JPH051241U - 半導体素子用マウント - Google Patents
半導体素子用マウントInfo
- Publication number
- JPH051241U JPH051241U JP055636U JP5563691U JPH051241U JP H051241 U JPH051241 U JP H051241U JP 055636 U JP055636 U JP 055636U JP 5563691 U JP5563691 U JP 5563691U JP H051241 U JPH051241 U JP H051241U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- solder material
- die
- mount
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半田材を介して半導体素子をダイボンドする
半導体素子用マウントにおいて、放熱性の良い半導体装
置を歩留まり良く製造することを可能にする半導体素子
用マウントを提供する。 【構成】 半田材２を介して半導体素子３をダイボンド
する半導体素子用マウント５において、ダイボンド面に
前記半田材２を載置する凹部７を設け、該凹部７の容積
を半田材２の所望体積より小さくし、該凹部７の面形状
は半導体素子３のダイボンド面で完全に覆うことができ
るようにする。
半導体素子用マウントにおいて、放熱性の良い半導体装
置を歩留まり良く製造することを可能にする半導体素子
用マウントを提供する。 【構成】 半田材２を介して半導体素子３をダイボンド
する半導体素子用マウント５において、ダイボンド面に
前記半田材２を載置する凹部７を設け、該凹部７の容積
を半田材２の所望体積より小さくし、該凹部７の面形状
は半導体素子３のダイボンド面で完全に覆うことができ
るようにする。
Description
【０００１】
本考案は、半導体素子のダイボンドに用いるマウントに関する。
【０００２】
従来、半導体素子をＡｕ−Ｓｎ、Ｐｂ−Ｓｎ系などの半田材を用いてマウント 上にダイボンドする場合、以下のようにして行われていた。即ち、図３（ａ）に 示すように、マウント１の平坦な電極６面上に、半田材２と半導体素子３をこの 順に重ねて載せる。８は半導体素子電極である。次いで、この状態で半田材２の 融点以上に加熱する。次いで、図３（ｂ）に示すように、半田材２が溶融した後 、ダイボンド用コレット４を用いてスクラブを行い、その後、冷却することによ り半導体素子３を固定していた。この際、半導体素子３側面への半田材２の回り 込みを防ぐため、半田材２の量を必要最小限にする必要があった。
【０００３】
上述のように、半導体素子とマウント間の半田材の量が充分でないため、半導 体素子の電極材とマウント電極材が半田材に溶け込むと、半田材の組成が大きく 変動する。その結果、半田材の凝固点が半導体素子面内および半導体素子間でば らつき、ダイボンド強度および熱抵抗値もばらつくという問題があった。
【０００４】
本考案は上記問題点を解決した半導体素子用マウントを提供するもので、半田 材を介して半導体素子をダイボンドする半導体素子用マウントにおいて、ダイボ ンド面に前記半田材を載置する凹部を有し、該凹部の容積は使用する半田材の体 積より小さく、該凹部の面形状は半導体素子のダイボンド面で完全に覆うことが できることを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】 上述の半導体素子用マウントの凹部に、必要十分な量の半田材を載置し、その 上に、前記凹部を完全に覆うように半導体素子を重ねて半田材を溶融する。凹部 の容積は半田材の体積より小さいため、溶融した半田材は凹部からあふれ、凹部 の面形状を覆う半導体素子のダイボンド面に接触する。そこで、凹部の容積を適 切な大きさにし、あふれた半田材の量を調節すると、組成変動をふせぐ十分な量 の半田材を使用することができるとともに、あふれた半田材が半導体素子の側面 に回り込まないようにすることができる。
【０００６】
以下、図面に示した実施例に基づいて本考案を詳細に説明する。 図１（ａ）は本考案にかかる半導体素子用マウントの一実施例の斜視図であり 、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図中、５はマウント、６はマ ウント電極、７は凹部である。電極６は、バリア層をふくみ、表面がＡｕである 、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｍｏ／Ａｕなどで構成されている。凹部７のサイズは、縦 、横の長さは半導体素子の長さより小さく、容積は半田材の体積よりも１〜２割 小さくする。例えば、半導体素子のサイズ４００μ×４００μ、半田材３００μ ×３００μ×２０μの場合、凹部７の形状は３５０μ×３５０μ、深さ１２μと する。図２（ａ）〜（ｂ）に上記マウント５を用いて、半導体素子３をダイボン ドする工程を示す。先ず、マウント５上に半田材２を載せ、その上に半導体素子 ３を載せる（図２（ａ））。半導体素子３のダイボンド面には素子電極８が形成 されている。この状態で加熱すると、半田材２は溶融し、その体積が凹部７より も大きいため、半田材２は凹部７からあふれて、半導体素子３のダイボンド面全 面に広がる。 マウント５の製作は次のようにして行う。金属製の場合には、金型を用いて機 械加工により凹部７を形成し、次いで、メッキによりＮｉ／Ａｕ電極６を形成す る。また、Ｓｉなどの半導体で製作する場合には、レジストによるパターニング と、例えば、ＨＮＯ3 系溶液によるエッチングを組み合わせて、凹部７を形成し 、次いで、ＥＢ蒸着などによりＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極６を形成する。
【０００７】
以上説明したように本考案によれば、半田材を介して半導体素子をダイボンド する半導体素子用マウントにおいて、ダイボンド面に前記半田材を載置する凹部 を有し、該凹部の容積は半田材の所望体積より小さく、該凹部の面形状は半導体 素子のダイボンド面で完全に覆うことができるため、ダイボンド時に、半田材の 組成変動を小さくするだけの十分な量の半田材を使用し、かつ、半田材の半導体 素子側面への回り込みを防ぐことができる。従って、放熱特性の良い半導体装置 を歩留まり良く製造することができるという優れた効果がある。
【図１】（ａ）、（ｂ）は本考案に係る半導体素子用マ
ウントの一実施例の斜視図およびＡ−Ａ断面図である。
ウントの一実施例の斜視図およびＡ−Ａ断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、前記実施例を用いたダイボ
ンドの工程説明図である。
ンドの工程説明図である。
【図３】従来のダイボンドの工程説明図である。
１、５ マウント ２ 半田材 ３ 半導体素子 ４ コレット ６、８ 電極 ７ 凹部
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項１】 半田材を介して半導体素子をダイボンド
する半導体素子用マウントにおいて、ダイボンド面に前
記半田材を載置する凹部を有し、該凹部の容積は半田材
の所望体積より小さく、該凹部の面形状は半導体素子の
ダイボンド面で完全に覆うことができることを特徴とす
る半導体素子用マウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP055636U JPH051241U (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 半導体素子用マウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP055636U JPH051241U (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 半導体素子用マウント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH051241U true JPH051241U (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=13004291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP055636U Pending JPH051241U (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 半導体素子用マウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH051241U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4995055U (ja) * | 1972-12-04 | 1974-08-16 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP055636U patent/JPH051241U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4995055U (ja) * | 1972-12-04 | 1974-08-16 |
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