JPH0228958A - 高周波高出力トランジスタ - Google Patents
高周波高出力トランジスタInfo
- Publication number
- JPH0228958A JPH0228958A JP63179732A JP17973288A JPH0228958A JP H0228958 A JPH0228958 A JP H0228958A JP 63179732 A JP63179732 A JP 63179732A JP 17973288 A JP17973288 A JP 17973288A JP H0228958 A JPH0228958 A JP H0228958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wires
- collector pad
- silicon
- output
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波トランジスタに係り、特に外囲器内
にＲＦクシヤント整合回路を設けた高周波高出力トラン
ジスタに関するものである。
にＲＦクシヤント整合回路を設けた高周波高出力トラン
ジスタに関するものである。
（従来の技術〕
従来のこの種の高周波高出力トランジスタの概略構成を
第３図に示す。
第３図に示す。
この図において、１ａ、１ｂはトランジスタチップ、２
ａ、２ｂはエミッタ電極、３ａ、３ｂはベース電極、４
は誘電体基板面にパターニングされた金属部（コレクタ
パッド）で、各トランジスタチップｉａ、ｉｂのコレク
タ電極を共通に接続する。５ａ、５ｂはバイパス用のＭ
ＯＳコンデンサ、６．７は人力および出力リード、８ａ
、８ｂは入力ワイヤで、入カリードロからエミッタ電極
２ａ、２ｂに接続されている。９ａ、９ｂは接地ワイヤ
で、ベース電極３ａ、３ｂから接地導体１３へ接続され
ている。１０ａ、１０ｂは出力ワイヤで、コレクタパッ
ド４から出カリードアへ接続されている。１１ａ、１１
ｂはＲＦシャントワイヤで、コレクタパッド４からＭＯ
Ｓコンデンサ５ａ、５ｂに接続されている。１２は外囲
器、１４は絶縁部、１５は前記トランジスタチップ１ａ
、Ｉｂのダイボンド時に生じるはんだ流れ部である。
ａ、２ｂはエミッタ電極、３ａ、３ｂはベース電極、４
は誘電体基板面にパターニングされた金属部（コレクタ
パッド）で、各トランジスタチップｉａ、ｉｂのコレク
タ電極を共通に接続する。５ａ、５ｂはバイパス用のＭ
ＯＳコンデンサ、６．７は人力および出力リード、８ａ
、８ｂは入力ワイヤで、入カリードロからエミッタ電極
２ａ、２ｂに接続されている。９ａ、９ｂは接地ワイヤ
で、ベース電極３ａ、３ｂから接地導体１３へ接続され
ている。１０ａ、１０ｂは出力ワイヤで、コレクタパッ
ド４から出カリードアへ接続されている。１１ａ、１１
ｂはＲＦシャントワイヤで、コレクタパッド４からＭＯ
Ｓコンデンサ５ａ、５ｂに接続されている。１２は外囲
器、１４は絶縁部、１５は前記トランジスタチップ１ａ
、Ｉｂのダイボンド時に生じるはんだ流れ部である。
この従来例の構成にあっては、入カリードロに入力され
る高周波信号は、エミッタ電極２ａ。
る高周波信号は、エミッタ電極２ａ。
２ｂに接続される入力ワイヤ８ａ、８ｂを介し、エミッ
タに導かれて増幅され、コレクタから出力ワイヤ１０ａ
、１０ｂ、出カリ−ドアを経て出力される。
タに導かれて増幅され、コレクタから出力ワイヤ１０ａ
、１０ｂ、出カリ−ドアを経て出力される。
なお、ＲＦシャントワイヤ１１ａ、１１ｂ、ＭｏＳコン
デンサ５ａ、５ｂおよび出力ワイヤ１゜ａ、１０ｂはＲ
Ｆシャント型の出力側内部整合回路を構成する。
デンサ５ａ、５ｂおよび出力ワイヤ１゜ａ、１０ｂはＲ
Ｆシャント型の出力側内部整合回路を構成する。
（発明が解決しようとする課題）
上記のような従来の高周波高出力トランジスタは、トラ
ンジスタチップｉａ、ｉｂのダイボンド時に生じるはん
だ流れ部１５によりＲＦシャントワイヤ１１ａ、１１ｂ
をはんだ流れ部１５の上からワイヤボンディングする必
要があり、信頼性がそこなわれるという問題点があった
。
ンジスタチップｉａ、ｉｂのダイボンド時に生じるはん
だ流れ部１５によりＲＦシャントワイヤ１１ａ、１１ｂ
をはんだ流れ部１５の上からワイヤボンディングする必
要があり、信頼性がそこなわれるという問題点があった
。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、はんだ流れ部の上からワイヤを接続するこ
となく、信頼度の高い高周波高出力トランジスタを得る
ことを目的とする。
れたもので、はんだ流れ部の上からワイヤを接続するこ
となく、信頼度の高い高周波高出力トランジスタを得る
ことを目的とする。
この発明に係る高周波高出力トランジスタは、コレクタ
パッド上に表裏に金蒸着した低抵抗のシリコン片を設置
し、このシリコン片上からワイヤを接続したものである
。
パッド上に表裏に金蒸着した低抵抗のシリコン片を設置
し、このシリコン片上からワイヤを接続したものである
。
（作用）
この発明においては、コレクタパッド上に表裏が金蒸着
された低抵抗のシリコン片を設け、このシリコン片上か
らワイヤを接続する構成としたことから、高周波特性を
低下させることなく、ワイヤボンディングを、はんだで
汚れていないシリコン片上へ行うことができ信頼性が向
上する。
された低抵抗のシリコン片を設け、このシリコン片上か
らワイヤを接続する構成としたことから、高周波特性を
低下させることなく、ワイヤボンディングを、はんだで
汚れていないシリコン片上へ行うことができ信頼性が向
上する。
第１図はこの発明の高周波高出力トランジスタの一実施
例の概略構成を示すものである。
例の概略構成を示すものである。
この図において、第３図と同一符号は同一構成部分を示
すが、この実施例におけるＲＦシャントワイヤｌｌａ、
１１ｂは、コレクタパッド４上に設置された表裏に金蒸
着したシリコン（サブストレート）片１６ａ、１６ｂ上
からバイパス用のＭＯＳコンデンサ５ａ、５ｂに接続さ
れる。
すが、この実施例におけるＲＦシャントワイヤｌｌａ、
１１ｂは、コレクタパッド４上に設置された表裏に金蒸
着したシリコン（サブストレート）片１６ａ、１６ｂ上
からバイパス用のＭＯＳコンデンサ５ａ、５ｂに接続さ
れる。
第２図はシリコン（サブストレート）片１６ａ、１６ｂ
の断面側面図である。低抵抗のシリコン片１６ａ（１６
ｂ）の表裏にメタル金１６ｃが蒸着されている。
の断面側面図である。低抵抗のシリコン片１６ａ（１６
ｂ）の表裏にメタル金１６ｃが蒸着されている。
このように、ＲＦシャントワイヤ１１ａ、１１ｂを低抵
抗のシリコン（サブストレート）片１６ａ、１６ｂ上か
ら接続することにより、はんだで汚れたコレクタパッド
４にワイヤボンディングする必要はなくなる。
抗のシリコン（サブストレート）片１６ａ、１６ｂ上か
ら接続することにより、はんだで汚れたコレクタパッド
４にワイヤボンディングする必要はなくなる。
なお、上記実施例では、内部整合回路が出力側のＲＦク
シヤント整合回路のみの場合を示したが、入力側および
出力側にその他の整合回路を設ける場合も同様である。
シヤント整合回路のみの場合を示したが、入力側および
出力側にその他の整合回路を設ける場合も同様である。
また、上記実施例ではＲＦシャントワイヤ１１ａ、１１
ｂの場合を示したが、出力ワイヤ１゜ａ、１０ｂの場合
も同様の効果が得られる。
ｂの場合を示したが、出力ワイヤ１゜ａ、１０ｂの場合
も同様の効果が得られる。
この発明は以上説明したとおり、コレクタパッド上に表
裏に金蒸着したシリコン片を設け、このシリコン片上か
らワイヤを接続したので、コレクタパッド上にトランジ
スタチップをダイボンドした際のはんだ流れの状態のコ
レクタパッド上にワイヤを接続しなくてすみ、はんだで
汚れていないメタル金玉へワイヤボンディングができる
。したがって、ボンディングの信頼性が向上し、高周波
特性を低下させることなく、高信頼性の高周波高出力ト
ランジスタが得られる。
裏に金蒸着したシリコン片を設け、このシリコン片上か
らワイヤを接続したので、コレクタパッド上にトランジ
スタチップをダイボンドした際のはんだ流れの状態のコ
レクタパッド上にワイヤを接続しなくてすみ、はんだで
汚れていないメタル金玉へワイヤボンディングができる
。したがって、ボンディングの信頼性が向上し、高周波
特性を低下させることなく、高信頼性の高周波高出力ト
ランジスタが得られる。
第１図はこの発明の高周波高出力トランジスタの一実施
例を示す平面図、第２図はこの発明に使用するシリコン
（サブストレート）片の断面側面図、第３図は従来の高
周波高出力トランジスタを示す平面図である。 図において、１ａ、１ｂはトランジスタチップ、２ａ、
２ｂはエミッタ電極、３ａ、３．ｂはベース電極、４は
コレクタパッド、５ａ、５ｂはＭｏＳコンデンサ、６は
入力リード、７は出力リード、８ａ、 ８ｂは入力ワイ
ヤ、９ａ、９ｂは接地ワイヤ、１０ａ、１０ｂは出力ワ
イヤ、１１ａ。 １１ｂはＲＦシャントワイヤ、１２は外囲器、１３は接
地導体、１４は絶縁部、１５ははんだ流れ部、１６ａ、
１６ｂはシリコン（サブストレート）片、１６ｃはメタ
ル金である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
例を示す平面図、第２図はこの発明に使用するシリコン
（サブストレート）片の断面側面図、第３図は従来の高
周波高出力トランジスタを示す平面図である。 図において、１ａ、１ｂはトランジスタチップ、２ａ、
２ｂはエミッタ電極、３ａ、３．ｂはベース電極、４は
コレクタパッド、５ａ、５ｂはＭｏＳコンデンサ、６は
入力リード、７は出力リード、８ａ、 ８ｂは入力ワイ
ヤ、９ａ、９ｂは接地ワイヤ、１０ａ、１０ｂは出力ワ
イヤ、１１ａ。 １１ｂはＲＦシャントワイヤ、１２は外囲器、１３は接
地導体、１４は絶縁部、１５ははんだ流れ部、１６ａ、
１６ｂはシリコン（サブストレート）片、１６ｃはメタ
ル金である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 外囲器内の入力リードと出力リードとの間に、トラン
ジスタチップとバイパス用のコンデンサを備え、前記ト
ランジスタチップがダイボンドされるコレクタパッド上
から前記コンデンサおよび出力リードにそれぞれワイヤ
で接続され内部整合回路が構成される高周波高出力トラ
ンジスタにおいて、前記コレクタパッド上に表裏に金蒸
着したシリコン片を設け、このシリコン片上から前記ワ
イヤを接続したことを特徴とする高周波高出力トランジ
スタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179732A JPH0228958A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 高周波高出力トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179732A JPH0228958A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 高周波高出力トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228958A true JPH0228958A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16070901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63179732A Pending JPH0228958A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 高周波高出力トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228958A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600694A1 (en) * | 1992-11-30 | 1994-06-08 | STMicroelectronics, Inc. | Improved transistor device layout |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP63179732A patent/JPH0228958A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600694A1 (en) * | 1992-11-30 | 1994-06-08 | STMicroelectronics, Inc. | Improved transistor device layout |
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