JPH05159383A - 光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法 - Google Patents
光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法Info
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- JPH05159383A JPH05159383A JP3347793A JP34779391A JPH05159383A JP H05159383 A JPH05159383 A JP H05159383A JP 3347793 A JP3347793 A JP 3347793A JP 34779391 A JP34779391 A JP 34779391A JP H05159383 A JPH05159383 A JP H05159383A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚が均一な高品質のスタンパーを得る光記
録媒体製造用スタンパーの電鋳方法を提供する。 【構成】 記録すべき情報に対応した凹凸パターンが形
成された原盤に導電化処理を施し導電膜を形成した後、
電鋳を行い電鋳膜を形成し、導電膜と電鋳膜を一体に剥
離して光記録媒体製造用スタンパーを製造する方法にお
いて、対向する陰極と陽極の間に陽イオン交換膜を設け
て電鋳を行うスタンパーの電鋳方法。また、対向する陰
極と陽極の間に導電性を有する補助部材を設け、該補助
部材を該陰極と同極性にして陽極との間に通電して電鋳
を行うスタンパーの電鋳方法。
録媒体製造用スタンパーの電鋳方法を提供する。 【構成】 記録すべき情報に対応した凹凸パターンが形
成された原盤に導電化処理を施し導電膜を形成した後、
電鋳を行い電鋳膜を形成し、導電膜と電鋳膜を一体に剥
離して光記録媒体製造用スタンパーを製造する方法にお
いて、対向する陰極と陽極の間に陽イオン交換膜を設け
て電鋳を行うスタンパーの電鋳方法。また、対向する陰
極と陽極の間に導電性を有する補助部材を設け、該補助
部材を該陰極と同極性にして陽極との間に通電して電鋳
を行うスタンパーの電鋳方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報の記録・
再生を行なう光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法に
関するものである。
再生を行なう光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、各種情報の記録には、磁気テー
プ、磁気ディスク等の磁気材料、各種半導体メモリー等
が主として用いられてきた。この様な磁気メモリー、半
導体メモリーは情報の書き込み及び、読みだしを容易に
行うことができるという利点はあるが、反面、情報の内
容を容易に書き換えられたり、また高密度記録ができな
いという問題点があった。
プ、磁気ディスク等の磁気材料、各種半導体メモリー等
が主として用いられてきた。この様な磁気メモリー、半
導体メモリーは情報の書き込み及び、読みだしを容易に
行うことができるという利点はあるが、反面、情報の内
容を容易に書き換えられたり、また高密度記録ができな
いという問題点があった。
【0003】この様な、問題点を解決するために、多種
多様の情報を効率良く取り扱う手段として、光記録媒体
による光学的情報記録方法が提案され、そのための光学
的情報記録担体、記録再生方法、記録再生装置が提案さ
れている。かかる情報記録担体としての光記録媒体は、
一般にレーザー光を用いて情報記録担体上の光記録層の
一部を揮散させるか、反射率の変化を生じさせるか、あ
るいは変形を生じさせて光学的な反射率や透過率の差に
よって情報を記録し、あるいは再生を行なっている。こ
の場合、光記録層は情報を書き込み後、現像処理などの
必要がなく、「書いた後に直読する」ことのできる、い
わゆるDRAW(ダイレクト・リード・アフター・ライ
ト)媒体であり、高密度記録が可能であり、また追加書
き込みも可能であることから、情報の記録・保存媒体と
して有効である。
多様の情報を効率良く取り扱う手段として、光記録媒体
による光学的情報記録方法が提案され、そのための光学
的情報記録担体、記録再生方法、記録再生装置が提案さ
れている。かかる情報記録担体としての光記録媒体は、
一般にレーザー光を用いて情報記録担体上の光記録層の
一部を揮散させるか、反射率の変化を生じさせるか、あ
るいは変形を生じさせて光学的な反射率や透過率の差に
よって情報を記録し、あるいは再生を行なっている。こ
の場合、光記録層は情報を書き込み後、現像処理などの
必要がなく、「書いた後に直読する」ことのできる、い
わゆるDRAW(ダイレクト・リード・アフター・ライ
ト)媒体であり、高密度記録が可能であり、また追加書
き込みも可能であることから、情報の記録・保存媒体と
して有効である。
【0004】図5(a),(b)は従来の光記録媒体
(光ディスク、光カード)の模式的断面図である。図5
(a)は光ディスクを示し、トラック溝部13を設けた
透明基板12上に光記録層14を形成し、該光記録層1
4の上にスペーサー15を介して保護基板17を設けて
なるものである。
(光ディスク、光カード)の模式的断面図である。図5
(a)は光ディスクを示し、トラック溝部13を設けた
透明基板12上に光記録層14を形成し、該光記録層1
4の上にスペーサー15を介して保護基板17を設けて
なるものである。
【0005】図5(b)は光カードを示し、トラック溝
部13を設けた透明基板12上に光記録層14を形成
し、該光記録層14の上に接着剤層16を介して保護基
板17を設けてなるものである。
部13を設けた透明基板12上に光記録層14を形成
し、該光記録層14の上に接着剤層16を介して保護基
板17を設けてなるものである。
【0006】図5において、記録・再生は、トラック溝
部13の微細な凹凸を利用してレーザー光の位相差によ
り位置決めをしながら行なっている。一般的な光記録媒
体では、熱可塑性樹脂であるポリカーボネート樹脂やポ
リメチルメタクリル樹脂を、トラックや情報に対応する
凹凸パターンが記録されているスタンパーを用いて、そ
の凹凸パターンを転写してトラック溝部13を形成して
いる。
部13の微細な凹凸を利用してレーザー光の位相差によ
り位置決めをしながら行なっている。一般的な光記録媒
体では、熱可塑性樹脂であるポリカーボネート樹脂やポ
リメチルメタクリル樹脂を、トラックや情報に対応する
凹凸パターンが記録されているスタンパーを用いて、そ
の凹凸パターンを転写してトラック溝部13を形成して
いる。
【0007】スタンパーの製造方法としては、一般的
に、図6に示す様に、平面性良く研磨されたガラス原盤
21の上に、レジストや感光性樹脂のレジスト層22
に、記録すべき情報に対応した所定の深さの凹凸パター
ン23を形成した後に(図6(a)参照)、導電化処理
を施し導電膜24を形成し(図6(b)参照)、次いで
所定の厚さまで電鋳を行なって電鋳膜25を形成し(図
6(c)参照)、その電鋳膜25を導電膜24と共にレ
ジスト層22より剥離することによって金属スタンパー
を得ている。
に、図6に示す様に、平面性良く研磨されたガラス原盤
21の上に、レジストや感光性樹脂のレジスト層22
に、記録すべき情報に対応した所定の深さの凹凸パター
ン23を形成した後に(図6(a)参照)、導電化処理
を施し導電膜24を形成し(図6(b)参照)、次いで
所定の厚さまで電鋳を行なって電鋳膜25を形成し(図
6(c)参照)、その電鋳膜25を導電膜24と共にレ
ジスト層22より剥離することによって金属スタンパー
を得ている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来の電鋳方法におい
ては、例えばニッケル電鋳用スルファミン酸浴を用いて
電鋳を行なう場合、pHを調整するためにスルファミン
酸を添加すると、スルファミン酸イオン濃度が増大する
ことによって陽極のニッケルの溶解速度が増大し、ニッ
ケルイオン濃度が上昇し、電鋳における液組成の安定性
が損なわれる。従って、電鋳膜の膜厚にもばらつきが生
じ、スタンパーの精度が不安定となる問題を有してい
た。
ては、例えばニッケル電鋳用スルファミン酸浴を用いて
電鋳を行なう場合、pHを調整するためにスルファミン
酸を添加すると、スルファミン酸イオン濃度が増大する
ことによって陽極のニッケルの溶解速度が増大し、ニッ
ケルイオン濃度が上昇し、電鋳における液組成の安定性
が損なわれる。従って、電鋳膜の膜厚にもばらつきが生
じ、スタンパーの精度が不安定となる問題を有してい
た。
【0009】一方、従来の電鋳方法においては、対向す
る陰極と陽極の間に、邪魔板として絶縁性の補助部材を
設け、電鋳膜の膜厚分布を均一化する処置がとられてい
る(特開昭59−177388号公報,特開昭60−1
7089号公報,特開昭61−279699号公報)。
る陰極と陽極の間に、邪魔板として絶縁性の補助部材を
設け、電鋳膜の膜厚分布を均一化する処置がとられてい
る(特開昭59−177388号公報,特開昭60−1
7089号公報,特開昭61−279699号公報)。
【0010】しかしながら、電鋳時に陽極から陰極に向
かって発生する電気力線は、上記の邪魔板を容易に回避
して陰極上に到達するために、陰極上に発生する膜厚の
不均一を完全に防止することは出来なかった。とりわ
け、前記のガラスなどの原盤上に形成されるレジストや
感光性樹脂の凹凸により膜厚が不均一になっている部分
や、エッジ部分に電気力線が集中することにより電鋳膜
が盛り上がって形成されることを無くすことは非常に困
難であった。
かって発生する電気力線は、上記の邪魔板を容易に回避
して陰極上に到達するために、陰極上に発生する膜厚の
不均一を完全に防止することは出来なかった。とりわ
け、前記のガラスなどの原盤上に形成されるレジストや
感光性樹脂の凹凸により膜厚が不均一になっている部分
や、エッジ部分に電気力線が集中することにより電鋳膜
が盛り上がって形成されることを無くすことは非常に困
難であった。
【0011】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたものであり、対向する陰極と陽極の間に陽イオン
交換膜を設けて電鋳を行うことにより、膜厚が均一な高
品質のスタンパーを得ることができる光記録媒体製造用
スタンパーの電鋳方法を提供することを目的とするもの
である。
されたものであり、対向する陰極と陽極の間に陽イオン
交換膜を設けて電鋳を行うことにより、膜厚が均一な高
品質のスタンパーを得ることができる光記録媒体製造用
スタンパーの電鋳方法を提供することを目的とするもの
である。
【0012】さらに、本発明の他の目的は、対向する陰
極と陽極の間に導電性を有する補助部材を設け、該補助
部材を該陰極と同極性にして陽極との間に通電して電鋳
を行うことにより、電鋳膜の膜厚が均一な高品質のスタ
ンパーを得ることができる光記録媒体製造用スタンパー
の電鋳方法を提供することを目的とするものである。
極と陽極の間に導電性を有する補助部材を設け、該補助
部材を該陰極と同極性にして陽極との間に通電して電鋳
を行うことにより、電鋳膜の膜厚が均一な高品質のスタ
ンパーを得ることができる光記録媒体製造用スタンパー
の電鋳方法を提供することを目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第一の発
明は、光ビームの照射により光学特性を変化させて、情
報の記録・再生を行なう光記録媒体の製造に用いられ、
記録すべき情報に対応した凹凸パターンが形成された原
盤に導電化処理を施し導電膜を形成した後、電鋳を行い
電鋳膜を形成し、導電膜と電鋳膜を一体に剥離してスタ
ンパーを製造する方法において、対向する陰極と陽極の
間に陽イオン交換膜を設けて電鋳を行うことを特徴とす
る光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法である。
明は、光ビームの照射により光学特性を変化させて、情
報の記録・再生を行なう光記録媒体の製造に用いられ、
記録すべき情報に対応した凹凸パターンが形成された原
盤に導電化処理を施し導電膜を形成した後、電鋳を行い
電鋳膜を形成し、導電膜と電鋳膜を一体に剥離してスタ
ンパーを製造する方法において、対向する陰極と陽極の
間に陽イオン交換膜を設けて電鋳を行うことを特徴とす
る光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法である。
【0014】また、本発明の第二の発明は、光ビームの
照射により光学特性を変化させて、情報の記録・再生を
行なう光記録媒体の製造に用いられ、記録すべき情報に
対応した凹凸パターンが形成された原盤に導電化処理を
施し導電膜を形成した後、電鋳を行い電鋳膜を形成し、
導電膜と電鋳膜を一体に剥離してスタンパーを製造する
方法において、対向する陰極と陽極の間に導電性を有す
る補助部材を設け、該補助部材を該陰極と同極性にして
陽極との間に通電して電鋳を行うことを特徴とする光記
録媒体製造用スタンパーの電鋳方法である。
照射により光学特性を変化させて、情報の記録・再生を
行なう光記録媒体の製造に用いられ、記録すべき情報に
対応した凹凸パターンが形成された原盤に導電化処理を
施し導電膜を形成した後、電鋳を行い電鋳膜を形成し、
導電膜と電鋳膜を一体に剥離してスタンパーを製造する
方法において、対向する陰極と陽極の間に導電性を有す
る補助部材を設け、該補助部材を該陰極と同極性にして
陽極との間に通電して電鋳を行うことを特徴とする光記
録媒体製造用スタンパーの電鋳方法である。
【0015】以下、本発明を詳細に説明する。先ず、本
発明の第一の発明について説明する。本発明は、光ビー
ムの照射によって光学特性を変化させて情報の記録、再
生を行なう光記録媒体の製造に用いられるスタンパを、
記録すべき情報に対応した凹凸パターンが形成された原
盤に電鋳を行なうことによって製造する方法において、
対向する陰極と陽極の間に陽イオン交換膜を設けて電鋳
を行なうことにより、陽極近傍のアニオン濃度を一定に
し、膜厚が均一な高品質のスタンパーを安定して得るこ
とができる。
発明の第一の発明について説明する。本発明は、光ビー
ムの照射によって光学特性を変化させて情報の記録、再
生を行なう光記録媒体の製造に用いられるスタンパを、
記録すべき情報に対応した凹凸パターンが形成された原
盤に電鋳を行なうことによって製造する方法において、
対向する陰極と陽極の間に陽イオン交換膜を設けて電鋳
を行なうことにより、陽極近傍のアニオン濃度を一定に
し、膜厚が均一な高品質のスタンパーを安定して得るこ
とができる。
【0016】前記陽イオン交換膜は、陽極を被覆する様
に設けることが好ましい。陽イオン交換膜で陽極を被覆
すると、陽極からアノード溶解した金属イオンは、陽イ
オン交換膜を選択的に透過し、陰極に到達して電着し、
電鋳膜を形成することができる。
に設けることが好ましい。陽イオン交換膜で陽極を被覆
すると、陽極からアノード溶解した金属イオンは、陽イ
オン交換膜を選択的に透過し、陰極に到達して電着し、
電鋳膜を形成することができる。
【0017】図1は本発明のスタンパーの電鋳方法に用
いる電鋳装置の一実施態様を示す概略断面図である。同
図において、電鋳液7を満たした電鋳槽3中に陽極2と
陰極1が対向する位置に設置され、陰極1はモーター4
によって回転する。陽極2は、試料である球状金属2a
をチタンより成る網状保持体2b中に保持し、陰極1と
の間で通電することにより試料金属をアノード溶解さ
せ、陰極1に試料金属を還元して電鋳膜を形成する。
いる電鋳装置の一実施態様を示す概略断面図である。同
図において、電鋳液7を満たした電鋳槽3中に陽極2と
陰極1が対向する位置に設置され、陰極1はモーター4
によって回転する。陽極2は、試料である球状金属2a
をチタンより成る網状保持体2b中に保持し、陰極1と
の間で通電することにより試料金属をアノード溶解さ
せ、陰極1に試料金属を還元して電鋳膜を形成する。
【0018】更に、陽極2は、陽イオン交換膜30で被
覆され、また陽極2と陰極1との間には電鋳膜厚を均一
化するための邪魔板6が設けられている。陰極1は、図
4に示す如く構成され、ガラス等の原盤9上にフォトポ
リマー等でパターンを形成し、表面をスパッター等で導
電化処理を施したものを原盤ホルダー8にセットし、モ
ーター4により回転自在に設置されている。
覆され、また陽極2と陰極1との間には電鋳膜厚を均一
化するための邪魔板6が設けられている。陰極1は、図
4に示す如く構成され、ガラス等の原盤9上にフォトポ
リマー等でパターンを形成し、表面をスパッター等で導
電化処理を施したものを原盤ホルダー8にセットし、モ
ーター4により回転自在に設置されている。
【0019】次に、本発明の光記録媒体製造用スタンパ
ーの電鋳方法を、ニッケル電鋳用スルファミン酸浴を例
に挙げて説明する。スルファミン酸浴はpHの上昇を抑
える目的で適宜スルファミン酸を加える必要がある。こ
れによって、スルファミン酸イオンの液中濃度が上昇し
ていき、通常、陽極からのニッケルのアノード溶解速度
が増大していく。しかし、本発明においては、陽極は陽
イオン交換膜で被覆されているために、浴中にスルファ
ミン酸を添加しても陽極近傍のスルファミン酸イオン濃
度は増大せず、陽極のニッケルのアノード溶解速度を安
定化させることができる。従って、電鋳を行なう過程で
ニッケルイオン濃度は安定化し、形成される電鋳膜の膜
厚のばらつきを抑えることができる。
ーの電鋳方法を、ニッケル電鋳用スルファミン酸浴を例
に挙げて説明する。スルファミン酸浴はpHの上昇を抑
える目的で適宜スルファミン酸を加える必要がある。こ
れによって、スルファミン酸イオンの液中濃度が上昇し
ていき、通常、陽極からのニッケルのアノード溶解速度
が増大していく。しかし、本発明においては、陽極は陽
イオン交換膜で被覆されているために、浴中にスルファ
ミン酸を添加しても陽極近傍のスルファミン酸イオン濃
度は増大せず、陽極のニッケルのアノード溶解速度を安
定化させることができる。従って、電鋳を行なう過程で
ニッケルイオン濃度は安定化し、形成される電鋳膜の膜
厚のばらつきを抑えることができる。
【0020】本発明において用いられる陽イオン交換膜
としては、陽イオン(カチオン)を選択的に透過させる
ものであれば特に制限することなく用いることができ
る。陽イオン交換膜には、変換基の種類と膜を構成する
母体の種類及びその構造状態によって多様なものがある
が、例えばカチオン変換基には、スルホン基,カルボキ
シル基,ホスホン基などを用いたものが挙げられる。
としては、陽イオン(カチオン)を選択的に透過させる
ものであれば特に制限することなく用いることができ
る。陽イオン交換膜には、変換基の種類と膜を構成する
母体の種類及びその構造状態によって多様なものがある
が、例えばカチオン変換基には、スルホン基,カルボキ
シル基,ホスホン基などを用いたものが挙げられる。
【0021】陽イオン交換膜としては、具体的にはフェ
ノールスルホン酸、メタクリル酸、スチレンジビニルベ
ンゼン、ビニル・ジビニルベンゼン、エチレン・イミン
・エピクロロヒドリン、エポキシ等を交換基と共重合、
あるいは共縮合させて得られるものと、スチレンジビニ
ルベンゼン、スチレンブタジエン等の膜状高分子に交換
基を導入したのもがあり、いずれも用いることができ
る。
ノールスルホン酸、メタクリル酸、スチレンジビニルベ
ンゼン、ビニル・ジビニルベンゼン、エチレン・イミン
・エピクロロヒドリン、エポキシ等を交換基と共重合、
あるいは共縮合させて得られるものと、スチレンジビニ
ルベンゼン、スチレンブタジエン等の膜状高分子に交換
基を導入したのもがあり、いずれも用いることができ
る。
【0022】また、従来の電鋳方法においては、陽極金
属のアノード溶解に伴なって発生する不純物(スラッ
ジ)を電鋳液中に拡散させないようにする目的で陽極を
綿布等で被覆しているが、本発明においては、陽極を陽
イオン交換膜で被覆することにより、スラッジの拡散を
防ぐことが出来るため、従来の様に陽極を綿布等で被覆
する必要はない。
属のアノード溶解に伴なって発生する不純物(スラッ
ジ)を電鋳液中に拡散させないようにする目的で陽極を
綿布等で被覆しているが、本発明においては、陽極を陽
イオン交換膜で被覆することにより、スラッジの拡散を
防ぐことが出来るため、従来の様に陽極を綿布等で被覆
する必要はない。
【0023】本発明の電鋳方法における電鋳液の循環方
法としては、例えば図1に示す様な方法が用いられる。
同図1において、電鋳液7は調整槽28よりポンプ27
によってくみ上げられ、吐出口26より矢印方向に吐出
される。この電鋳液7の液流は、陽極2と陰極1の間隙
へ向けて矢印Aの方向に吐出され、排出口29によって
調整槽28に回収される循環経路を取り、常に新しい電
解液7が電解槽3に供給される。
法としては、例えば図1に示す様な方法が用いられる。
同図1において、電鋳液7は調整槽28よりポンプ27
によってくみ上げられ、吐出口26より矢印方向に吐出
される。この電鋳液7の液流は、陽極2と陰極1の間隙
へ向けて矢印Aの方向に吐出され、排出口29によって
調整槽28に回収される循環経路を取り、常に新しい電
解液7が電解槽3に供給される。
【0024】電鋳液を送り込むための吐出口26は、陰
極1の面に直角方向に向ければ陰極面に発生する水素ガ
スの除去効果が大きいが、さらに水素ガスを均一に除去
するために、必要に応じて角度をつけたり、また吐出口
の数を増減させてもよい。
極1の面に直角方向に向ければ陰極面に発生する水素ガ
スの除去効果が大きいが、さらに水素ガスを均一に除去
するために、必要に応じて角度をつけたり、また吐出口
の数を増減させてもよい。
【0025】電鋳液7の吐出流量は15〜300リット
ル/分、好ましくは30〜180リットル/分程度が望
ましく、15リットル/分未満では陰極面上の水素ガス
を除去するだけの流速が得られず、300リットル/分
を越えるとポンプや吐出口などに過大な圧力がかかって
好ましくない。
ル/分、好ましくは30〜180リットル/分程度が望
ましく、15リットル/分未満では陰極面上の水素ガス
を除去するだけの流速が得られず、300リットル/分
を越えるとポンプや吐出口などに過大な圧力がかかって
好ましくない。
【0026】陽極2に用いられる試料金属は、上記の図
1に示す実施態様では球状金属を使用しているが、その
他の形状のものでもよく、例えば板状、塊状、毛状、フ
レーク状、多孔質体、粉体等の形状のものを任意に用い
ることができる。また、試料金属を支給する網状支持体
には、チタン、金、白金等の貴金属やプラスチック等を
用いて試料金属のみを選択的に溶出させることが望まし
い。
1に示す実施態様では球状金属を使用しているが、その
他の形状のものでもよく、例えば板状、塊状、毛状、フ
レーク状、多孔質体、粉体等の形状のものを任意に用い
ることができる。また、試料金属を支給する網状支持体
には、チタン、金、白金等の貴金属やプラスチック等を
用いて試料金属のみを選択的に溶出させることが望まし
い。
【0027】上記の電鋳方法を用いてスタンパーを製造
する方法は、例えば図6に示す様に、平面性良く研磨さ
れたガラス原盤21の上に、レジストや感光性樹脂のレ
ジスト層22に、記録すべき情報に対応した所定の深さ
の凹凸パターン23を形成した後に(図6(a)参
照)、導電化処理を施し導電膜24を形成し(図6
(b)参照)、次いで所定の厚さまで電鋳を行なって電
鋳膜25を形成し(図6(c)参照)、その電鋳膜25
を導電膜24と共にレジスト層22より剥離することに
よってスタンパーを得ることができる。
する方法は、例えば図6に示す様に、平面性良く研磨さ
れたガラス原盤21の上に、レジストや感光性樹脂のレ
ジスト層22に、記録すべき情報に対応した所定の深さ
の凹凸パターン23を形成した後に(図6(a)参
照)、導電化処理を施し導電膜24を形成し(図6
(b)参照)、次いで所定の厚さまで電鋳を行なって電
鋳膜25を形成し(図6(c)参照)、その電鋳膜25
を導電膜24と共にレジスト層22より剥離することに
よってスタンパーを得ることができる。
【0028】次に、本発明の第二の発明について説明す
る。本発明は、光ビームの照射によって光学特性を変化
させて情報の記録、再生を行なう光記録媒体の製造に用
いられるスタンパーを、記録すべき情報に対応した凹凸
パターンが形成された原盤に電鋳を行なうことによって
製造する方法において、対向する陰極と陽極の間に、該
陰極と陽極とは別の導電性を有する補助部材を設け、該
補助部材を陰極と同極性にして陽極との間に通電して電
鋳を行なうことにより、電鋳膜の膜厚分布を均一化し、
膜厚が均一な高品質のスタンパーを安定して得ることが
できる。
る。本発明は、光ビームの照射によって光学特性を変化
させて情報の記録、再生を行なう光記録媒体の製造に用
いられるスタンパーを、記録すべき情報に対応した凹凸
パターンが形成された原盤に電鋳を行なうことによって
製造する方法において、対向する陰極と陽極の間に、該
陰極と陽極とは別の導電性を有する補助部材を設け、該
補助部材を陰極と同極性にして陽極との間に通電して電
鋳を行なうことにより、電鋳膜の膜厚分布を均一化し、
膜厚が均一な高品質のスタンパーを安定して得ることが
できる。
【0029】本発明において、前記補助部材は、該陰極
上に形成される電鋳膜の膜厚が厚くなる部分に選択的に
配置されることを特徴とする。該補助部材をメッシュ状
とすることによって膜厚を精度よく均一にすることがで
きる。
上に形成される電鋳膜の膜厚が厚くなる部分に選択的に
配置されることを特徴とする。該補助部材をメッシュ状
とすることによって膜厚を精度よく均一にすることがで
きる。
【0030】図2は本発明のスタンパー電鋳方法に用い
る電鋳装置の一実施態様を示す概略断面図である。同図
において、電鋳液7を満たした電鋳槽3中に陽極2と陰
極1が対向する位置に設置され、陰極1はモーター4に
よって回転する。陽極2は、試料である球状金属2aを
チタンより成る網状保持体2b中に保持し、陰極1との
間で通電することにより試料金属をアノード溶解させ、
陰極1に試料金属を還元して電鋳膜を形成する。
る電鋳装置の一実施態様を示す概略断面図である。同図
において、電鋳液7を満たした電鋳槽3中に陽極2と陰
極1が対向する位置に設置され、陰極1はモーター4に
よって回転する。陽極2は、試料である球状金属2aを
チタンより成る網状保持体2b中に保持し、陰極1との
間で通電することにより試料金属をアノード溶解させ、
陰極1に試料金属を還元して電鋳膜を形成する。
【0031】陰極1は、図4に示す如く構成され、ガラ
ス等の原盤9上にフォトポリマー等でパターンを形成
し、表面をスパッター等で導電化処理を施したものを原
盤ホルダー8にセットし、モーター4により回転自在に
設置されている。
ス等の原盤9上にフォトポリマー等でパターンを形成
し、表面をスパッター等で導電化処理を施したものを原
盤ホルダー8にセットし、モーター4により回転自在に
設置されている。
【0032】陽極2と陰極1の間には、導電性を有する
補助部材31が設けられ、陽極2に対し陰極として作用
するように電位がかけられる。これにより、陰極1上の
感光性樹脂やレジストのエッジ部等に形成される電鋳膜
の局部的な盛り上がり部分を補助部材31の表面に電着
させ、陰極1上の導電膜に電鋳する電鋳膜の平面性を確
保し、膜厚を均一化させることが可能になる。また、エ
ッジ部分以外の電鋳膜の膜厚の不均一も、電位を与える
補助部材31の位置を、膜厚の不均一となる箇所に設置
することによって不必要な部分に形成される電鋳膜の突
出を防止することができる。
補助部材31が設けられ、陽極2に対し陰極として作用
するように電位がかけられる。これにより、陰極1上の
感光性樹脂やレジストのエッジ部等に形成される電鋳膜
の局部的な盛り上がり部分を補助部材31の表面に電着
させ、陰極1上の導電膜に電鋳する電鋳膜の平面性を確
保し、膜厚を均一化させることが可能になる。また、エ
ッジ部分以外の電鋳膜の膜厚の不均一も、電位を与える
補助部材31の位置を、膜厚の不均一となる箇所に設置
することによって不必要な部分に形成される電鋳膜の突
出を防止することができる。
【0033】次に、上記の補助部材31の一例を図3に
示す。同図において、補助部材31は円板状の導電性の
メッシュ状の金属からなり、同心円状に31−1から3
1−6までの6つの部分に分かれており、それぞれスイ
ッチS1〜S6によって陰極1に結線されている。
示す。同図において、補助部材31は円板状の導電性の
メッシュ状の金属からなり、同心円状に31−1から3
1−6までの6つの部分に分かれており、それぞれスイ
ッチS1〜S6によって陰極1に結線されている。
【0034】例えば、図3では図示していない陰極1に
おいて、形成される電鋳膜の最外周部に突出部が生じる
ときはスイッチS1のみを閉じ、補助部材31−1の部
分に電位を付与して通電して電着させることによって、
電鋳膜の最外周部の突出を取り除くことが出来る。
おいて、形成される電鋳膜の最外周部に突出部が生じる
ときはスイッチS1のみを閉じ、補助部材31−1の部
分に電位を付与して通電して電着させることによって、
電鋳膜の最外周部の突出を取り除くことが出来る。
【0035】また、形成される電鋳膜の突出部が最外周
部より少し内側に発生する場合には、スイッチS2のみ
を閉じ、補助部材31−2の部分に電位を付与して通電
して電着させることにより突出を取り除くことができ
る。同様にして、補助部材31−3〜31−6までの部
分にスイッチS1〜S6を使用して電位を与え、それぞ
れの部分の電鋳膜の突出を取り除くことができる。ま
た、同時に2つ以上のスイッチを閉じ、2ヶ所以上の電
鋳膜の突出を同時に取り除いてもよい。また、上記の例
では、補助部材31を6個の部分に同心円状に分けてい
るが、必ずしもこれらの形状に限定される必要はなく、
また分割する数や形状は適宜設定することができる。
部より少し内側に発生する場合には、スイッチS2のみ
を閉じ、補助部材31−2の部分に電位を付与して通電
して電着させることにより突出を取り除くことができ
る。同様にして、補助部材31−3〜31−6までの部
分にスイッチS1〜S6を使用して電位を与え、それぞ
れの部分の電鋳膜の突出を取り除くことができる。ま
た、同時に2つ以上のスイッチを閉じ、2ヶ所以上の電
鋳膜の突出を同時に取り除いてもよい。また、上記の例
では、補助部材31を6個の部分に同心円状に分けてい
るが、必ずしもこれらの形状に限定される必要はなく、
また分割する数や形状は適宜設定することができる。
【0036】補助部材31は、導電性のメッシュ状のも
のであれば良く、例えばステンレス、アルミニウム、
銅、チタン及びこれらの合金などの金属が好ましい。
のであれば良く、例えばステンレス、アルミニウム、
銅、チタン及びこれらの合金などの金属が好ましい。
【0037】また、メッシュの形状は、例えば陰極1の
形状が直径355mmの円形の場合、格子状、多孔状、
もしくは網状の金属を直径355mmの円盤状に切り、
外周部から半径方向に30mmおきに区切りを設けて、
順に31−1、31−2、・・・31−6の各部を形成
したのもが好ましい。
形状が直径355mmの円形の場合、格子状、多孔状、
もしくは網状の金属を直径355mmの円盤状に切り、
外周部から半径方向に30mmおきに区切りを設けて、
順に31−1、31−2、・・・31−6の各部を形成
したのもが好ましい。
【0038】本発明の電鋳方法における電鋳液の循環方
法としては、例えば図2に示す様な方法が用いられる。
同図2において、電鋳液7は調整槽28よりポンプ27
によってくみ上げられ、吐出口26より矢印方向に吐出
される。この電鋳液7の液流は、陽極2と陰極1の間隙
へ向けて矢印Aの方向に吐出され、排出口29によって
調整槽28に回収される循環経路を取り、常に新しい電
解液7が電解槽3に供給される。
法としては、例えば図2に示す様な方法が用いられる。
同図2において、電鋳液7は調整槽28よりポンプ27
によってくみ上げられ、吐出口26より矢印方向に吐出
される。この電鋳液7の液流は、陽極2と陰極1の間隙
へ向けて矢印Aの方向に吐出され、排出口29によって
調整槽28に回収される循環経路を取り、常に新しい電
解液7が電解槽3に供給される。
【0039】電鋳液を送り込むための吐出口26は、陰
極1の面に直角方向に向ければ陰極面に発生する水素ガ
スの除去効果が大きいが、さらに水素ガスを均一に除去
するために、必要に応じて角度をつけたり、また吐出口
の数を増減させてもよい。
極1の面に直角方向に向ければ陰極面に発生する水素ガ
スの除去効果が大きいが、さらに水素ガスを均一に除去
するために、必要に応じて角度をつけたり、また吐出口
の数を増減させてもよい。
【0040】電鋳液7の吐出流量は15〜300リット
ル/分、好ましくは30〜180リットル/分程度が望
ましく、15リットル/分未満では陰極面上の水素ガス
を除去するだけの流速が得られず、300リットル/分
を越えるとポンプや吐出口などに過大な圧力がかかって
好ましくない。
ル/分、好ましくは30〜180リットル/分程度が望
ましく、15リットル/分未満では陰極面上の水素ガス
を除去するだけの流速が得られず、300リットル/分
を越えるとポンプや吐出口などに過大な圧力がかかって
好ましくない。
【0041】陽極2に用いられる試料金属は、上記の図
2に示す実施態様では球状金属を使用しているが、その
他の形状のものでもよく、例えば板状、塊状、毛状、フ
レーク状、多孔質体、粉体等の形状のものを任意に用い
ることができる。また、試料金属を支給する網状支持体
には、チタン、金、白金等の貴金属やプラスチック等を
用いて試料金属のみを選択的に溶出させることが望まし
い。
2に示す実施態様では球状金属を使用しているが、その
他の形状のものでもよく、例えば板状、塊状、毛状、フ
レーク状、多孔質体、粉体等の形状のものを任意に用い
ることができる。また、試料金属を支給する網状支持体
には、チタン、金、白金等の貴金属やプラスチック等を
用いて試料金属のみを選択的に溶出させることが望まし
い。
【0042】上記の電鋳方法を用いてスタンパーを製造
する方法は、例えば図6に示す様に、平面性良く研磨さ
れたガラス原盤21の上に、レジストや感光性樹脂のレ
ジスト層22に、記録すべき情報に対応した所定の深さ
の凹凸パターン23を形成した後に(図6(a)参
照)、導電化処理を施し導電膜24を形成し(図6
(b)参照)、次いで所定の厚さまで電鋳を行なって電
鋳膜25を形成し(図6(c)参照)、その電鋳膜25
を導電膜24と共にレジスト層22より剥離することに
よって得ることができる。
する方法は、例えば図6に示す様に、平面性良く研磨さ
れたガラス原盤21の上に、レジストや感光性樹脂のレ
ジスト層22に、記録すべき情報に対応した所定の深さ
の凹凸パターン23を形成した後に(図6(a)参
照)、導電化処理を施し導電膜24を形成し(図6
(b)参照)、次いで所定の厚さまで電鋳を行なって電
鋳膜25を形成し(図6(c)参照)、その電鋳膜25
を導電膜24と共にレジスト層22より剥離することに
よって得ることができる。
【0043】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
【0044】実施例1 厚さ10mm、直径355mmのガラス板(旭ガラス
製)上に、フォトレジスト(AZ1300、ヘキストジ
ャパン製)を0.11μmの厚さに回転塗布してから、
レーザー露光機(松下電器製)でパターンを露光し、現
像して、ピッチ1.6μm、幅0.7μm、深さ110
0Åの同心円の凹凸パターンを形成した。その後で、ニ
ッケルを1000Åの厚さにスパッターして導電化処理
した。この凹凸パターンの形成されたガラス原盤を外形
直径400mm、角度45度、長さ10mmのテーパー
の形成された、丸型原盤ホールダーに固定した。
製)上に、フォトレジスト(AZ1300、ヘキストジ
ャパン製)を0.11μmの厚さに回転塗布してから、
レーザー露光機(松下電器製)でパターンを露光し、現
像して、ピッチ1.6μm、幅0.7μm、深さ110
0Åの同心円の凹凸パターンを形成した。その後で、ニ
ッケルを1000Åの厚さにスパッターして導電化処理
した。この凹凸パターンの形成されたガラス原盤を外形
直径400mm、角度45度、長さ10mmのテーパー
の形成された、丸型原盤ホールダーに固定した。
【0045】これを陰極として、図1に示す装置を用い
て、陽極にニッケル球をチタンの籠に入れたものを用
い、更にその上をスチレン−ジビニルベンゼンにスルホ
ン基を導入したものからなる陽イオン交換膜で被覆して
電鋳を行なった。
て、陽極にニッケル球をチタンの籠に入れたものを用
い、更にその上をスチレン−ジビニルベンゼンにスルホ
ン基を導入したものからなる陽イオン交換膜で被覆して
電鋳を行なった。
【0046】電鋳液としては下記の組成に混合した液を
500リットル用いて、電鋳層150リットル、予備層
350リットルの電鋳槽に入れて、液温度45℃、pH
4.0の状態で、液全体を10回/時間のサイクルで循
環させた。
500リットル用いて、電鋳層150リットル、予備層
350リットルの電鋳槽に入れて、液温度45℃、pH
4.0の状態で、液全体を10回/時間のサイクルで循
環させた。
【0047】 スルファミン酸ニッケル(4水和物) 450g/1 ホウ酸 30g/1 ピット防止剤 5ml/1
【0048】電鋳液を50リットル/分で調整槽よりく
み上げ、1本の吐出口により陽極の裏側から吐出させな
がら電鋳を行なった。電流条件は最初は3Aで30分間
流してから、50Aまで電流を上げて、13000A分
の積算電流値になるまで電鋳を行なって、300μmの
厚さの電鋳スタンパーを得た。
み上げ、1本の吐出口により陽極の裏側から吐出させな
がら電鋳を行なった。電流条件は最初は3Aで30分間
流してから、50Aまで電流を上げて、13000A分
の積算電流値になるまで電鋳を行なって、300μmの
厚さの電鋳スタンパーを得た。
【0049】さらに、これをくり返し、5枚の電鋳スタ
ンパーを作成し、その厚みをマイクロメーターによって
測定したところ、全体に±10μm以内の誤差範囲内に
おさまっており、均一な厚さに形成された。
ンパーを作成し、その厚みをマイクロメーターによって
測定したところ、全体に±10μm以内の誤差範囲内に
おさまっており、均一な厚さに形成された。
【0050】比較例1 実施例1において、陽イオン交換膜のかわりに綿布(旭
繊維工業社製、SP−101)を用いた以外は実施例1
と同様にして電鋳を行なったところ、終了時にニッケル
濃度が増大(比重上昇)し、電鋳液の組成物が変化し
た。また、スタンパーを5枚作成し、その厚みをマイク
ロメーターによって測定したところ、±10μm以上の
ばらつきが認められた。
繊維工業社製、SP−101)を用いた以外は実施例1
と同様にして電鋳を行なったところ、終了時にニッケル
濃度が増大(比重上昇)し、電鋳液の組成物が変化し
た。また、スタンパーを5枚作成し、その厚みをマイク
ロメーターによって測定したところ、±10μm以上の
ばらつきが認められた。
【0051】実施例2 厚さ10mm、直径360mmのガラス板(旭ガラス
製)上に、フォトレジスト(AZ1300、ヘキストジ
ャパン製)を0.11μmの厚さに回転塗布してから、
レーザー露光機(松下電器製)でパターンを露光し、現
像して、ピッチ1.6μm、幅0.7μm、深さ110
0Åの同心円の凹凸パターンを形成した。その後で、ニ
ッケルを1000Åの厚さにスパッターして導電化処理
した。この凹凸パターンの形成されたガラス原盤を外形
直径400mm、角度45度、長さ10mmのテーパー
の形成された、丸型原盤ホールダーに固定した。
製)上に、フォトレジスト(AZ1300、ヘキストジ
ャパン製)を0.11μmの厚さに回転塗布してから、
レーザー露光機(松下電器製)でパターンを露光し、現
像して、ピッチ1.6μm、幅0.7μm、深さ110
0Åの同心円の凹凸パターンを形成した。その後で、ニ
ッケルを1000Åの厚さにスパッターして導電化処理
した。この凹凸パターンの形成されたガラス原盤を外形
直径400mm、角度45度、長さ10mmのテーパー
の形成された、丸型原盤ホールダーに固定した。
【0052】これを陰極として、図2に示す装置を用い
て、陽極にニッケル球をチタンの籠に入れたものを用い
て電鋳を行なった。
て、陽極にニッケル球をチタンの籠に入れたものを用い
て電鋳を行なった。
【0053】また、陰極には、図3に示した形状のステ
ンレスメッシュ(網目の大きさ1.8mm)よりなる直
径360mmで、31−1から31−6まで30mmず
つ同心円状に分けられた補助部材を設け、スイッチS1
を閉じて陰極1と同電位の電圧を印加して電鋳を行なっ
た。
ンレスメッシュ(網目の大きさ1.8mm)よりなる直
径360mmで、31−1から31−6まで30mmず
つ同心円状に分けられた補助部材を設け、スイッチS1
を閉じて陰極1と同電位の電圧を印加して電鋳を行なっ
た。
【0054】電鋳液としては下記の組成に混合した液を
500リットル用いて、電鋳層150リットル、予備層
350リットルの電鋳槽に入れて、液温度45℃、pH
4.0の状態で、液全体を10回/時間のサイクルで循
環させた。
500リットル用いて、電鋳層150リットル、予備層
350リットルの電鋳槽に入れて、液温度45℃、pH
4.0の状態で、液全体を10回/時間のサイクルで循
環させた。
【0055】 スルファミン酸ニッケル(4水和物) 450g/1 ホウ酸 30g/1 ピット防止剤 5ml/1
【0056】電鋳液を50リットル/分で調整槽よりく
み上げ、1本の吐出口により陽極の裏側から吐出させな
がら電鋳を行なった。電流条件は最初は3Aで30分間
流してから、50Aまで電流を上げて、13000A分
の積算電流値になるまで電鋳を行なって、300μmの
厚さの電鋳スタンパーを得た。得られたスタンパーの厚
みをマイクロメーターによって測定したところ、全体に
±10μm以内の誤差範囲内で均一な厚さに形成されて
いた。
み上げ、1本の吐出口により陽極の裏側から吐出させな
がら電鋳を行なった。電流条件は最初は3Aで30分間
流してから、50Aまで電流を上げて、13000A分
の積算電流値になるまで電鋳を行なって、300μmの
厚さの電鋳スタンパーを得た。得られたスタンパーの厚
みをマイクロメーターによって測定したところ、全体に
±10μm以内の誤差範囲内で均一な厚さに形成されて
いた。
【0057】実施例3 厚さ10mm、直径360mmのガラス板上に、厚さ約
80μm、直径270mmのフォトポリマー(日本化薬
社製、INC118)を真空注入、光硬化によって形成
し、ピッチ1.6μm、幅0.7μm、深さ1100Å
の同心円状の凹凸パターンを形成した。
80μm、直径270mmのフォトポリマー(日本化薬
社製、INC118)を真空注入、光硬化によって形成
し、ピッチ1.6μm、幅0.7μm、深さ1100Å
の同心円状の凹凸パターンを形成した。
【0058】その後で、ニッケルを1000Åの厚さに
スパッターして導電化処理した。これを実施例2と同様
の方法で電鋳を行なった。ただし、補助部材はスイッチ
S2のみを閉じ、31−2の部分に陰極1と同電位の電
圧を印加した。その結果、得られたスタンパーの厚み
は、実施例2と同様に均一に形成された。
スパッターして導電化処理した。これを実施例2と同様
の方法で電鋳を行なった。ただし、補助部材はスイッチ
S2のみを閉じ、31−2の部分に陰極1と同電位の電
圧を印加した。その結果、得られたスタンパーの厚み
は、実施例2と同様に均一に形成された。
【0059】比較例2 実施例2において補助部材を用いないで、その他は実施
例2と同様にしてスタンパーを得た。その結果、外周部
の膜厚が中心部より約50μm厚くなり、不均一なスタ
ンパーしか得られなかった。
例2と同様にしてスタンパーを得た。その結果、外周部
の膜厚が中心部より約50μm厚くなり、不均一なスタ
ンパーしか得られなかった。
【0060】比較例3 実施例3において、補助部材を用いないで、その他は実
施例3と同様にしてスタンパーを得た。その結果、フォ
トレジストのエッジ部に相当する部分の膜厚が中心部よ
り約50μm厚く、不均一なスタンパーしか得られなか
った。
施例3と同様にしてスタンパーを得た。その結果、フォ
トレジストのエッジ部に相当する部分の膜厚が中心部よ
り約50μm厚く、不均一なスタンパーしか得られなか
った。
【0061】以上の実施例2,3の結果から、本発明の
電鋳方法によって作成されたスタンパーは厚みのばらつ
きがなく、平面性の優れた均一なスタンパーが得られる
ことが認められる。
電鋳方法によって作成されたスタンパーは厚みのばらつ
きがなく、平面性の優れた均一なスタンパーが得られる
ことが認められる。
【0062】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の陰極と陽極
の間に陽イオン交換膜を設けて電鋳を行なう電鋳方法を
用いることによって、陽極近傍のアニオン濃度の上昇を
抑えて金属イオンの過大な溶解を防ぎ、電鋳液濃度の安
定性を向上させ、膜厚が均一な高品質のスタンパーを得
ることができる。
の間に陽イオン交換膜を設けて電鋳を行なう電鋳方法を
用いることによって、陽極近傍のアニオン濃度の上昇を
抑えて金属イオンの過大な溶解を防ぎ、電鋳液濃度の安
定性を向上させ、膜厚が均一な高品質のスタンパーを得
ることができる。
【0063】また、本発明の陰極に補助部材を設けて、
形成される電鋳膜の膜厚をコントロールする電鋳方法を
用いることにより、エッジ部分や凹凸に基づく電気力線
の局部的な集中によって起こる電鋳膜厚の不均一化を防
止し、平面性に優れ、膜厚が均一な高品質なスタンパー
を得ることができる。
形成される電鋳膜の膜厚をコントロールする電鋳方法を
用いることにより、エッジ部分や凹凸に基づく電気力線
の局部的な集中によって起こる電鋳膜厚の不均一化を防
止し、平面性に優れ、膜厚が均一な高品質なスタンパー
を得ることができる。
【図1】本発明のスタンパーの電鋳方法に用いる電鋳装
置の一実施態様を示す概略断面図である。
置の一実施態様を示す概略断面図である。
【図2】本発明のスタンパーの電鋳方法に用いる電鋳装
置の他の実施態様を示す概略断面図である。
置の他の実施態様を示す概略断面図である。
【図3】図2の電鋳装置に用いられる補助部材の一例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図4】本発明のスタンパーの電鋳方法の電鋳に用いら
れる原盤ホルダーの概略断面図である。
れる原盤ホルダーの概略断面図である。
【図5】従来の光記録媒体の断面図である。
【図6】スタンパーの製造方法を示す概略断面図であ
る。
る。
1 陰極 2 陽極 2a 球状金属 2b 網状支持体 3 電鋳槽 4 モーター 5 上蓋 6 邪魔板 7 電鋳液 8 原盤ホルダー 9 原盤 10 原盤押え部 12 透明基板 13 トラック溝部 14 光記録層 15 スペーサー 16 接着剤層 17 保護基板 18 中心孔 21 ガラス原盤 22 レジスト層 23 凹凸パターン 24 導電膜 25 電鋳膜 26 吐出口 27 ポンプ 28 調整槽 29 排出口 30 陽イオン交換膜 31 補助部材 S1〜S6 スイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 久範 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 鹿目 修 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 串田 直樹 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 芳野 斉 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 光ビームの照射により光学特性を変化さ
せて、情報の記録・再生を行なう光記録媒体の製造に用
いられ、記録すべき情報に対応した凹凸パターンが形成
された原盤に導電化処理を施し導電膜を形成した後、電
鋳を行い電鋳膜を形成し、導電膜と電鋳膜を一体に剥離
してスタンパーを製造する方法において、対向する陰極
と陽極の間に陽イオン交換膜を設けて電鋳を行うことを
特徴とする光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法。 - 【請求項2】 前記陽イオン交換膜によって陽極が被覆
されている請求項1記載の光記録媒体製造用スタンパー
の電鋳方法。 - 【請求項3】 光ビームの照射により光学特性を変化さ
せて、情報の記録・再生を行なう光記録媒体の製造に用
いられ、記録すべき情報に対応した凹凸パターンが形成
された原盤に導電化処理を施し導電膜を形成した後、電
鋳を行い電鋳膜を形成し、導電膜と電鋳膜を一体に剥離
してスタンパーを製造する方法において、対向する陰極
と陽極の間に導電性を有する補助部材を設け、該補助部
材を該陰極と同極性にして陽極との間に通電して電鋳を
行うことを特徴とする光記録媒体製造用スタンパーの電
鋳方法。 - 【請求項4】 前記補助部材は、陰極上に形成される電
鋳膜の膜厚が厚くなる部分に選択的に配置されている請
求項3記載の光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法。 - 【請求項5】 前記補助部材がメッシュ状である請求項
3記載の光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347793A JPH05159383A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347793A JPH05159383A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159383A true JPH05159383A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18392618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3347793A Pending JPH05159383A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05159383A (ja) |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP3347793A patent/JPH05159383A/ja active Pending
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