JPH05156442A

JPH05156442A - 真空成膜装置およびスパッタ装置

Info

Publication number: JPH05156442A
Application number: JP34197991A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Katsuta; 伸一勝田
Original assignee: NEC Home Electronics Ltd; Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Home Electronics Ltd; NEC Corp
Priority date: 1991-11-30
Filing date: 1991-11-30
Publication date: 1993-06-22

Abstract

(57)【要約】【目的】多層の薄膜を異なる雰囲気ガスでスパッタ成
膜する真空成膜装置において、高速成膜を可能にする。【構成】基板１は搬送系２２に保持され、搬送系２２
により成膜室４２、４４を移動する。両成膜室４２、４
４間は搬送系２２が通過可能な搬送系通過スペース２４
を介して連通しており、ゲートバルブで完全に縁を切ら
れてはいない。両成膜室４２、４４のスパッタ成膜に用
いる雰囲気ガスは異なる。両成膜室４２、４４間にバッ
ファ室４０を設け、局所排気ポンプ４５を設ける。両成
膜室４２、４４が連通していても、局所排気装置４５が
バッファ室４０内を真空吸引することで、左右の成膜室
４２、４４内の互いに異なる雰囲気ガスが互いに混入す
ることが防止される。ゲートバルブで仕切られていない
ので、搬送系２２の移動が円滑に行われ、成膜速度の向
上が実現される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、異なる雰囲気ガスで
成膜を行う複数の成膜室を備えた真空成膜装置、および
その真空成膜装置においてスパッタ成膜を行うスパッタ
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】記録・再生・消去が可能な情報記録媒体
である光磁気ディスクは、多くの場合、図６に示すよう
にポリカーボネート等に代表される透明なプラスチック
基板１上に第１の保護膜２、磁性膜３、第２の保護膜
４、反射膜５を順にスパッタ成膜し、この反射膜５の上
に紫外線硬化型樹脂を塗付硬化させたＵＶ樹脂被覆６を
持つ構造である。通常、前記第１の保護膜２および第２
の保護膜４には、各種酸化物、窒化物、硫化物あるいは
これらの複合体を用い、磁性膜３にはＴｂＦｅＣｏ（テ
ルル・鉄・コバルト）に代表される稀土類−遷移金属を
用いて、また、反射膜５には、Ａｌ（アルミニウム）合
金を用いている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の光磁気ディスク
のように、透明基板１上に複数の膜を形成するための従
来の真空成膜装置の一例を図７、図８に示す。この真空
成膜装置１１は、例えば６個の基板１を保持した円形の
パレット１２を自転および公転させつつ搬送系１３によ
り順次、成膜室１４、１５、１６を移送し、各成膜室１
４、１５、１６において所定のターゲット１７ａ、１７
ｂ、１８、１９により基板１の表面に順次成膜を行う。
各成膜室１４、１５、１６は、ゲートバルブ１０により
仕切られ、各成膜室での成膜を終えると、雰囲気ガスを
吸引して真空にした後、ゲートバルブ１０を開いてパレ
ット１２を次の処理室に移送し、次いでゲートバルブ１
０を閉ざした後、再び雰囲気ガスを注入し放電を行って
スパッタ成膜を行う。このように、光磁気ディスクを量
産する場合、基板１を搬送しながら連続して各層のスパ
ッタ成膜を行う。

【０００４】ところで、上記の光磁気ディスクのスパッ
タ成膜を行う場合、使用する雰囲気ガス（スパッタガ
ス）は、膜に応じて変えることが多い。すなわち、保護
膜２、４については、例えばＳｉＮを採用する場合に
は、ＳｉターゲットをＡｒ−Ｎ₂の雰囲気ガス中で成膜
し、ＳｉＯ系を採用する場合には、ＳｉターゲットをＡ
ｒ−Ｏ₂ 中で成膜する。このように、ターゲットからた
たき出された粒子と雰囲気ガスとを反応させて所望の膜
材質を得るいわゆる反応性スパッタと称される方式は、
膜材質のＳｉＮターゲットを単なる不活性ガスＡｒの雰
囲気ガス中で成膜する場合と比べて、高速成膜が可能に
なるという工業的に極めて大きな利点を有するととも
に、膜と同じ材質のターゲットの製作が容易でない場合
に、雰囲気ガスの選択により製作の容易なターゲットで
所望の材質の成膜を行うことが可能となるため、非常に
重要な成膜方法である。

【０００５】一方、磁性膜等においては、窒素等のガス
混入により大きな特性変化を起こすことが知られてお
り、成膜を行う雰囲気ガスは、純粋な不活性ガス（例え
ばＡｒ）である必要がある。このため、従来は、保護膜
および磁性膜を連続して成膜するインライン式スパッタ
装置においては、前述のように、成膜室１４、１５、１
６をゲートバルブ１０により仕切り、完全に縁を切った
状態でスパッタ成膜を行っていた。

【０００６】上記のようにゲートバルブ１０で各成膜室
１４、１５、１６の仕切りをし、完全に縁を切った状態
でスパッタ成膜する従来方式では、ゲートバルブの開閉
回数が非常に多いため、機械的故障の原因となり易く、
高いシールドを保つことが容易でない。また、摺動部の
摩擦により金属微粉が飛散し、成膜室内の塵となり、成
膜品質を低下させるおそれもある。また、ゲートバルブ
を開閉しつつ高速搬送することは容易でなく、成膜速度
を十分高くすることが困難である、等の問題があった。

【０００７】また、光磁気ディスクにおいては、基板の
脱ガス作業がきわめて重要な項目となる。ポリカーボネ
ートに代表されるプラスチック基板は、大気中の水を吸
湿し、膨潤を起こすことが知られているが、それ以外に
も、Ｈ₂ Ｏ分子の吸引により生じるディスクのノイズレ
ベルの上昇、キャリヤレベルの低下といった、基本とな
る記録再生特性に大きな支障をきたす。真空排気時間を
できるだけ短くするためのプロセスとして基板のアニー
ル処理等が重要になるが、大気中の基板が真空槽に収容
されてからスパッタ成膜開始までの時間が極端に短い
と、基板の脱ガスが十分に行えないのでこれも問題にな
る。上記従来の方式では、上記のノイズレベルの上昇や
キャリヤレベルの低下を招かないように真空槽内に曝す
時間を十分取ると、処理速度が低下するという問題があ
る。

【０００８】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、異なる雰囲気ガスで成膜を行う複数の成膜室を備え
た真空成膜装置において、各成膜室間を仕切るゲートバ
ルブを使用せずに、隣接する成膜室間の異なる雰囲気ガ
スの互いの混入を有効に防止することで、基板の搬送を
円滑に行えるようにし、高速成膜を実現することを主た
る目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の真空成膜装置は、成膜に用いる雰囲気ガスが異なる
複数の成膜室を有し、基板が前記複数の成膜室を順次送
られて基板表面に成膜が行われる真空成膜装置におい
て、複数の成膜室間に局所排気装置を設けたことを特徴
とする。

【００１０】請求項２は、請求項１記載の真空成膜装置
において、複数の成膜室間にバッファ室を設けたことを
特徴とする。

【００１１】請求項３は、請求項１記載の真空成膜装置
において、隣接する成膜室どうしが、ゲートバルブで仕
切られることなく、基板を各処理室に搬送する搬送系が
通過可能な狭い搬送系通過スペースを介して連通されて
いることを特徴とする。

【００１２】請求項４は、透明基板上に第１保護膜、磁
性膜、第２保護膜、反射膜を順に持つ構成の光磁気ディ
スクを製造する際に用いる真空成膜装置におけるスパッ
タ装置であって、前記第１保護膜を成膜するカソード数
と前記第２保護膜を成膜するカソード数との比率を３：
１としたことを特徴とする。

【００１３】請求項５は、透明基板上に第１保護膜、磁
性膜、第２保護膜、反射膜を順に持つ構成の光磁気ディ
スクを製造する際に用いる真空成膜装置におけるスパッ
タ装置であって、前記各膜のスパッタ成膜に高周波電源
を用いる場合の高周波電源の周波数を１３．５６ＭＨｚ
の近傍でそれぞれ互いに僅かずつ異ならせたことを特徴
とする。

【００１４】請求項６の真空成膜装置は、複数個の基板
を円周方向に等ピッチで保持して間欠的に回転可能な基
板搬送用の円形のテーブルと、円周上に前記複数個の基
板に対応して配置された複数の処理室とを備え、基板を
１枚ずつ挿入し全成膜を完了した基板を１枚ずつ取り出
す真空成膜装置において、前記円形のテーブルが保持す
る基板の数を奇数個とし、前記円形のテーブルを前記基
板配列のピッチの整数倍ずつ回転させて基板成膜の全工
程がテーブルの複数回の回転により完了するようにした
ことを特徴とする。

【００１５】請求項７は、請求項６記載の真空成膜装置
において、前記テーブルの回転のピッチを基板の配列ピ
ッチの２倍としたことを特徴とする。

【００１６】請求項８は、請求項６記載の真空成膜装置
において、前記複数の処理室の一部を、基板を真空雰囲
気に触れさせるためのバッファ室として用い、かつ、こ
のバッファ室に局所排気装置を設けて、基板の脱ガスを
行うようにしたことを特徴とする。

【００１７】

【作用】上記構成において、隣接する成膜室と成膜室と
の間に設けた局所排気装置が成膜室間の境界空間ないし
バッファ室を真空吸引することで、各成膜室内の互いに
異なる雰囲気ガスが互いに混入することが防止される。

【００１８】請求項４において、第１保護膜の膜厚が第
２保護膜の膜厚の３倍である場合に、第１および第２の
各保護膜を成膜するタクトタイムが等しくなり、全体と
して成膜速度が向上する。

【００１９】請求項５において、放電用の高周波電源の
周波数が異なるので、放電時の共振等がなくなり、安定
したスパッタ成膜が行われる。

【００２０】請求項６において、円形のテーブルに奇数
個の基板が保持されているので、例えば１つ飛びで各処
理室を移動させると、例えばテーブルの２回転で成膜の
全工程の１サイクルが完了するようにすることができ、
真空槽内に搬入されてからスパッタ成膜開始までの時
間、すなわち真空槽内に保持される時間を長く取ること
が可能となる。これにより、基板の十分が脱ガスが可能
である。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図６を参照し
て説明する。実施例において製造しようとする光磁気デ
ィスクは、前述した図６に示す構造を持つ。すなわち、
ポリカーボネートなどのプラスチックの基板１上に第１
の保護膜２、磁性膜３、第２の保護膜４、反射膜５を順
にスパッタ成膜し、この反射膜５の上に紫外線硬化型樹
脂を塗付硬化させたＵＶ樹脂被覆６を持つ構造である。
各薄膜は、例えば前記第１の保護膜２はＳｉＮの薄膜で
膜厚が約１０００Å（オングストローム）、前記磁性膜
３は磁性体ＴｂＦｅＣｏの薄膜で膜厚が約２５０Å、前
記第２の保護膜４は前記第１の保護膜２と同じくＳｉＮ
の薄膜で膜厚が約３００Å、前記反射膜５はＡｌＴｉの
薄膜で膜厚が約３００Åである。また、前記ＵＶ樹脂被
覆６は１０μｍの膜厚である。

【００２２】基板１上に前記第１の保護膜２、磁性膜
３、第２の保護膜４、反射膜５をスパッタ成膜する真空
成膜装置２０を図１の平面図、図２の円周に沿う断面図
に示す。この真空成膜装置２０は、円形の真空槽２１内
に図３に示すように基板載置用穴２２ａを円周方向に等
ピッチで１２個設けた、図示略の駆動機構により前記等
ピッチずつ回転駆動される円形のテーブル２２を収容
し、テーブル２２の各基板１位置（すなわち基板載置用
穴２２ａ位置）に対応して個別の真空室としての１２個
の処理室２３を備え、隣接する処理室２３間はテーブル
２２が通過可能な狭いテーブル通過スペース（すなわち
搬送系通過スペース）２４を介して互いに連通してい
る。すなわち、１２個の各処理室２３は、従来のように
ゲートバルブによって完全に縁を切られるようにはなっ
ていない。

【００２３】前記１２個の処理室２３の内の第１処理室
２３Ａは、基板１の供給取り出しを行う基板供給取り出
し室である。この基板供給取り出し室２３Ａにおいて
は、基板供給取り出しアーム２５の両端に取り付けた蓋
兼基板保持部材２６により基板１の基板供給取り出し室
２３Ａ内への搬入あるいは基板供給取り出し室２３Ａか
らの取り出しが行われる。なお、前記蓋兼基板保持部材
２６は、基板供給取り出し室２３Ａの蓋を兼ねる。

【００２４】第２処理室２３Ｂは、高電圧による放電に
よりＡｒの雰囲気ガスのプラズマを発生させ、このプラ
ズマにより基板１の洗浄を行うボンバード室である。

【００２５】第３処理室２３Ｃ、第４処理室２３Ｄ、第
５処理室２３Ｅは、いずれもＳｉＮによる第１の保護膜
２をスパッタ成膜する第１保護膜用成膜室である。これ
らの第１保護膜用成膜室２３Ｃ、２３Ｄ、２３Ｅでは、
反応性スパッタリングを行うために、ターゲットとして
Ｓｉターゲット３０を用い、雰囲気ガスとしてＡｒ−Ｎ
₂ を用いている。

【００２６】第６処理室２３Ｆは第１のバッファ室であ
る。この第１のバッファ室２３Ｆは、互いに異なる雰囲
気ガスを用いる成膜室と成膜室との間で雰囲気ガスが互
いに混入しないようにするための室であり、局所排気装
置３１を備えている。

【００２７】第７処理室２３Ｇは、詳細説明は省略する
が、出来上がった光磁気ディスクの印加磁界特性を向上
させるための逆スパッタ室である。この逆スパッタ室２
３Ｇでは、処理室内壁側をアノード、基板１側（すなわ
ちテーブル２２側）をカソードとして、つまり通常のス
パッタ成膜とは逆の極性で放電させる。

【００２８】第８処理室２３Ｈは、ＴｂＦｅＣｏによる
磁性膜３を約２５０Åの膜厚でスパッタ成膜する磁性膜
用スパッタ室である。この磁性膜用成膜室２３Ｈでは、
ターゲットとしてＴｂＦｅＣｏターゲット３３を用い、
雰囲気ガスとしてＡｒを用いている。

【００２９】第９処理室２３Ｉは第２のバッファ室で、
第６処理室２３Ｆと同様な構造であり、同じく局所排気
装置３４を備えている。

【００３０】第１０処理室２３Ｊは、ＳｉＮによる第２
の保護膜４を約３００Åの膜厚でスパッタ成膜するため
の第２保護膜用成膜室である。この第２保護膜用成膜室
２３Ｊでは、前記第１保護膜用成膜室と同じく、ターゲ
ットとしてＳｉターゲット３５を用い、雰囲気ガスとし
てＡｒ−Ｎ₂ を用いている。

【００３１】第１１処理室２３Ｋは第３のバッファ室
で、前記第６処理室２３Ｆあるいは第９処理室２３Ｉと
同様な構造で、同じく局所排気装置３６を備えている。

【００３２】第１２処理室２３Ｌは、ＡｌＴｉによる反
射膜５を約３００Åの膜厚でスパッタ成膜するための反
射膜用成膜室である。この反射膜用成膜室２３Ｌでは、
ターゲットとしてＡｌＴｉターゲット３７を用い、雰囲
気ガスとしてＡｒを用いている。

【００３３】１２個の各処理室２３は、それぞれ個別に
真空吸引口２３ａを備えている。また、ボンバード室２
３Ｂ、逆スパッタ室２３Ｇ、磁性膜用成膜室２３Ｈ、反
射膜用成膜室２３Ｌの各処理室はＡｒガスを注入するガ
ス注入口２３ｂを備え、第１保護膜用成膜室２３Ｃ、２
３Ｄ、２３Ｅ、および第２保護膜用成膜室２３Ｊは、Ａ
ｒ−Ｎ₂ の雰囲気ガスを注入するガス注入口２３ｃを備
えている。なお、各バッファ室２３Ｆ、２３Ｉ、２３Ｋ
にも他の使用方法を採用する場合のために同じくガス注
入口を設けておくとよい。

【００３４】上記の真空成膜装置２０において、基板１
は基板供給取り出しアーム２５の端部に設けた蓋兼基板
保持部材２６により１枚ずつテーブル２２の基板載置用
穴２２ａに装着され、テーブル２２は、処理のタクトタ
イム毎に矢印ａ方向に基板載置用穴２２ａの１ピッチず
つ回転して（すなわち３０°ずつ回転して）当該基板１
を順次、次の処理室に移動させる。

【００３５】まず、ボンバード室２３Ｂにおいて、基板
１は高電圧の放電により発生したＡｒのプラズマにより
洗浄される。次いで、テーブル２２が１ピッチ回転し
て、基板１が最初の第１保護膜用成膜室２３Ｃに移動
し、この第１保護膜用成膜室２３Ｃでは、Ａｒ−Ｎ₂ の
雰囲気ガス中で放電を行ってプラズマを発生させ、Ｓｉ
ターゲット３０の反応性スパッタリングにより基板１に
ＳｉＮ膜を形成する。この場合、雰囲気ガスがＡｒ−Ｎ
₂ なので、Ｓｉターゲット３０からたたき出されたＳｉ
原子と反応して生じたＳｉＮ粒子が基板表面に積層され
ＳｉＮ膜が成膜される。この最初の第１保護膜用成膜室
２３Ｃでは、第１保護膜２に必要な膜厚１０００Åの約
３分の１の膜厚の成膜を行う。次いで、２番目の第１保
護膜用成膜室２３Ｄにおいて１０００Åの約３分の１の
膜厚のＳｉＮ成膜を行い、次いで３番目の第１保護膜用
成膜室２３Ｅにおいても同様に１０００Åの３分の１の
膜厚のＳｉＮ成膜を行い、この３つの第１保護膜用成膜
室２３Ｃ、２３Ｄ、２３Ｅにより合計約１０００Åの膜
厚のＳｉＮによる第１保護膜２が成膜される。

【００３６】次いで、基板１は第１のバッファ室２３Ｆ
に移動する。この第１のバッファ室２３Ｆにおいては、
局所排気装置３１がバッファ室２３Ｆ内を局所的に真空
吸引しているので、第１保護膜用成膜室２３Ｅ内のＡｒ
−Ｎ₂ の雰囲気ガスと次工程の磁性膜用成膜室２３Ｈ内
のＡｒの雰囲気ガスとが互いに混入することを防止する
作用を果たす。

【００３７】次いで、基板１は逆スパッタ室２３Ｇに移
動する。この逆スパッタ室２３Ｇにおいて、処理室内壁
側がアノード、基板１側（テーブル２２側）がカソード
となって、成膜室における極性と逆の極性で放電が行わ
れることで、逆スパッタが行われる。この逆スパッタ処
理により、出来上がった光磁気ディスクの印加磁界特性
が良好なものとなる。

【００３８】次いで、基板１が磁性膜用成膜室２３Ｈに
移動する。この磁性膜用成膜室２３Ｈにおいて、Ａｒの
雰囲気ガス中で放電を行って、ＴｂＦｅＣｏターゲット
３３のスパッタリングにより基板１に磁性膜３の約３０
０Åの膜厚の成膜を行う。

【００３９】次いで、基板１が第２のバッファ室２３Ｉ
に移動する。この第２のバッファ室２３Ｉは、前記第１
のバッファ室２３Ｆと同様に機能する。すなわち、局所
排気装置３４により真空吸引することで、磁性膜用成膜
室２３Ｈ内のＡｒの雰囲気ガスと、次工程の第２保護膜
用成膜室２３Ｊ内のＡｒ−Ｎ₂ の雰囲気ガスとが互いに
混入しないようにする。

【００４０】次いで、基板１が第２保護膜用成膜室２３
Ｊ内に移動し、前記第１保護膜用成膜室２３Ｃ、２３
Ｄ、２３Ｅと同様にＡｒ−Ｎ₂ の雰囲気ガス中のＳｉタ
ーゲット３５で反応性スパッタリングを行い、ＳｉＮ膜
の第２保護膜４を例えば約３００Åの膜厚で成膜する。
前記第１保護膜２のＳｉＮ膜厚１０００Åは、第２保護
膜４のＳｉＮ膜厚３００Åの約３倍であるから、第１保
護膜２のＳｉＮ成膜が３つの成膜室で３つのターゲット
によって（すなわち３つのカソードによって）行われる
ことで、ＳｉＮ保護膜の成膜のタクトタイムは第１保護
膜と第２保護膜とでほぼ同等となり、成膜処理速度が向
上する。

【００４１】次いで、基板１は第３のバッファ室２３Ｋ
に移動する。この第３のバッファ室２３Ｋも前記第１の
バッファ室２３Ｆあるいは第２のバッファ室２３Ｉと同
様な機能を果たす。すなわち、第２保護膜用成膜室２３
ＪにおけるＡｒ−Ｎ₂ の雰囲気ガスと次工程の反射膜成
膜室２３Ｌ内のＡｒの雰囲気ガスとの互いの混入を防止
する働きをする。

【００４２】次いで、基板１は反射膜成膜室２３Ｌ内に
移動し、Ａｒガスの雰囲気ガス中のＡｌＴｉターゲット
でスパッタリングを行い、ＡｌＴｉの反射膜を約３００
Åの膜厚で成膜する。

【００４３】次いで、基板１が始めの基板供給取り出し
室２３Ａに復帰し、基板供給取り出しアーム２５の端部
の蓋兼基板保持部材２６により取り出される。その後、
別工程で反射膜５の上にＵＶ樹脂被膜６が形成される。

【００４４】上記の各成膜室２３Ｃ、２３Ｄ、２３Ｅ、
２３Ｈ、２３Ｊ、２３Ｌあるいはボンバード室２３Ｂあ
るいは逆スパッタ室２３Ｇにおいては、カソードである
処理室２３内壁とアノードである基板１（すなわちテー
ブル２２）との間で放電を行う電源として高周波電源を
用いるが、それぞれの高周波電源の周波数を、通常の１
３．５６ＭＨｚの近傍で互いに僅かに異なる周波数とす
るとよい。これにより、放電に使用する高周波電源の周
波数がすべて異なることとなるから、放電時の共振等が
なくなり、安定した成膜を行うことが可能となる。

【００４５】次に、バッファ室についての他の実施例を
図４に示す。この実施例のバッファ室４０は、処理室間
に十分小さなバッファ専用の室として設けたもので、例
えば、Ａｒ−Ｎ₂ の雰囲気ガス中のＳｉターゲット４１
でスパッタリングする処理室４２と、Ａｒの雰囲気ガス
中のＴｂＦｅＣｏターゲット４３でスパッタリングする
処理室４４との間に、十分狭い専用のバッファ室４０を
設け、局所排気装置４５を設けている。

【００４６】上記のバッファ室４０によれば、十分狭い
ので、局所排気装置４５で真空吸引することが容易であ
り、隣り合う処理室４２、４４内の互いに異なる雰囲気
ガスが互いに混入することを防止することが容易であ
る。

【００４７】図５は請求項６の発明の一実施例を示す。
この真空成膜装置５０は、前述の真空成膜装置２０とほ
ぼ同様であるが、真空槽５１内のテーブル５２は円周方
向に等ピッチの奇数で例えば１３個（奇数個とする）の
基板載置用穴（図示は省略するが、図３で示した基板載
置用穴２２ａと同様なもの）を備え、この基板載置用穴
の円周方向のピッチ（角度でいえば３６０°／１３）の
２倍の角度ごと（つまり２ピッチずつ）間欠的に回転駆
動されるようになっている。そして、処理室５３は、テ
ーブル５２の１３個の基板載置用穴に対応して１３室設
けられている。第１の処理室５２Ａは基板１の挿入・取
り出しを行うための基板供給取り出し室、第３の処理室
５２Ｃ、第５の処理室５２Ｅ、第７の処理室５２Ｇ、第
９の処理室５２Ｉ、第１１の処理室５２Ｋは、雰囲気ガ
ス置換および基板脱ガスを行うためのバッファ室として
いる。これらのバッファ室のなかで特に、バッファ室５
２Ｃ、５２Ｅ、５２Ｉ、５２Ｋには、局所排気装置（図
示は省略するが図２における局所排気装置３１等と同様
なもの）を設けている。これにより、ＳｉＮ成膜室内の
Ａｒ−Ｎ₂ の雰囲気ガスと隣りの処理室のＡｒのみの雰
囲気ガスとが互いに混入しないようにしている。

【００４８】第２の処理室５２Ｂは雰囲気ガスとしてＡ
ｒを用いるボンバード室、第４の処理室５２ＤはＡｒ−
Ｎ₂ の雰囲気ガス中でＳｉＮのスパッタ成膜を行う第１
保護膜成膜室、第６の処理室５２Ｆは雰囲気ガスとして
Ａｒを用いる逆スパッタ室、第８の処理室５２ＨはＡｒ
の雰囲気ガス中で磁性体ＴｂＦｅＣｏのスパッタ成膜を
行う磁性膜用成膜室、第１０の処理室５２ＪはＡｒ−Ｎ
₂ の雰囲気ガス中でＳｉＮのスパッタ成膜を行う第２保
護膜用成膜室、第１２の処理室５２Ｌは雰囲気ガスを用
いずにＡｌＴｉのスパッタ成膜を行う反射膜用成膜室で
ある。図の矢印ｂで示すように、テーブル５２は基板載
置用穴の２ピッチ分ずつ回転し、これにより基板１は常
に処理室を１つ飛び越えて、１つおきに順次移動するよ
うになっている。

【００４９】上記の真空成膜装置５０において、基板供
給取り出し室５２Ａ内に搬入された基板１は、６個のバ
ッファ室５２Ｃ、５２Ｅ、５２Ｇ、５２Ｉ、５２Ｊ、５
２Ｌを順次移動する。大気に曝されていた基板１が真空
槽内に挿入された後、前記のように脱ガスに関しは真空
槽と等しい６個のバッファ室内に長時間置かれることに
なるので、基板１の脱ガスが十分効果的に行われる。な
お、基板１がバッファ室からバッファ室へと移動する間
に、ボンバード室５２Ｂ、第１保護膜成膜室５２Ｄ、逆
スパッタ室５２Ｆ、磁性膜成膜室５２Ｈ、第２保護膜成
膜室５２Ｊ、反射膜成膜室５２Ｌをそれぞれ通過する
が、これらの各処理室の雰囲気ガスは不活性ガスまたは
窒素ガスであり、基板１の脱ガスに支障はない。また、
成膜室を通過することの影響に関しては、基板１を移動
させる際のテーブル５２の回転速度は早く瞬間的である
こと、および基板移動の際には放電電圧を十分低下させ
ることで、成膜室を通過することによる支障は生じな
い。

【００５０】テーブル５２が１回転することで上記の６
個のバッファ室を順に移動して十分な脱ガスを施された
基板１は、ボンバード室５２Ｂ、第１保護膜成膜室５２
Ｄ、逆スパッタ室５２Ｆ、磁性膜成膜室５２Ｈ、第２保
護膜成膜室５２Ｊ、反射膜成膜室５２Ｌの各処理室で処
理されることで図５に示した反射膜５までの成膜が行わ
れ、基板供給取り出し室５２Ａから取り出される。すな
わち、テーブル５２の２回転で全成膜工程の１サイクル
が完了する。

【００５１】なお、本発明は光磁気ディスクの製造に限
らず、複数層の薄膜を異なる雰囲気ガスを用いてスパッ
タ成膜する種々の真空成膜装置に適用可能である。

【００５２】また、実施例では搬送系として回転する円
形のテーブルを用いたが、各処理室を直線的に配置し、
例えばコンベヤ方式の直線的に移動する搬送系で基板を
各処理室に移動させる構成とすることも可能である。こ
の場合には、基板供給部と基板取り出し部とが異なる場
所になる。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、ゲートバルブが不要に
なることにより、基板の搬送がスムーズになり、高速成
膜が可能になる。その場合に、異なる種類の雰囲気ガス
を用いてスパッタ成膜しても、成膜室と成膜室との間に
局所排気装置を設けることで、あるいは、成膜室と成膜
室との間に局所排気を効果的に行うためのバッファ室を
設けることで、隣り合う成膜室間の悪影響は問題となら
ない。

【００５４】ゲートバルブといった真空槽内の摺動部が
ないので、摺動に伴う塵の発生のおそれはなくなり、成
膜品質を低下させることが防止される。

【００５５】請求項４によれば、第１保護膜と第２保護
膜の各カソード当たりの成膜速度はほぼ同じレベルにあ
りながら、カソード数が３：１であることから、厚い第
１の保護膜の成膜のタクトタイムが薄い第２保護膜の成
膜のタクトタイムと同じになるので、高速成膜のネック
となる部分がなくなり、高速成膜が可能となる。

【００５６】請求項５によれば、スパッタ成膜に使用す
る高周波電源がすべて異なるものとなるから、放電時の
共振等がなくなり、安定したスパッタ成膜を行うことが
可能となる。

【００５７】請求項６によれば、プラスチックの基板が
真空槽内に曝される時間を十分長く取ることが可能とな
り、ノイズレベルの上昇、キャリヤレベルの低下等の光
磁気ディスクにとって基本的な品質の低下を極力防止す
ることができる。また、事実上、成膜室の隣室では必ず
脱ガス処理が行われることとなり、かつ、隣り合う処理
室どうしの雰囲気ガスの混入防止が図られることにな
る。また、装置全体を大形化させることなく高速成膜処
理を実現することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空成膜装置の一実施例を示す平面図
である。

【図２】図１における円周方向の断面図で、同図（イ）
は図１における要部のＡ−Ａ断面図、同図（ロ）は同要
部のｂ−ｂ断面図である。

【図３】図１におけるテーブルの基板載置用穴部分の拡
大断面図である。

【図４】バッファ室についての他の実施例を示す断面図
である。

【図５】請求項６の発明の一実施例を示す真空成膜装置
の平面図である。

【図６】実施例の真空成膜装置で製造しようとする光磁
気ディスクの構造を示す要部の断面図である。

【図７】従来の真空成膜装置の要部の平面図である。

【図８】図７におけるパレットの拡大側面図である。

【符号の説明】

１基板２第１の保護膜３磁性膜４第２の保護膜５反射膜６ＵＶ樹脂被膜２０、５０真空成膜装置２１、５１真空槽２２テーブル（搬送系）２２ａ基板載置用穴２３、４１、４４処理室２３Ａ、５２Ａ基板供給取り出し室２３Ｂ、５２Ｂボンバード室２３Ｃ、２３Ｄ、２３Ｅ、５２Ｄ第１保護膜用成膜室２３Ｆ、２３Ｉ、２３Ｋ、バッファ室５２Ｃ、５２Ｅ、５２Ｇ、５２Ｉ、５２Ｋ、５２Ｍバッ
ファ室４０バッファ室２３Ｇ、５２Ｆ逆スパッタ室２３Ｈ、５２Ｈ磁性膜用成膜室２３Ｊ、５２Ｊ第２保護膜用成膜室２３Ｌ、５２Ｌ反射膜用成膜室３１、３４、３６、４５局所排気装置３０Ｓｉターゲット（第１保護膜用のターゲット）３３ＴｂＦｅＣｏターゲット（磁性膜用のターゲッ
ト）３５Ｓｉターゲット（第２保護膜用のターゲット）３６ＡｌＴｉターゲット（反射膜用のターゲット）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】成膜に用いる雰囲気ガスが異なる複数の
成膜室を有し、基板が前記複数の成膜室を順次送られて
基板表面に成膜が行われる真空成膜装置において、前記
複数の成膜室間に局所排気装置を設けたことを特徴とす
る真空成膜装置。
【請求項２】前記複数の成膜室間にバッファ室を設け
たことを特徴とする請求項１記載の真空成膜装置。
【請求項３】前記複数の成膜室の隣接する成膜室どう
しが、ゲートバルブで仕切られることなく、基板を各処
理室に搬送する搬送系が通過可能な狭い搬送系通過スペ
ースを介して連通されていることを特徴とする請求項１
記載の真空成膜装置。
【請求項４】透明基板上に第１保護膜、磁性膜、第２
保護膜、反射膜を順に持つ構成の光磁気ディスクを製造
する際に用いる真空成膜装置におけるスパッタ装置であ
って、前記第１保護膜を成膜するカソード数と前記第２保護膜
を成膜するカソード数との比率を３：１としたことを特
徴とするスパッタ装置。
【請求項５】透明基板上に第１保護膜、磁性膜、第２
保護膜、反射膜を順に持つ構成の光磁気ディスクを製造
する際に用いる真空成膜装置におけるスパッタ装置であ
って、前記各膜のスパッタ成膜に高周波電源を用いる場合の高
周波電源の周波数を１３．５６ＭＨｚの近傍でそれぞれ
互いに僅かずつ異ならせたことを特徴とするスパッタ装
置。
【請求項６】複数個の基板を円周方向に等ピッチで保
持して間欠的に回転可能な基板搬送用の円形のテーブル
と、円周上に前記複数個の基板に対応して配置された複
数の処理室とを備え、基板を１枚ずつ挿入し全成膜を完
了した基板を１枚ずつ取り出す真空成膜装置において、前記円形のテーブルが保持する基板の数を奇数個とし、
前記円形のテーブルを前記基板配列のピッチの整数倍ず
つ回転させて基板成膜の全工程がテーブルの複数回の回
転により完了するようにしたことを特徴とする真空成膜
装置。
【請求項７】前記テーブルの回転のピッチを基板の配
列ピッチの２倍としたことを特徴とする請求項６記載の
真空成膜装置。
【請求項８】前記複数の処理室の一部を、基板を真空
雰囲気に触れさせるためのバッファ室として用い、か
つ、このバッファ室に局所排気装置を設けて、基板の脱
ガスを行うようにしたことを特徴とする請求項６記載の
真空成膜装置。