JPH05128446A - 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05128446A JPH05128446A JP28483991A JP28483991A JPH05128446A JP H05128446 A JPH05128446 A JP H05128446A JP 28483991 A JP28483991 A JP 28483991A JP 28483991 A JP28483991 A JP 28483991A JP H05128446 A JPH05128446 A JP H05128446A
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- Japan
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- film
- yoke
- magnetic head
- yokes
- compressive stress
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明はＹＭＲヘッドにおいてヨークに内在
する圧縮応力をキャンセルする膜を簡略な製造工程で形
成するためなされた。 【構成】この発明ではパッシベーション層をポリイミド
樹脂で形成して引っ張り応力を持たせた。これによって
ヨークの圧縮応力をキャンセルできるとともに、厚膜印
刷法でこれを形成することができるため製造が極めて楽
になる。
する圧縮応力をキャンセルする膜を簡略な製造工程で形
成するためなされた。 【構成】この発明ではパッシベーション層をポリイミド
樹脂で形成して引っ張り応力を持たせた。これによって
ヨークの圧縮応力をキャンセルできるとともに、厚膜印
刷法でこれを形成することができるため製造が極めて楽
になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、強磁性薄膜の磁気抵
抗効果を応用した磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とい
う。）を用いて磁気記録媒体に記録された信号磁束の検
出を行うヨーク型薄膜磁気ヘッド（以下ＹＭＲヘッドと
いう。）に関する。
抗効果を応用した磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子とい
う。）を用いて磁気記録媒体に記録された信号磁束の検
出を行うヨーク型薄膜磁気ヘッド（以下ＹＭＲヘッドと
いう。）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＹＭＲヘッドは図３に示すように
構成されている。高透磁率基板１上に形成された第１絶
縁層２、第１絶縁層２上に形成されたバイアス線４、バ
イアス線４を覆うように形成された第２絶縁層３、第２
絶縁層３上に載置されたＭＲ素子５、ＭＲ素子５と前記
第２絶縁層３，第１絶縁層２とを覆うようにして形成さ
れたギャップ絶縁層６、ギッャプ絶縁層６上に形成され
た第１ヨーク７および第２ヨーク８とからなっている。
ヨーク７，８の材料としては特性制御の容易性，上記基
板１などに段差がある場合の磁気特性および生産性に優
れている等の理由により、Ｎｉ−Ｆｅのスパッタ膜が使
用されている。さらに、このヨーク７，８上には、応力
キャンセル膜としてＮｉ−Ｆｅの蒸着膜１７，１８が形
成され、さらにキャンセル膜１７，１８上にはＳｉＯ2
のパシベーション層２０が形成される。このパシベーシ
ョン層２０は保護膜を接着するため平坦加工される。ま
た、基板１，第１ヨーク７，ギャップ絶縁層６およびパ
シベーション層２０はその摺動面で磁気記録媒体９と摺
動するため平坦に研磨される。
構成されている。高透磁率基板１上に形成された第１絶
縁層２、第１絶縁層２上に形成されたバイアス線４、バ
イアス線４を覆うように形成された第２絶縁層３、第２
絶縁層３上に載置されたＭＲ素子５、ＭＲ素子５と前記
第２絶縁層３，第１絶縁層２とを覆うようにして形成さ
れたギャップ絶縁層６、ギッャプ絶縁層６上に形成され
た第１ヨーク７および第２ヨーク８とからなっている。
ヨーク７，８の材料としては特性制御の容易性，上記基
板１などに段差がある場合の磁気特性および生産性に優
れている等の理由により、Ｎｉ−Ｆｅのスパッタ膜が使
用されている。さらに、このヨーク７，８上には、応力
キャンセル膜としてＮｉ−Ｆｅの蒸着膜１７，１８が形
成され、さらにキャンセル膜１７，１８上にはＳｉＯ2
のパシベーション層２０が形成される。このパシベーシ
ョン層２０は保護膜を接着するため平坦加工される。ま
た、基板１，第１ヨーク７，ギャップ絶縁層６およびパ
シベーション層２０はその摺動面で磁気記録媒体９と摺
動するため平坦に研磨される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記第１ヨ
ーク，第２ヨークとなるＮｉ−Ｆｅのスパッタ膜は一般
にスパッタ時に高い負の基板バイアス電圧を印加しない
と良好な磁気特性（高透磁率，低保磁力）が得られな
い。
ーク，第２ヨークとなるＮｉ−Ｆｅのスパッタ膜は一般
にスパッタ時に高い負の基板バイアス電圧を印加しない
と良好な磁気特性（高透磁率，低保磁力）が得られな
い。
【０００４】ところで、前記第１ヨーク，第２ヨークと
なるＮｉ−Ｆｅ膜は、一般的に高い負の基板バイアスを
印加してスパッタ形成される。または、スパッタ装置の
ターゲット電圧を高くして基板に入射する粒子のエネル
ギを高めて形成される。このようにしなければ作成され
た膜に膜面に対して垂直方向の磁化容易軸が形成され、
良好な磁気特性を得ることができない。しかし、このよ
うな手法によって成膜されたＮｉ−Ｆｅのスパッタ膜に
はピーニング効果により強い内部圧縮応力が発生する。
この内部応力はヨーク形状に加工されたのちも残留する
ためこのままでは、その反作用としてＭＲ素子５に応力
を誘起する。誘起された応力によってＭＲ素子５内には
新たな磁気異方性が誘発され、ＭＲ素子形成時に付与さ
れた本来の磁気異方性を乱すことになる。この磁気異方
性の乱れはＭＲ素子５内部の磁化を不連続化してしまう
ためバルクハウゼンノイズの原因となる。
なるＮｉ−Ｆｅ膜は、一般的に高い負の基板バイアスを
印加してスパッタ形成される。または、スパッタ装置の
ターゲット電圧を高くして基板に入射する粒子のエネル
ギを高めて形成される。このようにしなければ作成され
た膜に膜面に対して垂直方向の磁化容易軸が形成され、
良好な磁気特性を得ることができない。しかし、このよ
うな手法によって成膜されたＮｉ−Ｆｅのスパッタ膜に
はピーニング効果により強い内部圧縮応力が発生する。
この内部応力はヨーク形状に加工されたのちも残留する
ためこのままでは、その反作用としてＭＲ素子５に応力
を誘起する。誘起された応力によってＭＲ素子５内には
新たな磁気異方性が誘発され、ＭＲ素子形成時に付与さ
れた本来の磁気異方性を乱すことになる。この磁気異方
性の乱れはＭＲ素子５内部の磁化を不連続化してしまう
ためバルクハウゼンノイズの原因となる。
【０００５】このようにヨークの内部応力はヘッド特性
に悪影響を及ぼす。しかし、Ｎｉ−Ｆｅのスパッタ膜自
体の内部圧縮応力を低減することは困難であるため、従
来はヨーク上に応力キャンセル膜としてＮｉ−Ｆｅの蒸
着膜を形成して応力を低減していた。
に悪影響を及ぼす。しかし、Ｎｉ−Ｆｅのスパッタ膜自
体の内部圧縮応力を低減することは困難であるため、従
来はヨーク上に応力キャンセル膜としてＮｉ−Ｆｅの蒸
着膜を形成して応力を低減していた。
【０００６】また、従来は、ヨーク膜上のパシベーショ
ン膜２０としてＰ−ＣＶＤによりＳｉＯ2 等を１５μｍ
以上形成したのち、その段差をなくすための研磨（平坦
化研磨）を行い、保護板の接着性ひいては媒体摺動時の
ヘッドの信頼性向上を図っているため、ＳｉＯ2 の厚膜
の形成および平坦化研磨に多大の時間がかかり生産性の
低下ひいてはコストアップにつながっている。
ン膜２０としてＰ−ＣＶＤによりＳｉＯ2 等を１５μｍ
以上形成したのち、その段差をなくすための研磨（平坦
化研磨）を行い、保護板の接着性ひいては媒体摺動時の
ヘッドの信頼性向上を図っているため、ＳｉＯ2 の厚膜
の形成および平坦化研磨に多大の時間がかかり生産性の
低下ひいてはコストアップにつながっている。
【０００７】この発明は、上記従来の問題点を考慮して
なされたものでヨークに内在する圧縮応力を間接的に解
消して内部圧縮応力に起因するバルクハウゼンノイズの
発生を極めて低く抑え、且つ、パシベーション層の形成
を容易にしたヨーク型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供することを目的とする。
なされたものでヨークに内在する圧縮応力を間接的に解
消して内部圧縮応力に起因するバルクハウゼンノイズの
発生を極めて低く抑え、且つ、パシベーション層の形成
を容易にしたヨーク型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この出願の請求項１の発
明は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果素子上に磁束を導くヨーク層上に形成されるパシ
ベーション層として、媒体摺動面を除く部分に熱硬化性
樹脂層を形成し、媒体摺動面のみ耐磨耗性無機質層を形
成したことを特徴とする。
明は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果素子上に磁束を導くヨーク層上に形成されるパシ
ベーション層として、媒体摺動面を除く部分に熱硬化性
樹脂層を形成し、媒体摺動面のみ耐磨耗性無機質層を形
成したことを特徴とする。
【０００９】この出願の請求項２の発明は、磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドの製造工程において、スパッタリン
グ法により成膜されたＮｉ−Ｆｅ膜によってヨークを加
工形成し、この上にパシベーション層として、厚膜印刷
法により、媒体摺動面を除く部分に熱硬化性樹脂膜を形
成し、媒体摺動面に耐磨耗性無機質膜を成膜することを
特徴とする。
果型薄膜磁気ヘッドの製造工程において、スパッタリン
グ法により成膜されたＮｉ−Ｆｅ膜によってヨークを加
工形成し、この上にパシベーション層として、厚膜印刷
法により、媒体摺動面を除く部分に熱硬化性樹脂膜を形
成し、媒体摺動面に耐磨耗性無機質膜を成膜することを
特徴とする。
【００１０】
【作用】この発明の薄膜磁気ヘッドは、ヨークの磁気特
性を良好にするため負の基板バイアスを印加してスパッ
タリングにより成膜される。これによりヨーク内部に圧
縮応力を有するスパッタ膜であるヨーク型薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、パシベーション層としてこの内部圧縮応力
をキャンセルする内部引っ張り応力を有する熱硬化性樹
脂膜を用いた。これによりヨーク内に発生する内部圧縮
応力を実質的に打ち消し、或いは、低減することがで
き、内部応力によって誘発される磁気抵抗効果素子部の
磁気異方性の乱れを抑制することができ、バルクハウゼ
ンノイズを小さくすることが可能となる。なお、熱硬化
性樹脂としてはポリイミド樹脂を用いることができ、耐
磨耗性無機質としてはＳｉＯ2 を用いることができる。
性を良好にするため負の基板バイアスを印加してスパッ
タリングにより成膜される。これによりヨーク内部に圧
縮応力を有するスパッタ膜であるヨーク型薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、パシベーション層としてこの内部圧縮応力
をキャンセルする内部引っ張り応力を有する熱硬化性樹
脂膜を用いた。これによりヨーク内に発生する内部圧縮
応力を実質的に打ち消し、或いは、低減することがで
き、内部応力によって誘発される磁気抵抗効果素子部の
磁気異方性の乱れを抑制することができ、バルクハウゼ
ンノイズを小さくすることが可能となる。なお、熱硬化
性樹脂としてはポリイミド樹脂を用いることができ、耐
磨耗性無機質としてはＳｉＯ2 を用いることができる。
【００１１】また、パシベーション層を熱硬化性樹脂層
および耐磨耗性無機質層で形成し、その形成に厚膜印刷
法を採用することによって製造工程を減少させ、且つ、
簡略化することができる。
および耐磨耗性無機質層で形成し、その形成に厚膜印刷
法を採用することによって製造工程を減少させ、且つ、
簡略化することができる。
【００１２】
【実施例】図１はこの発明の実施例である薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。この図において先に説明した従来の
薄膜磁気ヘッド（図３）と同一構成の部分は同一番号を
付して説明を省略する。
ドの断面図である。この図において先に説明した従来の
薄膜磁気ヘッド（図３）と同一構成の部分は同一番号を
付して説明を省略する。
【００１３】負の基板バイアスを印加してスパッタリン
グ形成したＮｉ−Ｆｅ膜を、ＭＲ素子５に対して磁束を
導入する第１ヨーク７と第２ヨーク８とに加工したの
ち、第２ヨーク８上全体と第１ヨーク７上の一部にパシ
ベーション層としてポリイミド樹脂層１０を厚膜印刷法
によって形成する。第１ヨーク７上の他の一部（摺動部
分）のパシベーション層としてはＳｉＯ2 等の耐磨耗性
無機質膜１１を厚膜印刷法により形成する。この部分の
みＳｉＯ2 などの膜を形成したのはポリイミド樹脂層は
媒体摺動時に偏磨耗の問題があるためである。このパシ
ベーション層は１０μｍ程度に形成される。
グ形成したＮｉ−Ｆｅ膜を、ＭＲ素子５に対して磁束を
導入する第１ヨーク７と第２ヨーク８とに加工したの
ち、第２ヨーク８上全体と第１ヨーク７上の一部にパシ
ベーション層としてポリイミド樹脂層１０を厚膜印刷法
によって形成する。第１ヨーク７上の他の一部（摺動部
分）のパシベーション層としてはＳｉＯ2 等の耐磨耗性
無機質膜１１を厚膜印刷法により形成する。この部分の
みＳｉＯ2 などの膜を形成したのはポリイミド樹脂層は
媒体摺動時に偏磨耗の問題があるためである。このパシ
ベーション層は１０μｍ程度に形成される。
【００１４】上述のように負の基板バイアス電圧を印加
して成膜されたＮｉ−Ｆｅ膜には図２に示すように約７
×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 程度の内部圧縮応力δｃが等
方的に存在している。一方、熱硬化性樹脂であるポリイ
ミド樹脂層には同図に示すように約３．５×１０5 ｄｙ
ｎｅ／ｃｍ2 程度の引っ張り方向の内部応力δｙが等方
的に存在している。ここで、Ｎｉ−Ｆｅ層は０．５μｍ
程度の膜厚に形成されるため、上記第１，第２ヨーク
７，８に存在する内部圧縮応力とポリイミド樹脂層１０
に存在する内部引っ張り応力とは、ともに約３．５×１
０9 ｄｙｎｅ程度となり殆ど打ち消し合う。これによ
り、内部圧縮応力に起因する磁気異方性の乱れを回避で
きバルクハウゼンノイズの発生を極めて低く抑えること
ができる。また、摺動部はＳｉＯ2 等の無機質層にて形
成されるため、耐磨耗性も問題とならない。
して成膜されたＮｉ−Ｆｅ膜には図２に示すように約７
×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 程度の内部圧縮応力δｃが等
方的に存在している。一方、熱硬化性樹脂であるポリイ
ミド樹脂層には同図に示すように約３．５×１０5 ｄｙ
ｎｅ／ｃｍ2 程度の引っ張り方向の内部応力δｙが等方
的に存在している。ここで、Ｎｉ−Ｆｅ層は０．５μｍ
程度の膜厚に形成されるため、上記第１，第２ヨーク
７，８に存在する内部圧縮応力とポリイミド樹脂層１０
に存在する内部引っ張り応力とは、ともに約３．５×１
０9 ｄｙｎｅ程度となり殆ど打ち消し合う。これによ
り、内部圧縮応力に起因する磁気異方性の乱れを回避で
きバルクハウゼンノイズの発生を極めて低く抑えること
ができる。また、摺動部はＳｉＯ2 等の無機質層にて形
成されるため、耐磨耗性も問題とならない。
【００１５】さらに、ポリイミド樹脂層および摺動部Ｓ
ｉＯ2 層は厚膜印刷法により形成されるため、従来のＰ
−ＣＶＤ法等と比べて著しく短時間で段差被覆性の優れ
た膜形成を行うことができ、生産性の向上およびコスト
ダウンにつながる。
ｉＯ2 層は厚膜印刷法により形成されるため、従来のＰ
−ＣＶＤ法等と比べて著しく短時間で段差被覆性の優れ
た膜形成を行うことができ、生産性の向上およびコスト
ダウンにつながる。
【００１６】
【発明の効果】このようにこの発明によれば、ヨークに
発生する内部圧縮応力に対向する引っ張り応力を内在さ
せる膜をパシベーション層としてポリイミド樹脂で印刷
形成するようにしたことにより、バルクハウゼンノイズ
の発生を極めて低く抑えることができ、また薄膜磁気ヘ
ッドの製造工程が減少し、且つ、製造が簡略化する利点
がある。
発生する内部圧縮応力に対向する引っ張り応力を内在さ
せる膜をパシベーション層としてポリイミド樹脂で印刷
形成するようにしたことにより、バルクハウゼンノイズ
の発生を極めて低く抑えることができ、また薄膜磁気ヘ
ッドの製造工程が減少し、且つ、製造が簡略化する利点
がある。
【図１】この発明の実施例である薄膜磁気ヘッドの断面
図
図
【図２】同薄膜磁気ヘッドに内在する内部応力の方向を
示す図
示す図
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図
７，８−ヨーク １０−ポリイミド樹脂層 １１−ＳｉＯ2 膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川西 真人 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおい
て、 磁気抵抗効果素子上に磁束を導くヨーク層上に形成され
るパシベーション層として、媒体摺動面を除く部分に熱
硬化性樹脂層を形成し、媒体摺動面のみ耐磨耗性無機質
層を形成したことを特徴とするヨーク型薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工
程において、 スパッタリング法により成膜されたＮｉ−Ｆｅ膜によっ
てヨークを加工形成し、この上にパシベーション層とし
て、厚膜印刷法により、媒体摺動面を除く部分に熱硬化
性樹脂膜を形成し、媒体摺動面に耐磨耗性無機質膜を成
膜することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28483991A JPH05128446A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28483991A JPH05128446A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128446A true JPH05128446A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17683687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28483991A Pending JPH05128446A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05128446A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0216405B2 (ja) * | 1982-12-01 | 1990-04-17 | Boeicho Gijutsu Kenkyu Honbucho | |
| JPH03147507A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気薄膜ヘッドとその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28483991A patent/JPH05128446A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0216405B2 (ja) * | 1982-12-01 | 1990-04-17 | Boeicho Gijutsu Kenkyu Honbucho | |
| JPH03147507A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気薄膜ヘッドとその製造方法 |
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