン、ニトロセルロール等使用する基体と密着性
の良いものを使用する。 実施例 １ 基体として60φ×260mmのアルミニウムシリン
ダーを用いた。 電荷発生物質として下記の構造をもつアズレニ
ウム塩化合物を用いた。 200ml三ツ口フラスコに３，４−ジヒドロキシ
−３−シクロブテン−１，２−ジオン1.2g
（0.0105モル）と、ｎ−ブタノール80mlを加え、
撹拌しながら100℃まで加熱し溶解させた。 次に、キノリン３ml、１，４−ジメチル−７−
イソプロピルアズレン4.46g（0.0225モル）および
ベンゼン30mlを順次フラスコ中に加え、反応を開
始させた。反応は95〜110℃において、ベンゼン
45ml、ｎ−ブタノール30mlを分割添加しながら、
水を共沸留去させて５時間行なつた。 反応液を冷却後、吸引過し、ｎ−ブタノール
50ml、メタノール100mlで順次洗浄し、粗顔料を
得た。 さらにテトラヒドロフラン100mlで２回煮沸、
過し、前述の構造をもつ化合物を得た。 この化合物15部（重量部以下同）にアクリル樹
脂（商品名：アクリベースCMZ−20、藤倉化成
(株)製、固型分40％）10部、トルエン40部を加え、
ボールミルにて４時間の分散を行い、この分散液
を上記シリンダーに浸漬法で塗布して50℃で20分
乾燥して0.5μ厚の電荷発生層を形成した。 次いで、下記構造式のヒドラゾン化合物を10部 およびスチレン−メタクリル酸メチル共重合樹脂
（商品名：MS200；製鉄化学(株)製）15部をトルエ
ン80部に溶解した。この液を上記電荷発生層上に
塗布して100℃で１時間の熱風乾燥をして、16μ
厚の電荷移送層を形成した。最後に前と同じ方法
で電荷移送層の上に電荷発生層を形成した。 実施例 ２ 実施例１で用いたアズレニウム塩化合物の代わ
りに次の構造をもつものを用いた。 アズレン0.64g、オルトギ酸エチル7.5mlそして
エタノール15mlより成る溶液を室温下に撹拌し、
この液中に70％過塩素酸1.25mlとエタノール7.5
mlより成る液を加えた。すぐに、黒色の針状晶の
析出が認められた。この液を40分間室温で撹拌し
た後、吸引過し化合物No.12を得た。エタノール
20mlで２回洗浄過した後、水30ml中に入れ30分
間撹拌後過した。次にエタノール20mlで再度洗
浄後乾燥した。 以下実施例１と同様にして感光体を作成した。 実施例 ３ 実施例１と同様の電荷発生層、電荷移送層を用
い基体と電荷発生層の間に共重合ナイロン樹脂
（商品名：アミランCM8000、東レ(株)製）10部
（重量部、以下同様）をメタノール60部、ブタノ
ール40部の混合液に溶解し、上記中間層上に浸漬
塗布して、1μ厚のポリアミド樹脂層をもうけた。 下引き層より上の層構成は実施例１と同様であ
る。 比較例 実施例１と同様に電荷移送層まで塗布したもの
で電荷発生層、電荷移送層は実施例１と同じもの
を使用した。 この各感光体をキヤノンPC20複写機の改造機
を用いて＋転写、反転現像系を用いて、一帯電画
像出しを行つた。 実施例１〜３で作成した電子写真感光体を用い
た画像は画像中心とA4画像で中心より一番距離
のある位置（いわゆる画像のカドに当たる部分）
との濃度差は0.01以内であつた。（原稿は濃度0.3
のものを使用、濃度はマクベスRD514濃度測定
機を用いた。）これに対し比較例の画像は中心と
カドとの濃度差は最大0.4の濃度差があつた。 又、正負両極性で帯電させて785nmの波長の半
導体レーザーを用いて感度を測定したところ、次
の結果を得た。
【表】
感度は半減露光量Ｅ1/2で示す。
発明の効果
以上説明したように本発明は、電荷移送層の上
下に電荷発生層を塗布することで正負両極の帯電
にも感度をもつ電子写真感光体を作成することが
できたものである。
下に電荷発生層を塗布することで正負両極の帯電
にも感度をもつ電子写真感光体を作成することが
できたものである。
第１図は本発明の電子写真感光体断面図の一部
である。１は導電性基体、２は電荷発生層、３は
電荷移送層、４は最上層部の電荷発生層を示す。
である。１は導電性基体、２は電荷発生層、３は
電荷移送層、４は最上層部の電荷発生層を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電荷移送層と電荷発生層からなる電子写真感
光体において、その層構成が基体の上に電荷発生
層を設け、その上に電荷移送層を、最上層部に再
び電荷発生層を設けている構成からなり、そのう
ち少くとも一方の電荷発生層に下記一般式（），
（）又は（）で表わされるアズレニウム塩化
合物を用いることを特徴とする電子写真感光体。 一般式 但し、一般式（），（）および（）におい
て、R1，R2，R3，R4，R5，R6およびR7は水素原
子、ハロゲン原子又は１価の有機残基を表わし、
又R1とR2，R3とR4，R4とR5，R5とR6およびR6
とR7の組合せのうち、少なくとも１つの組合せ
で置換又は未置換の芳香族環を形成してもよい。
Ａは、２重結合によつて結合した２価の有機残基
を表わす。Ｚ は、アニオン残基を表わす。 ２ 基体と電荷発生層の間に下引き層を設けた特
許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59120024A JPS60263946A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59120024A JPS60263946A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263946A JPS60263946A (ja) | 1985-12-27 |
| JPH0480387B2 true JPH0480387B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=14776019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59120024A Granted JPS60263946A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263946A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3583013D1 (de) * | 1984-12-19 | 1991-07-04 | Mitsubishi Chem Ind | Squarilium-verbindungen und fluessigkristallzusammensetzungen, die diese enthalten. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5953850A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Canon Inc | 光導電性被膜及びそれを用いた電子写真感光体 |
| JPS58214162A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-13 | Canon Inc | 有機被膜 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59120024A patent/JPS60263946A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60263946A (ja) | 1985-12-27 |
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