JPH0484668A - 光ビームはんだ付け装置 - Google Patents
光ビームはんだ付け装置Info
- Publication number
- JPH0484668A JPH0484668A JP20072490A JP20072490A JPH0484668A JP H0484668 A JPH0484668 A JP H0484668A JP 20072490 A JP20072490 A JP 20072490A JP 20072490 A JP20072490 A JP 20072490A JP H0484668 A JPH0484668 A JP H0484668A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、光ビームの熱を利用してはんだ付けを行う光
ビームはんだ付け装置に関するものである。
ビームはんだ付け装置に関するものである。
(従来の技術)
第3図に示されるように、従来の光ビー11はんだ付け
装置は、一つの光源(ハロゲンランプまたはキセノンラ
ンプ)11と、この光源11の周囲に配置されたランプ
ハウス(楕円反射鏡)12と、このランプハウス12の
開「1側に配置された第1平面ミラー13、第2平面ミ
ラー14および集光レンズ(シリンドリカルレンズ)1
5からなる複数の光学系16と、この光学系16と基板
17との間に配置されたマスク(自動マスク)18とに
よって構成されている。前記基板17上には被はんだ付
けワークとしての電子部品19が搭載されている。
装置は、一つの光源(ハロゲンランプまたはキセノンラ
ンプ)11と、この光源11の周囲に配置されたランプ
ハウス(楕円反射鏡)12と、このランプハウス12の
開「1側に配置された第1平面ミラー13、第2平面ミ
ラー14および集光レンズ(シリンドリカルレンズ)1
5からなる複数の光学系16と、この光学系16と基板
17との間に配置されたマスク(自動マスク)18とに
よって構成されている。前記基板17上には被はんだ付
けワークとしての電子部品19が搭載されている。
そうして、一つの光源11から内聞に発光された光ビー
ムが、ランプハウス12の内面での反射により下方に方
向付けされ、複数の光学系16により複数の光ビームに
分岐、集光され、マスク18で照射範囲を限定されて、
電子部品19の複数の被はんだ付け部(リード等)に照
射され、複数の光ビームの熱により単一部品の複数箇所
における局所はんだ付けが一括して行われる。
ムが、ランプハウス12の内面での反射により下方に方
向付けされ、複数の光学系16により複数の光ビームに
分岐、集光され、マスク18で照射範囲を限定されて、
電子部品19の複数の被はんだ付け部(リード等)に照
射され、複数の光ビームの熱により単一部品の複数箇所
における局所はんだ付けが一括して行われる。
(発明が解決しようとする課題)
このような光ビームはんだ付け装置は、光ビームを電子
部品19の被はんだ付け部(リード等)のみに照射する
ことは不可能であり、樹脂製基板17や電子部品19の
モールド樹脂等にも光ビームの散乱光が照射され、この
散乱光の加熱によって、前記樹脂部分が変形したり変色
したりする問題がある。すなわち、被はんだ付け部の周
囲部への熱影響が無視できない。
部品19の被はんだ付け部(リード等)のみに照射する
ことは不可能であり、樹脂製基板17や電子部品19の
モールド樹脂等にも光ビームの散乱光が照射され、この
散乱光の加熱によって、前記樹脂部分が変形したり変色
したりする問題がある。すなわち、被はんだ付け部の周
囲部への熱影響が無視できない。
本発明は、このような点に鑑みな六れたものであり、マ
スクにおいて散乱光の直進を遮断して、被はんだ付け部
の周囲部への熱影響を最小限に抑制できる光ビームはん
だ付け装置を提供することを目的とするものである。
スクにおいて散乱光の直進を遮断して、被はんだ付け部
の周囲部への熱影響を最小限に抑制できる光ビームはん
だ付け装置を提供することを目的とするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
請求項1の発明は、光源21と、この光源21の周囲に
配置されたランプハウス22と、このランプハウス22
の開口側に配置された光学系23と、この光学系23と
被はんだ付けワーク29との間に配置されたマスク27
とを備えた光ビームはんだ付け装置において、前記波は
んだ付けワーク29の被はんだ付け部29aに対向する
光ビームガイド31が、マスク27に設けられたもので
ある。
配置されたランプハウス22と、このランプハウス22
の開口側に配置された光学系23と、この光学系23と
被はんだ付けワーク29との間に配置されたマスク27
とを備えた光ビームはんだ付け装置において、前記波は
んだ付けワーク29の被はんだ付け部29aに対向する
光ビームガイド31が、マスク27に設けられたもので
ある。
請求項2の発明は、請求項1の光ビームはんだ付け装置
において、光ビームガイド31の光学系側にある光ビー
ム入目32の開1j面積が、光ビームガイド31のワー
ク側にある光ビーム出口33の開L1面積より広く設け
られたものである。
において、光ビームガイド31の光学系側にある光ビー
ム入目32の開1j面積が、光ビームガイド31のワー
ク側にある光ビーム出口33の開L1面積より広く設け
られたものである。
請求項・3の発明は、請求項1の光ビームはんだ付け装
置において、光ビームガイド31の内面が鏡面処理また
はメッキ処理されているものである。
置において、光ビームガイド31の内面が鏡面処理また
はメッキ処理されているものである。
(作用)
請求項1の発明は、光学系23からマスク27を通して
、被はんだ付けワーク29の被はんだ付け部29aに照
射される光ビーム34が、光ビームガイド31によって
方向付けされ、被はんだ付け部29a以外に照射されよ
うとする散乱光34gは、この先ビームガイド31によ
り直進を遮断される。
、被はんだ付けワーク29の被はんだ付け部29aに照
射される光ビーム34が、光ビームガイド31によって
方向付けされ、被はんだ付け部29a以外に照射されよ
うとする散乱光34gは、この先ビームガイド31によ
り直進を遮断される。
請求項2の発明は、光学系23から被はんだ付け部29
gに照射される光ビーム34の勾配に合わせて、光ビー
ムガイド31の光ビーム人[132が光ビーム出「13
3より広く設けられているから、直進を妨げられる光ビ
ームが少ない。
gに照射される光ビーム34の勾配に合わせて、光ビー
ムガイド31の光ビーム人[132が光ビーム出「13
3より広く設けられているから、直進を妨げられる光ビ
ームが少ない。
請求項3の発明は、鏡面処理またはメッキ処理された光
ビームガイド31の内面で反射した散乱光34a も、
はんだ溶融エネルギとして使用される。
ビームガイド31の内面で反射した散乱光34a も、
はんだ溶融エネルギとして使用される。
(実施例)
以下、本発明を第1図に示される実施例を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第1図に示されるように、光源21と、この光源21の
周囲に配置されたランプハウス22と、このランプハウ
ス22の開口側に配置された複数の光学系23とによっ
て、光源ユニットが構成されている。
周囲に配置されたランプハウス22と、このランプハウ
ス22の開口側に配置された複数の光学系23とによっ
て、光源ユニットが構成されている。
前記光源21としては、ハロゲンランプ、キセノンラン
プまたはメタルハライドランプを使用する。
プまたはメタルハライドランプを使用する。
前記ランプハウス22としては、楕円反射鏡を使用する
。
。
前記光学系23は、第1平面ミラー24、第2平面ミラ
ー25および集光レンズ(シリンドリカルレンズ)26
によって構成されている。
ー25および集光レンズ(シリンドリカルレンズ)26
によって構成されている。
さらに、この光学系23によって分岐、集光された光ビ
ームの照射範囲は、光学系23のF側に配置されたマス
ク(自動マスク)27によって限定される。
ームの照射範囲は、光学系23のF側に配置されたマス
ク(自動マスク)27によって限定される。
このマスク27の下側には、基板28および被はんだ付
けウークとしての電子部品29が、図示されナイネット
コンベヤまたはチェンコンベヤ等により搬入される。
けウークとしての電子部品29が、図示されナイネット
コンベヤまたはチェンコンベヤ等により搬入される。
前記マスク27には、前記電子部品29の被はんだ付け
部(リード等)に対向する筒状の光ビームガイド31が
、複数の被はんだ付け部(リード等)と同数設けられて
いる。
部(リード等)に対向する筒状の光ビームガイド31が
、複数の被はんだ付け部(リード等)と同数設けられて
いる。
第2図に示されるように、この光ビームカイト31の上
端に設けられた光ビーム人口32の開口面積Δは、光ビ
ームガイド31の下端に設けられた光ビーム出口33の
開[−1面積aより広く設けられている。この光ビーム
出口33は、被はんだ付け部29aの直上に近接状態で
開]1されているから、その光ビーム出1コ33の開口
面積aは被はんだ付け部29gの光ビーム照射面積とほ
ぼ等しく、また、光ビーム人口32の開口面積Aは、光
ビーム出1133の開11而積aをもとに光ビーム34
の勾配等を考慮して決定される。
端に設けられた光ビーム人口32の開口面積Δは、光ビ
ームガイド31の下端に設けられた光ビーム出口33の
開[−1面積aより広く設けられている。この光ビーム
出口33は、被はんだ付け部29aの直上に近接状態で
開]1されているから、その光ビーム出1コ33の開口
面積aは被はんだ付け部29gの光ビーム照射面積とほ
ぼ等しく、また、光ビーム人口32の開口面積Aは、光
ビーム出1133の開11而積aをもとに光ビーム34
の勾配等を考慮して決定される。
さらに、この光ビームガイド31の内面は、鏡面処理ま
たはメッキ処理されており、反射鏡となっている。
たはメッキ処理されており、反射鏡となっている。
なお、マスク27の上面には、この光ビームガイド31
の光ビーム人[132を開閉するためのシャッター(図
示せず)が設(iられており、必要な時点で必要な時間
だけ開口制御され、光ビームが透過される。
の光ビーム人[132を開閉するためのシャッター(図
示せず)が設(iられており、必要な時点で必要な時間
だけ開口制御され、光ビームが透過される。
このような光ビームはんだ付け装置において、光源21
から周囲に発光された光ビー11は、ランプハウス22
の内面での反射により下方に方向付けされ、複数の光学
系23により複数の光ビーム34となって、マスク27
のシャッターに照射されている。
から周囲に発光された光ビー11は、ランプハウス22
の内面での反射により下方に方向付けされ、複数の光学
系23により複数の光ビーム34となって、マスク27
のシャッターに照射されている。
基板28および電子部品29が第1図に示される位置に
搬入され、停止されたら、マスク27のシャッターが開
き、複数の光ビーム34がこのマスク27の各光ビーム
ガイド31を通り、電子部品29の複数の被はんだ付け
部(リード等)29aに同時に照射される。
搬入され、停止されたら、マスク27のシャッターが開
き、複数の光ビーム34がこのマスク27の各光ビーム
ガイド31を通り、電子部品29の複数の被はんだ付け
部(リード等)29aに同時に照射される。
このようにして、電子部品29の各披はんだ付け部29
aに照射される各光ビームは、被はんだ付け部29aの
近傍まで突出された光ビームガイド31によって方向付
けされ、被はんだ付け部具外に照射されようとする散乱
光34aは、この光ビームガイド31の内面により直進
を遮断されるが、鏡面処理またはメッキ処理されたこの
内面で反射し、光ビーム出口33を経て被はんだ付け部
29aに照射され、はんだ溶融エネルギの一部として使
用される。
aに照射される各光ビームは、被はんだ付け部29aの
近傍まで突出された光ビームガイド31によって方向付
けされ、被はんだ付け部具外に照射されようとする散乱
光34aは、この光ビームガイド31の内面により直進
を遮断されるが、鏡面処理またはメッキ処理されたこの
内面で反射し、光ビーム出口33を経て被はんだ付け部
29aに照射され、はんだ溶融エネルギの一部として使
用される。
また、光学系23の集光レンズ2Gから被はんだ付け部
29gに集光される光ビーム34の勾配に合わせて、光
ビーム人口32の開口面積が光ビーム出口33の開1」
面積より広く形成されているから、直進を妨げられる光
ビームが少ない。
29gに集光される光ビーム34の勾配に合わせて、光
ビーム人口32の開口面積が光ビーム出口33の開1」
面積より広く形成されているから、直進を妨げられる光
ビームが少ない。
このようにして、複数箇所で同時に行われる光ビーム3
4による効果的な加熱により、単一部品の複数箇所に−
おける局所リフローはんだ付けが一括して行われる。
4による効果的な加熱により、単一部品の複数箇所に−
おける局所リフローはんだ付けが一括して行われる。
[発明の効果]
請求項1の発明によれば、被はんだ付けワークの被はん
だ付け部に対向する光ビームガイドが、マスクに設けら
れているから、被はんだ付け部具外に照射されようとす
る散乱光の直進を、この光ビームガイドにより確実に遮
断でき、被はんだ付け部の周囲部への熱影響を最小限に
抑制できる。
だ付け部に対向する光ビームガイドが、マスクに設けら
れているから、被はんだ付け部具外に照射されようとす
る散乱光の直進を、この光ビームガイドにより確実に遮
断でき、被はんだ付け部の周囲部への熱影響を最小限に
抑制できる。
請求項2の発明によれば、光ビームガイドの光学系側に
ある光ビーム入口の開口面積が、光ビームガイドのワー
ク側にある光ビーム出口の開口面積より広く設けられた
から、光ビームの勾配に適合する光ビームガイドが得ら
れ、直進を妨げられる光ビームを少な(でき、光ビーム
ガイドにおけるエネルギ損失を極力防止できる。
ある光ビーム入口の開口面積が、光ビームガイドのワー
ク側にある光ビーム出口の開口面積より広く設けられた
から、光ビームの勾配に適合する光ビームガイドが得ら
れ、直進を妨げられる光ビームを少な(でき、光ビーム
ガイドにおけるエネルギ損失を極力防止できる。
請求項3の発明によれば、光ビームガイドの内面が鏡面
処理またはメッキ処理されているから、この鏡面処理さ
れた光ビームガイドの内面で反射した散乱光も、はんだ
溶融エネルギとして寄tj、でき、エネルギ効率を向上
できる。
処理またはメッキ処理されているから、この鏡面処理さ
れた光ビームガイドの内面で反射した散乱光も、はんだ
溶融エネルギとして寄tj、でき、エネルギ効率を向上
できる。
第1図は本発明の光ビームはんだ付け装置の一実施例を
示す概略図、第2図はその作用を示す説明図、第3図は
従来の光ビームはんだ付け装置を示す概略図である。
示す概略図、第2図はその作用を示す説明図、第3図は
従来の光ビームはんだ付け装置を示す概略図である。
Claims (3)
- (1)光源と、この光源の周囲に配置されたランプハウ
スと、このランプハウスの開口側に配置された光学系と
、この光学系と被はんだ付けワークとの間に配置された
マスクとを備えた光ビームはんだ付け装置において、 前記被はんだ付けワークの被はんだ付け部に対向する光
ビームガイドが、前記マスクに設けられたことを特徴と
する光ビームはんだ付け装置。 - (2)光ビームガイドの光学系側にある光ビーム入口の
開口面積が、光ビームガイドのワーク側にある光ビーム
出口の開口面積より広く設けられたことを特徴とする請
求項1記載の光ビームはんだ付け装置。 - (3)光ビームガイドの内面が鏡面処理またはメッキ処
理されていることを特徴とする請求項1記載の光ビーム
はんだ付け装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20072490A JPH0484668A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 光ビームはんだ付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20072490A JPH0484668A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 光ビームはんだ付け装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484668A true JPH0484668A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16429142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20072490A Pending JPH0484668A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 光ビームはんだ付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0484668A (ja) |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP20072490A patent/JPH0484668A/ja active Pending
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