JPH05183211A - 薄膜積層体およびその形成方法 - Google Patents
薄膜積層体およびその形成方法Info
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- JPH05183211A JPH05183211A JP3297491A JP29749191A JPH05183211A JP H05183211 A JPH05183211 A JP H05183211A JP 3297491 A JP3297491 A JP 3297491A JP 29749191 A JP29749191 A JP 29749191A JP H05183211 A JPH05183211 A JP H05183211A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト塗布、アライメント、現像、レジス
ト剥離を一度で行ない、工程数を減らして薄膜を積層す
る。 【構成】 基板上に第１層と第２層を続いて塗布し、第
２層上にレジストを塗布し、アライメントをして現像し
た後に第２層をエッチングし、続いて第１層をエッチン
グし、再び第２層をエッチングした後にレジストを剥離
する。 【効果】 複数の薄膜層のうち、任意の第１層と第２層
及びレジストの塗布を一度に行なうことができるので製
造工程を減らすことができる。従って、製造装置を減ら
し、また製造時間をも削減することができ、量産性が向
上し、製品コストを低減することができる。
ト剥離を一度で行ない、工程数を減らして薄膜を積層す
る。 【構成】 基板上に第１層と第２層を続いて塗布し、第
２層上にレジストを塗布し、アライメントをして現像し
た後に第２層をエッチングし、続いて第１層をエッチン
グし、再び第２層をエッチングした後にレジストを剥離
する。 【効果】 複数の薄膜層のうち、任意の第１層と第２層
及びレジストの塗布を一度に行なうことができるので製
造工程を減らすことができる。従って、製造装置を減ら
し、また製造時間をも削減することができ、量産性が向
上し、製品コストを低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】薄膜磁気ヘッドや半導体素子等の
製造に用いられる薄膜の積層方法に関するものである。
製造に用いられる薄膜の積層方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドを始め、薄膜の積層技術
は多くの分野に活用され、各種の素子を製造する際には
必須の技術となっている。特に、薄膜磁気ヘッドは、小
型化と共に、バルクタイプの磁気ヘッドでは実現できな
かった大幅な記録密度の向上を可能とするもので磁気ヘ
ッド分野においては脚光を浴びている。なかでも磁束の
大きさに応答する磁気抵抗効果を利用するＭＲヘッドは
トラック密度をより向上させることができるのでその開
発が急務とされている。
は多くの分野に活用され、各種の素子を製造する際には
必須の技術となっている。特に、薄膜磁気ヘッドは、小
型化と共に、バルクタイプの磁気ヘッドでは実現できな
かった大幅な記録密度の向上を可能とするもので磁気ヘ
ッド分野においては脚光を浴びている。なかでも磁束の
大きさに応答する磁気抵抗効果を利用するＭＲヘッドは
トラック密度をより向上させることができるのでその開
発が急務とされている。
【０００３】薄膜磁気ヘッド内に図４に示すようなＭＲ
素子１０およびリード膜（引出し線）１２を形成する方
法を図５，６を参照して説明する。尚、図５，６におい
て（Ａ）系列は図４のＡ−Ａ断面図であり、（Ｂ）系列
は図４のＢ−Ｂ断面図である。図５（ａ）に示すよう
に、まず基板１４上の一面にＭＲ素子膜１０を形成す
る。そして、このＭＲ素子膜１０上にレジストを塗布
し、アライメントした後に現像し、図５（ｂ）のように
ＭＲ素子膜を形成する所望の部分上にだけにレジスト１
６を形成する。その後、ＭＲ素子膜１０をエッチング
し、さらにレジスト１６を剥離して所望の位置にのみに
ＭＲ素子膜１０を形成する。（図５（ｂ）→（ｃ）→
（ｄ））次にリード膜を形成する。まず、上記所定形状
に形成されたＭＲ素子膜１０および基板１４上にリード
膜１２を一面に形成する。（図６（ａ））そして、この
リード膜１２上にレジストを塗布し、アライメントをし
た後に現像し、図６（ｂ）のようにリード膜を形成する
所望の部分上にだけにレジスト１８を形成する。その
後、リード膜１２をエッチングし、さらにレジスト１８
を剥離して所望の位置にのみにリード膜１２を形成す
る。（図６（ｂ）→（ｃ）→（ｄ））こうして、基板上
１４上に、ＭＲ素子膜１０のみ、もしくはＭＲ素子膜１
０とリード膜１２、もしくはリード膜１２のみをそれぞ
れ所定の位置に積層して形成することができる。
素子１０およびリード膜（引出し線）１２を形成する方
法を図５，６を参照して説明する。尚、図５，６におい
て（Ａ）系列は図４のＡ−Ａ断面図であり、（Ｂ）系列
は図４のＢ−Ｂ断面図である。図５（ａ）に示すよう
に、まず基板１４上の一面にＭＲ素子膜１０を形成す
る。そして、このＭＲ素子膜１０上にレジストを塗布
し、アライメントした後に現像し、図５（ｂ）のように
ＭＲ素子膜を形成する所望の部分上にだけにレジスト１
６を形成する。その後、ＭＲ素子膜１０をエッチング
し、さらにレジスト１６を剥離して所望の位置にのみに
ＭＲ素子膜１０を形成する。（図５（ｂ）→（ｃ）→
（ｄ））次にリード膜を形成する。まず、上記所定形状
に形成されたＭＲ素子膜１０および基板１４上にリード
膜１２を一面に形成する。（図６（ａ））そして、この
リード膜１２上にレジストを塗布し、アライメントをし
た後に現像し、図６（ｂ）のようにリード膜を形成する
所望の部分上にだけにレジスト１８を形成する。その
後、リード膜１２をエッチングし、さらにレジスト１８
を剥離して所望の位置にのみにリード膜１２を形成す
る。（図６（ｂ）→（ｃ）→（ｄ））こうして、基板上
１４上に、ＭＲ素子膜１０のみ、もしくはＭＲ素子膜１
０とリード膜１２、もしくはリード膜１２のみをそれぞ
れ所定の位置に積層して形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】薄膜を積層して素子を
製造する際には多くの工程を必要とし、１つ１つの工程
は簡易であっても複数の工程の積み重ねにより、製造時
間、製造装置等が嵩み、量産性を阻害するものであっ
た。例えば、上記ＭＲ素子膜とリード膜の２層を基板上
に積層するだけでもおよそ１２工程を要してしまうもの
であった。
製造する際には多くの工程を必要とし、１つ１つの工程
は簡易であっても複数の工程の積み重ねにより、製造時
間、製造装置等が嵩み、量産性を阻害するものであっ
た。例えば、上記ＭＲ素子膜とリード膜の２層を基板上
に積層するだけでもおよそ１２工程を要してしまうもの
であった。
【０００５】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、レジスト塗布、アライメント、現像、レジス
ト剥離を一度で行ない、工程数を減らして薄膜を積層す
るものである。
たもので、レジスト塗布、アライメント、現像、レジス
ト剥離を一度で行ない、工程数を減らして薄膜を積層す
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の薄膜積層
体は、基板上に少なくとも第１層と第２層からなる２層
の薄膜が積層される薄膜積層体において、第２層の側面
が傾斜されて縱断面が台形状であることを特徴とするも
のである。
体は、基板上に少なくとも第１層と第２層からなる２層
の薄膜が積層される薄膜積層体において、第２層の側面
が傾斜されて縱断面が台形状であることを特徴とするも
のである。
【０００７】請求項２記載の薄膜積層体は、請求項１記
載の薄膜積層体において、第１層がＭＲ素子膜であり、
第２層がリード膜であることを特徴とするものである。
載の薄膜積層体において、第１層がＭＲ素子膜であり、
第２層がリード膜であることを特徴とするものである。
【０００８】請求項３記載の薄膜積層体の形成方法は、 基板上に第１層と第２層を続いて成膜する。 第２層上にレジストを塗布し、アライメントをして現
像する。 第２層をエッチングする。 第１層をエッチングする。 再び第２層をエッチングする。 レジストを剥離する。
像する。 第２層をエッチングする。 第１層をエッチングする。 再び第２層をエッチングする。 レジストを剥離する。
【０００９】請求項４記載の薄膜積層体の形成方法は、
請求項３記載の薄膜積層体の形成方法において、第１層
がＭＲ素子膜であり、第２層がリード膜であることを特
徴とするものである。
請求項３記載の薄膜積層体の形成方法において、第１層
がＭＲ素子膜であり、第２層がリード膜であることを特
徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明の薄膜積層体の形成方法では、任意の第
１層と第２層を連続して積層し、レジストの塗布を１回
だけ行ない、第２層のエッチングと第１層のエッチング
と、第２層のオーバーエッチングを行なうことで所定形
状の第１層と第２層を形成するものである。即ち、オー
バーエッチングを調整することによって、第２層の不要
な部分は消失させ、必要な部分は残存させて所定形状の
第２層を形成する。従って、本発明の薄膜形成方法では
従来、正常なエッチングの阻害要件であったオーバーエ
ッチングを有効に利用することで形成工程の削減を実現
することができる。また、任意の薄膜の側面を下方で広
がる傾斜面とすることで、その上部の薄膜の形成を安定
化することができる。
１層と第２層を連続して積層し、レジストの塗布を１回
だけ行ない、第２層のエッチングと第１層のエッチング
と、第２層のオーバーエッチングを行なうことで所定形
状の第１層と第２層を形成するものである。即ち、オー
バーエッチングを調整することによって、第２層の不要
な部分は消失させ、必要な部分は残存させて所定形状の
第２層を形成する。従って、本発明の薄膜形成方法では
従来、正常なエッチングの阻害要件であったオーバーエ
ッチングを有効に利用することで形成工程の削減を実現
することができる。また、任意の薄膜の側面を下方で広
がる傾斜面とすることで、その上部の薄膜の形成を安定
化することができる。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例として薄膜磁気ヘッドのＭ
Ｒ素子膜の形成方法を例に説明する。図１に示すＭＲ素
子膜１０（第１層）は基板上に形成され、さらにその上
には銅等からなるリード膜１２（第２層）が形成されて
いる。尚、ＭＲ素子膜１０はＦｅ−Ｎｉ合金等からな
る。そして、本実施例のリード膜１２ではその側面２０
が下方で広がる傾斜面とされている。尚、図４に示す従
来例と異なり、図１に示す本実施例では、形成されてい
るリード膜１２の下部にはＭＲ素子膜１０が形成されて
いるが、この磁気ヘッドの磁気特性に及ぼす影響は生じ
ない。
Ｒ素子膜の形成方法を例に説明する。図１に示すＭＲ素
子膜１０（第１層）は基板上に形成され、さらにその上
には銅等からなるリード膜１２（第２層）が形成されて
いる。尚、ＭＲ素子膜１０はＦｅ−Ｎｉ合金等からな
る。そして、本実施例のリード膜１２ではその側面２０
が下方で広がる傾斜面とされている。尚、図４に示す従
来例と異なり、図１に示す本実施例では、形成されてい
るリード膜１２の下部にはＭＲ素子膜１０が形成されて
いるが、この磁気ヘッドの磁気特性に及ぼす影響は生じ
ない。
【００１２】このＭＲ素子膜の形成方法を図２と図３を
参照して説明する。尚、図２，３において、（Ａ）系列
は図１のＡ−Ａ断面図であり、（Ｂ）系列は図１のＢ−
Ｂ断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、基板
１４上にＭＲ素子膜１０を形成する。続いて、図２
（ｂ）に示すように、ＭＲ素子膜１０上にリード膜１２
を形成する。これらの薄膜形成には各種蒸着法等を適用
できる。その後、リード膜１２上にレジストを塗布す
る。さらにアライメントと現像をして、図２（ｃ）に示
すように、ＭＲ素子膜１０またはリード膜１２を形成す
る所望の部分上にのみにレジスト１７を形成する。さら
に図２（ｄ）に示すように、リード膜１２をエッチング
する。エッチング液にはアンモニア等のアルカリ系水溶
液を使用できる。その後、図３（ａ）に示すように、Ｍ
Ｒ素子膜１０をエッチングする。このＭＲ素子膜１０の
エッチング溶液にはリン酸系水溶液を使用できる。その
後再び、リード膜１２をエッチングする。この時、エッ
チングされるべきリード膜１２は既にエッチング済であ
るので、レジスト１７の下部のリード膜１２がオーバエ
ッチングされる。即ち、リード膜１２はレジスト１７を
回り込んでエッチングされる。従って、図３（ｂ）の
（Ｂ）系列に示すように、レジスト１７の下部のリード
膜１２の側面が幾分エッチングされ、その側面２０が傾
斜面となる。また。図３（ｂ）の（Ａ）系列に示すよう
に、レジスト１７が小さい部分においては、オーバエッ
チングによってリード膜がエッチングされきってしま
い、リード膜が消失してしまう。即ち、積層されている
レジスト１７の大きさによって、リード膜１２はその側
面が傾斜されるところと、消失するところが生じる。ま
た、その調整はエッチング時間によって容易になしえ
る。そして、エッチング終了後にレジスト１７を剥離
し、図３（ｃ）に示すように、基板１４上に、ＭＲ素子
膜１０のみのところと、ＭＲ素子膜１０とリード膜１２
が積層するとことろが形成される。また、形成されたリ
ード膜１２はオーバエッチングのために必然的にその側
面２０が傾斜され、リード膜１２の縦断面は図３（ｃ）
のＢ系列に示されるように、台形状となる。
参照して説明する。尚、図２，３において、（Ａ）系列
は図１のＡ−Ａ断面図であり、（Ｂ）系列は図１のＢ−
Ｂ断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、基板
１４上にＭＲ素子膜１０を形成する。続いて、図２
（ｂ）に示すように、ＭＲ素子膜１０上にリード膜１２
を形成する。これらの薄膜形成には各種蒸着法等を適用
できる。その後、リード膜１２上にレジストを塗布す
る。さらにアライメントと現像をして、図２（ｃ）に示
すように、ＭＲ素子膜１０またはリード膜１２を形成す
る所望の部分上にのみにレジスト１７を形成する。さら
に図２（ｄ）に示すように、リード膜１２をエッチング
する。エッチング液にはアンモニア等のアルカリ系水溶
液を使用できる。その後、図３（ａ）に示すように、Ｍ
Ｒ素子膜１０をエッチングする。このＭＲ素子膜１０の
エッチング溶液にはリン酸系水溶液を使用できる。その
後再び、リード膜１２をエッチングする。この時、エッ
チングされるべきリード膜１２は既にエッチング済であ
るので、レジスト１７の下部のリード膜１２がオーバエ
ッチングされる。即ち、リード膜１２はレジスト１７を
回り込んでエッチングされる。従って、図３（ｂ）の
（Ｂ）系列に示すように、レジスト１７の下部のリード
膜１２の側面が幾分エッチングされ、その側面２０が傾
斜面となる。また。図３（ｂ）の（Ａ）系列に示すよう
に、レジスト１７が小さい部分においては、オーバエッ
チングによってリード膜がエッチングされきってしま
い、リード膜が消失してしまう。即ち、積層されている
レジスト１７の大きさによって、リード膜１２はその側
面が傾斜されるところと、消失するところが生じる。ま
た、その調整はエッチング時間によって容易になしえ
る。そして、エッチング終了後にレジスト１７を剥離
し、図３（ｃ）に示すように、基板１４上に、ＭＲ素子
膜１０のみのところと、ＭＲ素子膜１０とリード膜１２
が積層するとことろが形成される。また、形成されたリ
ード膜１２はオーバエッチングのために必然的にその側
面２０が傾斜され、リード膜１２の縦断面は図３（ｃ）
のＢ系列に示されるように、台形状となる。
【００１３】本実施例の薄膜積層体の形成方法は、積層
されているレジスト１７の大きさによって下方に形成さ
れたリード膜１２を残存させるか消失させるかを調整す
るものであり、その区分けをするためにもＭＲ素子膜１
０だけの部分の平面積が、ＭＲ素子膜１０とリード膜１
２を積層する部分の平面積の半分以下であることが好ま
しい。
されているレジスト１７の大きさによって下方に形成さ
れたリード膜１２を残存させるか消失させるかを調整す
るものであり、その区分けをするためにもＭＲ素子膜１
０だけの部分の平面積が、ＭＲ素子膜１０とリード膜１
２を積層する部分の平面積の半分以下であることが好ま
しい。
【００１４】本実施例の形成方法によれば、ＭＲ素子膜
１０とリード膜１２の成膜およびレジストの塗布を一度
に行なうので製造工程を減らすことができる。従って、
ＭＲ素子膜の形成とリード膜の形成を同一の真空装置を
使用して１バッチでできるので、製造装置を減らし、ま
た製造時間をも削減することができ、量産性が向上し、
製品コストを低減することができる。
１０とリード膜１２の成膜およびレジストの塗布を一度
に行なうので製造工程を減らすことができる。従って、
ＭＲ素子膜の形成とリード膜の形成を同一の真空装置を
使用して１バッチでできるので、製造装置を減らし、ま
た製造時間をも削減することができ、量産性が向上し、
製品コストを低減することができる。
【００１５】また、リード膜１２の上には保護膜等がさ
らに積層されるが、従来では図７に示すように、リード
膜１２の側面２０がその平面に対して垂直であったため
に保護膜２２の肩部２４にクラックが発生しやすかった
が、本実施例では図８に示すように、リード膜１２の側
面２０が傾斜されているために肩部２４にクラックが生
じることがなく、保護膜２２の形成、安定性が向上する
ものである。
らに積層されるが、従来では図７に示すように、リード
膜１２の側面２０がその平面に対して垂直であったため
に保護膜２２の肩部２４にクラックが発生しやすかった
が、本実施例では図８に示すように、リード膜１２の側
面２０が傾斜されているために肩部２４にクラックが生
じることがなく、保護膜２２の形成、安定性が向上する
ものである。
【００１６】
【発明の効果】本発明の薄膜積層体では、複数の薄膜層
が積層される場合に、任意の薄膜層の側面が傾斜されて
いるので、その上部に積層される薄膜層の肩部にクラッ
クが生じることがなく、薄膜層の形成、安定性が向上す
るものである。
が積層される場合に、任意の薄膜層の側面が傾斜されて
いるので、その上部に積層される薄膜層の肩部にクラッ
クが生じることがなく、薄膜層の形成、安定性が向上す
るものである。
【００１７】本発明の形成方法によれば、複数の薄膜層
のうち、任意の第１層と第２層の成膜およびレジストの
塗布を一度に行なうことができるので製造工程を減らす
ことができる。特に、第１層と第２層を同じ成膜バッチ
内で成膜することができる。従って、製造装置を減ら
し、また製造時間をも削減することができ、量産性が向
上し、製品コストを低減することができる。
のうち、任意の第１層と第２層の成膜およびレジストの
塗布を一度に行なうことができるので製造工程を減らす
ことができる。特に、第１層と第２層を同じ成膜バッチ
内で成膜することができる。従って、製造装置を減ら
し、また製造時間をも削減することができ、量産性が向
上し、製品コストを低減することができる。
【図１】本実施例の薄膜積層体の斜視図である。
【図２】本実施例の薄膜積層体の形成方法を説明するた
めの工程図である。
めの工程図である。
【図３】本実施例の薄膜積層体の形成方法を説明するた
めの工程図である。
めの工程図である。
【図４】従来例の薄膜積層体の斜視図である。
【図５】従来例の薄膜積層体の形成方法を説明するため
の工程図である。
の工程図である。
【図６】従来例の薄膜積層体の形成方法を説明するため
の工程図である。
の工程図である。
【図７】従来例の薄膜積層体の断面図である。
【図８】本実施例の薄膜積層体の断面図である。
１０ ＭＲ素子膜 １２ リード膜 １４ 基板 １６ レジスト １７ レジスト １８ レジスト ２０ 側面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/39 7247−5Ｄ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも第１層と第２層から
なる２層の薄膜が積層される薄膜積層体において、 第２層の側面が傾斜されて縱断面が台形状であることを
特徴とする薄膜積層体。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜積層体において、第
１層がＭＲ素子膜であり、第２層がリード膜であること
を特徴とする薄膜積層体。 - 【請求項３】 基板上に第１層と第２層を続いて成膜
し、第２層上にレジストを塗布し、アライメントをして
現像した後に第２層をエッチングし、続いて第１層をエ
ッチングし、再び第２層をエッチングした後にレジスト
を剥離することを特徴とする薄膜積層体の形成方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の薄膜積層体の形成方法に
おいて、第１層がＭＲ素子膜であり、第２層がリード膜
であることを特徴とする薄膜積層体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3297491A JP2804658B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 薄膜積層体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3297491A JP2804658B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 薄膜積層体の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183211A true JPH05183211A (ja) | 1993-07-23 |
| JP2804658B2 JP2804658B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=17847197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3297491A Expired - Fee Related JP2804658B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 薄膜積層体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2804658B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4976480A (ja) * | 1972-11-27 | 1974-07-23 | ||
| JPH0241433U (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-22 | ||
| JPH02281757A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Sony Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP3297491A patent/JP2804658B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4976480A (ja) * | 1972-11-27 | 1974-07-23 | ||
| JPH0241433U (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-22 | ||
| JPH02281757A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Sony Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2804658B2 (ja) | 1998-09-30 |
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