JPH0760496B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPH0760496B2 JPH0760496B2 JP61019119A JP1911986A JPH0760496B2 JP H0760496 B2 JPH0760496 B2 JP H0760496B2 JP 61019119 A JP61019119 A JP 61019119A JP 1911986 A JP1911986 A JP 1911986A JP H0760496 B2 JPH0760496 B2 JP H0760496B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 本発明は磁気ディスク装置等に用いられるインダクティ
ブ型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、製造工程中に
おけるイオンミリング等によるエッチング処理に曝され
てギャップ層の記録再生ギャップ形成領域が侵され、ギ
ャップ長（記録再生ギャップ形成領域3aの膜厚）が減少
することを防止するため、下部磁極層上に形成されたギ
ャップ層上に層間絶縁層を形成するに先立つて、該ギャ
ップ層の記録再生ギャップ形成領域上のみに選択的にエ
ッチング防止層を形成しておき、上部磁極層を形成する
際に前記エッチング防止層を除去することにより、高精
度なギャップ長を有する薄膜磁気ヘッドを得るようにし
たものである。
ブ型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、製造工程中に
おけるイオンミリング等によるエッチング処理に曝され
てギャップ層の記録再生ギャップ形成領域が侵され、ギ
ャップ長（記録再生ギャップ形成領域3aの膜厚）が減少
することを防止するため、下部磁極層上に形成されたギ
ャップ層上に層間絶縁層を形成するに先立つて、該ギャ
ップ層の記録再生ギャップ形成領域上のみに選択的にエ
ッチング防止層を形成しておき、上部磁極層を形成する
際に前記エッチング防止層を除去することにより、高精
度なギャップ長を有する薄膜磁気ヘッドを得るようにし
たものである。
本発明は磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に係り、特に記録再生用ギャップを有する
インダクティブ型薄膜磁気ヘッドの製造方法の改良に関
するものである。
ドの製造方法に係り、特に記録再生用ギャップを有する
インダクティブ型薄膜磁気ヘッドの製造方法の改良に関
するものである。
磁気ディスク装置等に用いられる記録再生用ギャップを
有するインダクティブ型薄膜磁気ヘッドは、狭トラック
化が容易で、磁極及びコイル形状の小型化に伴う低イン
ダクタンス化、記録磁界の急峻化等の利点があり、高密
度記録に適したヘッドとして知られている。
有するインダクティブ型薄膜磁気ヘッドは、狭トラック
化が容易で、磁極及びコイル形状の小型化に伴う低イン
ダクタンス化、記録磁界の急峻化等の利点があり、高密
度記録に適したヘッドとして知られている。
近来、記録密度の向上に伴いその形状も益々小型で、か
つ高精度なものが要求され、特にビット密度を高めるた
めには磁極先端部でのギャップ長（ギャップ層の厚さ）
を高精度に実現できる製造方法が必要とされる。
つ高精度なものが要求され、特にビット密度を高めるた
めには磁極先端部でのギャップ長（ギャップ層の厚さ）
を高精度に実現できる製造方法が必要とされる。
従来のインダクティブ型薄膜磁気ヘッドの製造方法とし
ては、先ず第14図に示すようにガラス、セラミック等か
らなる基板１上にNi−Feからなる下部磁極層２を形成
し、この表面にSiO2,Al2O3等からなるギャップ層３及び
硬化樹脂等からなる第１層間絶縁層４を被着形成する。
ては、先ず第14図に示すようにガラス、セラミック等か
らなる基板１上にNi−Feからなる下部磁極層２を形成
し、この表面にSiO2,Al2O3等からなるギャップ層３及び
硬化樹脂等からなる第１層間絶縁層４を被着形成する。
次に、第15図に示すように前記ギャップ層３の一部を含
む第１層間絶縁層４の表面をイオンミリングなどにより
エッチングして清浄化する成膜前処理を行った後、これ
らの表面上に蒸着法、或いはスパッタリング法によりCu
等からなる下地導電膜５を被着する。更にその上面にレ
ジスト膜を塗着し、パターニングしてコイル形成用のレ
ジスト膜パターン６を形成する。
む第１層間絶縁層４の表面をイオンミリングなどにより
エッチングして清浄化する成膜前処理を行った後、これ
らの表面上に蒸着法、或いはスパッタリング法によりCu
等からなる下地導電膜５を被着する。更にその上面にレ
ジスト膜を塗着し、パターニングしてコイル形成用のレ
ジスト膜パターン６を形成する。
しかる後、該レジスト膜パターン６より露出する下地導
電膜５部分に電気メッキ法等によりCuメッキを行い、前
記レジスト膜パターン６を除去することにより第16図に
示すように薄膜コイル７を形成する。
電膜５部分に電気メッキ法等によりCuメッキを行い、前
記レジスト膜パターン６を除去することにより第16図に
示すように薄膜コイル７を形成する。
次に、第17図に示すように露出する前記下地導電膜５を
イオンミリング等によって除去した後、前記薄膜コイル
７上に硬化樹脂等からなる第２層間絶縁層８及びNi−Fe
からなる上部磁極層９を順に積層形成する。更に第18図
に示すようにこれらの表面にSiO2,Al2O3等からなる保護
層10を被着形成した後、前記下部磁極層２と上部磁極層
９との先端部を所定ギャップ深さとなるように切断、平
面研磨仕上げを行って磁気記録媒体に対する対向面を形
成することにより完成している。
イオンミリング等によって除去した後、前記薄膜コイル
７上に硬化樹脂等からなる第２層間絶縁層８及びNi−Fe
からなる上部磁極層９を順に積層形成する。更に第18図
に示すようにこれらの表面にSiO2,Al2O3等からなる保護
層10を被着形成した後、前記下部磁極層２と上部磁極層
９との先端部を所定ギャップ深さとなるように切断、平
面研磨仕上げを行って磁気記録媒体に対する対向面を形
成することにより完成している。
ところでこのような従来の薄膜磁気ヘッの製造方法で
は、前記ギャップ層３の一部を含む第１層間絶縁層４の
表面に下地導電膜５を被着する際のイオンミリング等に
よる成膜前処理工程、薄膜コイル７を形成した後の露出
する前記下地導電膜５をイオンミリング等によって除去
する工程、或いは上部磁極層９を被着形成する際のイオ
ンミリング等による成膜前処理工程等において、0.5〜
1.0μ程度の膜厚を有する前記ギャップ層３の記録再生
ギャップ形成領域3aが再三エッチングされて、この部分
の膜厚が0.1〜0.2μｍ程度減少し、高精度なギャップ長
を得ることが出来ないという問題があった。
は、前記ギャップ層３の一部を含む第１層間絶縁層４の
表面に下地導電膜５を被着する際のイオンミリング等に
よる成膜前処理工程、薄膜コイル７を形成した後の露出
する前記下地導電膜５をイオンミリング等によって除去
する工程、或いは上部磁極層９を被着形成する際のイオ
ンミリング等による成膜前処理工程等において、0.5〜
1.0μ程度の膜厚を有する前記ギャップ層３の記録再生
ギャップ形成領域3aが再三エッチングされて、この部分
の膜厚が0.1〜0.2μｍ程度減少し、高精度なギャップ長
を得ることが出来ないという問題があった。
そこでかかる問題を解消するために、前記ギャップ層３
の膜厚を、これら一連の工程中での膜厚減少量を予め見
込んだ厚さにしておくことにより、対処することも試み
られているが、前記成膜前処理でのオーバーエッチング
や薄膜コイルの多層化等により、ギャップ層３の記録再
生ギャップ形成領域3aが再々エッチングされる回数が増
加して高精度にギャップ長を形成することが困難となる
欠点があった。
の膜厚を、これら一連の工程中での膜厚減少量を予め見
込んだ厚さにしておくことにより、対処することも試み
られているが、前記成膜前処理でのオーバーエッチング
や薄膜コイルの多層化等により、ギャップ層３の記録再
生ギャップ形成領域3aが再々エッチングされる回数が増
加して高精度にギャップ長を形成することが困難となる
欠点があった。
本発明はこのような従来の欠点に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、ギャップ層形成後の、記
録再生ギャップ形成領域を、以後の上部磁極層を形成す
るまでの各前処理工程にてエッチングされないようにし
て、高精度なギャップ長を得るようにした薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、ギャップ層形成後の、記
録再生ギャップ形成領域を、以後の上部磁極層を形成す
るまでの各前処理工程にてエッチングされないようにし
て、高精度なギャップ長を得るようにした薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するため、第１図に示すように
基板１上に下部磁極層２を被着形成し、その上面にギャ
ップ層３を被着形成した後、該ギャップ層３の記録再生
ギャップ形成領域3a上にエッチング防止層21を、またそ
の他の領域上に第一層間絶縁層４を被着形成する。
基板１上に下部磁極層２を被着形成し、その上面にギャ
ップ層３を被着形成した後、該ギャップ層３の記録再生
ギャップ形成領域3a上にエッチング防止層21を、またそ
の他の領域上に第一層間絶縁層４を被着形成する。
次に、該第一層間絶縁層４の表面をイオンミリングなど
によりエッチング清浄化（この際、前記エッチング防止
層21の表面もエッチングされる）した後、第２図に示す
ように該エッチング防止層21上を含む第１層間絶縁層４
上に下地導電膜５を形成し、更にその上面のコイル形成
用のレジスト膜パターン６を形成する。
によりエッチング清浄化（この際、前記エッチング防止
層21の表面もエッチングされる）した後、第２図に示す
ように該エッチング防止層21上を含む第１層間絶縁層４
上に下地導電膜５を形成し、更にその上面のコイル形成
用のレジスト膜パターン６を形成する。
次に第３図に示すように該レジスト膜パターン６をマス
クにして露出する下地導電膜５部分にCuメッキ行った
後、前記レジスト膜パターン６を選択的に除去して薄膜
コイル７を形成する。
クにして露出する下地導電膜５部分にCuメッキ行った
後、前記レジスト膜パターン６を選択的に除去して薄膜
コイル７を形成する。
しかる後、第４図に示すように該薄膜コイル７より露出
する前記下地導電膜５をイオンミリングなどにより除去
し、更にその薄膜コイル７上に第二層間絶縁層８を被着
形成すると共に、前記エッチング防止層21を選択的に除
去してギャップ層３の記録再生ギャップ形成領域3a上よ
り第二層間絶縁層８上にかけて上部磁極層９を形成す
る。
する前記下地導電膜５をイオンミリングなどにより除去
し、更にその薄膜コイル７上に第二層間絶縁層８を被着
形成すると共に、前記エッチング防止層21を選択的に除
去してギャップ層３の記録再生ギャップ形成領域3a上よ
り第二層間絶縁層８上にかけて上部磁極層９を形成す
る。
以下、図示していないが従来の製造方法に準じてこれら
の表面にSiO2,Al2O3等からなる保護層を被着形成した
後、前記下部磁極層２と上部磁極層９との先端部を所定
ギャップ深さとなるように切断、平面研磨仕上げを行っ
て磁気記録媒体に対する対向面を形成することにより完
成させる。
の表面にSiO2,Al2O3等からなる保護層を被着形成した
後、前記下部磁極層２と上部磁極層９との先端部を所定
ギャップ深さとなるように切断、平面研磨仕上げを行っ
て磁気記録媒体に対する対向面を形成することにより完
成させる。
本発明の製造方法では、ギャップ層３の記録再生ギャッ
プ形成領域3aは、ギャップ層３形成直後より上部磁極層
９を形成する工程の直前までエッチング防止層21が被覆
されているため、この間の工程中での各種エッチング処
理に曝されることがなくなり、ギャップ長（記録再生ギ
ャップ形成領域3aの膜厚）の減少を著しく低減すること
が可能となる。その結果高精度なギャップ長を有する薄
膜磁気ヘッドを得ることができる。
プ形成領域3aは、ギャップ層３形成直後より上部磁極層
９を形成する工程の直前までエッチング防止層21が被覆
されているため、この間の工程中での各種エッチング処
理に曝されることがなくなり、ギャップ長（記録再生ギ
ャップ形成領域3aの膜厚）の減少を著しく低減すること
が可能となる。その結果高精度なギャップ長を有する薄
膜磁気ヘッドを得ることができる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図乃至第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を工程順に説明するための要部断面図で
ある。
方法の一実施例を工程順に説明するための要部断面図で
ある。
先ず第１図に示すように例えばガラス、又はセラミック
スなどからなる非磁性基板１上に、スパッタリング法及
びフォトリソグラフィ工程等によりNi−Feからなる下部
磁極層２を形成し、その上面に所定ギャップ長を構成し
得るパターン形状にSiO2,Al2O3等からなるギャップ層３
を被着形成した後、該ギャップ層３上の記録再生ギャッ
プ形成領域3aにAl等からなるエッチング防止層21を、ま
たその他の領域に硬化性樹脂からなる第一層間絶縁層４
を被着形成する。
スなどからなる非磁性基板１上に、スパッタリング法及
びフォトリソグラフィ工程等によりNi−Feからなる下部
磁極層２を形成し、その上面に所定ギャップ長を構成し
得るパターン形状にSiO2,Al2O3等からなるギャップ層３
を被着形成した後、該ギャップ層３上の記録再生ギャッ
プ形成領域3aにAl等からなるエッチング防止層21を、ま
たその他の領域に硬化性樹脂からなる第一層間絶縁層４
を被着形成する。
次に該第一層間絶縁層４の表面をイオンミリングなどに
よりエッチング清浄化（この際、前記エッチング防止層
21の表面もエッチングされる）する成膜前処理を行った
後、第２図に示すように該エッチング防止層21上を含む
第一層間絶縁層４上に、Cuなどからなる下地導電膜５を
蒸着法、或いはスパッタリング法等によって形成し、更
にその上面にコイル形成用のレジスト膜パターン６を形
成する。
よりエッチング清浄化（この際、前記エッチング防止層
21の表面もエッチングされる）する成膜前処理を行った
後、第２図に示すように該エッチング防止層21上を含む
第一層間絶縁層４上に、Cuなどからなる下地導電膜５を
蒸着法、或いはスパッタリング法等によって形成し、更
にその上面にコイル形成用のレジスト膜パターン６を形
成する。
次に第３図に示すように該レジスト膜パターン６をマス
クにして露出する下地導電膜５部分に電気メッキ法によ
りCuメッキ行った後、前記レジスト膜パターン６を選択
的に除去して薄膜コイル７を形成する。
クにして露出する下地導電膜５部分に電気メッキ法によ
りCuメッキ行った後、前記レジスト膜パターン６を選択
的に除去して薄膜コイル７を形成する。
しかる後、第４図に示すように該薄膜コイル７より露出
する前記下地導電膜５をイオンミリングなどにより除去
し、更にその薄膜コイル７上に硬化性樹脂からなる第二
層間絶縁層８を塗着形成すると共に、前記エッチング防
止層21を選択的に除去して第５図に示すようにギャップ
層３の記録再生ギャップ形成領域3a上より第二層間絶縁
層８上にかけてNi−Feからなる上部磁極層９をスパッタ
リング法及びフォトリソグラフィ工程等により形成す
る。
する前記下地導電膜５をイオンミリングなどにより除去
し、更にその薄膜コイル７上に硬化性樹脂からなる第二
層間絶縁層８を塗着形成すると共に、前記エッチング防
止層21を選択的に除去して第５図に示すようにギャップ
層３の記録再生ギャップ形成領域3a上より第二層間絶縁
層８上にかけてNi−Feからなる上部磁極層９をスパッタ
リング法及びフォトリソグラフィ工程等により形成す
る。
以下、従来の製造方法に準じてこれらの表面に図示して
いないSiO2,Al2O3等からなる保護層を被着形成した後、
前記下部磁極層２と上部磁極層９との先端部を所定ギャ
ップ深さとなるように切断・平面研磨仕上げを行って磁
気記録媒体に対する対向面を形成することにより完成す
る。
いないSiO2,Al2O3等からなる保護層を被着形成した後、
前記下部磁極層２と上部磁極層９との先端部を所定ギャ
ップ深さとなるように切断・平面研磨仕上げを行って磁
気記録媒体に対する対向面を形成することにより完成す
る。
このような製造方法によれば、ギャップ層３の記録再生
ギャップ形成領域3aは、ギャップ層３形成直後より上部
磁極層９の形成工程の直前までエッチング防止層21によ
り被覆された状態であるため、この間の工程中での各種
エッチング処理に曝されることがなく、ギャップ長（記
録再生ギャップ形成領域3aの膜厚）の減少を著しく低減
することができる。その結果、高精度なギャップ長が形
成された薄膜磁気ヘッドを容易に得ることが可能とな
る。
ギャップ形成領域3aは、ギャップ層３形成直後より上部
磁極層９の形成工程の直前までエッチング防止層21によ
り被覆された状態であるため、この間の工程中での各種
エッチング処理に曝されることがなく、ギャップ長（記
録再生ギャップ形成領域3aの膜厚）の減少を著しく低減
することができる。その結果、高精度なギャップ長が形
成された薄膜磁気ヘッドを容易に得ることが可能とな
る。
第６図乃至第13図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の実施例を工程順に説明するための要部断面図
である。
方法の他の実施例を工程順に説明するための要部断面図
である。
本実施例は二層薄膜コイル型の薄膜磁気ヘッドの製造方
法に第１図乃至第５図の実施例を適用したもので、先ず
第６図に示すように例えばガラス、又はセラミックスな
どからなる非磁性基板31上に、スパッタリング法及びフ
ォトリソグラフィ工程等によりNi−Feからなる下部磁極
層32を形成し、その上面に所定ギャップ長を構成するた
めのSiO2,Al2O3等からなるギャップ層33を被着形成した
後、該ギャップ層33上の所定領域に硬化性樹脂からなる
第一層間絶縁層34を塗着形成する。
法に第１図乃至第５図の実施例を適用したもので、先ず
第６図に示すように例えばガラス、又はセラミックスな
どからなる非磁性基板31上に、スパッタリング法及びフ
ォトリソグラフィ工程等によりNi−Feからなる下部磁極
層32を形成し、その上面に所定ギャップ長を構成するた
めのSiO2,Al2O3等からなるギャップ層33を被着形成した
後、該ギャップ層33上の所定領域に硬化性樹脂からなる
第一層間絶縁層34を塗着形成する。
次に第７図に示すように前記ギャップ層33の記録再生ギ
ャップ形成領域33aから第一層間絶縁層34表面をイオン
ミリングなどによりエッチング清浄化する成膜前処理を
行った後、Cuなどからなる第一下地導電膜35を蒸着法、
或いはスパッタリング法等によって形成し、更にその上
面にエッチング防止層及びコイル形成用の第一レジスト
膜パターン36を形成する。
ャップ形成領域33aから第一層間絶縁層34表面をイオン
ミリングなどによりエッチング清浄化する成膜前処理を
行った後、Cuなどからなる第一下地導電膜35を蒸着法、
或いはスパッタリング法等によって形成し、更にその上
面にエッチング防止層及びコイル形成用の第一レジスト
膜パターン36を形成する。
次に第８図に示すように該第一レジスト膜パターン36を
マスクにして露出する第一下地導電膜35部分に電気メッ
キ法によりCuメッキを行った後、前記レジスト膜パター
ン36を選択的に除去して、エッチング防止層21と同一薄
膜コイル37を形成する。
マスクにして露出する第一下地導電膜35部分に電気メッ
キ法によりCuメッキを行った後、前記レジスト膜パター
ン36を選択的に除去して、エッチング防止層21と同一薄
膜コイル37を形成する。
しかる後、第９図に示すように該エッチング防止層21と
第一薄膜コイル37間に露出する前記第一下地導電膜35を
イオンミリングなどにより除去し、更にその第一薄膜コ
イル37上に硬化性樹脂からなる第二層間絶縁層38を塗着
形成する。
第一薄膜コイル37間に露出する前記第一下地導電膜35を
イオンミリングなどにより除去し、更にその第一薄膜コ
イル37上に硬化性樹脂からなる第二層間絶縁層38を塗着
形成する。
引続き第10図に示すようにこれら第二層間絶縁層38の表
面を（エッチング防止層21表面も含まれる）イオンミリ
ングなどによりエッチング清浄化する成膜前処理を行っ
た後、Cuなどからなる第二下地導電膜39を蒸着法、又は
スパッタリング法等によって形成し、更にその上面に第
二コイル形成用の第二レジスト膜パターン40を形成す
る。
面を（エッチング防止層21表面も含まれる）イオンミリ
ングなどによりエッチング清浄化する成膜前処理を行っ
た後、Cuなどからなる第二下地導電膜39を蒸着法、又は
スパッタリング法等によって形成し、更にその上面に第
二コイル形成用の第二レジスト膜パターン40を形成す
る。
次に第11図に示すように該第二レジスト膜パターン40を
マスクにして、露出する第二下地導電膜39部分に電気メ
ッキ法によりCuメッキを行った後、第二レジスト膜パタ
ーン40を選択的に除去して第二薄膜コイル41を形成す
る。
マスクにして、露出する第二下地導電膜39部分に電気メ
ッキ法によりCuメッキを行った後、第二レジスト膜パタ
ーン40を選択的に除去して第二薄膜コイル41を形成す
る。
その後、第12図に示すように該第二薄膜コイル41より露
出する前記第二下地導電膜39をイオンミリングなどによ
り除去し、更にその薄膜コイル41上に硬化性樹脂からな
る第三層間絶縁層42を塗着形成する。引続き前記エッチ
ング防止層21を選択的に除去した後、第13図に示すよう
にギャップ層33の記録再生ギャップ形成領域33a上より
第三層間絶縁層42上にかけてNi−Feからなる上部磁極層
43を、スパッタリング法及びフォトリソグラフィ工程等
により形成する。
出する前記第二下地導電膜39をイオンミリングなどによ
り除去し、更にその薄膜コイル41上に硬化性樹脂からな
る第三層間絶縁層42を塗着形成する。引続き前記エッチ
ング防止層21を選択的に除去した後、第13図に示すよう
にギャップ層33の記録再生ギャップ形成領域33a上より
第三層間絶縁層42上にかけてNi−Feからなる上部磁極層
43を、スパッタリング法及びフォトリソグラフィ工程等
により形成する。
以下、従来の製造方法に準じてこれらの表面に図示して
いないSiO2,Al2O3等からなる保護層を被着形成した後、
前記下部磁極層32と上部磁極層43との先端部を所定ギャ
ップ深さとなるように切断・平面研磨仕上げを行って磁
気記録媒体に対する対向面を形成することにより、前記
第１図乃至第５図による実施例と同様に、ギャップ長
（記録再生ギャップ形成領域3aの膜厚）の減少が著しく
低減され、高精度なギャップ長を有する二層薄膜コイル
型の薄膜磁気ヘッドを得ることが可能となる。
いないSiO2,Al2O3等からなる保護層を被着形成した後、
前記下部磁極層32と上部磁極層43との先端部を所定ギャ
ップ深さとなるように切断・平面研磨仕上げを行って磁
気記録媒体に対する対向面を形成することにより、前記
第１図乃至第５図による実施例と同様に、ギャップ長
（記録再生ギャップ形成領域3aの膜厚）の減少が著しく
低減され、高精度なギャップ長を有する二層薄膜コイル
型の薄膜磁気ヘッドを得ることが可能となる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、製造工程中におけてギャッ
プ層のギャップ長形成領域がイオンミリング等によるエ
ッチング処理に曝されることがなく、ギャップ長（記録
再生ギャップ形成領域3aの膜厚）の減少を著しく低減す
ることができるので、ギャップ長を高精度に構成するこ
とが可能となる。
ヘッドの製造方法によれば、製造工程中におけてギャッ
プ層のギャップ長形成領域がイオンミリング等によるエ
ッチング処理に曝されることがなく、ギャップ長（記録
再生ギャップ形成領域3aの膜厚）の減少を著しく低減す
ることができるので、ギャップ長を高精度に構成するこ
とが可能となる。
従って、この種の薄膜磁気ヘッド、或いは多層コイル型
の薄膜磁気ヘッドの製造に適用して極めて有利であり、
高精度なギャップ長を有する各種薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる優れた利点を有する。
の薄膜磁気ヘッドの製造に適用して極めて有利であり、
高精度なギャップ長を有する各種薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる優れた利点を有する。
第１図乃至第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を工程順に説明するための要部断面図、 第６図乃至第13図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の実施例を工程順に説明するための要部断面
図、 第14図乃至第18図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を
工程順に説明するための要部断面図である。 第１図乃至第13図において、 1,31は基板、2,32は下部磁極層、3,33はギャップ層、3
a,33aは記録再生ギャップ形成領域、4,34は第一層間絶
縁層、５は下地導電膜、６はレジスト膜パターン、７は
薄膜コイル、8,38は第二層間絶縁層、9,43は上部磁極
層、21はエッチング防止層、35は第一下地導電膜、36は
第一レジスト膜パターン、37は第一薄膜コイル、39第二
下地導電膜、40は第二レジスト膜パターン、41は第二薄
膜コイル、42は第三層間絶縁層をそれぞれ示す。
方法の一実施例を工程順に説明するための要部断面図、 第６図乃至第13図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の実施例を工程順に説明するための要部断面
図、 第14図乃至第18図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を
工程順に説明するための要部断面図である。 第１図乃至第13図において、 1,31は基板、2,32は下部磁極層、3,33はギャップ層、3
a,33aは記録再生ギャップ形成領域、4,34は第一層間絶
縁層、５は下地導電膜、６はレジスト膜パターン、７は
薄膜コイル、8,38は第二層間絶縁層、9,43は上部磁極
層、21はエッチング防止層、35は第一下地導電膜、36は
第一レジスト膜パターン、37は第一薄膜コイル、39第二
下地導電膜、40は第二レジスト膜パターン、41は第二薄
膜コイル、42は第三層間絶縁層をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】基板（１）上に下部磁極層（２）、ギャッ
プ層（３）及び第１層間絶縁層（４）を介して少なくと
も一層の薄膜コイル（７）と第２層間絶縁層（８）、及
び上部磁極層（９）を順に積層形成する薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、 上記ギャップ層（３）上に第１層間絶縁層（４）を形成
するに先立つて、該ギャップ層（３）の記録再生ギャッ
プ形成領域（3a）上のみに選択的にエッチング防止層
（21）を形成する工程を行い、また前記第２層間絶縁層
（８）上に上部磁極層（９）を形成するに際して、前記
エッチング防止層（21）を選択的に除去する工程を行う
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019119A JPH0760496B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019119A JPH0760496B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62175922A JPS62175922A (ja) | 1987-08-01 |
| JPH0760496B2 true JPH0760496B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=11990580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61019119A Expired - Fee Related JPH0760496B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760496B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59168913A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-22 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ形成方法 |
| JPS61110319A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-28 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61019119A patent/JPH0760496B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62175922A (ja) | 1987-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |