JPH0510391Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案はマイクロ波集積回路（以下MICと称
す。）基板の取付構造の改良に関する。

(ロ) 従来の技術 従来、MIC基板の裏面とベースの導通をとる
ために、以下に示す方法が利用されている。

第３図は従来のMIC基板の取付構造を示す断
面図である。図において、１１はセラミツクより
成るMIC基板で、このMIC基板１１には開孔１
２が設けられている。また、１３はその上面に回
路パターン１４が形成されたプリント基板ベース
で、このプリント基板ベース１３には開孔１５が
設けられている。１８はMIC基板１１及び開孔
１２内に形成されたメタライズ層である。

而して、MIC基板１１をプリント基板ベース
１３に取付けるには、まず、プリント基板ベース
１３の開孔１５にCu、ステンレス等からなるピ
ン１７を圧入固定する。そして、MIC基板１１
の裏面に導電性接着剤１６を塗布し、ピン１７の
開孔１５から露出した部分を開孔１２に圧入固定
することで取付けは完了する。この取付構造によ
り、MIC基板１１の裏面のメタライズ層１８と
プリント基板ベース１３表面の導通をとることが
できる。

また、第４図は他の従来のMIC基板の取付構
造を示す断面図である。図において、２１はセラ
ミツクより成るMIC基板で、このMIC基板２１
には開孔２２が設けられるとともに、該MIC基
板２１の裏面、開孔２２及び前記MIC基板２１
の表面の一部（開孔２２の周囲）にメタライズ層
２３が設けられている。また、２４はAlよりな
るダイキヤスト製ベースで、このダイキヤスト製
ベース２４には開孔２５が設けられている。

而して、MIC基板２１をダイキヤスト製ベー
ス２４に取付けるには、まず、Cu、ステンレス
等よりなるピン２６を開孔２５に圧入固定する。
そして、ピン２６の開孔２５より露出した部分を
開孔２２に挿入する。なお、開孔２２はピン２６
に比べ十分に大きく設定されている。最後に、
MIC基板２１表面の開孔２２部分に半田部２７
を形成することで取付けは完了する。この取付構
造により、MIC基板２１裏面のメタライズ層２
３とダイキヤスト製ベース２４の導通をとること
ができる。

(ハ) 考案が解決しようとする問題点 上述の従来の技術では、いずれも、別部品であ
るピンが必要であり、しかも、このピンを圧入す
る作業が必要なため、コスト高になるという問題
があつた。

本考案は上記問題点に鑑み為されたものであ
り、安価で、しかも、確実にMIC基板の裏面の
メタライズ層とダイキヤスト製ベースの導通をと
ることができるMIC基板の取付構造を提供しよ
うとするものである。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本考案は、セラミツクよりなり開孔が設けられ
たMIC基板と、このMIC基板の裏面及び前記開
孔内に設けられた第１のメタライズ層と、前記開
孔に挿入し得る突起が一体成形されたダイキヤス
ト製ベースと、前記突起上に形成された半田付可
能な材料よりなる第２のメタライズ層と、前記第
１のメタライズ層と前記第２のメタライズ層を接
続する半田部と、から成ることを特徴とする
MIC基板の取付構造である。

(ホ) 作用 本考案は上記のように構成したので、ダイキヤ
スト製ベースに一体成形された突起を、MIC基
板の開孔に挿入し、前記突起部分を半田付するだ
けで、該MIC基板は固定され、さらに、該MIC
基板裏面のメタライズ層とダイキヤスト製ベース
の導通をとることができる。

(ヘ) 実施例 第２図は本考案実施例のMIC基板の取付構造
の上面図、第１図は第２図中における−線断
面図である。

図において、１はセラミツクよりなるMIC基
板であり、このMIC基板１には開孔（スルーホ
ール）２が設けられている。さらに、該MIC基
板１の裏面、表面（開口２の周囲）及び開孔２内
にはメタライズ層（第１のメタライズ層）３が設
けられている。また、MIC基板１の表面には回
路パターン４ａ，４ｂが設けられ、回路パターン
４ａ上には素子５が取付けられている。

なお、第２図に示された回路パターン４ａは部
分的なものである。また、メタライズ層３及び回
路パターン４ａ，４ｂはMoMn合金層上にAuあ
るいはNiメツキされたものである。

６はAlよりなるダイキヤスト製ベースで、こ
のダイキヤスト製ベース６には突起６ａが一体成
形されている。また、ダイキヤスト製ベース６上
（突起６ａを含む。）にはメツキによりNi層（第
２のメタライズ層）７が形成されている。

而して、MIC基板１をダイキヤスト製ベース
６に取付けるには、開孔２に突起６ａを挿入した
後（開孔２は突起６ａに比し十分大きい。）、突起
６ａ上のNi層７とMIC基板１の表面のメタライ
ズ層３を半田付けして、半田部８を設ければよ
い。この取付構造により、MIC基板１裏面のメ
タライズ層３とダイキヤスト製ベース６の導通を
とることができる。

なお、半田部８により開孔２内のメタライズ層
３と突起６ａ上のNi層７を接続する構成にすれ
ば、MIC基板１上のメタライズ層３は必ずしも
必要ない。また、突起６ａ部以外のNi層７を省
くこともできる。

本考案において、突起６ａ上に第２のメタライ
ズ層７を形成する理由について以下に説明する。

ダイキヤスト製ベース６は通常Al，Zn等で形
成され、一般に半田付けは困難とされている。従
つて、ダイキヤスト製ベース６に一体成形された
突起６ａとメタライズ層３の半田付けを容易にす
るため、突起６ａ上にNi，Au等からなる第２の
メタライズ層７を形成している。

次に、上述の如き、MIC基板の取付構造によ
り回路パターンとダイキヤスト製ベースがどのよ
うに導通されるかを説明する。

素子５が取付けられた回路パターン４ａ下の
MIC基板１には、スルーホール９が設けられて
おり、このスルーホール９内には、MIC基板１
裏面のメタライズ層３と回路パターン４ａの導通
をとるための図示しないメタライズ層が設けられ
ている。

而して、MIC基板１裏面のメタライズ層３は
本考案の取付構造により、ダイキヤスト製ベース
６と導通しているので、回路パターン４ａも、ス
ルーホール９を介してダイキヤスト製ベース６と
導通している。従つて、回路パターン４ａ部分に
メタライズ層が形成されたスルーホール９を形成
するだけで、回路パターン４ａとダイキヤスト製
ベース６の導通をとることができる。

(ト) 考案の効果 本考案は以上の説明から明らかなように、別部
品のピンも必要ないし、このピンの圧入作業も必
要なく、安価で、しかも確実にMIC基板の裏面
のメタライズ層とダイキヤスト製ベースの導通を
とることができ、実用的効果極めて大なるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図はいずれも本考案の実施例の
MIC基板の取付構造を示し、第２図は上面図、
第１図は第２図における−線断面図である。
第３図、第４図は従来のMIC基板の取付構造の
断面図である。 １……MIC基板、２……開孔、３……第１の
メタライズ層、４ａ，４ｂ……回路パターン、５
……素子、６……ダイキヤスト製ベース、６ａ…
…突起、７……第２のメタライズ層、８……半田
部、９……スルーホール。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ セラミツクよりなり開孔が設けられたマイク
   ロ波集積回路基板と、このマイクロ波集積回路
   基板の裏面及び前記開孔内に設けられた第１の
   メタライズ層と、前記開孔に挿入し得る突起が
   一体成形されたダイキヤスト製ベースと、前記
   突起上に形成された半田付可能な材料よりなる
   第２のメタライズ層と、前記第１のメタライズ
   層と前記第２のメタライズ層を接続する半田部
   と、から成ることを特徴とするマイクロ波集積
   回路基板の取付構造。 ２ 前記第２のメタライズ層はNiから成ること
   を特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項に
   記載のマイクロ波集積回路基板の取付構造。