JPH0491435A - Ｍｉｓ構造電極の形成方法 - Google Patents
Ｍｉｓ構造電極の形成方法Info
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- JPH0491435A JPH0491435A JP2204529A JP20452990A JPH0491435A JP H0491435 A JPH0491435 A JP H0491435A JP 2204529 A JP2204529 A JP 2204529A JP 20452990 A JP20452990 A JP 20452990A JP H0491435 A JPH0491435 A JP H0491435A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 7
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020489 SiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＩＳ（金属−絶縁物一半導体）構造電極の形
成方法に関する。
成方法に関する。
ＭＩＳ構造電極は電界効果トランジスタなどに不可欠の
要素であり、この特性の改善のため、例えば特開昭６２
−３１１７０号、同６２−９４９４４号公報などの技術
が提案されている。このようなＭＩＳ構造電極では、半
導体と絶縁膜の界面準位密度が低いのが不可欠であるが
、Ｇａ Ａｓ系半導体では界面のダングリングボンドの
再構成が難しいため、一般に１０１３ａｍ−２ｅ Ｖ−
１オーダーの界面準位密度をもっている。これは、ＮＨ
８−ＦＥＴにおけるシリコンと二酸化シリコンの間の界
面準位密度に比べて、３桁程度も高い。
要素であり、この特性の改善のため、例えば特開昭６２
−３１１７０号、同６２−９４９４４号公報などの技術
が提案されている。このようなＭＩＳ構造電極では、半
導体と絶縁膜の界面準位密度が低いのが不可欠であるが
、Ｇａ Ａｓ系半導体では界面のダングリングボンドの
再構成が難しいため、一般に１０１３ａｍ−２ｅ Ｖ−
１オーダーの界面準位密度をもっている。これは、ＮＨ
８−ＦＥＴにおけるシリコンと二酸化シリコンの間の界
面準位密度に比べて、３桁程度も高い。
ところが、最近になって（ＮＨ４）２Ｓｘを用いた硫黄
パッシベーション処理が注目され、例えば下記の文献 ｒ ’Ｎａｋｅｄ Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｔｈｅ ５ｕ
ｒｆ’ａｃｅ／Ｌｎｔｅｒｆ’ａｃｅＳｔａｔｅｓ ｏ
［’ ＧａＡｓ ｂｙ（ＮＨ４）２ｓｘＴｒｅａｔａ＋
ｅｎｔ ’（ＪＡＰＡＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ
ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣ８Ｖｏｌ、２８Ｎｏ、
１２． （１９８９年１２月） ｐｐ、Ｌ２２５５〜
Ｌ２２５７ ）Ｊでは、Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｓ １０
２で界面準位密度が１ 、 ２ Ｘ １０ ”ｃｍ−２
ｅ Ｖ−’まで減少すルコとが確認されている。
パッシベーション処理が注目され、例えば下記の文献 ｒ ’Ｎａｋｅｄ Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｔｈｅ ５ｕ
ｒｆ’ａｃｅ／Ｌｎｔｅｒｆ’ａｃｅＳｔａｔｅｓ ｏ
［’ ＧａＡｓ ｂｙ（ＮＨ４）２ｓｘＴｒｅａｔａ＋
ｅｎｔ ’（ＪＡＰＡＮＥＳＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ
ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣ８Ｖｏｌ、２８Ｎｏ、
１２． （１９８９年１２月） ｐｐ、Ｌ２２５５〜
Ｌ２２５７ ）Ｊでは、Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｓ １０
２で界面準位密度が１ 、 ２ Ｘ １０ ”ｃｍ−２
ｅ Ｖ−’まで減少すルコとが確認されている。
しかし、これによっても界面準位密度はＳｉ系のＭＯＳ
に比べ一桁近く高く、良好な特性のＭＩＳ構造ＦＥＴは
得られない。本発明者は、上記の諸点に鑑み、鋭意研究
を重ねた結果として、界面準位密度の大幅な低減を可能
にしたＭＩＳ構造電極の形成方法を見出した。
に比べ一桁近く高く、良好な特性のＭＩＳ構造ＦＥＴは
得られない。本発明者は、上記の諸点に鑑み、鋭意研究
を重ねた結果として、界面準位密度の大幅な低減を可能
にしたＭＩＳ構造電極の形成方法を見出した。
本発明者は、硫黄パッシベーション処理の前段階におい
て、■−Ｖ族化合物半導体からなる基板表面を、種々の
エッチャントで処理して結果を検討する中で、本発明を
完成するに至った。
て、■−Ｖ族化合物半導体からなる基板表面を、種々の
エッチャントで処理して結果を検討する中で、本発明を
完成するに至った。
すなわち本発明は、■−Ｖ族化合物半導体からなる基板
上に、絶縁膜を形成した後、電極材料を付着してＭＩＳ
構造電極を形成する方法において、絶縁膜の形成に先立
ち、基板表面をリン酸系エッチャントで処理して硫黄パ
ッジベージジン処理することを特徴とする。
上に、絶縁膜を形成した後、電極材料を付着してＭＩＳ
構造電極を形成する方法において、絶縁膜の形成に先立
ち、基板表面をリン酸系エッチャントで処理して硫黄パ
ッジベージジン処理することを特徴とする。
ここで、■−ｖ族化合物半導体は、ガリウムまたは砒素
の少なくともいずれか一方を含むようにしてもよい。
の少なくともいずれか一方を含むようにしてもよい。
本発明では、硫黄パッシベーション処理に先立ち、リン
酸系エッチャントのような順メサエッチャントで基板の
表面層を除去しているので、■−■族化合物半導体と絶
縁膜の界面は、ダングリングボンドを減らすように再構
成され、界面準位密度の低減が可能になる。
酸系エッチャントのような順メサエッチャントで基板の
表面層を除去しているので、■−■族化合物半導体と絶
縁膜の界面は、ダングリングボンドを減らすように再構
成され、界面準位密度の低減が可能になる。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の方法が適用され得るＭＩ ５ＦＥＴの
構造を示し、同図（ａ）はエピタキシャル成長方法を用
いて■−ｖ族化合物半導体基板を形成した場合、同図（
ｂ）はイオン注入法を用いて■−Ｖ族化合物半導体基板
を形成した場合に対応している。まず、同図（ａ）のＦ
ＥＴでは、ｐ型Ｇａ Ａｓ基板１１が用意され、ＯＭＶ
ＰＥ法などによりｎ型Ｇａ Ａｓ層１２およびｎ＋型Ｇ
ａＡｓ層１３が順次に形成される。次に、チャネル領域
のｎ＋型Ｇａ Ａｓ層１３が選択エツチングされてｎ型
Ｇａ Ａｓ層１２が露出される。しかる後、本発明の特
徴に係るリン酸系エッチャントによる処理がされ、ｎ型
Ｇａ Ａｓ層１２が表面が薄くエツチングされる。この
とき、ｎ 型Ｇａ Ａｓ層１３も軽くエツチングされる
が、特に問題はない。
構造を示し、同図（ａ）はエピタキシャル成長方法を用
いて■−ｖ族化合物半導体基板を形成した場合、同図（
ｂ）はイオン注入法を用いて■−Ｖ族化合物半導体基板
を形成した場合に対応している。まず、同図（ａ）のＦ
ＥＴでは、ｐ型Ｇａ Ａｓ基板１１が用意され、ＯＭＶ
ＰＥ法などによりｎ型Ｇａ Ａｓ層１２およびｎ＋型Ｇ
ａＡｓ層１３が順次に形成される。次に、チャネル領域
のｎ＋型Ｇａ Ａｓ層１３が選択エツチングされてｎ型
Ｇａ Ａｓ層１２が露出される。しかる後、本発明の特
徴に係るリン酸系エッチャントによる処理がされ、ｎ型
Ｇａ Ａｓ層１２が表面が薄くエツチングされる。この
とき、ｎ 型Ｇａ Ａｓ層１３も軽くエツチングされる
が、特に問題はない。
次に、（ＮＨ４）２Ｓ、溶液などを用いて硫黄パッシベ
ーション処理が施され、しかる後に絶縁膜１４が形成さ
れる。アニールののち、ゲート電極１５、ソース電極１
６およびドレイン電極１７が形成されると、第１図（ａ
）のＭＩＳＦＥＴが完成する。
ーション処理が施され、しかる後に絶縁膜１４が形成さ
れる。アニールののち、ゲート電極１５、ソース電極１
６およびドレイン電極１７が形成されると、第１図（ａ
）のＭＩＳＦＥＴが完成する。
同図（ｂ）（ＱＭＩ ５ＦＥＴでは、ｐ−型ＧａＡｓ基
板１１が用意され、イオン注入法により活性層としての
ｎ型Ｇａ Ａｓ層１８と、コンタクト層としてのｎ 型
Ｇａ Ａｓ層１９が形成される。
板１１が用意され、イオン注入法により活性層としての
ｎ型Ｇａ Ａｓ層１８と、コンタクト層としてのｎ 型
Ｇａ Ａｓ層１９が形成される。
次に、必要に応じてチャネル領域をエツチングしてリセ
ス構造とした後に、本発明の特徴に係るリン酸系エッチ
ャントによる処理と、硫黄パッシベーション処理が施さ
れる。これについては、同図（ａ）の場合と同様である
。次に、絶縁膜１４が形成され、アニールの後にゲート
電極１５、ソース電極１６およびドレイン電極１７が形
成されると、第１図（ｂ）のＭＩＳＦＥＴが完成する。
ス構造とした後に、本発明の特徴に係るリン酸系エッチ
ャントによる処理と、硫黄パッシベーション処理が施さ
れる。これについては、同図（ａ）の場合と同様である
。次に、絶縁膜１４が形成され、アニールの後にゲート
電極１５、ソース電極１６およびドレイン電極１７が形
成されると、第１図（ｂ）のＭＩＳＦＥＴが完成する。
本発明者は、硫黄パッシベーション処理に先立つ各種エ
ッチャントによる処理の効果をＰＬ（螢光）強度で比較
した。
ッチャントによる処理の効果をＰＬ（螢光）強度で比較
した。
その結果を第２図に示す。図示の通り、Ｈ３ＰＯ４を含
むエッチャントで軽くエツチングしたときには、バンド
端に対応する波長でＰＬ強度が高くなっている。これに
対し、アンモニア系あるいは硫酸系エッチャントのよう
な、いわゆる逆メサエッチャントで処理したときには、
大きな改善がされていないのが理解できる。ここで、逆
メサエッチャントとはエツチング面が逆メサ状及び順メ
サ状となるものを指し、リン酸系エッチャントではエツ
チング面が全方向で順メサ状となるので、ここでは順メ
サエッチャントと呼ぶ。
むエッチャントで軽くエツチングしたときには、バンド
端に対応する波長でＰＬ強度が高くなっている。これに
対し、アンモニア系あるいは硫酸系エッチャントのよう
な、いわゆる逆メサエッチャントで処理したときには、
大きな改善がされていないのが理解できる。ここで、逆
メサエッチャントとはエツチング面が逆メサ状及び順メ
サ状となるものを指し、リン酸系エッチャントではエツ
チング面が全方向で順メサ状となるので、ここでは順メ
サエッチャントと呼ぶ。
次に、本発明者はＭＩＳＦＥＴを試作して本発明の効果
を確認した。
を確認した。
実施例１
ｐ−型Ｇａ Ａｓ基板を用意し、ＯＭＶＰＥ法でｎ型Ｇ
ａ Ａｓ層を１００ＯＡの厚さ、ｎ 型ＧａＡｓ層を７
００Ａの厚さに成長させた。そして、ゲート開口部のｎ
＋型Ｇａ Ａｓ層を除去し、マスク除去後に ＨＰＯ：ＨＯ：Ｈ０ −４：１：１００ のリン酸系エッチャントで全体を軽く処理した。
ａ Ａｓ層を１００ＯＡの厚さ、ｎ 型ＧａＡｓ層を７
００Ａの厚さに成長させた。そして、ゲート開口部のｎ
＋型Ｇａ Ａｓ層を除去し、マスク除去後に ＨＰＯ：ＨＯ：Ｈ０ −４：１：１００ のリン酸系エッチャントで全体を軽く処理した。
その後、（ＮＨ４）２ Ｓｘ溶液に１０分間浸漬し、２
０秒間水洗して窒素ガスブローで除水した。次イテ、Ｅ
ＣＲ−ＣＶＤ法ニヨリＳｉＮ膜を形成し、４５０℃で３
０分間の熱処理をした。その後、ゲート電極、ソース電
極及びドレイン電極を形成した。このＭＩＳＦＥＴにつ
いて、高周波Ｃ−Ｖ法で界面準位密度を測定したところ
、３Ｘ１０”ｃｎＩ−２ｅｖテあツタ。
０秒間水洗して窒素ガスブローで除水した。次イテ、Ｅ
ＣＲ−ＣＶＤ法ニヨリＳｉＮ膜を形成し、４５０℃で３
０分間の熱処理をした。その後、ゲート電極、ソース電
極及びドレイン電極を形成した。このＭＩＳＦＥＴにつ
いて、高周波Ｃ−Ｖ法で界面準位密度を測定したところ
、３Ｘ１０”ｃｎＩ−２ｅｖテあツタ。
実施例２
ｐ−型Ｇａ Ａｓ基板を用意し、イオン注入によりｎ型
Ｇａ Ａｓ層およびｎ＋型Ｇａ Ａｓ層を形成した。し
かる後、実施例１と同様に、リン酸系エッチャントによ
る処理と硫黄バッジベージジン処理を行い、ＭＩＳＦＥ
Ｔを得た。このＭＩＳＦＥＴについて、高周波Ｃ−Ｖ法
で界面準位密度を測定したところ、９ Ｘ １０ ”ｃ
ｍ−２ｅ Ｖであった。実施例１に比べて界面準位密度
が高いのは、エピタキシャル成長法によれば結晶性が高
くなるためであると考えられる。
Ｇａ Ａｓ層およびｎ＋型Ｇａ Ａｓ層を形成した。し
かる後、実施例１と同様に、リン酸系エッチャントによ
る処理と硫黄バッジベージジン処理を行い、ＭＩＳＦＥ
Ｔを得た。このＭＩＳＦＥＴについて、高周波Ｃ−Ｖ法
で界面準位密度を測定したところ、９ Ｘ １０ ”ｃ
ｍ−２ｅ Ｖであった。実施例１に比べて界面準位密度
が高いのは、エピタキシャル成長法によれば結晶性が高
くなるためであると考えられる。
比較例１
リン酸系エッチャントによる処理に代えてＮＨ４ＯＨ系
エッチャントでの処理を行い、絶縁膜は抵抗加熱による
ＳｉＯ３で形成した。他の条件は実施例１と同様にした
。このＭＩＳＦＥＴについて、高周波Ｃ−■法で界面準
位密度を測定したとコロ、１．２×１０１１ｍ−２ｅｖ
であった。
エッチャントでの処理を行い、絶縁膜は抵抗加熱による
ＳｉＯ３で形成した。他の条件は実施例１と同様にした
。このＭＩＳＦＥＴについて、高周波Ｃ−■法で界面準
位密度を測定したとコロ、１．２×１０１１ｍ−２ｅｖ
であった。
なお、本発明者は参考のため、各成膜法によるＰＬ（蛍
光）強度の比較を行なった。
光）強度の比較を行なった。
この結果を第３図に示す。図中の曲線（ａ）は硫黄パッ
シベーション処理の後にＥＣＲ−ＣＶＤで絶縁膜を形成
した結果であり、バンド端において高いＰＬ強度が得ら
れている。図中の曲線（ｂ）は、硫黄パッシベーション
処理を施したが絶縁膜は形成しなかった場合のものであ
る。これらに・より、ＥＣＲ−ＣＶＤ法を用いると、硫
黄パッシベーション処理の効果が全く劣化しないのがわ
かる。
シベーション処理の後にＥＣＲ−ＣＶＤで絶縁膜を形成
した結果であり、バンド端において高いＰＬ強度が得ら
れている。図中の曲線（ｂ）は、硫黄パッシベーション
処理を施したが絶縁膜は形成しなかった場合のものであ
る。これらに・より、ＥＣＲ−ＣＶＤ法を用いると、硫
黄パッシベーション処理の効果が全く劣化しないのがわ
かる。
これは、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置ではプラズマ発生室と成膜
室が異なるため、プラズマシャワーがＧａＡｓ系半導体
にダメージを与えないためと考えられる。
室が異なるため、プラズマシャワーがＧａＡｓ系半導体
にダメージを与えないためと考えられる。
曲線（Ｃ）はスパッタ法、（ｄ）は熱ＣＶＤ法による成
膜をしたときのものである。硫黄パッシベーション処理
の効果が、ＥＣＲ−ＣＶＤ法に比べて劣化しているのが
わかる。曲線（ｅ）はＲＦ＝１３．５６ＭＨｚでのブラ
ズｖＣＶＤ法、曲線（ｇ）はＲＦ ＝ ５０ Ｋ Ｈｚ
でのブラズｖＣＶＤ法で絶縁膜を形成したときのもので
ある。硫黄パッシベーション処理の効果が、大きく劣化
しているのがわかる。なお、曲線（ｆ）は何らの処理も
してなかった場合である。
膜をしたときのものである。硫黄パッシベーション処理
の効果が、ＥＣＲ−ＣＶＤ法に比べて劣化しているのが
わかる。曲線（ｅ）はＲＦ＝１３．５６ＭＨｚでのブラ
ズｖＣＶＤ法、曲線（ｇ）はＲＦ ＝ ５０ Ｋ Ｈｚ
でのブラズｖＣＶＤ法で絶縁膜を形成したときのもので
ある。硫黄パッシベーション処理の効果が、大きく劣化
しているのがわかる。なお、曲線（ｆ）は何らの処理も
してなかった場合である。
次に、本発明者は、参考のため絶縁膜１４形成後のアニ
ールの影響を調べた。
ールの影響を調べた。
その結果を第４図に示す。ＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成した
ＳＩＮ膜は、３８０〜５２０℃特に４００〜５００℃で
アニールしたときに、ＰＬ強度が改善されている。これ
に対し、ＥＣＲ−ＣＶＤ法を用いた場合でもＳｉＯ２膜
のときには、アニールによって改善が見られない。なお
、上記のアニールは窒素ガス雰囲気中で、３０分間おこ
なった。
ＳＩＮ膜は、３８０〜５２０℃特に４００〜５００℃で
アニールしたときに、ＰＬ強度が改善されている。これ
に対し、ＥＣＲ−ＣＶＤ法を用いた場合でもＳｉＯ２膜
のときには、アニールによって改善が見られない。なお
、上記のアニールは窒素ガス雰囲気中で、３０分間おこ
なった。
以上、詳細に説明した通り本発明では、硫黄パッシベー
ション処理に先立ち、リン酸系エッチャントのような順
メサエッチャントで基板の表面層を除去しているので、
■−Ｖ族化合物半導体と絶縁膜の界面は、ダングリング
ボンドを減らすように再構成され、界面準位密度の低減
が可能になる。
ション処理に先立ち、リン酸系エッチャントのような順
メサエッチャントで基板の表面層を除去しているので、
■−Ｖ族化合物半導体と絶縁膜の界面は、ダングリング
ボンドを減らすように再構成され、界面準位密度の低減
が可能になる。
このため、特性の優れたＭＩＳ構造電極が得られる。
第１図は本発明方法が適用可能なＭＩＳＦＥＴの断面図
、第２図はリン酸系エッチャントによる処理の効果を示
す図、第３図は各成膜法によるＰＬ強度の差を示す図、
第４図はアニールの効果を示す図である。 １１−１）−型Ｇａ Ａｓ基板１．１２−ｎ ｍ Ｇ
ａＡｓ層、１３−ｎ＋型Ｇａ Ａｓ層、１４−・・絶縁
膜、１５・・・ゲート電極、１６・・・ソース電極、１
７・・・ドレイン電極、１８・・・ｎ型Ｇａ Ａｓ層、
１９・・・ｎ＋型Ｇａ Ａｓ層。 代理人弁理士 長谷用 芳 樹に’）ＣＪ ニール温度の効果
、第２図はリン酸系エッチャントによる処理の効果を示
す図、第３図は各成膜法によるＰＬ強度の差を示す図、
第４図はアニールの効果を示す図である。 １１−１）−型Ｇａ Ａｓ基板１．１２−ｎ ｍ Ｇ
ａＡｓ層、１３−ｎ＋型Ｇａ Ａｓ層、１４−・・絶縁
膜、１５・・・ゲート電極、１６・・・ソース電極、１
７・・・ドレイン電極、１８・・・ｎ型Ｇａ Ａｓ層、
１９・・・ｎ＋型Ｇａ Ａｓ層。 代理人弁理士 長谷用 芳 樹に’）ＣＪ ニール温度の効果
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、III−Ｖ族化合物半導体からなる基板上に、絶縁膜
を形成した後、電極材料を付着してＭＩＳ構造電極を形
成する方法において、 前記絶縁膜の形成に先立ち、前記基板表面をリン酸系エ
ッチャントで処理して硫黄パッシベーション処理するこ
とを特徴とするＭＩＳ構造電極の形成方法。 ２、前記III−Ｖ族化合物半導体は、ガリウムまたは砒
素の少なくともいずれか一方を含む請求項１記載のＭＩ
Ｓ構造電極の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2204529A JPH0491435A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | Ｍｉｓ構造電極の形成方法 |
| US07/736,967 US5393680A (en) | 1990-08-01 | 1991-07-30 | MIS electrode forming process |
| KR1019910013194A KR950007956B1 (ko) | 1990-08-01 | 1991-07-31 | Mis 구조전극의 형성방법 |
| CA002048206A CA2048206A1 (en) | 1990-08-01 | 1991-07-31 | Mis electrodes forming process |
| EP19910112950 EP0469604A2 (en) | 1990-08-01 | 1991-08-01 | MIS electrode forming process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2204529A JPH0491435A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | Ｍｉｓ構造電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0491435A true JPH0491435A (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=16492050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2204529A Pending JPH0491435A (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | Ｍｉｓ構造電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0491435A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260325A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Univ Of Tokyo | 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置 |
| WO2011027871A1 (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電界効果トランジスタ、集積回路、及び半導体基板の製造方法 |
| CN103578957A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-02-12 | 清华大学 | 衬底表面钝化方法和半导体结构形成方法 |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2204529A patent/JPH0491435A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009260325A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Univ Of Tokyo | 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置 |
| CN101978503A (zh) * | 2008-03-26 | 2011-02-16 | 国立大学法人东京大学 | 半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体装置 |
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| JP2012023326A (ja) * | 2009-09-04 | 2012-02-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電界効果トランジスタ、集積回路、及び半導体基板の製造方法 |
| US9112035B2 (en) | 2009-09-04 | 2015-08-18 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor substrate, field-effect transistor, integrated circuit, and method for fabricating semiconductor substrate |
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