JPH0493033A - 電力用トランジスタ - Google Patents
電力用トランジスタInfo
- Publication number
- JPH0493033A JPH0493033A JP2209890A JP20989090A JPH0493033A JP H0493033 A JPH0493033 A JP H0493033A JP 2209890 A JP2209890 A JP 2209890A JP 20989090 A JP20989090 A JP 20989090A JP H0493033 A JPH0493033 A JP H0493033A
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- JP
- Japan
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- emitter
- current
- electrode
- region
- source
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電力用トランジスタに関し、特に電流検出用電
極を有する電力用トランジスタに関する。
極を有する電力用トランジスタに関する。
第２図の断面図を用いて、従来の電流検出用電極を有す
る電力用バイポーラトランジスタの構造を説明する。
る電力用バイポーラトランジスタの構造を説明する。
半導体基板をコレクタ領域１１とし、コレクタ領域１１
内にベース領域１２が設けられ、ベース領域１２内にエ
ミッタ領域１Ｂ、１．：３ａが設けられる。半導体基板
表面にはシリコン酸化Ｍ１４が形成され、ベース領域コ
２．エミッタ領域］３およびエミッタ領域１３ａ」二の
シリコン酸化膜１４に設けられた開口部を介して、ベー
ス電極１８、エミッタ電極１７．電流検出用エミッタ電
極１５が設けられている。
内にベース領域１２が設けられ、ベース領域１２内にエ
ミッタ領域１Ｂ、１．：３ａが設けられる。半導体基板
表面にはシリコン酸化Ｍ１４が形成され、ベース領域コ
２．エミッタ領域］３およびエミッタ領域１３ａ」二の
シリコン酸化膜１４に設けられた開口部を介して、ベー
ス電極１８、エミッタ電極１７．電流検出用エミッタ電
極１５が設けられている。
電力用バイポーラトランジスタでは、エミッタ領域の周
囲長を長くすることによる電流および熱分布のバランス
を保つため、エミッタ領域の構造はマルチエミッタ構造
となっている。このため、エミッタ領域１３ａの面積は
エミッタ領域１３の面積より小さく設定され、電流検出
用エミッタ電極１５に流れる電流とエミッタ電極１７流
れるエミッタ電流とがエミッタ領域１３ａとエミッタ領
域１３との面積に比例することを利用して、エミッタ電
流の値を推定している。
囲長を長くすることによる電流および熱分布のバランス
を保つため、エミッタ領域の構造はマルチエミッタ構造
となっている。このため、エミッタ領域１３ａの面積は
エミッタ領域１３の面積より小さく設定され、電流検出
用エミッタ電極１５に流れる電流とエミッタ電極１７流
れるエミッタ電流とがエミッタ領域１３ａとエミッタ領
域１３との面積に比例することを利用して、エミッタ電
流の値を推定している。
従来の電流検出用電極を有する電力用電界効果トランジ
スタの構造も同じ技術思想のもとに構成されている。つ
まり、同一半導体基板内に小面積のソース領域を設け、
この上に電流検出用ソース電極を設け、電流検出用ソー
ス電極に流れる電流により、ソース電流の値を推定して
いる。
スタの構造も同じ技術思想のもとに構成されている。つ
まり、同一半導体基板内に小面積のソース領域を設け、
この上に電流検出用ソース電極を設け、電流検出用ソー
ス電極に流れる電流により、ソース電流の値を推定して
いる。
上述した従来の電流検出用電極を有する電力用バイポー
ラトランジスタ（または、従来の電流検出用電極を有す
る電力用電界効果トランジスタ）は、専用に設けられた
小面積のエミッタ領域（または、ソース領域）上に電流
検出用電極を設け、そこに流れる電流により全エミッタ
電流（または、全ソース電流）を推定しているため、ト
ランジスタ内部の電流経路およびエミッタ領域（または
、ソース領域）の形状に依存するエミッション効果が一
様でないため、正確な検出がなされないという欠点があ
る。
ラトランジスタ（または、従来の電流検出用電極を有す
る電力用電界効果トランジスタ）は、専用に設けられた
小面積のエミッタ領域（または、ソース領域）上に電流
検出用電極を設け、そこに流れる電流により全エミッタ
電流（または、全ソース電流）を推定しているため、ト
ランジスタ内部の電流経路およびエミッタ領域（または
、ソース領域）の形状に依存するエミッション効果が一
様でないため、正確な検出がなされないという欠点があ
る。
本発明の電力用トランジスタは、エミッタ領域上に設け
られたエミッタ開口部に（または、ソース領域上に設け
られたソース開口部に）、電流検出用エミッタ電極、抵
抗体膜、およびエミッタ電極（または、電流検出用ソー
ス電極、抵抗体膜およびソース電極）が順次積層されて
形成される構造を有している。
られたエミッタ開口部に（または、ソース領域上に設け
られたソース開口部に）、電流検出用エミッタ電極、抵
抗体膜、およびエミッタ電極（または、電流検出用ソー
ス電極、抵抗体膜およびソース電極）が順次積層されて
形成される構造を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の電力用バイポーラトランジ
スタを説明するための断面図である。
スタを説明するための断面図である。
半導体基板をコレクタ領域１とし、コレクタ領域１内に
ベース領域２が設けられ、ベース領域２内にエミッタ領
域３が設けられる。半導体基板表面にはシリコン酸化膜
４が形成され、ベース領域２上のシリコン酸化膜４に設
けらるな開口部を介して、ベース電極８が設けられてい
る。更に、エミッタ領域３上のシリコン酸化膜４に設け
られた開口部を介して、電流検出用エミッタ電極５．抵
抗体膜６．およびエミッタ電極７が順次積層されて形成
されている。電流検出用エミッタ電極５は露出部を有し
ている。
ベース領域２が設けられ、ベース領域２内にエミッタ領
域３が設けられる。半導体基板表面にはシリコン酸化膜
４が形成され、ベース領域２上のシリコン酸化膜４に設
けらるな開口部を介して、ベース電極８が設けられてい
る。更に、エミッタ領域３上のシリコン酸化膜４に設け
られた開口部を介して、電流検出用エミッタ電極５．抵
抗体膜６．およびエミッタ電極７が順次積層されて形成
されている。電流検出用エミッタ電極５は露出部を有し
ている。
一ヒ述の電力用バイポーラトランジスタをパッケージに
搭載し、電流検出用エミッタ電極５．およびエミッタ電
極７はパッケージの別々のリード端子に接続され、この
端子間の電圧降下により全エミッタ電流を検出する。
搭載し、電流検出用エミッタ電極５．およびエミッタ電
極７はパッケージの別々のリード端子に接続され、この
端子間の電圧降下により全エミッタ電流を検出する。
電力用電界効果トランジスタの場合も同様に、ソース領
域上に電流検出用ソース電極、抵抗体膜、およびソース
電極を順次積層して形成し、この電力用電界効果トラン
ジスタをパッケージに搭載し、電流検出用ソース電極、
およびソース電極をパッケージの別々のリード端子に接
続し、この端子間の電圧降下により全ソース電流を検出
している。
域上に電流検出用ソース電極、抵抗体膜、およびソース
電極を順次積層して形成し、この電力用電界効果トラン
ジスタをパッケージに搭載し、電流検出用ソース電極、
およびソース電極をパッケージの別々のリード端子に接
続し、この端子間の電圧降下により全ソース電流を検出
している。
以上説明したように本発明の電力用バイポーラトランジ
スタ（まなは、電力用電界効果トランジスタ）は、エミ
ッタ領域とエミッタ電極との間に電流検出用エミッタ電
極および抵抗体膜（または、ソース領域とソース電極と
の間に電流検出用ソース電極および抵抗体膜）を設けて
いる。
スタ（まなは、電力用電界効果トランジスタ）は、エミ
ッタ領域とエミッタ電極との間に電流検出用エミッタ電
極および抵抗体膜（または、ソース領域とソース電極と
の間に電流検出用ソース電極および抵抗体膜）を設けて
いる。
全エミッタ電流（または、全ソース電流）は、エミッタ
電極と電流検出用エミッタ電極との間（または、ソース
電極と電流検出用ソース電極との間）の電圧降下により
検出される。このため、トランジスタ内部の電流経路お
よびエミッタ領域（または、ソース領域）の形状に依存
するエミッション効果に関係するこのなく、全エミッタ
電流（または、全ソース電流）を正確に検出することが
可能となる。
電極と電流検出用エミッタ電極との間（または、ソース
電極と電流検出用ソース電極との間）の電圧降下により
検出される。このため、トランジスタ内部の電流経路お
よびエミッタ領域（または、ソース領域）の形状に依存
するエミッション効果に関係するこのなく、全エミッタ
電流（または、全ソース電流）を正確に検出することが
可能となる。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は従来の
電力用バイポーラトランジスタの縦断面図である。 １．１１・・・コレクタ領域、２，１２・・・ベース領
域、３，１３．１３ａ・・・エミッタ領域、４．１４・
・・シリコン酸化膜、５，１５・・・電流検出用エミッ
タ電極、６・・・抵抗体膜、７，１７・・・エミッタ電
極、８，１８ベース電極。
電力用バイポーラトランジスタの縦断面図である。 １．１１・・・コレクタ領域、２，１２・・・ベース領
域、３，１３．１３ａ・・・エミッタ領域、４．１４・
・・シリコン酸化膜、５，１５・・・電流検出用エミッ
タ電極、６・・・抵抗体膜、７，１７・・・エミッタ電
極、８，１８ベース電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電力用バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ
領域上に設けられたエミッタ開口部に、電流検出用エミ
ッタ電極、抵抗体膜、およびエミッタ電極が順次積層さ
れて形成されることを特徴とする電力用トランジスタ。 ２、電力用電界効果トランジスタにおいて、ソース領域
上に設けられたソース開口部に、電流検出用ソース電極
、抵抗体膜、およびソース電極が順次積層されて形成さ
れることを特徴とする電力用トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209890A JPH0493033A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 電力用トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209890A JPH0493033A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 電力用トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493033A true JPH0493033A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16580345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2209890A Pending JPH0493033A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 電力用トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0493033A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560773B2 (en) | 2005-10-14 | 2009-07-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP2209890A patent/JPH0493033A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560773B2 (en) | 2005-10-14 | 2009-07-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| DE102006044808B4 (de) * | 2005-10-14 | 2011-04-07 | Mitsubishi Electric Corp. | Halbleitervorrichtung |
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