JPH0485813U - - Google Patents
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- JPH0485813U JPH0485813U JP12792990U JP12792990U JPH0485813U JP H0485813 U JPH0485813 U JP H0485813U JP 12792990 U JP12792990 U JP 12792990U JP 12792990 U JP12792990 U JP 12792990U JP H0485813 U JPH0485813 U JP H0485813U
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- JP
- Japan
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- high power
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- semiconductor devices
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例である高周波高出
力増幅器の斜視図、第２図は従来の高周波高出力
増幅器の斜視図である。 図において、１はパツケージ、２，３は入力リ
ード部、４は入力整合用チツプキヤパシタンス、
５，７は接地用ブロツクパツド、６はチツプダイ
ボンデイング用パツド、８，９は出力整合用チツ
プキヤパシタンス、１０，１１は出力リード部、
１２は入力ワイヤ、１３は接地ワイヤ、１４は出
力ワイヤ、１５は高周波高出力増幅用トランジス
タ、１６〜１８は誘電体基板を示す。なお、図中
、同一符号は同一、または相当部分を示す。
力増幅器の斜視図、第２図は従来の高周波高出力
増幅器の斜視図である。 図において、１はパツケージ、２，３は入力リ
ード部、４は入力整合用チツプキヤパシタンス、
５，７は接地用ブロツクパツド、６はチツプダイ
ボンデイング用パツド、８，９は出力整合用チツ
プキヤパシタンス、１０，１１は出力リード部、
１２は入力ワイヤ、１３は接地ワイヤ、１４は出
力ワイヤ、１５は高周波高出力増幅用トランジス
タ、１６〜１８は誘電体基板を示す。なお、図中
、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 高周波高出力の増幅をする半導体装置おいて、
整合調整用の回路を同一パツケージ内に多段に構
成したことを特徴とする高周波高出力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12792990U JPH0485813U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12792990U JPH0485813U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485813U true JPH0485813U (ja) | 1992-07-27 |
Family
ID=31875411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12792990U Pending JPH0485813U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0485813U (ja) |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP12792990U patent/JPH0485813U/ja active Pending
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