JPH0483402A - 高周波回路基板装置 - Google Patents
高周波回路基板装置Info
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- JPH0483402A JPH0483402A JP2198591A JP19859190A JPH0483402A JP H0483402 A JPH0483402 A JP H0483402A JP 2198591 A JP2198591 A JP 2198591A JP 19859190 A JP19859190 A JP 19859190A JP H0483402 A JPH0483402 A JP H0483402A
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- synthetic resin
- dielectric substrate
- dielectric
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、例えばマイクロ波帯用増幅器等のマイクロ
波集積回路の形成された誘電体基板をケース等の取付体
に取付けるのに用いる高周波回路基板装置に関する。
波集積回路の形成された誘電体基板をケース等の取付体
に取付けるのに用いる高周波回路基板装置に関する。
（従来の技術）
一般に、マイクロ波集積回路は、第５図に示すように高
誘電率のアルミナ等のセラミックを用いた誘電体基板１
が用いられ、この誘電体基板１の一方面にマイクロスト
リップ導体等で所望の回路パターン１ａが形成される。
誘電率のアルミナ等のセラミックを用いた誘電体基板１
が用いられ、この誘電体基板１の一方面にマイクロスト
リップ導体等で所望の回路パターン１ａが形成される。
そして、この誘電体基板１の他方面には金属膜で接地導
体（図中では、図の都合上、図示せず）が形成される。
体（図中では、図の都合上、図示せず）が形成される。
そして、このようなマイクロ波集積回路は、その誘電体
基板１が機械的に脆いために、第６図に示すようにガラ
ス繊維エポキシ樹脂やガラス繊維フッ素樹脂等の合成樹
脂製基板２を介してケース等の取付体３に取付けられる
。すなわち、誘電体基板１は合成樹脂製基板２に積重さ
れて接着剤を用いて接合される（第５図参照）。この合
成樹脂製基板２には図示しない外部機器に接続されるマ
イクロストリップ導体等の接続導体２ａが形成されてお
り、この接続導体２ａが誘電体基板１の回路パターン１
ａに対して銅箔等の接続部材４を用いて接続される（第
５図参照）。そして、このように誘電体基板１の積重さ
れた合成樹脂製基板２は取付体３に螺子５を用いて固着
される（第６図参照）。
基板１が機械的に脆いために、第６図に示すようにガラ
ス繊維エポキシ樹脂やガラス繊維フッ素樹脂等の合成樹
脂製基板２を介してケース等の取付体３に取付けられる
。すなわち、誘電体基板１は合成樹脂製基板２に積重さ
れて接着剤を用いて接合される（第５図参照）。この合
成樹脂製基板２には図示しない外部機器に接続されるマ
イクロストリップ導体等の接続導体２ａが形成されてお
り、この接続導体２ａが誘電体基板１の回路パターン１
ａに対して銅箔等の接続部材４を用いて接続される（第
５図参照）。そして、このように誘電体基板１の積重さ
れた合成樹脂製基板２は取付体３に螺子５を用いて固着
される（第６図参照）。
ここで、誘電体基板１は、その接地導体（図示せず）が
合成樹脂製基板２に形成されるスルーホール２ｂを介し
て取付体３に接地される。
合成樹脂製基板２に形成されるスルーホール２ｂを介し
て取付体３に接地される。
しかしながら、上記高周波回路基板装置では、誘電体基
板１を合成樹脂製基板２に積重して取付ける構成上、そ
の厚さ寸法の薄形化を図ることが困難で、厚形となると
いう問題を有していた。また、これによれば、誘電体基
板１の回路パターン１ａと合成樹脂製基板２の接続導体
２ａ間に段差が生じ、しかも、相互間を接続する接続部
材４がインピーダンス成分を持つために、相互間でイン
ピーダンス不整合が起こり、マイクロ波集積回路におけ
る高周波特性の劣化を招くという問題を有していた。さ
らに、これによれば、誘電体基板１の接地導体（図示せ
ず）を合成樹脂製基板２のスルーホール２ｂを介して取
付体３に接地するように構成した場合、該スルーホール
２ｂの持つインダクタンス成分によって、そのマイクロ
波集積回路における伝送特性の劣化を招くという問題が
起こっていた。
板１を合成樹脂製基板２に積重して取付ける構成上、そ
の厚さ寸法の薄形化を図ることが困難で、厚形となると
いう問題を有していた。また、これによれば、誘電体基
板１の回路パターン１ａと合成樹脂製基板２の接続導体
２ａ間に段差が生じ、しかも、相互間を接続する接続部
材４がインピーダンス成分を持つために、相互間でイン
ピーダンス不整合が起こり、マイクロ波集積回路におけ
る高周波特性の劣化を招くという問題を有していた。さ
らに、これによれば、誘電体基板１の接地導体（図示せ
ず）を合成樹脂製基板２のスルーホール２ｂを介して取
付体３に接地するように構成した場合、該スルーホール
２ｂの持つインダクタンス成分によって、そのマイクロ
波集積回路における伝送特性の劣化を招くという問題が
起こっていた。
（発明が解決しようとする課題）
以上述べたように、従来の高周波回路基板装置では、厚
形となると共に、誘電体基板と合成樹脂製基板の間にイ
ンピーダンス不整合が起こり、回路特性の劣化を招くと
いう問題を有していた。
形となると共に、誘電体基板と合成樹脂製基板の間にイ
ンピーダンス不整合が起こり、回路特性の劣化を招くと
いう問題を有していた。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、薄形化
の促進を図り得、且つ、誘電体基板と合成樹脂製基板の
間のインピーダンス整合を容易に採り得るようにした高
周波回路基板装置を提供することを目的とする。
の促進を図り得、且つ、誘電体基板と合成樹脂製基板の
間のインピーダンス整合を容易に採り得るようにした高
周波回路基板装置を提供することを目的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
この発明は、マイクロ波集積回路が形成されてなる誘電
体基板と、この誘電体基板が収容されて固着される凹部
が該誘電体基板の厚さ寸法に対応して設けられた取付体
に取付は支持される誘合成樹脂製基板とを備えて高周波
回路基板装置を構成したものである。
体基板と、この誘電体基板が収容されて固着される凹部
が該誘電体基板の厚さ寸法に対応して設けられた取付体
に取付は支持される誘合成樹脂製基板とを備えて高周波
回路基板装置を構成したものである。
（作用）
上記構成によれば、マイクロ波集積回路が形成された誘
電体基板は合成樹脂製基板の凹部に収容されて埋設され
て固着されていることにより、その回路パータンが合成
樹脂製基板の接続導体と路間−面上に位置されている。
電体基板は合成樹脂製基板の凹部に収容されて埋設され
て固着されていることにより、その回路パータンが合成
樹脂製基板の接続導体と路間−面上に位置されている。
従って、合成樹脂製基板の厚さ寸法と略同様までの薄形
化が容易に実現されると共に、相互の接続箇所における
インピーダンス整合が容易に採り得る。
化が容易に実現されると共に、相互の接続箇所における
インピーダンス整合が容易に採り得る。
（実施例）
以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係る高周波回路基板装置
を示すもので、第１図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は（
ａ）のＡ−Ａ−断面図である。
を示すもので、第１図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は（
ａ）のＡ−Ａ−断面図である。
図において、１０はマイクロ波集積回路の形成されたア
ルミナ等のセラミック製誘電体基板で、後述するように
ガラス繊維フッ素樹脂やガラス繊維エポキシ樹脂等の合
成樹脂製基板１１の所定位置に埋設される如く固着され
てケース等の取付体１２に取付けられる（第２図参照）
。すなわち、誘電体基板１０は、その一方面にマイクロ
波集積回路の回路パターン１０ａか形成され、その他方
面には金属膜等で接地導体（図の都合上、図示せず）が
形成される。一方、合成樹脂製基板１１には基板収容用
の凹部１１ａが誘電体基板１０の厚さ寸法に対応して形
成され、この凹部１１ａの所定位置には図示しない外部
機器に接続される接続パターン１１ｂが誘電体基板１０
の回路パターン１０ａに対応して形成される。そして、
凹部１１ａにはスルーホールｌｌｃか誘電体基板１０の
接地導体（図示せず）及び取付体１２の接地位置に対応
して形成される。
ルミナ等のセラミック製誘電体基板で、後述するように
ガラス繊維フッ素樹脂やガラス繊維エポキシ樹脂等の合
成樹脂製基板１１の所定位置に埋設される如く固着され
てケース等の取付体１２に取付けられる（第２図参照）
。すなわち、誘電体基板１０は、その一方面にマイクロ
波集積回路の回路パターン１０ａか形成され、その他方
面には金属膜等で接地導体（図の都合上、図示せず）が
形成される。一方、合成樹脂製基板１１には基板収容用
の凹部１１ａが誘電体基板１０の厚さ寸法に対応して形
成され、この凹部１１ａの所定位置には図示しない外部
機器に接続される接続パターン１１ｂが誘電体基板１０
の回路パターン１０ａに対応して形成される。そして、
凹部１１ａにはスルーホールｌｌｃか誘電体基板１０の
接地導体（図示せず）及び取付体１２の接地位置に対応
して形成される。
上記構成において、誘電体基板１０は合成樹脂製基板１
１の凹部１１ａに、その接地導体（図示せず）が対向さ
れて収容され、例えば接着剤を用い′て接合される。こ
こで、誘電体基板１０は、その回路パターン１０ａが合
成樹脂製基板１１の接続パターン１１ｂと路間−面上に
位置され、該回路パターン１０ａが接続パターンｌｌｂ
に銅箔等の接続部材１３を介して接続される。この際、
誘電体基板１０の接地導体（図示せず）は合成樹脂製基
板１１のスルーホール１１Ｃを介して取付体１２の接地
位置に接続される。そして、このように誘電体基板１０
が取付けられた合成樹脂製基板１１は取付体１２に収容
され、螺子１４を用いて該取付体１２に固定される。
１の凹部１１ａに、その接地導体（図示せず）が対向さ
れて収容され、例えば接着剤を用い′て接合される。こ
こで、誘電体基板１０は、その回路パターン１０ａが合
成樹脂製基板１１の接続パターン１１ｂと路間−面上に
位置され、該回路パターン１０ａが接続パターンｌｌｂ
に銅箔等の接続部材１３を介して接続される。この際、
誘電体基板１０の接地導体（図示せず）は合成樹脂製基
板１１のスルーホール１１Ｃを介して取付体１２の接地
位置に接続される。そして、このように誘電体基板１０
が取付けられた合成樹脂製基板１１は取付体１２に収容
され、螺子１４を用いて該取付体１２に固定される。
このように、上記高周波回路基板装置は合成樹脂製基板
１１に凹部１１ａを設け、この凹部１１ａにマイクロ波
集積回路が形成された誘電体基板１０を収容して固着す
るように構成した。
１１に凹部１１ａを設け、この凹部１１ａにマイクロ波
集積回路が形成された誘電体基板１０を収容して固着す
るように構成した。
これによれば、誘電体基板１０は合成樹脂製基板１１の
凹部１１ａに収容された状態で、その回路パータン１０
ａが合成樹脂製基板１１の接続パターンｌｌｂと路間−
面上に位置されることにより、その厚さ寸法が合成樹脂
製基板１１の厚さ寸法と略同様までの薄形化が容易に実
現される。また、これによれば、誘電体基板１０の回路
パターン１０ａと合成樹脂製基板１１の接続パターン１
１ｂが路間−面上に位置されることにより、相互の接続
箇所におけるインピーダンス整合が容易に採り得る。
凹部１１ａに収容された状態で、その回路パータン１０
ａが合成樹脂製基板１１の接続パターンｌｌｂと路間−
面上に位置されることにより、その厚さ寸法が合成樹脂
製基板１１の厚さ寸法と略同様までの薄形化が容易に実
現される。また、これによれば、誘電体基板１０の回路
パターン１０ａと合成樹脂製基板１１の接続パターン１
１ｂが路間−面上に位置されることにより、相互の接続
箇所におけるインピーダンス整合が容易に採り得る。
さらに、上記高周波回路基板装置においては、合成樹脂
製基板１１の凹部１１ａに誘電体基板１０の接地導体（
図示せず）と取付体１２を電気的に接続するスルーホー
ル１１Ｃを形成することにより、該凹部１１ａの厚さ寸
法に対応したインピーダンスの不整合が生じるだけとな
り、そのスルーホール１１Ｃによるインピーダンスの不
整合の削減が図れるため、可及的にマイクロ波集積回路
における伝送特性の劣化が効果的に防止される。
製基板１１の凹部１１ａに誘電体基板１０の接地導体（
図示せず）と取付体１２を電気的に接続するスルーホー
ル１１Ｃを形成することにより、該凹部１１ａの厚さ寸
法に対応したインピーダンスの不整合が生じるだけとな
り、そのスルーホール１１Ｃによるインピーダンスの不
整合の削減が図れるため、可及的にマイクロ波集積回路
における伝送特性の劣化が効果的に防止される。
なお、上記実施例では、合成樹脂製基板１１に接続パタ
ーンｌｌｂのみを形成した場合で説明したが、この発明
は、これに限ることなく、例えば第３図に示すように合
成樹脂基板１１にノくイアス回路等の低周波回路１１ｄ
を形成することも可能である。この場合、取付体１２に
は低周波回路１２Ｈに対応して四部１２ｂが設けられ、
この凹部１２ａは低周波回路１２Ｂの構成部品等の逃げ
ようとして供される。
ーンｌｌｂのみを形成した場合で説明したが、この発明
は、これに限ることなく、例えば第３図に示すように合
成樹脂基板１１にノくイアス回路等の低周波回路１１ｄ
を形成することも可能である。この場合、取付体１２に
は低周波回路１２Ｈに対応して四部１２ｂが設けられ、
この凹部１２ａは低周波回路１２Ｂの構成部品等の逃げ
ようとして供される。
また、上記実施例では、誘電体基板１０を１枚だけ合成
樹脂製基板１１に埋設する如く固着するように構成した
場合で説明したが、この発明は、これに限ることなく、
第４図に示すように複数枚、例えば２枚の誘電体基板１
０を合成樹脂製基板１１の一方面に埋設したり、あるい
は図示しないが複数枚の誘電体基板１０を合成樹脂製基
板１１の両面に埋設するように構成することも可能であ
る。
樹脂製基板１１に埋設する如く固着するように構成した
場合で説明したが、この発明は、これに限ることなく、
第４図に示すように複数枚、例えば２枚の誘電体基板１
０を合成樹脂製基板１１の一方面に埋設したり、あるい
は図示しないが複数枚の誘電体基板１０を合成樹脂製基
板１１の両面に埋設するように構成することも可能であ
る。
さらに、上記実施例では、合成樹脂製基板１１の凹部１
１ａにスルーホール１１Ｃを設けた場合で説明したが、
これに限ることなく、スルーホール１１ｃを設ける必要
のない高周波信号を使用するマイクロ波集積回路に適用
することも可能である。この場合には、無論のことスル
ーホール１１Ｃを凹部１１ａに形成しなくて良いことと
なる。
１ａにスルーホール１１Ｃを設けた場合で説明したが、
これに限ることなく、スルーホール１１ｃを設ける必要
のない高周波信号を使用するマイクロ波集積回路に適用
することも可能である。この場合には、無論のことスル
ーホール１１Ｃを凹部１１ａに形成しなくて良いことと
なる。
よって、この発明は上記実施例に限ることなく、その他
、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施
し得ることは勿論のことである。
、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施
し得ることは勿論のことである。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明によれば、薄形化の促進
を図り得、且つ、誘電体基板と合成樹脂製基板の間のイ
ンピーダンス整合を容易に採り得るようにした高周波回
路基板装置を提供することができる。
を図り得、且つ、誘電体基板と合成樹脂製基板の間のイ
ンピーダンス整合を容易に採り得るようにした高周波回
路基板装置を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係る高周波回路基板装置
を示す斜視図、断面図、第２図は第１図を取付体に取付
けた状態を示す断面図、第３図及び第４図はこの発明の
他の実施例を示す断面図、第５図及び第６図は従来の高
周波回路基板装置を示す斜視図、断面図である。 １０・・・誘電体基板、１０ａ・・・回路パターン、１
１・・・合成樹脂製基板、ｌｌａ・・・凹部、１１ｂ・
・・接続パターン、ｌｌｃ・・・スルーホール、１１ｄ
・・・低周波回路、１２・・・取付体、１２ａ・・・凹
部、１３・・・接続部材、１４・・・螺子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １０誘電体蟇板 １０ａ回路パターン １１ 合成樹脂製基板 １１ｂ接続バタ １ｃ スルーホール 接続部材 １１ａ凹部 （ａ） （ｂ） ０ａ １ａ １ｃ 第 図
を示す斜視図、断面図、第２図は第１図を取付体に取付
けた状態を示す断面図、第３図及び第４図はこの発明の
他の実施例を示す断面図、第５図及び第６図は従来の高
周波回路基板装置を示す斜視図、断面図である。 １０・・・誘電体基板、１０ａ・・・回路パターン、１
１・・・合成樹脂製基板、ｌｌａ・・・凹部、１１ｂ・
・・接続パターン、ｌｌｃ・・・スルーホール、１１ｄ
・・・低周波回路、１２・・・取付体、１２ａ・・・凹
部、１３・・・接続部材、１４・・・螺子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １０誘電体蟇板 １０ａ回路パターン １１ 合成樹脂製基板 １１ｂ接続バタ １ｃ スルーホール 接続部材 １１ａ凹部 （ａ） （ｂ） ０ａ １ａ １ｃ 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイクロ波集積回路が形成されてなる誘電体基板と、 この誘電体基板が収容されて固着される凹部が該誘電体
基板の厚さ寸法に対応して設けられた取付体に取付け支
持される合成樹脂製基板とを具備したことを特徴とする
高周波回路基板装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198591A JP2944155B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 高周波回路基板装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198591A JP2944155B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 高周波回路基板装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483402A true JPH0483402A (ja) | 1992-03-17 |
| JP2944155B2 JP2944155B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=16393738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2198591A Expired - Lifetime JP2944155B2 (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 高周波回路基板装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2944155B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1381258A4 (en) * | 2001-03-29 | 2007-11-21 | Tdk Corp | High-frequency module |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3086717B2 (ja) | 1991-06-21 | 2000-09-11 | 株式会社東芝 | 回路基板装置 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2198591A patent/JP2944155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1381258A4 (en) * | 2001-03-29 | 2007-11-21 | Tdk Corp | High-frequency module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2944155B2 (ja) | 1999-08-30 |
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