JPS5953850A - 光導電性被膜及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規な光導電性被膜及びそれを用いた高感度
の電子写真感光体に関するものである。

従来より、光導電性を示す顔料や染料については、数多
くの文献等で発表されている。

〜Ｐ、４１９（１９６２，９）ではフタロシアニン顔料
の光導電性についての発表がなされており、又このフタ
ロシアニン顔料を用いた電子写真感光体が米国特許第３
３９７０８６号公報や米国特許第３８１６１１８号公報
等に示されている。その他に、電子写真感光体に用いる
有機半導体としては、例えば米国特許第４３１５９８３
号公報、ているビＩＪ　リウム系染料、米国特許第３８
２４０９９号公報に示されているスクエアリック酸メチ
ン染料、米国特許第３８９８０８４号公報、米国特許第
４２５１６１３号公報等に示されたジスアゾ顔料などが
挙げられる。

こつ守な有機半導体は、無機半導体に較べて合成が容易
で、しかも要求する波長域の光に対してた導電性をもつ
様な化合物として合成することができ、この様な有機半
導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光体は
、感色性が良くなるという利点を有しているが、感度お
よび耐久性において実用できるものは、ごく僅して高感
度特性をもつ有機半導体の開発が活発になって来ている
が、長波長光に大きな吸光係数をもつ化合物は、一般的
に熱などに対して不安定であることが多く、わずかな温
度上昇によって分解されやすいなどの問題点を有してお
りこのため赤外感光性電子写真感光体の製造を実質的に
困！１１Ｌなものとしている。

従って、本発明の第１の目的は、新規な有機半導体を提
供することにある。

本発明の第２の目的は、新規な有機半導体被膜を提供す
ることにある。

本発明の第３の目的は、新規な有機半導体被膜を用いた
電子写真感光体を提供することにある。

本発明の第４の目的は、電子写真式複写機に適した電子
写真感光体を提供することにある。

本発明の第５の目的は、レーザ光線走査型電子写真方式
プリンタに適した電子写真感光体を提供することにある
。

本発明の第６の目的は、長波長域の光線に対して高感度
な特性を有する電子写真感光体を提供することにある。

本発明のかかる目的は、下記一般式［１〕、［：Ｉ］又
かま０で表わされるアズレニウム塩化合物によって達成
される。

一般式 一般式において、ＲＩ−’−Ｒ７は、水素原子、ハロゲ
ン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有
機残基を表わす。１価の有機残基としては、広範なもの
から選択することができるが、特にアルキル基（メテノ
ペ　エチル、ｎ　−フロビル、イノプロピル、ｎ−ブチ
ル、ｔ−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オク
チル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチルなど）、アル
コキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ
など）、置換もしくは未置換のアリール基（フェニル、
トリル、キシリル、エチルフェニル、メトキシフェニル
、エトキシフェニル、クロロフェニル、ニトロフェニル
、ジメチルアミノフェニル、α−ナフチル、β−ナフチ
ルなど）、置換もしくは未置換のアラルキル基（ベンジ
ル、２−フェニルエチル、２−フェニル−１−メチルエ
チル、ブロモベンジル、２−ブロモフェニルエチル、メ
チルベンジル、メトキシベンジル、ニトロベンジル）、
アシル基（アセチル、フロピオニル、ブチリル、バレリ
ル、ベンゾイル、トリオイル、ナフトイル、フタロイル
、７０イルなど）、置換若しくは未置換アミン基（アミ
ン、ジメチルアミノ、ジエチルアミン、ジエチルアミン
、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換若し
くは未置換ステリル基（スチリル、ジメチルアミノステ
リル、ジエチルアミノスチリル、ジエチルアミノスチリ
ル、メトキシスチリル、エトキシステリル、メチルステ
リルなど）、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基
、シアン基又は置換若しくは未置換アリールアゾ基（フ
ェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジ
メチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアソ、ニト
ロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾな
ど）を挙げることができる。又、Ｒｏと山、Ｒ３とＲ４
、Ｒ４とＲいＲ，とＲ６およびＲ６とＲ？の組合せのう
ち、少なくとも１つの組合で置換又は未置換の芳香族環
（ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼン、ブロモベン
ゼン、メチルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベン
ゼン、エトキシベンゼンなど）を形成してもよい。

Ａは、２重結合によって結合した２価の有機残基を表わ
す。かかるＡを含む本発明の具体的な例を下記一般式（
１）〜α０）で表わされるものを挙の けることができる。但し、式中のＱは下記のアズレニウ
ム骨格を示し、式中のＱｏを除く右辺がＡを示している
。

一般式 Ｒ６ 式中、Ｒ＋〜Ｒ７は前記で定義したものと同一の定義を
有する。

（２） Ｒ５ 式中、Ｒ１−Ｒ７は前記で定義したものと同一の定義を
有する。

（８）Ｒｔ Ｒ５ 式中、Ｒ（〜Ｒ７は、水素原子、・・ロゲン原子（塩素
原子、臭素原子、沃素原子）又は１価の有機残基を表わ
す。１価の有機残基としては、広範なものから選択する
ことができるが、特にアルキル基（メチル、エチル、ｎ
−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、
ｎ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチル
ヘキシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ基（メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、置換もし
くは未置換のアリール基（フェニル、トリル、キシリル
、エチルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニ
ル、クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノ
フェニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど）、置換も
しくは未置換のアラルキル基（ベンジル、２−フェニル
エチル、２−フェニル−１−メチルエチル、ブロモベン
ジル、２−　ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、
メトキシベンジル、ニトロベンジル）、アシル基（アセ
チル、グロビオニル、ステリル、バレリル、ベンゾイル
、トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど
）、置換若しくは未置換アミン基（アミン、ジメチルア
ミノ、ジエチルアミン、ジプロピルアミノ、アセチルア
ミノ、ベンゾイルアミノなど）、置換若しくは未置換ス
チリル基（ステリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチ
ルアミノスチリル、ジエチルアミノスチリル、メトキシ
ステリル、エトキシスチリル、メチルステリルなど）、
ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基又
は置換若しくは未置換アリールアゾ基（フェニルアゾ、
α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジメチルアミノ
フェニルアソ、クロロフェニルアソ、ニトロフェニルア
ゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾなど）を挙げる
ことができる。又、Ｒ；とＲｔ　１ＲｓとＲ，、Ｒ′４
とＲ：、Ｒ：とＲ（、卦よひＲコとＲ７の組合せのうち
、少なくとも１つの紹介で置換又は未置換の芳香族環（
ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼ
ン、メチルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼ
ン、エトキシペン■ ゼンなど）を形成してもよい。又、Ｑで示すアズレニウ
ム骨格と前記式（Ｃ）における右辺のアズレン骨格とは
対称であってもよく又は非対称であってもよい。２は、
前記で定義し／ζものと同一の定義を有す。Ｒ８は、水
素原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基（メチル、エ
チル、プロピル、ブチルなど）又はアリール基（フェニ
ル、トリル、キシリルなど）を表わし、ｎは０．　１又
は２を表わす。

Ｒ１ 式中、Ｒ，〜Ｒ７およびｚｏは前記で定義したものと同
一の定義を有する。

ｚＯ 式中、Ｒ１−Ｒ７、Ｒ：〜Ｒ（およびｚｏは前記で定義
したものと同一の定義を有する。

Ｏ 式中、Ｘけピリジン、チアゾール、ベンゾチアゾール、
ナフトチアゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール
、ナフトオキサゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾ
ール、ナフトイミダゾール、２−キノリン、４−キノリ
ン、イソキノリン又はインドールなどの含窒素複素環を
完成するに必要な非金属原子群を表わし、かかる複素環
には、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、沃素原子）
、アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど
）、アリール基（フェニル、トリル、キシリルなど）な
どによって置換されていてもよい。Ｒ，はアルキル基（
メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）、置換アルキ
ル基（２−ヒドロキシエチル、２−メトキシエチル、２
−エトキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、３−メト
キシプロピル、３−エトキシエチル、３−クロロプロピ
ル、３−）ａモプロビル、３−カルボキシプロピルなど
）、環式アルキル基（シクロヘキシル、シクロプロピル
）、アリル、アラルキル基（ベンジル、２−フェニルエ
チル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、α
−ナフチルメチル、β−ナフチルメチル）、置換アラル
キル基（メチルベンジル、エチルベンジル、ジメチルベ
ンジル、トリメチルベンジル、クロロベンジル、ブロモ
ベンジルなど）、アリール基（フェニル、トリル、キシ
リル、α−ナフチル、β−す７チル）又は置換アリール
基（クロロフェニル、ジクロロフェニル、トリクロロフ
ェニル、エチルフェニル、メトキシフェニル、ジメトキ
シフェニル、アミノフェニル、ニトロフェニル、ヒドロ
キシフェニルなど）を表わす。ｍ　Ｉｄ　Ｏ又は１を表
わし、２は前記で定義したものと同一の定義を有する。

■ （ア）　　　　Ｑ＝ＣＩ（−Ｒ１゜ ２θ 式中、Ｒ，、Ｖｉ置換又は未置換のアリール基（フェニ
ル、トリル、キシリル、ビフェニル、α−ナフチル、β
−ナフチル、アントラリル、ピレニル、メトキシフェニ
ル、ジメトキシフェニル、トリメトキシフェニル、エト
キシフェニル、ジェトキシフェニル、クロロフェニル、
ジクロロフェニル、トリクロロフェニル、ブロモフェニ
ル、−ジブロモフェニル、トリクロロフェニル、エチル
フェニル、ジエチルフェニル、ニトロフェニル、アミノ
フェニル、ジメチルアミノフェニル、ジエチルアミノフ
ェニル、ジベンジルアミノフェニル、ジエチルアミノフ
ェニル、モルホリノフェニル、ヒペリジニルフェニル、
ヒベラジノフェニル、ジフェニルアミノフェニル、アセ
チルアミノフェニル、ベンゾイルアミノフェニル、アセ
チルフェニル、ベンゾイルアミノル、シアノフェニルな
ど）を表わし、ＺＦｉ前記で定義したものと同一の定義
を有する。

式中、Ｒ，、ｕフラン、チオフェン、ベンゾフラン、チ
オナフテン、ジベンゾフラン、カルバゾール、フェノチ
アジン、フェノキサジン、ピリジンなどの複素環から誘
導された１価の複素環基を表わし、Ｚは前記で定義した
ものと同一の定義を有する。

■ （Ｉｌｌ）　　　　Ｑ　　＝ＣＨＣＨ＝ＣＲｈ。

Ｒ１！ 式中、Ｒｌｔは水素原子、アルキル基（メチル、エチル
、プロピル、ブチルなど）又は置換もしくケ未置換のア
リール基（フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、
エチルフェニル、クロロフェニル、メトキシフェニル、
エトキシフェニル、ニトロフェニル、アミノフェニル、
ジメチルアミノフェニル、ジエチルアミノフェニル、ア
セチルアミノフェニル、α−す７テル、β−ナフチル、
アントラリル、ピレニルなど）ヲ表・　θ わす。Ｒ８゜および２　は、前記で定義したものと同一
の定義を有する。

００）　　　　　■ Ｑ＝ＣＨ＝ＣミＣＲｈ。

０ θ 式中、Ｒ，、およびＺは前記で定義したものと同一の定
義を有する。

又、式中の２１−１、バークロレート、フルオロボレー
ト、スルフオアセテート、アイオダイド、クロライド、
フロマイト、Ｐ−トルエンスルホネート、アルキルスル
ホネート、アルキルジスルホネート、ヘンゼンジスルホ
ネート、ハロスルホネート、ビクラート、テトランアノ
エチレンアニオン、テトラシアノキノジメタンアニオン
などのアニオン残基を表わす。

以下、本発明で用いるアズレニウム塩化合物の具体例を
下記に列挙する。

７″′ ／′ ／ ／ ／ 前記一般式（１）で表わされる化合物の例（１）　　　
　　　　　　　　　　　１）（２）。

（３）。

（４ （力　　　　　　　　　　　　　　０ ｆ８）　　　　　　　　　　　　ｏ　　。

ＱＨｉ　　　　　　　　　　　　　　　ＱＨ＊１− ＣＨ。

前記一般式（５）で表わされる化合物の例（２Ｇ） （２７） （２８） ２ＣＩＣｈθ （２９） （３２） ＣＨ。

Ｈｓ ＣＩ。

前記一般式（７）で表わされる化合物の例（４１） （４２） （４５） （４７） （４９） （５４）　　　　　　　　　　　　　　　　　ｃａｎｓ
■ （５５） （５８） （５９）　　　　　　　　　　　Ｃ２Ｈ５■ （６０） ／“ ＣＩム 前記一般弐翰で表わされる化合物の例 ａｎ。

（７１） しｉ３ 一般式（１）および（２）で表わされる化合物は、アン
ゲパント　　ケミ Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ　　ｃｈｅｍｉｅ　　７Ｂ巻、Ｎ
ｏ、２０、Ｐ、９３７（１９６６年）に記載されている
様にアズレン化合物とスクワリツク酸又はクロコン酸と
適当な溶媒中で反応させることによって容易に得ること
が出来る。一般式（３）で表わδれる化合物において、
ｎ＝ｏの化合物はＬ許品’：ｒ’ｒ　ｔＬｃｈｅｍｉｃ
ａｌ！５ｏｃｉｅｔ）’　＋　Ｐ、　５０１　（１９６
０年）に記載されている１−フォルミルーアズレン化合
物とアズレン化合物どを強酸存在下適当な溶媒中で加熱
することによるか又は、Ｊｏｕｒｎａ／　ｏｆザ　　　
ケミ　カル　　　ツナイエティーｔｈｅ　　ｃｈｅｍｉ
ｃａ／　　５ｏｃｉｅｔ７　Ｐ、１７２４〜Ｐ、１７３
０（１９６１年）記載の様に１−エトキシメチレンアズ
レニウム塩化合物とアズレン化合物とを適当な溶媒中で
混合することによるか、あるいジャーナル　オプ　ザ　
　　ケミカル　　ツナイエティーは、Ｊｏｕｒｎａ／　
ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｈｅｍｉｃａｅＳｏｃｉｅｔ７　Ｐ、
３５９（１９６１年）記載の様に２−ヒドロキシメチレ
ン７クロヘキサノンとアズレン化合物とを強酸存在下適
当な溶媒中で加熱することによって得られる。一般式（
３）においてｎ＝１およびｎ＝２Ｐ、　３５９１〜Ｐ、
３５９２　（１９６１年）に記載されている様にアズレ
ン化合物とマロンジアルデヒド類又はグルタコンジアル
デヒド類とを強酸存在下適当な溶媒中で混合することに
よって得られる。

に記載されている様に強酸存在下アズレン化合物とゲリ
オキザールとを適当な溶媒中で加熱することによって容
易に得られる。

に記載されている様に強酸存在下１，３−シフオルミル
アズレン化合物とアズレン化合物とを適当な溶媒中で加
熱することにより得られる。

年）−に記載されている様に１−フォルミルアズレン化
合物と活性メチル基を有する複累環４級アンモニウム塩
化合物とを適当な溶媒中で加熱することによシ得られる
。

一般式（７）、（８１、（９）およびα１で表わされる
化合Ｐ、１１１０〜Ｐ、１１１７　（１９５８年）　、
Ｊｏｕｒｎａｌ！ｏｆｔｈｅ　ｃｈｅｍｉｃａ／　５ｏ
ｃｉｅｔｙ　Ｐ、　４９４〜Ｐ、　５０１　（１９６０
ジヤーナル　オプ　ザ　　　ケミｐル　　ソサイ子ティ
ー年）およびＪｏｕｒｎａ／　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｈｅｍ
ｔｃＢ／　５ｏｃｔｅｔｙＰ、　３５７９〜Ｐ、３５９
３　（１９６１年）に記載されている様にアズレン化合
物と対応するアルデヒド化合物とを強酸の存在下適当な
溶媒中で混合することによって得られる。

用いられる反応溶媒としては、エタノール、ブタノール
、ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセトニト
リル、プロピオニトリル等のニトリル類、酢酸などの有
機カルボンｒＲ類、無水酢酸などの酸無水物、ジオキサ
ン、テトラヒドロフランなどの脂環式エーテル類、など
が用いられる。また、ブタノール、ベンジルアルコール
などにベンゼンなどの芳香族炭化水素を混合することも
できる。反応中の温度は室温〜沸点の範囲から選択でき
る。

以下、本発明の化合物のうち代表的なものについてその
合成例を示す。

合成例１　（化合物Ｎｏ、３　） ２００ｍ７′三ツ口フラスコに３，４−ジヒドロキシ−
３−シクロプデンー１，２−ジオン１．２ｆ（０，０１
０５モル）と、ｎ−ブタノール８０　ｍｌを加え、攪拌
しながら１００°Ｃまで加熱し溶解させた。

次に、キン９フ３ イツプロビルアズレン４．４６ｆ　（０．０２２５モル
）およびベンゼン３　０　ｍｌ！をｊ暇次フラスコ中に
加え、反応を開始させた。反応は９５〜１１０°Ｃにお
いて、ベンゼン４５ｍＩ！、ｎ−ブタノール３０ｍ１！
を分割添加しながら、水を共沸留去させて５時間行なっ
た。

反応液を冷却後、吸引濾過し、ｎ−ブタノール５０ｍｅ
，メタノ−ｋ　１　０　０　ｍｌで順次洗浄し、粗顔料
を得た。

さらにテトラヒドロフラン１００ｍｅで２回煮沸濾過し
、化合物Ｎｏ．３を３．７２得た。収率７４．７’％融
点：２３７〜２３９°Ｃ（キャピラリー法）元素分析：
　　分子式　　　Ｃｓ　ａ　Ｉ（ｓ４　０ｐ計算値（７
）　　　分析値Ｃ′１０） Ｃ　　　　：　　　　　８６．０２　　　　　　　　Ｂ
５．９１Ｈ：　　　　７．２３　　　　　７．３４溶液
吸収スペクトル：クロロホルム中 λｍａｘ　　＝　　７　７　０　ｎｍ 合成例２　（化合物Ｎｏ．１２） アズレン０．６４ｆ，オルトギ酸エチル７、５ｍｌ！そ
してエタノール１５ｍ／より成る溶液を室温下に撹拌し
、この液中に７０チ過塩素酸１．２５ｍ／とエタノール
７、　５　ｍｌより成る液を加えた。すぐに、黒色の針
状晶の析出が認められた。この液を４０分間室温で攪拌
した後、吸引濾過し化合物Ｎｏ．　１　２を得た。エタ
ノール２　０　ｍｌで２回洗浄ｐ過した後、水３０ｍ／
中に入れ３０分間攪拌後濾過した。次にエタノール２０
ｍ１！で再度洗浄後乾燥した。畳量０．８７Ｆ（収率９
５チ）融点２２６０℃以上（キャピラリー法）溶液吸収
スペクトル：ジクロルメタン中λｍａｘ　　＝　　６２
３ｎｍ 元素分析：　　分子式　　　Ｃ２，Ｈ□Ｃ１０゜計算値
（働　　　分析値（働 Ｃ６８，７６６８，６１ Ｈ４，１３４，０３ Ｃｌ　　　　　　９．６６　　　　　９．３４合成例３
　（化合物Ｎｏ、１３） アズレン１．Ｏｆ、３−エトキシメチレングアイアズレ
ニウムバークロレート２．７７Ｆおよびメタノール４７
ｍ１より成る液を５分間攪拌環流させ、反応液を一晩放
置した。析出物を一過し、２０ｍ／のメタノールで洗浄
後乾燥し、粗生成物２、３５　ｆを得た。（粗状率６９
％）、粗生成物２．０ｇをアセトントリルにより再結晶
し、１．３Ｆの化合物Ｎｏ、　１３を得た。

融点＝１９４〜１９６°Ｃ（キャピラリー法）溶液吸収
スペクトル： λｍａｘ　、　　　６４８　ｎｍ 元素分析：　　分子式　　　Ｃ２，Ｈ２，ＣＩ！０゜計
算値（％）　　　分析値□□□） Ｃ７Ｌ４６　　　　７１．２４ Ｈ５，７８５，８１ Ｃ１８，１１８，１７ 合成例４　（化合物Ｎｏ、２１） １．４−ジメチル−７−イングロビルアズレン２．４Ｆ
、４０％グリ、１キザール水溶液３．Ｏｆ、アセトニト
リル５０　ｍｌそして７０％過塩素酸３、０　ｍｌより
成る液を７５〜８０″Ｃで４分間加熱攪拌し、放冷した
。翌日析出物を濾過し、アセトニトリル１５ｍ／で洗浄
・濾過後乾燥して化合物Ｎｏ、　２１を１．５３Ｆ得た
。（収率４０．８　％　）融点：２６０℃以上（キャピ
ラリー法）溶液吸収スペクトル：アセトニトリル中λｒ
ｎａｘ　　＝　　５３４ｎｍ 元素分析：　　分子式　　　Ｃ，、Ｈ，。Ｃ／、Ｏ。

言１算値（→　　　分析値（鉤 τ Ｃ６２，０３６１，９７ Ｈ５，８７５，９６ Ｃｌ　　　　　１１．４４　　　　１１．７８合成例５
　（化合物Ｎｏ、２６） 氷酢酸７０ｍｅ中に１．３−シフオルミルアズレン１．
４ｆと１．４−ジメチル−７−イツプロビルアズレン３
．０ｇを加え、加ＦＡ攪拌し、１０５　’Ｃとしだ。こ
の液ＶＣ７０％過塩素酸３．４　ｍｌを加え、同温度で
５分間加熱後−晩装置した。析出物を濾過し氷酢酸１０
ｍｅで洗浄濾過後、水５０ｍｅで２回洗浄濾過後乾燥し
、粗染料２．４Ｆを得た。

（粗状率６５チ）粗生成物２．Ｏｆをアセトニトリルに
より再結晶して化合物Ｎｏ、　２６を１．２Ｆ得た０ 融点：２６０°Ｃ以上（キャピラリー法）溶液吸収スペ
クトル：氷酢酸中 λｍａｘ　　＝＝　　６６０ｎｍ 元素分析：　　分子式　　　Ｃ０瓜、ＣＩ！、Ｏ。

計算値（襲）　　　分析値（ｎ Ｃ６７，６４６７，７６ １（５，６９５，７８ Ｃｅ　　　　　　９．５１　　　　　９．３１合成例６
　（化合物Ｎｏ、３４） １−フォルミルー５−インプロビル−３，８−ジメチル
アズレン０．６Ｏｆ、４−メチル−１−エチルキノリニ
ウムアイオダイド０．７９７’、ピペリジン１．８　ｍ
ｌ！そしてエタノール２２　ｍｌより成る液を加熱攪拌
し、液温７５〜８０　’０で１０分間反応δせた後、−
晩装置した。析出した結晶を濾過し、エタノール１０ｍ
１！で２回洗浄濾過後乾燥し、０．７２Ｆの化合物Ｎｏ
、３４を得た。

（収率５５％） 融点＝２４３〜５°Ｃ（キャピラリー法）溶液吸収スペ
クトル：ジクロルメタン中λｍａｘ　　＝　　６４４ｎ
ｍ 元素分析：　　分子式　　　Ｃ□Ｈ，ｏＩＮ劃算側（ト
）　　　分析値（に） Ｃ６６，２６６６，３４ ＩＩ　　　　　　５．９７　　　　　５．８１Ｎ　　　
　　　２．７６　　　　　２．７１１　　　　２５．０
１　　　　２５．１４合成例７　（化合物Ｎｏ、３９） Ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド５．９６ダ、７０
チ過塩素酸１０ｒｒ＋ｅとテトラヒドロフラン４００ｍ
ｅより成る液に、１，４−ジメチル−７−イツプロビル
アズレン７．９２Ｆとテトラヒドロ−フラン４００ｍ／
よりなる溶液を室温下に滴下し、２時間攪拌し、−晩装
置した。析出物を濾過し、テトラヒドロフラン１００ｍ
１！で３回洗浄濾過を行った。次に、水２００ｍ／で２
回洗浄濾過し、さらにテトラヒドロフランｌｏｏｍｌ！
で洗浄ｐ追抜乾燥し、化合物Ｎｏ、　３９を１０．４０
ｆ得た０（収率６０．６チ、） 融点：１６０．５〜１６２℃（キャピラリー法）溶液吸
収スペクトル；アセトン中 λｍａｘ　　　　　６４０　ｎｍ 元素分析−分子式　　　ｃ、４Ｈ，、ｃｌ！Ｎｏ。

計算値（→　　　分析値（ト） Ｃ６７，０４６７，１７ Ｈ６，５８６，６８ Ｎ　　　　　　３．２６　　　　　３．１９Ｃ１！　　
　　　８．２５　　　　　８．１６合成例８　（化合物
Ｎｏ、　５０　） Ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド１．５０　ｆ　。

７０％過塩素酸５．０　ｍｅと酢酸１５０ｍｅよりなる
溶液中にアズレン１．２８Ｆと酢酸１５０　ｍｌよりな
る溶液を室温下に滴下し、１時間攪拌した。

析出物を濾過し、酢酸１００ｍ／で洗浄後、水２５０ｍ
１！中に投入し、３０分１■拌後濾過した。

次に水２００ｍ１！で洗浄濾過を７回行なった後乾燥し
、化合物Ｎｏ、５０を２．４１Ｆ得た。　（収率６７．
０％） 融点：２６０℃以上　（キャピラリー法）溶液吸収スペ
クトル：アセトニトリル中λｍａ：ｘ　　　６３４　ｎ
ｍ 元素分析；　　分子式　　　Ｃ１゜Ｈ，、ＣＩ！ＮＯ。

計算値（×）　　　分析値（２ン Ｃ６３，４２６４，５８ Ｈ５，０５５，３２ Ｎ　　　　　　　　　　３．８９　　　　　　　　　４
．０４Ｃ／　　　　　　９．８５　　　　　９．６４合
成例９　（化合物Ｎｏ、５４） デトラヒドロフラン１６０ｍ／中にＮ−エチル−３−ホ
ルミルカルバゾール２．２６ｆとグアイアズレン（アル
ドリッチ・ケミカル社製二０１．１００−４　）　２．
Ｏｆを加えて、溶解した後、室温下で７０％過塩素酸５
．０　ｍｌを加えて加熱し、液温６０℃〜６５°Ｃで１
０分間反応させた。その後、冷却し、−昼夜族Ｉ谷後、
生成した析出物を戸別した後、４０ｍ１のテトラヒドロ
フランで４回洗浄およびＦ　Ａを繰り返し、乾燥して粗
生成物３．３７Ｆ（粗状率６６．２チ）を得た。次に、
この粗生成物０．９１をメチルエチルケトンとアセトニ
トリルの混合溶媒（メチルエチルケトン：アセトニトリ
ル＝８：５）により再結晶し、Ｘ−７ｔ　ＩＱ化合物Ｎ
ｏ、５４を０．４’ｌｆ得た０融点：２０６°Ｃ〜２０
８℃（キャピラリー法）ｆｆｌ液吸収スペクトル（ジク
ロルメタン中）：λ　ｍａｘ　　＝　　６１２ｎｍ 元素分析：　　分子式　　　Ｃ３ｏ）ＩｓＯＣ／ＮＯ４
計算値（ワ）　　　分析値（％Ａ） Ｃ７１，４８７２，０４ Ｈ６，０１６，１４ Ｎ　　　　　　２．７８　　　　　２．８０ＣＩ！７．
０３　　　　　７．０１ 赤外吸収スペクトル：第１図に示す特性合成例１０　（
化合物Ｎｏ、６３） 酢９５０ｍ／’中にｐ−ジメチルアミノシンナミックア
ルデヒド１．７７Ｆとグアイアズレン（アルドリッチ・
ケミカル社Ｈ：　Ｇ　１．　ｌ　ＯＯ−４）２、Ｏｆを
加えて、溶解した後、１０３℃に加熱した。次いで、７
０チ過塩素酸１０ｍ１！を加えた後、１０３℃〜１０６
℃で２０分間加熱しながら攪拌した後冷却した。この反
応液を一昼夜放置して生成した析出物を戸別し、これを
５０　ｍｌの酢酸で３回洗浄した。次に、２５０ｍｊ’
の水で２回洗浄および濾過を繰り返した後、２５０ｍＩ
！のエチルアルコールで２回洗浄および濾過を繰ジ返し
てから、乾燥したところｘ、５ｅｐ（収率４０．９脂％
）の化合物Ｎｏ、　６３を得た。

溶液吸収スペクトル（ジクロルメタン中）：λｍａｘ　
　＝　　７２８ｎｍ 元素分析：　　分子式　　　ＣｚｓＨｓ。ＣｆＮＯ６計
算値（＠　　　分析値（＠ ＣＧＢ、４８　　　　６８．５７ Ｈ６，６４６，７３ Ｎ　　　　　　３．０７　　　　　３．１４Ｃｅ　　　
　　　７゜７７　　　　　７．６４赤外吸収スペクトル
：第２図に示す特性合成例１１　（化合物Ｎｏ、６８） グアイアズレン３．０ｇ、７０％過塩素酸２．５ｍｅそ
してアセトニトリル４０ｍ１より成る液にフェニルプロ
バラギルアルデヒド（アルドリッチ・ケミカル社３Ｊ：
　Ｐ　３，１００−０　）　２．０１とアセトニトリル
２０ｍｅＪ：５成る液を室温下に滴下し、２時間攪拌し
た。析出物を濾過し、アセトニトリル’１０ｍ１で２回
洗浄濾過し、乾燥した。

得−欧３．７３Ｆ（収率６０．０％） 融点：１９９〜２００°０（キャピラリー法）λｍａｘ
　　　　５０１　ｎｍ 元素分析：　　分子式　　　Ｃ，、Ｈ２，Ｃ１０゜言１
算値（ｎ　　　　分析値（＠ Ｃ７０，１５７０，０６ ｉＩ　　　　　　５．６５　　　　　５．７４ＣＩ！８
．６３　　　　　８．６８ 前述のアズレニウム塩化合物を有する被膜は光導電性を
示し、従って下達する電子写真感光体の感光層に用いる
ことができる。

すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のアズレニウム塩化合物を真空蒸着法により被膜形成す
るか、あるいは適当なバインダー中に分散含有させて被
膜形成することにより電子写真感光体を調製することが
できる。

本発明の好ましい具体例では、電子写真感光体の感光層
を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した１ｙ子写真感
光体における電荷発生層として、前述の光導電性被膜を
適用することができるＯ １し荷発化層針］、十分な吸光度をイ（（−るために、
できる限り多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し
、且つ発生した電荷キャリアの飛程を短かくするために
薄膜層、例えば５ミクロン以下、好ましくは０．０１ミ
クロン〜１ミクロンの）１４γ厚を・もつ薄１１ケ層と
することが好オしい。このことは、入射光量の大部分が
電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャリアを生成す
ること、さらに発生した電荷キャリアを４”ｆ結合や補
脚（トラップ）によシ失活することなく電荷輸送層に注
入する必要があることに帰因している。

電荷う＾化層は、前述の化合物ｆ：適当なバインダーに
分散させ、これを粘体の上に塗工することによって形成
でき、また真空蒸着装置％（により蒸着膜を形成するこ
とに７よってｍることかできる。電荷発生層を塗工てよ
って形成する際に用いうるバインダーとしては広範な絶
縁性樹脂から選択でき、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ール１ポリビニルア／トラセンやポリビニルピレンなど
の有機光導電性ポリマーから選択できる。

好廿しくけ、ポリビニルブチラール、ボリアリレート（
ビスフェノールＡと７タル酸の縮重合体など。）ポリカ
ーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸
ビ′ニル、アクリル樹ＢＷ、　ポリアクリルアミトイ（
ンｊ　Ｉｌｉ　ｓ　ポリアミド、ポリビニルピリジン、
セルロース系本・−４脂、ウレタン樹脂、エポキシ４σ
（脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピ
ロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。電荷
発生層中に含有する樹脂は、８０Ｍ量係以下、好ましく
は４０重量以下下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、わ４脂の種類によって
異なり、寸だ下達の電荷輸送層や下引層を溶解しないも
のから選択することが好ましい。具体的な有機溶剤とし
ては、メタノール、エタノール、イソプロパンールなど
のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド〃どのアミド類
、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサ／、エチレングリコールモノメ
チルエーテル−１ト（Ｄエーテル類、酢酸メチル、酢酸
エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン
、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン
などの脂肪族）・ロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン
、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼ
ン、シクロルベンゼンナトノ芳香族類などを用いること
がでへる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ピードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーディング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥は、３０℃〜２００　℃の温度で５分〜
２時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうこと
ができる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生１−から注入された電荷
キャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを
表面まで輸送できる機能を有している。この際、この電
荷輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくま
だその下に積層されていてもよい。しかし、電荷輸送層
は、電荷発生層の上に積１−されていることが望ましい
。

電荷輸送層における電荷キャリアを輸送する物質（以下
、単にＴｔｉ荷輸送物質という）は、前述の電荷発生層
が感応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であるこ
とが好ましい。ここで言う「電磁波」とは、γ腺、Ｘ線
、紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線など
を包含する広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送
層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致塊たけオ
ーバーラツプする時には、両者で発生した電荷キャリア
が相互に補脚し合い、結果的には感度の低下の原因とな
る。

電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、２，４．７−ドリニトロー９−フルオレノン、
２．４．５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２
，４．７−１リニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレ
ノン、２、４．５．７−ケトンニトロキサントン、２．
４．８−ある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−イングロビル力ルバゾー＃、Ｎ’−／’　チ
ル−Ｎ−７エニルヒトラシノー３−メチリデン−９−エ
チルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３
−メチリデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフ
ェニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチルフェ
ノデアジン、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−１０−エチルフェノキサジン、Ｐ−ジエチルア
ミノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン
、Ｐ−ジェチルアミノベンズア、ルデヒドーＮ−α−ナ
フチルーＮ−フェニルヒドラゾ／、Ｐ−ピロリジノベン
ズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、１，３
．３−）ジメチルインドレニン−ω−アルデヒド−Ｎ、
Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｐ−ジエチルベンズアルデ
ヒド−３−メチルペンズチアゾリノンー２−ヒドラゾン
等のヒドラゾン類、２，５−ビス（Ｉ）−ジエチルアミ
ノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１−フ
ェニル−３−（Ｐ−シェアルアミノスチリル）−５−（
Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ／、１−Ｃキノ
リル（２）　１−３−　（Ｐ−ジエチルアミノスチリル
）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
■−〔ピリジルＣ２）〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［’６−メドキシーピリジル（２）　）　−３
−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（ａ＋
）−３−（Ｐ　−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ
−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、］−〔レビジ
ルｔ２）］　−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
ｓ−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−
〔ピリジル（２）　）　−３−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−４−メチ＃−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２）　）　−’３
−（α−メチル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ヒラソリン、１−フェ
ニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチ
ル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ヒラゾリン、
ｌ−フェニル−３−（α−ベンジル−ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、２−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジニチルアミノ
ベンズオキサゾール、２−（Ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）−４−（Ｐ−ジメチルアミンフェニル）−５−（２
−クロロフェニル）オキサゾール等のオキサゾール系化
合物、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジニ
チルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、
ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−フ
ェニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、１．１
　　　　“−ビス（４−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ−２−
メチルフェニル）へブタンｓ　　１，１，２．２−テト
ラ＊ｘ（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ−２−メチルフェ
ニル）エタン等のボリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニル
ピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリ−９−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−
ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアル
デヒド樹脂等がある。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−チ
ルルアモルフアズシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１′ｌｒＡまだは２種
以−ヒ組合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレン、アクリロニトリルースチレンコホリマー、
アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニル
７”　−ｊ−ラール、ポリビニルホルマール、ポリスル
ポン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムな
どの絶縁性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの
有機赤酒電性ポリマーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５ミクロン〜３０ミクロンであるが、好寸しい範
囲は８ミクロン〜２０ミクロンである。塗工によって電
荷輸送層を形成する際には、前述した様な適当なコーテ
ィング法を用いることができる。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなるに
３光層は、導電層を有する法体の上に設けられる。導電
層を有する部体としては、貼体自体が導電性をもつもの
、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、
ステンレス１、バナジウム、モリブデン、クロム、チタ
ン、ニッケル、インジウム、金や白金などを用いること
ができ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸
化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金な
どを真空蒸着法によって被膜７（４成された層を有する
プラスチック（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリ
ル樹脂、ポリフッ化エチレンなど）、導電性粒子（例え
ば、カーボンブラック、銀粒子など）を適当□ナバイン
ダーとともにプラスチックの上ニ被覆しだ基体、導電性
粒子をプラスチックや紙に含浸した基体や導電性ポリマ
ーを有するプラスチックなどを用いることができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン６６、ナイロ／６１０、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成でき下引層の膜厚ｉ
、ｊ：、０．１ミクロン〜５ミクロン、好ましくは０５
ミクロン〜３ミクロンがつ商当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷琴化層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。

この様にしてできだ静電潜像を負荷電性のトナーで現像
すれば可視像が待られる。これを直接定着するか、ある
いはトナー像を紙やプラスチックフィルム等に転写後、
現像し定着することができる。

また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があシ、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中オロ
し、表面電位場合とは逆に正電荷性トナーを用い・１、
る必要がある。

また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾ−類）トリアリ
ールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフェ子ル
アミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光導
電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの無
機光導電性物質の増感剤として前述の化合物を含有させ
た感光被膜とすることができる。この感光被膜は、これ
らの光導電性物質と前述の化合物をバインダーとともに
塗工によって被１１荷形成される。

いずれの感光体においても、一般式〔■〕又は〔■〕で
示される化合物から選ばれる少なくとも１種類のアズレ
ニウム塩を含有し、必要に応じて光吸収の異がる仙の光
導電性顔料や染料を組合せて使用することによって、こ
の感光体の感度を高めたり、あるいはパンクロマチック
な感光体として調製することも可能である。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

実施例１〜２５ アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン１
１．２ｐ、２８係アンモニア水１７、水２２２　ｍｌ　
）をマイヤーバーで、乾燥後の膜厚が１．０ミクロンと
なる様に塗布し、乾燥した。

次に、ブチラール樹脂（ブチラール化１１ｆｆｉ６３ソ モ＃％　）　２　ｙ　ヲイ％７’ロピルアルコール９５
ｍｔで溶かした溶液に、下ｉｉ２表に挙げた２５種のア
ズレニウム塩５ｙを各々加えて２０種の塗工液をａ’Ｊ
製した。

各塗工液をアトライターで分散した後、それぞれ前述の
カゼイン下引層の上に乾燥後の膜厚が０１ミクロンなる
様にマイヤーノぐ−で塗布し、八 乾燥（２て電荷もＧ中層を形成させた。

次いで、溝端式 のヒドラゾン化合物５７とポリメチルメタクリレート樹
脂（数平均分子量１００，０００　）　５　ｆをベツゼ
ン７０ｍ１Ｋ溶ブψｌ、これを電荷発生層の上に乾燥後
の膜厚が１２ミクロンとなる様にマイヤーバーで塗布し
、乾燥して電荷輸送層を形成した。

この様にして作成した２５種の電子写真感光体を川口１
（を機＠製静電複写紙試験装置Ｍｏ　ｄ　ｅ　ＬＳＰ−
４２８を用いてスタチック方式で一５ＫＶでコしす帯電
し、暗所で１０秒間保持した後、照度５　Ｌｕｘで露光
し帯電特性を調べだ。

帯電特性としては、初期イｔ７　ｔＧ、電位（Ｖｏ）と
１０秒間８１’を減衰させた時の電位を怪に減衰するに
必要な露光Ｊｔｋ　（Ｌ　’６）を３ＩＱだしノ３−０
この結果を第１表に示す。又、１０秒間暗減衰させた時
の電荷保持率をＶＫ（％）で表わした。

第　　１　　表 ５　　（９）　　５６０８５　１８．７６　　（１０）
　　５７０８９　１０．５７　　（１，２）　　６００
８５　７．４２５　　ωＢ）　　５７０８７　３１．４
実施例２６ ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン２００）５
ｙと１−〔ピリジル−（２）　：］　−３−（４−Ｎ、
Ｎ−ジエチルアミノスチリル）　−５−（４−Ｎ、Ｎ−
ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン５１をメチルエチ
ルケトン８０ｍｔに溶解した後、前述のアズレニウム塩
化合物Ａ（１）、　　１．Ｏｙを添加し分散後、アルミ
ニウム蒸着したポリエステルフィルム上に塗布乾燥し、
乾燥膜厚１３ミクロンの感光層を有する感光体を作成し
た。

この感光体の特性を実施例１と同様の方法によって初期
帯電電位（ＶＯ）％　１０秒間暗減衰させた時の電荷保
持率（ＶＩｃ）および１０秒間暗減衰させた時の帯電電
位を匂に減衰するに必要な露光量（Ｅｌ、６）を測定し
たところ、下記のとおりであった。

Ｖｏ　：　　−４８０Ｖ ＶＩ（：　　８２チ Ｅｌ、ｇ　　：　　２８．７　ｔｕｘ″ｓｅｅ前記実施
例２６の感光体を調製した時に用いたアズレニウム塩化
合物Ａ（１）に代えて、下記表に挙げだアズレニウム塩
化合物を用いたほかは、実施例２３と全く同様の方法に
よって感光体を作成し、各感光体の帯電特性を測定した
。

これらの結果を第２表に示す。

第　　２　　表 ２７　　（２）　　−５００８４２９，７２８（３）　
　−５１０８８３０，７ ２９（１０）　　−４７０８７４８，３３０（１２）　
　−５００，８６２８，１３１、（１７）　　−４８０
８４２７，３３２（２２）　　−５１０９０５７，０３
３（３４）　　−４６０８８’　　４０．５：（４（５
０）　　−５１０８７３５，８！５Ｓ …　（（ｉｎ）　　−５００８５２１，２ポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾールＩｇと前述のアズレニウム塩化合物Ａ
　（３９）　Ｓｒｎｇを１，２−ジクロルエタン１０ｇ
に加えた後、十分に攪拌した。こうして調製した塗工液
をアルミニウム蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの上に乾燥膜厚が１５ミクロンとなる様にドクタ
ーブレードにより塗布した。

この感光体の帯電特性を実施例１と同様の方法によって
測定した。但し、帯電極性は■とした。この結果を下記
に示すＯ Ｖｏ　　：　　＋４７０ボルト ｖＫ　：　８３％ ＥＨ４：　　２９．７１．ｕｙｃ　、　ｓｅｅ実施例３
Ｇ 〕　δ 前記実施例刊の電子写真感光体を調製した時に用いたア
ズレニウム塩化合物Ａ（３９）に代感光体を調製した後
、この感光体の帯電特性を測定した。この結果全下記に
示す。但し、帯電極性を■とした。

Ｖｏ：＋４６０ボルト ＶＫ：８１チ ＥＨ：　　３５．７　／ｌｕｘ、　ｓｅｃ実施例３７ 微粒子酸化亜鉛（堺化学■製Ｓａｚｅｘ２０００）１０
ｇ、アクリル系樹脂（三菱レーヨン■製ダイヤナールＬ
ＲＯＯ９）４ｇ、　トルエン１０ｇおよび前記例示のア
ズレニウム塩化合物Ａ（２０）１０ｍｇｔ−ボールミル
中で十分に混合し、得られた塗工液をアルミニウム蒸着
したポリエチレンテレフタレートフィルムの上にドクタ
ーブレードにより乾燥膜厚が２１ミクロンになる様に塗
布し、乾燥して電子写真感光体を調製した。

この電子写真感光体の分光感度を電子写真法の分光写真
により測定したところ、前述のアズレニウム塩化合物を
含有していない酸化亜鉛被膜に較べて、本実施例の感光
体は長波長側に感度を有していることが判明した。

実施例３８ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚１．１ミクロンのポリビニルアルコールの
被膜を形成した。

次に、実施例３９のアズレニウム塩化合物を含有した塗
工液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に、乾
燥後の膜厚が０．１ミクロンとなる様にマイヤーバーで
塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。

次いで、宿造式 のピラゾリン化合物５ｇとボリアリレート樹脂（ビスフ
ェノールＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体）
５ｇｋテトラヒドロフラン７０ｍ１ｌに溶かした液を電
荷発生層の上に乾燥後の膜厚が１０ミクロンとなる様に
塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。

こうして調製した感光体の帯電特性を実施例３と同様の
方法によって測定した。この結果を下記に示す。

Ｖｏ　：　　−５６０ボルト ＶＫ：８６％ ＥＨ：　　８．６　ｌｕｘ　−ｓｅｅ 実施例３９ アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水溶
液（カゼイン１１．２ｇ、２８％アンモニア水１ｇ、水
２２２ｍＡ）を浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して
塗工量１．０ｇ／フィの下引層を形成した。

次に、前述のアズレニウム塩化合物Ａ（８）（７）１重
量部、ブチシール樹脂（エスレックＢＭ−２＝積水化学
■製）１重量部とインプロピルアルコール３０重量部ｔ
ボールミル分散機で４時間分散した。この分散液を先に
形成した下引層の上に浸漬コーティング法で塗工し、乾
燥して電荷発生層を形成した。この時の膜厚は０．３ミ
ク次に、Ｐ−ジエテルアミノペンズアルデヒド−Ｎ−フ
ェニル−Ｎ−α−ナフテルヒドシゾン１重仕部、ポリス
ルホン樹脂（ＰＬ７００：ユニオンカーバイド社Ｍ）、
１Ｍ％部とモノクロルベンゼン６重量部を混合し、攪拌
機で攪拌溶解した。この液を電荷発生層の上に浸漬コー
ティング法で塗工し、乾燥して電荷輸送層全形成した。

この時の膜厚は、１２ミクロンであった。

こうし−Ｃ調製した感光体に一５ｋＶのコロナ放電を行
なった。この時の表面電位を測定した（初期電位Ｖｏ）
ｏ　　さらに、この感光体を５秒間暗所で放置した後の
表面電位を測定した（暗減衰Ｖｘ）ｏｇ度は、暗減衰し
た後の電位ＶＫをｌ／２に減衰するに必要な露光量（Ｅ
ｉマイクロジュール／　ａＩｙ　）　’ｆｃ測定するこ
とによって評価した。

この際、光源としてガリウム、アルミニウム・ヒ素半導
体レーザー（発振波長７８０ｎｍ）を用いた。これらの
結果は、次のとおりでめった。

Ｖｏ：　　　５２０ボルト Ｖｘ：９２　チ ｇＨ：　　２．２−ｖイクロジュール／ａｔ実施例４０
〜５２ 実施例３９．で用いたアズレニウム塩化金物屋（３）に
代えて、第３表に示す化合物をそれぞれ用いたほかは、
実施例３９と全く同様の方法で感光体を調製し、この感
光体の特性を測定した。

これらの結果を第３表に示す。

第３表 ） ４０　　　　　（１）　　　　−５３０８９２，１４１
（２）　　　　−５２０８６２，５４２（９）　　　　
−５１０８７４４ ４３（１０）　　　　−５４０８５２，０４４（１２）
　　　　−，５５０８２６，５４５（１３）　　　　−
５６０８４１３，２４６（２１）　　　　−５５０８３
２４，６４７（２５）　　　　−５１０８６ｔ６．９４
８　　　　　（３４）　　　　−５２０８８５，７４９
（３９）　　　　−５８０８６４，９５０（５０）　　
　　　５５０　８２　　　　６．４５１　　　　　（５
４）　　　　　５６０　８４　　　１２．０５２（６３
）　　　　　５５０　８５　　　　２．３実施例５３ 厚さ１００ミクロン厚のアルミ板上にカゼインのアンモ
ニア水溶液ｆｆ：塗布し、乾燥して膜厚１、１ミクロン
の下引層ケ形成した。

次に、２．４．７−ドリニトロー９−フルオレノン５ｇ
とポリ−Ｎ−ビニルカルバシー／’（ａ−”Ｆ均分子量
３ｏｏ、ｏｏｏ）ｓｇをナト２ヒドロフシン７０ｍ１に
溶かして電荷移動錯化合物を形成した。

この電荷移動錯化合物と前述のアズレニウム塩化合物ｓ
＜ｓ）　ｉ　ｇ　ｒ、（ポリエステル樹脂（バイｇｙ：
東洋紡製）５ｇｆｆｉテト２ヒドロフシン７０ｍ１に溶
かした液に加え、分散した。この分散液を下引層の上に
乾燥後の膜厚が１２ミクロンとなる様に塗布し、乾燥し
た。こうして調製した感光体の帯電特性全実施例３９と
同様の方法で測定した。これらの結果は、次のとおりで
あった。

但し、帯！極性は■とした。

Ｖｏ　　：　　Ｇノ４．　６　０　　ポ゛ルトＶｘ　　
：　　　９　１　　チ Ｅ％：、５．３マイクロジユ一ル／ａｒ！実施例５４ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚１．１ミクロンのポリビニルアルコールの
被膜を形成した。

次に、実施例３９で用いた前述のアズレニウム塩化合物
ｉｉ　（ａＪの分散液全光に形成したポリビニルアルコ
ール層の上に、乾燥後の膜厚が０，５ミクｐンとなる様
にマイヤーバーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成し
ｌこ。

次に、構造式 のピラゾリン化合物５ｇとボリアリレート樹脂（ビスフ
ェノールＡとテレノタル酸−イソ７タル酸の縮重合体）
５ｇ’にテトラヒドロフラン７０ｍ１ｌに溶かした液ｔ
−電位発生層の上に乾燥後の膜厚が１０ミクロンとなる
様に塗布し、乾燥して電荷輸送Ｊ′９！Ｊを形成した。

こうして調製した感光体のに電特性を実施例３９と同様
の方法によって測足した。これの結果は次のとおりであ
った。

Ｖｏ：５１０ボルト ＶＫ　　：　　９０チ Ｅ！Ａ：３．２−ｖイクロジュ−ル／ａｔ

【図面の簡単な説明】

ｉ１図は、化合物Ａ　（５４）　　の赤外吸収スペクト
ルを示す説明図、第２図は化合物ム（６３）の赤外吸収
スペクトルを示す説明図である。 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月Φ日 特許庁長官　　若　杉　和　夫　　殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１６５２６．３号 ２、発明の名称 光導電性被膜及びそれを用いた電子写真感光イ３、補正
をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１，０
０）キャノン株式会社 代表者　賀来龍三部 ４、代理人 居　所　　〒１４６　東京都大田区下丸子３−３０−２
．４許停＼ ５、補正の対象 （１）　　明細書の「発明の詳細な説明」の欄６、補正
の内容 （１）　　明細書第２５頁第１行を下言已に訂正する。 本

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式〔１〕、［１〕又Ｆｉｒ夏１で表わさ
   れるアズレニウム塩化合物を有する光導電性被膜。 一般式 但し、一般式〔１〕、［１１］および［１〕において、
   Ｒ１、’Ｒ，ｔ　、ＲいＲ，、Ｒ，、馬、およびＲ７は
   水素原子、ハロゲン原子又は１価の有枦残基を表わし、
   又Ｒ１とＲ７、兄、とＲ４、ルとＲ５、Ｒ３とＲ６およ
   びＲｏとＲ１の組合せのうち、少なくとも１つの組合せ
   で置換又は未置換の芳香族環を形成してもよい。Ａは、
   ２重結合によって結合しなθ ２価の有機残基全表わす。Ｚは、アニオン残基余光わす
   。
2. （２）専心性支持体の上に、下記一般式〔Ｉ〕、〔ｌ］
   又は〔厘〕で表わされるアズレニウム塩化合物を有する
   感光層を設けたことを特徴とする電子写真感光体。 一般式 但し、一般式〔Ｉ〕、〔■〕および〔１〕において、Ｒ
   １、Ｒｔ　、Ｒｓ、Ｒ４、Ｒイ、ＲｏおよびＲ７は水素
   原子、ハロゲン原子又は１価の有機残基を表わし、又Ｒ
   １とＲ７、Ｒ８とＲ４、山とＲ，、Ｒ，とＲｅおよびＲ
   ｏとＲ７の組合せのうち、少なくとも１つの組合せで置
   換又は未置換の芳香族環を形成してもよい。Ａは、２重
   結合によって結合した２価の有機残基を表わす。ＺＵ、
   アニオン残基を表わす。