JPH0492455A - レーザーマーキング方法 - Google Patents
レーザーマーキング方法Info
- Publication number
- JPH0492455A JPH0492455A JP2208066A JP20806690A JPH0492455A JP H0492455 A JPH0492455 A JP H0492455A JP 2208066 A JP2208066 A JP 2208066A JP 20806690 A JP20806690 A JP 20806690A JP H0492455 A JPH0492455 A JP H0492455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- marking
- package
- laser beam
- mark
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/722—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between stacked chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザーマーキング技術に関し、特に半導体
チップを封止したパッケージのマーキングに適用して有
効な技術に関するものである。
チップを封止したパッケージのマーキングに適用して有
効な技術に関するものである。
半導体集積回路装置の製造工程では、所定の集積回路を
形成した半導体チップをパッケージに封止した後、パッ
ケージの表面にレーザー光を照射して製造メーカー、製
造年月日、品種などのマークを刻印している。
形成した半導体チップをパッケージに封止した後、パッ
ケージの表面にレーザー光を照射して製造メーカー、製
造年月日、品種などのマークを刻印している。
しかしながら、セラミックパッケージのように、マーキ
ング面が白色またはそれに近い色のパッケージでは、そ
の表面に刻印されたマークも白色またはそれに近い色と
なるため、マークが不鮮明で判読性に乏しいという問題
があった。
ング面が白色またはそれに近い色のパッケージでは、そ
の表面に刻印されたマークも白色またはそれに近い色と
なるため、マークが不鮮明で判読性に乏しいという問題
があった。
そこで、マークの鮮明度を向上させるため、■マーキン
グ時の雰囲気を酸化促進ガス雰囲気にして加熱酸化を促
進する（特開昭６０−１３７５９２号公報）、■マーキ
ング面に有機被膜を被着する（特開平１−８０５４３号
公報）、■マーキング面に種々の色のコーティング層を
設ける（特開昭６２−２０３６９２号公報）などの方法
が提案されている。
グ時の雰囲気を酸化促進ガス雰囲気にして加熱酸化を促
進する（特開昭６０−１３７５９２号公報）、■マーキ
ング面に有機被膜を被着する（特開平１−８０５４３号
公報）、■マーキング面に種々の色のコーティング層を
設ける（特開昭６２−２０３６９２号公報）などの方法
が提案されている。
しかし、本発明者の検討によれば、前記従来技術は、レ
ーザーマーキング装置に新たな装置を追加したり、マー
キング工程に新たな作業工程を追加したりするたｔ、マ
ーキングコストが増加したり、マーキング工程の歩留り
が低下するなどの問題がある。
ーザーマーキング装置に新たな装置を追加したり、マー
キング工程に新たな作業工程を追加したりするたｔ、マ
ーキングコストが増加したり、マーキング工程の歩留り
が低下するなどの問題がある。
本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的は、安価なコストでマークの鮮明度を向上
させることのできる技術を提供することにある。
り、その目的は、安価なコストでマークの鮮明度を向上
させることのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から胡らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から胡らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
（１）、パッケージの表面にレーザー光を照射して所定
のマークを形成する際、上記レーザー光をパッケージの
マーキング面に対して斜め方向から照射する。
のマークを形成する際、上記レーザー光をパッケージの
マーキング面に対して斜め方向から照射する。
（２）、上ｉ己パッケージのマーキング面を下方に向け
、その下方からレーザー光を照射する。
、その下方からレーザー光を照射する。
上記した手段（１）によれば、レーザー光をパッケージ
のマーキング面に対して斜め方向から照射することによ
り、刻印された溝（マーク）の内壁もマーキング面に対
して斜めになる。その結果、溝の内側と外側とで反射光
の角度が異なってくるので、マーキング面とマークとの
コントラストが明瞭になる。
のマーキング面に対して斜め方向から照射することによ
り、刻印された溝（マーク）の内壁もマーキング面に対
して斜めになる。その結果、溝の内側と外側とで反射光
の角度が異なってくるので、マーキング面とマークとの
コントラストが明瞭になる。
上記した手段（２）によれば、パッケージのマーキング
面を下方に向け、その下方からレーザー光を照射するこ
とにより、レーザー光によって削られて生じた飛散物が
マーキング面に再付着して光を乱反射させるのを防止で
きるので、上ｇ己飛散物の再付着に起因する前記コント
ラストの低下を防止することができる。
面を下方に向け、その下方からレーザー光を照射するこ
とにより、レーザー光によって削られて生じた飛散物が
マーキング面に再付着して光を乱反射させるのを防止で
きるので、上ｇ己飛散物の再付着に起因する前記コント
ラストの低下を防止することができる。
第３図は、本実施例で用いるＬＳＩパッケージ１である
。このＬＳＩパッケージ１は、ＡｆＮなどのセラミック
で構成したキャップ２および下枠３によって周囲を囲ま
れたキャビティ４内に半導体チップ５を気密封止したパ
ッケージ構造を有してし）る。上記チップ５は、半田バ
ンブ６を介してセラミック多層基板７の主面にフェイス
ダウンボンディングされており、セラミック多層基板７
の背面はキャップ２の下面に接合されている。ＬＳＩパ
ッケージ１の側面に設けられたリード８と上記多層基板
７とは、ワイヤ９を介して電気的に接続されている。
。このＬＳＩパッケージ１は、ＡｆＮなどのセラミック
で構成したキャップ２および下枠３によって周囲を囲ま
れたキャビティ４内に半導体チップ５を気密封止したパ
ッケージ構造を有してし）る。上記チップ５は、半田バ
ンブ６を介してセラミック多層基板７の主面にフェイス
ダウンボンディングされており、セラミック多層基板７
の背面はキャップ２の下面に接合されている。ＬＳＩパ
ッケージ１の側面に設けられたリード８と上記多層基板
７とは、ワイヤ９を介して電気的に接続されている。
上記ＬＳＩパッケージ１のキャップ２の上面にレーザー
光を照射して、製造メーカー、製造年月日、品種などの
マークを形成する方法を第１図および第２図により説明
する。
光を照射して、製造メーカー、製造年月日、品種などの
マークを形成する方法を第１図および第２図により説明
する。
第１図は、レーザーマーキング装置の要部を示しており
、炭酸ガスなどの光源を内蔵したレーザー照射部】０か
ら照射されたレーザー光りは、光路の途中に配置された
反射ミラー１１によってＬＳＩパッケージｌのマーキン
グ面（キャップ２上面）に対して斜め方向に反射された
後、反射ミラー１１とＬＳＩパッケージ１との間に配置
された集光ミラー１２によって集束されてマーキング面
に到達する。上記レーザーマーキング装置は、反射ミラ
ー１１の角度を変えることによって、マーキング面に到
達するレーザー光りの角度を自由に変えることができる
ようになっている。マークを形成するには、例えばレー
ザーマーキング装置をＬＳＩパッケージ１に対して相対
移動させながら、そのマーキング面に所定形状の溝を刻
印する。
、炭酸ガスなどの光源を内蔵したレーザー照射部】０か
ら照射されたレーザー光りは、光路の途中に配置された
反射ミラー１１によってＬＳＩパッケージｌのマーキン
グ面（キャップ２上面）に対して斜め方向に反射された
後、反射ミラー１１とＬＳＩパッケージ１との間に配置
された集光ミラー１２によって集束されてマーキング面
に到達する。上記レーザーマーキング装置は、反射ミラ
ー１１の角度を変えることによって、マーキング面に到
達するレーザー光りの角度を自由に変えることができる
ようになっている。マークを形成するには、例えばレー
ザーマーキング装置をＬＳＩパッケージ１に対して相対
移動させながら、そのマーキング面に所定形状の溝を刻
印する。
第２図は、斜め方向から照射したレーザー光りによって
キャップ２の上面に刻印された溝１３の断面を示してい
る。図から胡らかなように、レーザー光りをマーキング
面に対して斜め上方から照射することにより、刻印され
た溝１３の内壁（側壁および底面）は、マーキング面に
対して斜めになるので、溝１３の内側と外側とで反射光
の角度が異なる結果、上方からマーキング面を見たとき
に、マーキング面とマークとのコントラストが明瞭にな
り、マークの鮮明度が向上する。このように、ＬＳＩパ
ッケージ１のマーキング面に対して斜め方向からレーザ
ー光りを照射する本実施例のマーキング方法によれば、
鮮明度の高いマークを有するＬＳＩパッケージ１を安価
に提供することができる。
キャップ２の上面に刻印された溝１３の断面を示してい
る。図から胡らかなように、レーザー光りをマーキング
面に対して斜め上方から照射することにより、刻印され
た溝１３の内壁（側壁および底面）は、マーキング面に
対して斜めになるので、溝１３の内側と外側とで反射光
の角度が異なる結果、上方からマーキング面を見たとき
に、マーキング面とマークとのコントラストが明瞭にな
り、マークの鮮明度が向上する。このように、ＬＳＩパ
ッケージ１のマーキング面に対して斜め方向からレーザ
ー光りを照射する本実施例のマーキング方法によれば、
鮮明度の高いマークを有するＬＳＩパッケージ１を安価
に提供することができる。
〔実施例２〕
第４図に示すレーザーマーキング装置は、ＬＳＩパッケ
ージ１をレーザー照射部１０の上方に配萱している。Ｌ
ＳＩパッケージ１は、キャップ２を下に向けた状態で固
定治具１４に保持されており、レーザー光りは、斜め下
方からマーキング面に照射されるようになっている。
ージ１をレーザー照射部１０の上方に配萱している。Ｌ
ＳＩパッケージ１は、キャップ２を下に向けた状態で固
定治具１４に保持されており、レーザー光りは、斜め下
方からマーキング面に照射されるようになっている。
このような方法でマーキングを行う本実施例２によれば
、レーザー光りによって削られて生じた飛散物がマーキ
ング面に再付着して光を乱反射させ、マーキング面とマ
ークとのコントラストを不明瞭にする不具合を有効に防
止することができるので、上記飛散物の再付着に起因す
るマークの鮮明度の低下が防止される。この場合、図示
したように、吸引ポンプ１５のノズル１６を使ってマー
キング面から生じた飛散物を吸引、除去することにより
、上記飛散物がマーキング面に再付着するのをより確実
に防止することができる。
、レーザー光りによって削られて生じた飛散物がマーキ
ング面に再付着して光を乱反射させ、マーキング面とマ
ークとのコントラストを不明瞭にする不具合を有効に防
止することができるので、上記飛散物の再付着に起因す
るマークの鮮明度の低下が防止される。この場合、図示
したように、吸引ポンプ１５のノズル１６を使ってマー
キング面から生じた飛散物を吸引、除去することにより
、上記飛散物がマーキング面に再付着するのをより確実
に防止することができる。
〔実施例３〕
第５図に示すレーザーマーキング装置は、レーザー照射
部１０から照射されたレーサー光りを二分割し、照射角
度が互いに異なる二本のレーザー光り、、Ｌ２をいずれ
もマーキング面に対して斜約方向から照射するようにな
っている。
部１０から照射されたレーサー光りを二分割し、照射角
度が互いに異なる二本のレーザー光り、、Ｌ２をいずれ
もマーキング面に対して斜約方向から照射するようにな
っている。
このような方法でマーキングを行う本実施例３によれば
、第６図に示すように、刻印された溝１３の断面形状が
前記実施例１．２の場合よりも複雑になり、溝１３の内
部で光が乱反射するようになるので、マーキング面とマ
ークとのコントラストが一層明瞭になり、マークの鮮明
度がさらに向上する。また、本実施例３によれば、二本
のレーザー光り、、 Ｌ２を使って溝１３を刻印するた
め、単一のレーザー光りを使う場合に比べてマーキング
に要する時間を短縮することができる。
、第６図に示すように、刻印された溝１３の断面形状が
前記実施例１．２の場合よりも複雑になり、溝１３の内
部で光が乱反射するようになるので、マーキング面とマ
ークとのコントラストが一層明瞭になり、マークの鮮明
度がさらに向上する。また、本実施例３によれば、二本
のレーザー光り、、 Ｌ２を使って溝１３を刻印するた
め、単一のレーザー光りを使う場合に比べてマーキング
に要する時間を短縮することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
前記実施例１〜３ではセラミック製のＬＳＩパッケージ
に適用した場合について説明したが、樹脂封止形ＬＳＩ
パッケージに適用することもできる。
に適用した場合について説明したが、樹脂封止形ＬＳＩ
パッケージに適用することもできる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
（１）、パッケージの表面にレーザー光を照射して所定
のマークを形成する際、上記レーザー光をパッケージの
マーキング面に対して斜め方向から照射することにより
、鮮明度の高いマークを有するＬＳＩパッケージを安価
に提供することができる。
のマークを形成する際、上記レーザー光をパッケージの
マーキング面に対して斜め方向から照射することにより
、鮮明度の高いマークを有するＬＳＩパッケージを安価
に提供することができる。
（２）、パッケージのマーキング面を下方に向け、その
下方から斜めにレーザー光を照射することにより、レー
ザー光によって削られて生じた飛散物がマーキング面に
再付着して光を乱反射させるのを防止することができる
ので、上記飛散物の再付着に起因するマークの鮮明度の
低下を防止することができる。
下方から斜めにレーザー光を照射することにより、レー
ザー光によって削られて生じた飛散物がマーキング面に
再付着して光を乱反射させるのを防止することができる
ので、上記飛散物の再付着に起因するマークの鮮明度の
低下を防止することができる。
（３） パッケージのマーキング面に対して照射角度
の異なる複数のレーザー光を斜め方向から照射すること
により、マークの鮮明度が一層向上するとともに、マー
キング時間を短縮することができる。
の異なる複数のレーザー光を斜め方向から照射すること
により、マークの鮮明度が一層向上するとともに、マー
キング時間を短縮することができる。
第１図は、本発明の一実施例であるマーキング方法に用
いるマーキング装置の要部概略図、第２図は、このマー
キング方法によって形成された溝の形状を示すパッケー
ジの要部断面図、第３図は、このマーキング方法に用い
るパッケージの断面図、 第４図は、本発明の他の実施例であるマーキング方法に
用いるマーキング装置の要部概略図、第５図は、本発明
のさらに他の実施例であるマーキング方法に用いるマー
キング装置の要Ｂ概略図、 第６図は、このマーキング方法によって形成された溝の
形状を示すパッケージの要部断面図である。 １・・・ＬＳＩパッケージ、２・・・キャップ、３・・
・下枠、４・・・キャビティ、５・・・半導体チップ、
６・・・半田バンブ、７・・・セラミック多層基板、８
・・・リード、９・・・ワイヤ、１０・・・レーザー照
射部、１１・・・反射ミラー １２・・・集光ミラー
１３・・・溝、１４・・・固定治具、１５・・・吸引ポ
ンプ、１６・・・ノズル。 ＾ダー 弔 図 第 図 Ｌ：レーサー光
いるマーキング装置の要部概略図、第２図は、このマー
キング方法によって形成された溝の形状を示すパッケー
ジの要部断面図、第３図は、このマーキング方法に用い
るパッケージの断面図、 第４図は、本発明の他の実施例であるマーキング方法に
用いるマーキング装置の要部概略図、第５図は、本発明
のさらに他の実施例であるマーキング方法に用いるマー
キング装置の要Ｂ概略図、 第６図は、このマーキング方法によって形成された溝の
形状を示すパッケージの要部断面図である。 １・・・ＬＳＩパッケージ、２・・・キャップ、３・・
・下枠、４・・・キャビティ、５・・・半導体チップ、
６・・・半田バンブ、７・・・セラミック多層基板、８
・・・リード、９・・・ワイヤ、１０・・・レーザー照
射部、１１・・・反射ミラー １２・・・集光ミラー
１３・・・溝、１４・・・固定治具、１５・・・吸引ポ
ンプ、１６・・・ノズル。 ＾ダー 弔 図 第 図 Ｌ：レーサー光
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを封止したパッケージの表面にレーザ
ー光を照射して所定のマークを形成する際、前記レーザ
ー光をマーキング面に対して斜め方向から照射すること
を特徴とするレーザーマーキング方法。 ２、マーキング面に対して照射角度の異なる複数のレー
ザー光を照射することを特徴とする請求項１記載のレー
ザーマーキング方法。 ３、マーキング面を下方に向けた状態でパッケージの下
方からレーザー光を照射することを特徴とする請求項１
または２記載のレーザーマーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208066A JPH0492455A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | レーザーマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208066A JPH0492455A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | レーザーマーキング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492455A true JPH0492455A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16550081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208066A Pending JPH0492455A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | レーザーマーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009141126A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP2208066A patent/JPH0492455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009141126A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3181600B2 (ja) | 基板またはチップにフラックスなしで半田付けする方法および装置 | |
| US11901253B2 (en) | Electronic device and method for manufacturing same | |
| JP5689514B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0423441A (ja) | セラミックパッケージ半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2022164272A (ja) | Ｌｅｄディスプレイパネルの製造方法 | |
| TWI391201B (zh) | 封裝於鑄模化合物中之元件的脆性結構暴露方法及系統 | |
| JP3967459B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002299553A (ja) | モジュール及びその製造方法 | |
| JPH0918127A (ja) | ボ−ル電極形成装置 | |
| JP2006156674A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07115227A (ja) | 発光装置およびこれを用いた発光ユニット | |
| JP3717456B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH03155487A (ja) | レーザ溶接方法 | |
| JP2500669B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0413803B2 (ja) | ||
| JPS6141230Y2 (ja) | ||
| JP2504538Y2 (ja) | Ｌｅｄアレイ装置 | |
| JPH01278049A (ja) | 樹脂封止半導体装置の捺印方法 | |
| JP2001150161A (ja) | 膜体のレーザ加工装置及びその方法 | |
| JPH06120654A (ja) | リード接合装置およびリード接合構造 | |
| JPH0451534A (ja) | 半導体素子実装方法 | |
| JPH01236675A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH077259A (ja) | 電子部品実装方法 | |
| JPH03283456A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0276250A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |