JPH05202061A - 新規セフェム化合物 - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/30—Against vector-borne diseases, e.g. mosquito-borne, fly-borne, tick-borne or waterborne diseases whose impact is exacerbated by climate change
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 高い抗菌活性を有するセフェム化合物製造中
間体を提供する。 【構成】 下記式: [式中、R1 はアミノまたは保護されたアミノ、R2 は
水素または有機基、R3 はカルボキシまたは保護された
カルボキシ、R4 は適当な置換基を有していてもよいカ
ルバモイル、ZはNまたはCHをそれぞれ示す]で示さ
れるセフェム化合物および医薬として許容されるその
塩、対応する6−アミノ−セフェム化合物。
間体を提供する。 【構成】 下記式: [式中、R1 はアミノまたは保護されたアミノ、R2 は
水素または有機基、R3 はカルボキシまたは保護された
カルボキシ、R4 は適当な置換基を有していてもよいカ
ルバモイル、ZはNまたはCHをそれぞれ示す]で示さ
れるセフェム化合物および医薬として許容されるその
塩、対応する6−アミノ−セフェム化合物。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、高い抗菌活性を有す
る新規なセフェム化合物に関するものであり、医療の分
野で利用される。
る新規なセフェム化合物に関するものであり、医療の分
野で利用される。
【0002】
【従来の技術】セフェム化合物は数多く知られている
が、この発明の下記一般式(I)で示されるセフェム化
合物は知られていない。
が、この発明の下記一般式(I)で示されるセフェム化
合物は知られていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】抗菌活性を有し、医薬
として有用なセフェム化合物は数多く知られているが、
この発明はさらに優れた医薬品の開発を意図してなされ
たものである。
として有用なセフェム化合物は数多く知られているが、
この発明はさらに優れた医薬品の開発を意図してなされ
たものである。
【0004】
【発明の構成】目的化合物であるセフェム化合物は新規
であり、下記の一般式(I)で表わされる。
であり、下記の一般式(I)で表わされる。
【化3】 [式中、R1 はアミノまたは保護されたアミノ、R2 は
水素または有機基、R3 はカルボキシまたは保護された
カルボキシ、R4 は適当な置換基を有していてもよいカ
ルバモイル、ZはNまたはCHをそれぞれ示す]目的化
合物であるセフェム化合物(I)は下記の諸方法によっ
て製造することができる。
水素または有機基、R3 はカルボキシまたは保護された
カルボキシ、R4 は適当な置換基を有していてもよいカ
ルバモイル、ZはNまたはCHをそれぞれ示す]目的化
合物であるセフェム化合物(I)は下記の諸方法によっ
て製造することができる。
【0005】製造法(1)
【化4】
【0006】製造法(2)
【化5】
【0007】製造法(3)
【化6】 [上記各式中、R1 、R2 、R3 、R4 、Zはそれぞれ
前記定義の通りであり、R2 aはヒドロキシ保護基、R3 a
は保護されたカルボキシを示す]原料化合物(IIa)
は新規であり、下記の諸方法によって製造することがで
きる。
前記定義の通りであり、R2 aはヒドロキシ保護基、R3 a
は保護されたカルボキシを示す]原料化合物(IIa)
は新規であり、下記の諸方法によって製造することがで
きる。
【0008】製造法(A)
【化7】
【0009】製造法(B)
【化8】
【0010】製造法(C)
【化9】
【0011】製造法(D)
【化10】
【0012】製造法(E)
【化11】 [上記各式中、R3 、R4 はそれぞれ前記定義の通りで
あり、R5 は保護されたヒドロキシ、R6 はアミノまた
は保護されたアミノ、R6 aは保護されたアミノ、R7 は
アリール、R8 は低級アルキルまたはアリール、X1 は
酸残基、X2 は脱離基をそれぞれ示す]。尚、化合物
(I)、(Ia)〜(Id)および(III)について
は、シン異性体、アンチ異性体ならびにそれらの混合物
がそれぞれ含まれる。
あり、R5 は保護されたヒドロキシ、R6 はアミノまた
は保護されたアミノ、R6 aは保護されたアミノ、R7 は
アリール、R8 は低級アルキルまたはアリール、X1 は
酸残基、X2 は脱離基をそれぞれ示す]。尚、化合物
(I)、(Ia)〜(Id)および(III)について
は、シン異性体、アンチ異性体ならびにそれらの混合物
がそれぞれ含まれる。
【0013】目的化合物(I)を例にとると、シン異性
体とは以下の式
体とは以下の式
【化12】 (式中、R1 、R2 、Zはそれぞれ前記定義の通りであ
る)で表わされる部分構造をもつ幾可異性体を意味し、
アンチ異性体とは以下の式
る)で表わされる部分構造をもつ幾可異性体を意味し、
アンチ異性体とは以下の式
【化13】 (式中、R1 、R2 、Zはそれぞれ前記定義の通りであ
る)で表わされる部分構造をもつ幾可異性体を意味し、
このような幾可異性体ならびにそれらの混合物もまたす
べて本発明の範囲に包含される。
る)で表わされる部分構造をもつ幾可異性体を意味し、
このような幾可異性体ならびにそれらの混合物もまたす
べて本発明の範囲に包含される。
【0014】本明細書および特許請求の範囲中、これら
の幾可異性体およびそれらの混合物の部分構造は便宜
上、下記の式
の幾可異性体およびそれらの混合物の部分構造は便宜
上、下記の式
【化14】 [式中、R1 、R2 、Zはそれぞれ前記定義の通りであ
る)で表わす。
る)で表わす。
【0015】目的化合物(I)の好適な医薬として許容
される塩は慣用の無毒性の塩であって、無機塩基との
塩、たとえばアルカリ金属塩(たとえばナトリウム塩、
カリウム塩など)、アルカリ土類金属塩(たとえばカル
シウム塩、マグネシウム塩など)、アンモニウム塩;有
機塩基との塩、たとえば有機アミン塩(たとえばトリエ
チルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、エタノールア
ミン塩、トリエタノールアミン塩、ジシクロヘキシルア
ミン塩、N,N’−ジベンジルエチレンジアミン塩な
ど)など;無機酸付加塩(たとえば塩酸塩、臭化水素酸
塩、硫酸塩、燐酸塩など);有機カルボン酸またはスル
ホン酸付加塩(たとえば蟻酸塩、酢酸塩、トリフルオロ
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸
塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩な
ど);塩基性または酸性アミノ酸(たとえばアルギニ
ン、アスパラギン酸、グルタミン酸など)との塩などの
ごとき塩基との塩または酸付加塩を包含しうる。
される塩は慣用の無毒性の塩であって、無機塩基との
塩、たとえばアルカリ金属塩(たとえばナトリウム塩、
カリウム塩など)、アルカリ土類金属塩(たとえばカル
シウム塩、マグネシウム塩など)、アンモニウム塩;有
機塩基との塩、たとえば有機アミン塩(たとえばトリエ
チルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、エタノールア
ミン塩、トリエタノールアミン塩、ジシクロヘキシルア
ミン塩、N,N’−ジベンジルエチレンジアミン塩な
ど)など;無機酸付加塩(たとえば塩酸塩、臭化水素酸
塩、硫酸塩、燐酸塩など);有機カルボン酸またはスル
ホン酸付加塩(たとえば蟻酸塩、酢酸塩、トリフルオロ
酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホン酸
塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩な
ど);塩基性または酸性アミノ酸(たとえばアルギニ
ン、アスパラギン酸、グルタミン酸など)との塩などの
ごとき塩基との塩または酸付加塩を包含しうる。
【0016】本明細書の以上および以下の記載におい
て、本発明の範囲に包含される種々の定義の好適な例お
よび実例を以下に詳細に説明する。
て、本発明の範囲に包含される種々の定義の好適な例お
よび実例を以下に詳細に説明する。
【0017】「低級」とは、特記ない限り、炭素原子1
ないし6個、好ましくは1ないし4個をもつ基を意味す
る。好適な「低級アルキル」としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、t−ブチル、ペ
ンチル、ヘキシルなどの直鎖または分枝アルキルを挙げ
ることができ、なかでもより好ましいのはC1 −C4 ア
ルキルである。好適な「アリール」としては、フェニ
ル、ナフチルなどを挙げることができ、なかでもより好
ましいのはフェニルである。好適な「保護されたアミ
ノ」としては、アシルアミノまたは適当な置換基を有し
ていてもよいアル(低級)アルキル(たとえばベンジ
ル、トリチルなど)などの慣用の保護基で置換されたア
ミノ基などを挙げることができる。
ないし6個、好ましくは1ないし4個をもつ基を意味す
る。好適な「低級アルキル」としては、メチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ブチル、t−ブチル、ペ
ンチル、ヘキシルなどの直鎖または分枝アルキルを挙げ
ることができ、なかでもより好ましいのはC1 −C4 ア
ルキルである。好適な「アリール」としては、フェニ
ル、ナフチルなどを挙げることができ、なかでもより好
ましいのはフェニルである。好適な「保護されたアミ
ノ」としては、アシルアミノまたは適当な置換基を有し
ていてもよいアル(低級)アルキル(たとえばベンジ
ル、トリチルなど)などの慣用の保護基で置換されたア
ミノ基などを挙げることができる。
【0018】「アシルアミノ」における好適な「アシル
部分」としては、カルバモイル、脂肪族アシル基および
芳香環または複素環を有するアシル基を挙げることがで
きる。前記アシルの好適な例としては、低級アルカノイ
ル(たとえばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチ
リル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、オキサ
リル、スクシニル、ピバロイルなど);低級アルコキシ
カルボニル(たとえばメトキシカルボニル、エトキシカ
ルボニル、プロポキシカルボニル、1−シクロプロピル
エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、t−ブトキシカルボニル、ペンチルオ
キシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニルなど);低
級アルキルスルホニル(たとえばメシル、エチルスルホ
ニル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、
ブチルスルホニルなど);アリールスルホニル(たとえ
ばフェニルスルホニル、トシルなど);アロイル(たと
えばベンゾイル、トルオイル、キシロイル、ナフトイ
ル、フタロイル、インダンカルボニルなど);アル(低
級)アルカノイル(たとえばフェニルアセチル、フェニ
ルプロピオニルなど);アル(低級)アルコキシカルボ
ニル(たとえばベンジルオキシカルボニル、フェネチル
オキシカルボニルなど)などを挙げることができる。
部分」としては、カルバモイル、脂肪族アシル基および
芳香環または複素環を有するアシル基を挙げることがで
きる。前記アシルの好適な例としては、低級アルカノイ
ル(たとえばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチ
リル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、オキサ
リル、スクシニル、ピバロイルなど);低級アルコキシ
カルボニル(たとえばメトキシカルボニル、エトキシカ
ルボニル、プロポキシカルボニル、1−シクロプロピル
エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、t−ブトキシカルボニル、ペンチルオ
キシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニルなど);低
級アルキルスルホニル(たとえばメシル、エチルスルホ
ニル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、
ブチルスルホニルなど);アリールスルホニル(たとえ
ばフェニルスルホニル、トシルなど);アロイル(たと
えばベンゾイル、トルオイル、キシロイル、ナフトイ
ル、フタロイル、インダンカルボニルなど);アル(低
級)アルカノイル(たとえばフェニルアセチル、フェニ
ルプロピオニルなど);アル(低級)アルコキシカルボ
ニル(たとえばベンジルオキシカルボニル、フェネチル
オキシカルボニルなど)などを挙げることができる。
【0019】好適な「有機基」としては、低級アルキル
(たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ネオペン
チル、t−ペンチル、ヘキシルなど)、モノ(またはジ
またはトリ)ハロ(低級)アルキル(たとえばフルオロ
メチル、ジフルオロメチル、クロロメチル、ジクロロメ
チル、トリクロロメチル、ブロモメチル、クロロエチ
ル、ジクロロエチル、トリクロロエチル、フルオロエチ
ル、ジフルオロエチル、トリフルオロエチルなど)、低
級アルケニル(たとえばビニル、1−プロペニル、アリ
ル、1−メチルアリル、1または2または3−ブテニ
ル、1または2または3または4−ペンテニル、1また
は2または3または4または5−ヘキセニルなど)、低
級アルキニル(たとえばエチニル、1−プロピニル、プ
ロパルギル、1−メチルプロパルギル、1または2また
は3−ブチニル、1または2または3または4−ペンチ
ニル、1または2または3または4または5−ヘキシニ
ルなど)、
(たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ネオペン
チル、t−ペンチル、ヘキシルなど)、モノ(またはジ
またはトリ)ハロ(低級)アルキル(たとえばフルオロ
メチル、ジフルオロメチル、クロロメチル、ジクロロメ
チル、トリクロロメチル、ブロモメチル、クロロエチ
ル、ジクロロエチル、トリクロロエチル、フルオロエチ
ル、ジフルオロエチル、トリフルオロエチルなど)、低
級アルケニル(たとえばビニル、1−プロペニル、アリ
ル、1−メチルアリル、1または2または3−ブテニ
ル、1または2または3または4−ペンテニル、1また
は2または3または4または5−ヘキセニルなど)、低
級アルキニル(たとえばエチニル、1−プロピニル、プ
ロパルギル、1−メチルプロパルギル、1または2また
は3−ブチニル、1または2または3または4−ペンチ
ニル、1または2または3または4または5−ヘキシニ
ルなど)、
【0020】アリール(たとえばフェニル、ナフチルな
ど)、前記アシルの如きヒドロキシ保護基、フェニル
(低級)アルキルなどのアル(低級)アルキル(たとえ
ばベンジル、フェネチル、フェニルプロピルなど)、低
級アルキル部分が先に述べた如きものであるカルボキシ
(低級)アルキル、低級アルキル部分が先に述べた如き
ものであり、保護されたカルボキシ部分が以下に述べる
如きものである保護されたカルボキシ(低級)アルキル
などを挙げることができる。
ど)、前記アシルの如きヒドロキシ保護基、フェニル
(低級)アルキルなどのアル(低級)アルキル(たとえ
ばベンジル、フェネチル、フェニルプロピルなど)、低
級アルキル部分が先に述べた如きものであるカルボキシ
(低級)アルキル、低級アルキル部分が先に述べた如き
ものであり、保護されたカルボキシ部分が以下に述べる
如きものである保護されたカルボキシ(低級)アルキル
などを挙げることができる。
【0021】好適な「保護されたカルボキシ」として
は、エステル化されたカルボキシなどを挙げることがで
きる。前記エステル部分の好適な例としては、低級アル
キルエステル(たとえばメチルエステル、エチルエステ
ル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチル
エステル、イソブチルエステル、t−ブチルエステル、
ペンチルエステル、t−ペンチルエステル、ヘキシルエ
ステル、1−シクロプロピルエチルエステルなど);低
級アルケニルエステル(たとえばビニルエステル、アリ
ルエステルなど);低級アルキニルエステル(たとえば
エチニルエステル、プロピニルエステルなど);低級ア
ルコキシアルキルエステル(たとえばメトキシメチルエ
ステル、エトキシメチルエステル、イソプロポキシメチ
ルエステル、1−メトキシエチルエステル、1−エトキ
シエチルエステルなど);低級アルキルチオアルキルエ
ステル(たとえばメチルチオメチルエステル、エチルチ
オメチルエステル、エチルチオエチルエステル、イソプ
ロピルチオメチルエステルなど);モノ(またはジまた
はトリ)ハロ(低級)アルキルエステル(たとえば2−
ヨードエチルエステル、2,2,2−トリクロロエチル
エステルなど);低級アルカノイルオキシ(低級)アル
キルエステル(たとえばアセトキシメチルエステル、プ
ロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキシメチ
ルエステル、バレリルオキシメチルエステル、ピバロイ
ルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエ
ステル、2−アセトキシエチルエステル、2−プロピオ
ニルオキシエチルエステルなど);
は、エステル化されたカルボキシなどを挙げることがで
きる。前記エステル部分の好適な例としては、低級アル
キルエステル(たとえばメチルエステル、エチルエステ
ル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチル
エステル、イソブチルエステル、t−ブチルエステル、
ペンチルエステル、t−ペンチルエステル、ヘキシルエ
ステル、1−シクロプロピルエチルエステルなど);低
級アルケニルエステル(たとえばビニルエステル、アリ
ルエステルなど);低級アルキニルエステル(たとえば
エチニルエステル、プロピニルエステルなど);低級ア
ルコキシアルキルエステル(たとえばメトキシメチルエ
ステル、エトキシメチルエステル、イソプロポキシメチ
ルエステル、1−メトキシエチルエステル、1−エトキ
シエチルエステルなど);低級アルキルチオアルキルエ
ステル(たとえばメチルチオメチルエステル、エチルチ
オメチルエステル、エチルチオエチルエステル、イソプ
ロピルチオメチルエステルなど);モノ(またはジまた
はトリ)ハロ(低級)アルキルエステル(たとえば2−
ヨードエチルエステル、2,2,2−トリクロロエチル
エステルなど);低級アルカノイルオキシ(低級)アル
キルエステル(たとえばアセトキシメチルエステル、プ
ロピオニルオキシメチルエステル、ブチリルオキシメチ
ルエステル、バレリルオキシメチルエステル、ピバロイ
ルオキシメチルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエ
ステル、2−アセトキシエチルエステル、2−プロピオ
ニルオキシエチルエステルなど);
【0022】低級アルキルスルホニル(低級)アルキル
エステル(たとえばメシルメチルエステル、2−メシル
エチルエステルなど);アル(低級)アルキルエステ
ル、たとえば1またはそれ以上の適当な置換基を有して
いてもよいフェニル(低級)アルキルエステル(たとえ
ばベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステル、
4−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル、ト
リチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(メト
キシフェニル)メチルエステル、3,4−ジメトキシベ
ンジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブ
チルベンジルエステルなど);1またはそれ以上の適当
な置換基を有していてもよいアリールエステル、たとえ
ば置換または非置換フェニルエステル(たとえばフェニ
ルエステル、トリルエステル、t−ブチルフェニルエス
テル、キシリルエステル、メシチルエステル、クメニル
エステル、4−クロロフェニルエステル、4−メトキシ
フェニルエステルなど);トリ(低級)アルキルシリル
エステル;低級アルキルチオエステル(たとえばメチル
チオエステル、エチルチオエステルなど)などを挙げる
ことができる。
エステル(たとえばメシルメチルエステル、2−メシル
エチルエステルなど);アル(低級)アルキルエステ
ル、たとえば1またはそれ以上の適当な置換基を有して
いてもよいフェニル(低級)アルキルエステル(たとえ
ばベンジルエステル、4−メトキシベンジルエステル、
4−ニトロベンジルエステル、フェネチルエステル、ト
リチルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(メト
キシフェニル)メチルエステル、3,4−ジメトキシベ
ンジルエステル、4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブ
チルベンジルエステルなど);1またはそれ以上の適当
な置換基を有していてもよいアリールエステル、たとえ
ば置換または非置換フェニルエステル(たとえばフェニ
ルエステル、トリルエステル、t−ブチルフェニルエス
テル、キシリルエステル、メシチルエステル、クメニル
エステル、4−クロロフェニルエステル、4−メトキシ
フェニルエステルなど);トリ(低級)アルキルシリル
エステル;低級アルキルチオエステル(たとえばメチル
チオエステル、エチルチオエステルなど)などを挙げる
ことができる。
【0023】好適な「脱離基」としては酸残基などを挙
げることができ、その「酸残基」の好適な例としてはハ
ロゲン(たとえば塩素、臭素、ヨウ素など)、スルホニ
ルオキシ[たとえば低級アルキルスルホニルオキシ(た
とえばメチルスルホニルオキシ、エチルスルホニルオキ
シなど)、アリールスルホニルオキシ(たとえばフェニ
ルスルホニルオキシ、トリルスルホニルオキシなど)な
ど]などを挙げることができる。好適な「酸残基」とし
ては前記のものと同じものを挙げることができる。好適
な「保護されたヒドロキシ」としては、アシルオキシな
どを挙げることができる。「アシルオキシ」における好
適な「アシル部分」としては前記のものと同じものを挙
げることができる。
げることができ、その「酸残基」の好適な例としてはハ
ロゲン(たとえば塩素、臭素、ヨウ素など)、スルホニ
ルオキシ[たとえば低級アルキルスルホニルオキシ(た
とえばメチルスルホニルオキシ、エチルスルホニルオキ
シなど)、アリールスルホニルオキシ(たとえばフェニ
ルスルホニルオキシ、トリルスルホニルオキシなど)な
ど]などを挙げることができる。好適な「酸残基」とし
ては前記のものと同じものを挙げることができる。好適
な「保護されたヒドロキシ」としては、アシルオキシな
どを挙げることができる。「アシルオキシ」における好
適な「アシル部分」としては前記のものと同じものを挙
げることができる。
【0024】「適当な置換基を有していてもよいカルバ
モイル」における好適な「置換基」としては、低級アル
キル(たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ネオ
ペンチル、t−ペンチル、ヘキシルなど)、低級アルケ
ニル(たとえばビニル、1−プロペニル、アリル、1−
メチルアリル、1または2または3−ブテニル、1また
は2または3または4−ペンテニル、1または2または
3または4または5−ヘキセニルなど)、低級アルキニ
ル(たとえばエチニル、1−プロピニル、プロパルギ
ル、1−メチルプロパルギル、1または2または3−ブ
チリル、1または2または3または4−ペンチニル、1
または2または3または4または5−ヘキシニルな
ど)、アリール(たとえばフェニル、ナフチルなど)、
アル(低級)アルキル、たとえばフェニル(低級)アル
キル(たとえばベンジル、フェネチル、フェニルプロピ
ルなど)、カルボキシ、前記の保護されたカルボキシな
どを挙げることができる。好適な「ヒドロキシ保護基」
としては、前記のアシルなどを挙げることができる。本
発明の目的化合物および原料化合物の製造法を次に詳細
に説明する。
モイル」における好適な「置換基」としては、低級アル
キル(たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ネオ
ペンチル、t−ペンチル、ヘキシルなど)、低級アルケ
ニル(たとえばビニル、1−プロペニル、アリル、1−
メチルアリル、1または2または3−ブテニル、1また
は2または3または4−ペンテニル、1または2または
3または4または5−ヘキセニルなど)、低級アルキニ
ル(たとえばエチニル、1−プロピニル、プロパルギ
ル、1−メチルプロパルギル、1または2または3−ブ
チリル、1または2または3または4−ペンチニル、1
または2または3または4または5−ヘキシニルな
ど)、アリール(たとえばフェニル、ナフチルなど)、
アル(低級)アルキル、たとえばフェニル(低級)アル
キル(たとえばベンジル、フェネチル、フェニルプロピ
ルなど)、カルボキシ、前記の保護されたカルボキシな
どを挙げることができる。好適な「ヒドロキシ保護基」
としては、前記のアシルなどを挙げることができる。本
発明の目的化合物および原料化合物の製造法を次に詳細
に説明する。
【0025】製造法(1) 化合物(I)またはその塩は、化合物(IIa)または
アミノ基におけるその反応性誘導体またはその塩を化合
物(III)またはカルボキシ基におけるその反応性誘
導体またはその塩と反応させることによって製造するこ
とができる。化合物(IIa)のアミノ基における反応
性誘導体の好適な例としては、化合物(IIa)とアル
デヒドやケトンなどのカルボニル化合物との反応によっ
て得られるシッフ塩基型のイミノ化合物またはその互変
異性エナミン型の異性体、化合物(IIa)とビス(ト
リメチルシリル)アセタミド、モノ(トリメチルシリ
ル)アセタミド[たとえばN−(トリメチルシリル)ア
セタミド]、ビス(トリメチルシリル)尿素などのシリ
ル化合物との反応によって得られるシリル誘導体、化合
物(IIa)と三塩化燐やホスゲンとの反応によって得
られる誘導体、その他を挙げることができる。
アミノ基におけるその反応性誘導体またはその塩を化合
物(III)またはカルボキシ基におけるその反応性誘
導体またはその塩と反応させることによって製造するこ
とができる。化合物(IIa)のアミノ基における反応
性誘導体の好適な例としては、化合物(IIa)とアル
デヒドやケトンなどのカルボニル化合物との反応によっ
て得られるシッフ塩基型のイミノ化合物またはその互変
異性エナミン型の異性体、化合物(IIa)とビス(ト
リメチルシリル)アセタミド、モノ(トリメチルシリ
ル)アセタミド[たとえばN−(トリメチルシリル)ア
セタミド]、ビス(トリメチルシリル)尿素などのシリ
ル化合物との反応によって得られるシリル誘導体、化合
物(IIa)と三塩化燐やホスゲンとの反応によって得
られる誘導体、その他を挙げることができる。
【0026】化合物(III)のカルボキシ基における
反応性誘導体の好適な例としては、酸ハライド、酸無水
物、活性アミド、活性エステルなどを挙げることができ
る。反応性誘導体の好適な例としては、酸塩化物;酸ア
ジド;置換燐酸(たとえばジアルキル燐酸、フェニル燐
酸、ジフェニル燐酸、ジベンジル燐酸、ハロゲン化燐酸
など)、ジアルキル亜燐酸、亜硫酸、チオ硫酸、硫酸、
スルホン酸(たとえばメタンスルホン酸など)、脂肪族
カルボン酸(たとえば酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ
酪酸、ピバル酸、吉草酸、イソ吉草酸、2−エチル酪
酸、トリクロロ酢酸など)または芳香族カルボン酸(た
とえば安息香酸など)などの酸との混合酸無水物;対称
酸無水物;イミダゾール、4−置換イミダゾール、1−
ヒドロキシ−1H−ベンゾトリアゾール、ジメチルピラ
ゾール、トリアゾールまたはテトラゾールとの活性アミ
ド;または活性エステル(たとえばシアノメチルエステ
ル、メトキシメチルエステル、ジメチルイミノメチル
[(CH3 )2 N+ =CH−]エステル、ビニルエステ
ル、プロパルギルエステル、p−ニトロフェニルエステ
ル、2,4−ジニトロフェニルエステル、トリクロロフ
ェニルエステル、ペンタクロロフェニルエステル、メシ
ルフェニルエステル、フェニルアゾフェニルエステル、
フェニルチオエステル、p−ニトロフェニルチオエステ
ル、p−クレシルチオエステル、カルボキシメチルチオ
エステル、ピラニルエステル、ピリジルエステル、ピペ
リジルエステル、8−キノリルチオエステルなど)また
はN−ヒドロキシ化合物[たとえばN,N−ジメチルヒ
ドロキシルアミン、1−ヒドロキシ−2−(1H)−ピ
リドン、N−ヒドロキシスクシンイミド、N−ヒドロキ
シフタルイミド、1−ヒドロキシ−1H−ベンゾトリア
ゾールなど]とのエステルなどを挙げることができる。
これらの反応性誘導体は、使用する化合物(III)の
種類に応じて適宜選択すればよい。
反応性誘導体の好適な例としては、酸ハライド、酸無水
物、活性アミド、活性エステルなどを挙げることができ
る。反応性誘導体の好適な例としては、酸塩化物;酸ア
ジド;置換燐酸(たとえばジアルキル燐酸、フェニル燐
酸、ジフェニル燐酸、ジベンジル燐酸、ハロゲン化燐酸
など)、ジアルキル亜燐酸、亜硫酸、チオ硫酸、硫酸、
スルホン酸(たとえばメタンスルホン酸など)、脂肪族
カルボン酸(たとえば酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ
酪酸、ピバル酸、吉草酸、イソ吉草酸、2−エチル酪
酸、トリクロロ酢酸など)または芳香族カルボン酸(た
とえば安息香酸など)などの酸との混合酸無水物;対称
酸無水物;イミダゾール、4−置換イミダゾール、1−
ヒドロキシ−1H−ベンゾトリアゾール、ジメチルピラ
ゾール、トリアゾールまたはテトラゾールとの活性アミ
ド;または活性エステル(たとえばシアノメチルエステ
ル、メトキシメチルエステル、ジメチルイミノメチル
[(CH3 )2 N+ =CH−]エステル、ビニルエステ
ル、プロパルギルエステル、p−ニトロフェニルエステ
ル、2,4−ジニトロフェニルエステル、トリクロロフ
ェニルエステル、ペンタクロロフェニルエステル、メシ
ルフェニルエステル、フェニルアゾフェニルエステル、
フェニルチオエステル、p−ニトロフェニルチオエステ
ル、p−クレシルチオエステル、カルボキシメチルチオ
エステル、ピラニルエステル、ピリジルエステル、ピペ
リジルエステル、8−キノリルチオエステルなど)また
はN−ヒドロキシ化合物[たとえばN,N−ジメチルヒ
ドロキシルアミン、1−ヒドロキシ−2−(1H)−ピ
リドン、N−ヒドロキシスクシンイミド、N−ヒドロキ
シフタルイミド、1−ヒドロキシ−1H−ベンゾトリア
ゾールなど]とのエステルなどを挙げることができる。
これらの反応性誘導体は、使用する化合物(III)の
種類に応じて適宜選択すればよい。
【0027】本反応は、通常、水、アルコール(たとえ
ばメタノール、エタノールなど)、アセトン、ジオキサ
ン、アセトニトリル、クロロホルム、塩化メチレン、塩
化エチレン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N,N
−ジメチルホルムアミド、ピリジンなどの慣用の溶媒、
その他反応に悪影響を及ぼさない有機溶媒などの溶媒中
で行われる。これらの慣用の溶媒は、水との混合物とし
て使用することもできる。
ばメタノール、エタノールなど)、アセトン、ジオキサ
ン、アセトニトリル、クロロホルム、塩化メチレン、塩
化エチレン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、N,N
−ジメチルホルムアミド、ピリジンなどの慣用の溶媒、
その他反応に悪影響を及ぼさない有機溶媒などの溶媒中
で行われる。これらの慣用の溶媒は、水との混合物とし
て使用することもできる。
【0028】本反応において、化合物(III)を遊離
酸の形またはその塩の形で用いる場合、反応は、慣用の
縮合剤、たとえばN,N’−ジシクロヘキシルカルボジ
イミド;N−シクロヘキシル−N’−モルホリノエチル
カルボジイミド;N−シクロヘキシル−N’−(4−ジ
エチルアミノシクロヘキシル)カルボジイミド;N,
N’−ジエチルカルボジイミド、N,N’−ジイソプロ
ピルカルボジイミド;N−エチル−N’−(3−ジメチ
ルアミノプロピル)カルボジイミド;N,N’−カルボ
ニルビス−(2−メチルイミダゾール);ペンタメチレ
ンケテン−N−シクロヘキシルイミン;ジフェニルケテ
ン−N−シクロヘキシルイミン;エトキシアセチレン;
1−アルコキシ−1−クロロエチレン;トリアルキルホ
スファイト;ポリ燐酸エチル、ポリ燐酸イソプロピル、
オキシ塩化燐(塩化ホスホリル);三塩化燐;塩化チオ
ニル;塩化オキサリル;ハロ蟻酸低級アルキル(たとえ
ばクロロ蟻酸エチル、クロロ蟻酸イソプロピルなど);
トリフェニルホスフィン;2−エチル−7−ヒドロキシ
ベンゾイソオキサゾリウム塩;水酸化2−エチル−5−
(m−スルホフェニル)イソオキサゾリウム分子内塩;
1−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシ)−6−ク
ロロ−1H−ベンゾトリアゾール;N,N−ジメチルホ
ルムアミドと塩化チオニル、ホスゲン、クロロ蟻酸トリ
クロロメチル、オキシ塩化燐などと反応させて調製され
るいわゆるビルスマイヤー試薬などの存在下で行うこと
が好ましい。本反応は、アルカリ金属重炭酸塩、トリ
(低級)アルキルアミン、ピリジン、N−(低級)アル
キルモルホリン、N,N−ジ(低級)アルキルベンジル
アミンなどの無機または有機塩基の存在下で行うことも
できる。反応温度は特に限定されず、通常、冷却ないし
加温下で反応は行われる。
酸の形またはその塩の形で用いる場合、反応は、慣用の
縮合剤、たとえばN,N’−ジシクロヘキシルカルボジ
イミド;N−シクロヘキシル−N’−モルホリノエチル
カルボジイミド;N−シクロヘキシル−N’−(4−ジ
エチルアミノシクロヘキシル)カルボジイミド;N,
N’−ジエチルカルボジイミド、N,N’−ジイソプロ
ピルカルボジイミド;N−エチル−N’−(3−ジメチ
ルアミノプロピル)カルボジイミド;N,N’−カルボ
ニルビス−(2−メチルイミダゾール);ペンタメチレ
ンケテン−N−シクロヘキシルイミン;ジフェニルケテ
ン−N−シクロヘキシルイミン;エトキシアセチレン;
1−アルコキシ−1−クロロエチレン;トリアルキルホ
スファイト;ポリ燐酸エチル、ポリ燐酸イソプロピル、
オキシ塩化燐(塩化ホスホリル);三塩化燐;塩化チオ
ニル;塩化オキサリル;ハロ蟻酸低級アルキル(たとえ
ばクロロ蟻酸エチル、クロロ蟻酸イソプロピルなど);
トリフェニルホスフィン;2−エチル−7−ヒドロキシ
ベンゾイソオキサゾリウム塩;水酸化2−エチル−5−
(m−スルホフェニル)イソオキサゾリウム分子内塩;
1−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシ)−6−ク
ロロ−1H−ベンゾトリアゾール;N,N−ジメチルホ
ルムアミドと塩化チオニル、ホスゲン、クロロ蟻酸トリ
クロロメチル、オキシ塩化燐などと反応させて調製され
るいわゆるビルスマイヤー試薬などの存在下で行うこと
が好ましい。本反応は、アルカリ金属重炭酸塩、トリ
(低級)アルキルアミン、ピリジン、N−(低級)アル
キルモルホリン、N,N−ジ(低級)アルキルベンジル
アミンなどの無機または有機塩基の存在下で行うことも
できる。反応温度は特に限定されず、通常、冷却ないし
加温下で反応は行われる。
【0029】製造法(2) 化合物(Ib)またはその塩は、化合物(Ia)または
その塩をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことによっ
て製造することができる。本反応は、加水分解、還元な
どの慣用の方法に従って行われる。本加水分解は、塩基
またはルイス酸を含む酸の存在下で有利に行われる。好
適な塩基としては、アルカリ金属(たとえばナトリウ
ム、カリウムなど)、アルカリ土類金属(たとえばマグ
ネシウム、カルシウムなど)、それらの水酸化物または
炭酸塩または重炭酸塩、トリアルキルアミン(たとえば
トリメチルアミン、トリエチルアミンなど)、ピコリ
ン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−
5、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、
1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7
などの無機および有機の塩基を挙げることができる。
その塩をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことによっ
て製造することができる。本反応は、加水分解、還元な
どの慣用の方法に従って行われる。本加水分解は、塩基
またはルイス酸を含む酸の存在下で有利に行われる。好
適な塩基としては、アルカリ金属(たとえばナトリウ
ム、カリウムなど)、アルカリ土類金属(たとえばマグ
ネシウム、カルシウムなど)、それらの水酸化物または
炭酸塩または重炭酸塩、トリアルキルアミン(たとえば
トリメチルアミン、トリエチルアミンなど)、ピコリ
ン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−
5、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、
1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7
などの無機および有機の塩基を挙げることができる。
【0030】好適な酸としては、有機酸(たとえば蟻
酸、酢酸、プロピオン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオ
ロ酢酸、p−トルエンスルホン酸など)および無機酸
(たとえば塩酸、臭化水素酸、硫酸、塩化水素、臭化水
素、塩化アンモニウムなど)を挙げることができる。ト
リハロ酢酸(たとえばトリクロロ酢酸、トリフルオロ酢
酸など)などのルイス酸を用いる脱離は、カチオン補捉
剤(たとえばアニソール、フェノールなど)の存在下で
有利に行われる。反応は、通常、水、アルコール(たと
えばメタノール、エタノールなど)、塩化メチレン、テ
トラヒドロフラン、それらの混合物、その他反応に悪影
響を及ぼさない溶媒などの溶媒中で行われる。液状の塩
基または酸は、溶媒として使用することもできる。反応
温度は特に限定されず、通常、冷却ないし加温下で反応
は行われる。
酸、酢酸、プロピオン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオ
ロ酢酸、p−トルエンスルホン酸など)および無機酸
(たとえば塩酸、臭化水素酸、硫酸、塩化水素、臭化水
素、塩化アンモニウムなど)を挙げることができる。ト
リハロ酢酸(たとえばトリクロロ酢酸、トリフルオロ酢
酸など)などのルイス酸を用いる脱離は、カチオン補捉
剤(たとえばアニソール、フェノールなど)の存在下で
有利に行われる。反応は、通常、水、アルコール(たと
えばメタノール、エタノールなど)、塩化メチレン、テ
トラヒドロフラン、それらの混合物、その他反応に悪影
響を及ぼさない溶媒などの溶媒中で行われる。液状の塩
基または酸は、溶媒として使用することもできる。反応
温度は特に限定されず、通常、冷却ないし加温下で反応
は行われる。
【0031】本脱離反応に適用される還元方法としては
化学還元および接触還元を挙げることができる。化学還
元に用いる好適な還元剤としては、金属(たとえば錫、
亜鉛、鉄など)または金属化合物(たとえば塩化クロ
ム、酢酸クロムなど)と有機または無機の酸(たとえば
蟻酸、酢酸、プロピオン酸、トリフルオロ酢酸、p−ト
ルエンスルホン酸、塩酸、臭化水素酸など)の組合せを
挙げることができる。接触還元に用いる好適な触媒とし
ては、白金触媒(例えば白金板、白金海綿、白金黒、コ
ロイド白金、酸化白金、白金線など)、パラジウム触媒
(たとえばパラジウム海綿、パラジウム黒、酸化パラジ
ウム、パラジウム炭、コロイドパラジウム、パラジウム
−硫酸バリウム、パラジウム−炭酸バリウム等)、ニッ
ケル触媒(たとえば還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネ
ーニッケルなど)、コバルト触媒(たとえば還元コバル
ト、ラネーコバルトなど)、鉄触媒(還元鉄、ラネー鉄
など)、銅触媒(たとえば還元銅、ラネー銅、ウルマン
銅)などを挙げることができる。還元は、通常、反応に
悪影響を及ぼさない慣用の溶媒、たとえば水、メタノー
ル、エタノール、プロパノール、N,N−ジメチルホル
ムアミド、それらの混合物などの溶媒中で行われる。ま
た、化学還元に用いる前記酸が液状の場合、これらは溶
媒として使用することもできる。触媒還元に用いる好適
な溶媒としては、前記溶媒、その他の慣用の溶媒、たと
えばジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンなどあるいはそれらの混合物を挙げることができる。
本還元の反応温度は特に限定されず、通常、冷却ないし
加温下で反応は行われる。
化学還元および接触還元を挙げることができる。化学還
元に用いる好適な還元剤としては、金属(たとえば錫、
亜鉛、鉄など)または金属化合物(たとえば塩化クロ
ム、酢酸クロムなど)と有機または無機の酸(たとえば
蟻酸、酢酸、プロピオン酸、トリフルオロ酢酸、p−ト
ルエンスルホン酸、塩酸、臭化水素酸など)の組合せを
挙げることができる。接触還元に用いる好適な触媒とし
ては、白金触媒(例えば白金板、白金海綿、白金黒、コ
ロイド白金、酸化白金、白金線など)、パラジウム触媒
(たとえばパラジウム海綿、パラジウム黒、酸化パラジ
ウム、パラジウム炭、コロイドパラジウム、パラジウム
−硫酸バリウム、パラジウム−炭酸バリウム等)、ニッ
ケル触媒(たとえば還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネ
ーニッケルなど)、コバルト触媒(たとえば還元コバル
ト、ラネーコバルトなど)、鉄触媒(還元鉄、ラネー鉄
など)、銅触媒(たとえば還元銅、ラネー銅、ウルマン
銅)などを挙げることができる。還元は、通常、反応に
悪影響を及ぼさない慣用の溶媒、たとえば水、メタノー
ル、エタノール、プロパノール、N,N−ジメチルホル
ムアミド、それらの混合物などの溶媒中で行われる。ま
た、化学還元に用いる前記酸が液状の場合、これらは溶
媒として使用することもできる。触媒還元に用いる好適
な溶媒としては、前記溶媒、その他の慣用の溶媒、たと
えばジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ンなどあるいはそれらの混合物を挙げることができる。
本還元の反応温度は特に限定されず、通常、冷却ないし
加温下で反応は行われる。
【0032】製造法(3) 化合物(Id)またはその塩は、化合物(Ic)または
その塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことによっ
て製造することができる。本反応は、前記製造法(2)
と同様にして行われるので、使用される試薬および反応
条件(たとえば溶媒、反応温度など)としては、製造法
(2)で説明したものをそのまま挙げることができる。
その塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことによっ
て製造することができる。本反応は、前記製造法(2)
と同様にして行われるので、使用される試薬および反応
条件(たとえば溶媒、反応温度など)としては、製造法
(2)で説明したものをそのまま挙げることができる。
【0033】製造法(A) 化合物(VI)またはその塩は、化合物(IV)または
その塩を酸化反応に付し、次いで得られた化合物を化合
物(V)と反応させることによって製造することができ
る。本反応は、製造例1で示す方法またはこれと同様の
方法で行うことができる。
その塩を酸化反応に付し、次いで得られた化合物を化合
物(V)と反応させることによって製造することができ
る。本反応は、製造例1で示す方法またはこれと同様の
方法で行うことができる。
【0034】製造法(B) 化合物(VI)またはその塩は、化合物(VII)また
はその塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことによ
って製造することができる。本反応は、製造例2で示す
方法またはこれと同様の方法で行うことができる。
はその塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことによ
って製造することができる。本反応は、製造例2で示す
方法またはこれと同様の方法で行うことができる。
【0035】製造法(C) 化合物(II)またはその塩は、化合物(VIII)ま
たはその塩を化合物(VI)またはその塩と反応させる
ことによって製造することができる。本反応は、通常、
慣用の溶媒、たとえば水、アルコール(たとえばメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコールなど)、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、クロロホルム、塩化メ
チレン、ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、N,
N−ジメチルホルムアミド、その他反応に悪影響を及ぼ
さない有機溶媒などの溶媒中で行われる。これらの溶媒
のうち、親水性溶媒は水との混合物として使用してもよ
い。反応温度は特に限定されず、通常、冷却ないし加温
下で反応は行われる。
たはその塩を化合物(VI)またはその塩と反応させる
ことによって製造することができる。本反応は、通常、
慣用の溶媒、たとえば水、アルコール(たとえばメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコールなど)、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、クロロホルム、塩化メ
チレン、ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、N,
N−ジメチルホルムアミド、その他反応に悪影響を及ぼ
さない有機溶媒などの溶媒中で行われる。これらの溶媒
のうち、親水性溶媒は水との混合物として使用してもよ
い。反応温度は特に限定されず、通常、冷却ないし加温
下で反応は行われる。
【0036】製造法(D) 化合物(II)またはその塩は、化合物(IX)または
その塩を化合物(X)またはその塩と反応させることに
よって製造することができる。本反応は、通常、水、ア
ルコール(たとえばメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコールなど)、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、クロロホルム、塩化メチレン、N,N−ジメチルア
セトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジ
メチルホルムアミドなどの慣用の溶媒、その他反応に悪
影響を及ぼさない有機溶媒などの溶媒中で行われる。こ
れらの溶媒のうち、親水性溶媒は水との混合物として使
用してもよい。反応温度は特に限定されず、通常、冷却
ないし加温下で反応は行われる。反応は、通常、ハロゲ
ン化パラジウムビス(アセトニトリル)(たとえば塩化
パラジウムビス(アセトニトリル)など)などのパラジ
ウム触媒およびハロゲン化アルカリ金属(たとえば臭化
リチウムなど)の存在下で行われる。
その塩を化合物(X)またはその塩と反応させることに
よって製造することができる。本反応は、通常、水、ア
ルコール(たとえばメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコールなど)、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、クロロホルム、塩化メチレン、N,N−ジメチルア
セトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジ
メチルホルムアミドなどの慣用の溶媒、その他反応に悪
影響を及ぼさない有機溶媒などの溶媒中で行われる。こ
れらの溶媒のうち、親水性溶媒は水との混合物として使
用してもよい。反応温度は特に限定されず、通常、冷却
ないし加温下で反応は行われる。反応は、通常、ハロゲ
ン化パラジウムビス(アセトニトリル)(たとえば塩化
パラジウムビス(アセトニトリル)など)などのパラジ
ウム触媒およびハロゲン化アルカリ金属(たとえば臭化
リチウムなど)の存在下で行われる。
【0037】製造法(E) 化合物(IIa)またはその塩は、化合物(IIb)ま
たはその塩をアミノ保護基の脱離反応に付すことによっ
て製造することができる。本反応は、前記製造法(2)
と同様にして行われるので、用いる試薬および反応条件
(たとえば溶媒、反応温度など)としては、製造法
(2)で説明したものをそのまま挙げることができる。
たはその塩をアミノ保護基の脱離反応に付すことによっ
て製造することができる。本反応は、前記製造法(2)
と同様にして行われるので、用いる試薬および反応条件
(たとえば溶媒、反応温度など)としては、製造法
(2)で説明したものをそのまま挙げることができる。
【0038】製造法(1)−(3)および(A)−
(E)における目的化合物および原料化合物およびそれ
らの反応性誘導体の好適な塩としては、化合物(I)で
説明したものと同じものを挙げることができる。目的化
合物(I)およびその医薬として許容される塩は新規で
あり、かつ高い坑菌活性を有し、グラム陽性ならびにグ
ラム陰性菌を含む広範囲の病原菌の生育を阻止し、坑菌
剤として有用である。いま、目的化合物(I)の有用性
を示すために、化合物(I)に属する代表的な化合物の
最小発育阻止濃度(MIC)試験データを以下に示す。
(E)における目的化合物および原料化合物およびそれ
らの反応性誘導体の好適な塩としては、化合物(I)で
説明したものと同じものを挙げることができる。目的化
合物(I)およびその医薬として許容される塩は新規で
あり、かつ高い坑菌活性を有し、グラム陽性ならびにグ
ラム陰性菌を含む広範囲の病原菌の生育を阻止し、坑菌
剤として有用である。いま、目的化合物(I)の有用性
を示すために、化合物(I)に属する代表的な化合物の
最小発育阻止濃度(MIC)試験データを以下に示す。
【0039】試験法 試験管内坑菌活性を下記寒天平板倍数希釈法により測定
した。各試験菌株をトリプトケース−ソイ−ブロス中一
夜培養してその1白金耳(生菌数108 個/ml)を、
各濃度段階の代表的試験化合物を含むハートインフュー
ジョン寒天(HI−寒天)に接種し、37℃、20時間
インキュベートした後、最小発育阻止濃度(MIC)を
μg/mlで表わした。
した。各試験菌株をトリプトケース−ソイ−ブロス中一
夜培養してその1白金耳(生菌数108 個/ml)を、
各濃度段階の代表的試験化合物を含むハートインフュー
ジョン寒天(HI−寒天)に接種し、37℃、20時間
インキュベートした後、最小発育阻止濃度(MIC)を
μg/mlで表わした。
【0040】試験化合物 7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2
−メトキシイミノアセトアミド]−3−[(Z)−2−
カルバモイルエテニル]−3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)
−メトキシイミノアセトアミド]−3−[(Z)−2−
カルバモイルエテニル]−3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)
【0041】試験結果
【表1】 本発明の目的化合物(I)およびその医薬として許容さ
れる塩を治療目的に使用する場合、当該化合物を活性成
分として、経口投与、非経口投与ないしは外用に適した
有機または無機の固形または液状の賦形剤などの医薬と
して許容される担体と配合した通常の製剤として投与す
る。これらの製剤は錠剤、顆粒剤、粉末剤、カプセル剤
などの固形の投与形態であってもよく、あるいは溶液、
懸濁液、シロップ、乳剤、レモネードなどの液状の投与
形態であってもよい。必要に応じ、上記の製剤には各種
助剤、安定剤、湿潤剤、その他一般に使用される添加
剤、たとえば乳糖、クエン酸、酒石酸、ステアリン酸、
ステアリン酸マグネシウム、白陶土、蔗糖、コーンスタ
ーチ、タルク、ゼラチン、寒天、ペクチン、落花生油、
オリーブ油、カカオバター、エチレングリコールなどを
添加することができる。化合物(I)の投与量は、年令
その他の患者の条件、疾病の種類、使用化合物の種類な
どによって異なるが、一般に各患者について1日当り約
1mgから約4,000mg、あるいはそれ以上を投与
することができる。病原菌による感染症の治療には目的
化合物(I)を平均一回当り投与量として約50mg、
100mg、250mg、500mg、1000mgあ
るいは2000mgを投与することができる。以下の製
造例および実施例に従って、本発明をさらに詳細に説明
する。
れる塩を治療目的に使用する場合、当該化合物を活性成
分として、経口投与、非経口投与ないしは外用に適した
有機または無機の固形または液状の賦形剤などの医薬と
して許容される担体と配合した通常の製剤として投与す
る。これらの製剤は錠剤、顆粒剤、粉末剤、カプセル剤
などの固形の投与形態であってもよく、あるいは溶液、
懸濁液、シロップ、乳剤、レモネードなどの液状の投与
形態であってもよい。必要に応じ、上記の製剤には各種
助剤、安定剤、湿潤剤、その他一般に使用される添加
剤、たとえば乳糖、クエン酸、酒石酸、ステアリン酸、
ステアリン酸マグネシウム、白陶土、蔗糖、コーンスタ
ーチ、タルク、ゼラチン、寒天、ペクチン、落花生油、
オリーブ油、カカオバター、エチレングリコールなどを
添加することができる。化合物(I)の投与量は、年令
その他の患者の条件、疾病の種類、使用化合物の種類な
どによって異なるが、一般に各患者について1日当り約
1mgから約4,000mg、あるいはそれ以上を投与
することができる。病原菌による感染症の治療には目的
化合物(I)を平均一回当り投与量として約50mg、
100mg、250mg、500mg、1000mgあ
るいは2000mgを投与することができる。以下の製
造例および実施例に従って、本発明をさらに詳細に説明
する。
【0042】製造例1 (1) 2,3−ジヒドロキシ−N,N’−ジメチルブ
タンジアミド(3.52g)の水(50ml)溶液にメ
タ過ヨウ素酸ナトリウム(8.56g)の水(100m
l)溶液を滴下し、混合物を室温で3時間撹拌する。反
応混合物にエチレングリコール(1.5ml)を加え、
過剰のメタ過ヨウ素酸ナトリウムを消尽させる。混合物
を室温で1時間撹拌後、真空下蒸発操作に付す。残留物
をクロロホルム−メタノール(10:1)で洗浄後、濾
過する。濾液を真空下蒸発操作に付して、粗製の2,2
−ジヒドロキシ−N−メチルアセトアミド(5.31
g)を黄色油状物として得る。 IR(ヌジョール): 3300 (br), 1650, 1540 cm-1 NMR (DMSO-d6, + D2O,δ) : 2.59 (3H,d,J=5Hz), 7.84
(1H,br s) 製造例1−(1)と同様にして下記の化合物を得る。 (2) 2,2−ジヒドロキシ−N,N−ジメチルアセ
トアミド IR(ヌジョール): 3300, 1655 cm-1 NMR (DMSO-d6, + D2O,δ) : 2.85 (3H,s), 3.02 (3H,
s), 5.28 (1H,s)
タンジアミド(3.52g)の水(50ml)溶液にメ
タ過ヨウ素酸ナトリウム(8.56g)の水(100m
l)溶液を滴下し、混合物を室温で3時間撹拌する。反
応混合物にエチレングリコール(1.5ml)を加え、
過剰のメタ過ヨウ素酸ナトリウムを消尽させる。混合物
を室温で1時間撹拌後、真空下蒸発操作に付す。残留物
をクロロホルム−メタノール(10:1)で洗浄後、濾
過する。濾液を真空下蒸発操作に付して、粗製の2,2
−ジヒドロキシ−N−メチルアセトアミド(5.31
g)を黄色油状物として得る。 IR(ヌジョール): 3300 (br), 1650, 1540 cm-1 NMR (DMSO-d6, + D2O,δ) : 2.59 (3H,d,J=5Hz), 7.84
(1H,br s) 製造例1−(1)と同様にして下記の化合物を得る。 (2) 2,2−ジヒドロキシ−N,N−ジメチルアセ
トアミド IR(ヌジョール): 3300, 1655 cm-1 NMR (DMSO-d6, + D2O,δ) : 2.85 (3H,s), 3.02 (3H,
s), 5.28 (1H,s)
【0043】製造例2 2,2−ジエトキシ−N,N−ジメチルアセトアミド
(25.0g)のテトラヒドロフラン(250ml)−
水(25ml)溶液にAMBERLYST15(商標、
ローム&ハース社)(10g)を加え、混合物を60℃
で6時間撹拌する。冷却後、AMBERLYST15を
濾去する。濾液を真空下蒸発操作に付し、残留物をシリ
カゲル(150g)クロマトグラフィーに付して、2,
2−ジヒドロキシ−N,N−ジメチルアセトアミド(8
48mg)を白色結晶として得る。 IR(ヌジョール): 3400-3200 (br), 1655 cm-1 NMR (DMSO-d6, + D2O,δ) : 2.85 (3H,s), 3.02 (3H,
s), 5.28 (1H,s)
(25.0g)のテトラヒドロフラン(250ml)−
水(25ml)溶液にAMBERLYST15(商標、
ローム&ハース社)(10g)を加え、混合物を60℃
で6時間撹拌する。冷却後、AMBERLYST15を
濾去する。濾液を真空下蒸発操作に付し、残留物をシリ
カゲル(150g)クロマトグラフィーに付して、2,
2−ジヒドロキシ−N,N−ジメチルアセトアミド(8
48mg)を白色結晶として得る。 IR(ヌジョール): 3400-3200 (br), 1655 cm-1 NMR (DMSO-d6, + D2O,δ) : 2.85 (3H,s), 3.02 (3H,
s), 5.28 (1H,s)
【0044】製造例3 ベンズヒドリル7β−t−ブトキシカルボニルアミノ−
3−トリフェニルホスホニオメチル−3−セフェム−4
−カルボキシラートヨウ化物(60.8g)のアセトニ
トリル(400ml)−水(50ml)溶液に2,2−
ジヒドロキシ−N−メチルアセトアミド(14.7g)
を加え、pHを9に維持しながら混合物を室温で7時間
撹拌する。反応混合物を酢酸エチル(500ml)−水
(300ml)に注ぐ。有機層を分離し、水および食塩
水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、真空下蒸発操
作に付す。残留物をシリカゲルクロマトグラフィーに付
して、ベンズヒドリル7β−t−ブトキシカルボニルア
ミノ−3−[(Z)−2−(N−メチルカルバモイル)
エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(1
3.86g)を得る。 IR(ヌジョール): 3300, 1765, 1705, 1680, 1625, 15
00 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 1.42 (9H,s), 2.60 (1H,d,J=5Hz),
3.62 & 3.78 (2H,ABq,J=18Hz), 5.10 (1H,d,J=5Hz),
5.55 (1H,dd,J=5Hz, 9Hz), 5.87 (1H,d,J=12Hz), 6.62
(1H,d,J=12Hz), 6.81 (2H,s), 7.2-7.6 (10H,m), 8.0-
8.2 (2H,m)
3−トリフェニルホスホニオメチル−3−セフェム−4
−カルボキシラートヨウ化物(60.8g)のアセトニ
トリル(400ml)−水(50ml)溶液に2,2−
ジヒドロキシ−N−メチルアセトアミド(14.7g)
を加え、pHを9に維持しながら混合物を室温で7時間
撹拌する。反応混合物を酢酸エチル(500ml)−水
(300ml)に注ぐ。有機層を分離し、水および食塩
水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、真空下蒸発操
作に付す。残留物をシリカゲルクロマトグラフィーに付
して、ベンズヒドリル7β−t−ブトキシカルボニルア
ミノ−3−[(Z)−2−(N−メチルカルバモイル)
エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(1
3.86g)を得る。 IR(ヌジョール): 3300, 1765, 1705, 1680, 1625, 15
00 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 1.42 (9H,s), 2.60 (1H,d,J=5Hz),
3.62 & 3.78 (2H,ABq,J=18Hz), 5.10 (1H,d,J=5Hz),
5.55 (1H,dd,J=5Hz, 9Hz), 5.87 (1H,d,J=12Hz), 6.62
(1H,d,J=12Hz), 6.81 (2H,s), 7.2-7.6 (10H,m), 8.0-
8.2 (2H,m)
【0045】製造例4 ベンズヒドリル7β−t−ブトキシカルボニルアミノ−
3−トリフェニルホスホニオメチル−3−セフェム−4
−カルボキシラートヨウ化物(69.5g)の塩化メチ
レン(300ml)−水(150ml)溶液を50%炭
酸カリウム溶液でpH8.0−8.5に調整後、室温で
1.5時間撹拌する。有機層を分離し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。この溶液に2,2−ジヒドロキシ−N,
N−ジメチルアセトアミド(19.1g)を加え、混合
物を室温で1時間撹拌後、3日間静置する。反応混合物
をシリカゲルクロマトグラフィーに付す。目的化合物を
含む画分に酢酸エチル−n−ヘキサン(2:1)を加
え、不溶物を濾取して、ベンズヒドリル7β−t−ブト
キシカルボニルアミノ−3−[(E)−2−(N,N−
ジメチルカルバモイル)エテニル]−3−セフェム−4
−カルボキシラート(化合物A)(2.56g)を白色
粉末として得る。濾液を真空下蒸発操作に付し、残留物
をシリカゲルクロマトグラフィーにかけて、ベンズヒド
リル7β−t−ブトキシカルボニルアミノ−3−
[(Z)−2−(N,N−ジメチルカルバモイル)エテ
ニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(化合物
B)(1.44g)を得る。 IR(ヌジョール) 化合物A : 3200, 1770, 1705, 1630, 1585, 1530 cm-1 化合物B : 3300, 1770, 1705, 1620, 1505 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) 化合物A : 1.41 (9H,s), 2.89 (3H,s), 3.08 (3H,s),
3.66 & 4.09 (2H,ABq,J=18Hz), 5.20 (1H,d,J=5Hz), 5.
62 (1H,dd,J=5Hz, 9Hz), 6.90 (1H,d,J=15Hz), 6.94 (1
H,s), 7.2-7.6 (10H,m), 7.56 (1H,d,J=15Hz), 8.10(1
H,d,J=9Hz) 化合物B : 1.41 (9H,s), 2.81 (3H,s), 2.88 (3H,s),
3.56 (2H,s),5.14 (1H,d,J=5Hz), 5.55 (1H,dd,J=5Hz,
9Hz), 6.21 (1H,d,J=12Hz),6.57 (1H,d,J=12Hz), 6.88
(1H,s), 7.2-7.5 (10H,m), 8.07 (1H,d,J=9Hz)
3−トリフェニルホスホニオメチル−3−セフェム−4
−カルボキシラートヨウ化物(69.5g)の塩化メチ
レン(300ml)−水(150ml)溶液を50%炭
酸カリウム溶液でpH8.0−8.5に調整後、室温で
1.5時間撹拌する。有機層を分離し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。この溶液に2,2−ジヒドロキシ−N,
N−ジメチルアセトアミド(19.1g)を加え、混合
物を室温で1時間撹拌後、3日間静置する。反応混合物
をシリカゲルクロマトグラフィーに付す。目的化合物を
含む画分に酢酸エチル−n−ヘキサン(2:1)を加
え、不溶物を濾取して、ベンズヒドリル7β−t−ブト
キシカルボニルアミノ−3−[(E)−2−(N,N−
ジメチルカルバモイル)エテニル]−3−セフェム−4
−カルボキシラート(化合物A)(2.56g)を白色
粉末として得る。濾液を真空下蒸発操作に付し、残留物
をシリカゲルクロマトグラフィーにかけて、ベンズヒド
リル7β−t−ブトキシカルボニルアミノ−3−
[(Z)−2−(N,N−ジメチルカルバモイル)エテ
ニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(化合物
B)(1.44g)を得る。 IR(ヌジョール) 化合物A : 3200, 1770, 1705, 1630, 1585, 1530 cm-1 化合物B : 3300, 1770, 1705, 1620, 1505 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) 化合物A : 1.41 (9H,s), 2.89 (3H,s), 3.08 (3H,s),
3.66 & 4.09 (2H,ABq,J=18Hz), 5.20 (1H,d,J=5Hz), 5.
62 (1H,dd,J=5Hz, 9Hz), 6.90 (1H,d,J=15Hz), 6.94 (1
H,s), 7.2-7.6 (10H,m), 7.56 (1H,d,J=15Hz), 8.10(1
H,d,J=9Hz) 化合物B : 1.41 (9H,s), 2.81 (3H,s), 2.88 (3H,s),
3.56 (2H,s),5.14 (1H,d,J=5Hz), 5.55 (1H,dd,J=5Hz,
9Hz), 6.21 (1H,d,J=12Hz),6.57 (1H,d,J=12Hz), 6.88
(1H,s), 7.2-7.5 (10H,m), 8.07 (1H,d,J=9Hz)
【0046】製造例5 ベンズヒドリル7β−ホルムアミド−3−メチルスルホ
ニルオキシ−3−セフェム−4−カルボキシラート
(4.288g)のN−メチル−2−ピロリドン(30
ml)溶液に(E)−2−カルバモイルエテニル−トリ
ブチル錫(3.161g)と臭化リチウム(1.528
g)を加える。混合物をアルゴンで5分間脱気する。こ
の混合物に塩化パラジウムビス(アセトニトリル)(1
14mg)を加え、混合物を室温で15分間、ついで3
5℃で1.1時間撹拌する。冷却後、混合物を酢酸エチ
ルと水の混合物に注ぎ、有機層を分離し、水および食塩
水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、真空下蒸発操
作に付す。残留物に酢酸エチルを加え、結晶性化合物を
濾取して、ベンズヒドリル7β−ホルムアミド−3−
((E)−2−カルバモイルエテニル)−3−セフェム
−4−カルボキシラート(950mg)を得る。濾液か
らさらに同じ結晶性化合物(732mg)を得た。 IR(ヌジョール): 3580, 3460, 3200, 1785, 1670, 16
00, 1525 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 3.75 & 3.85 (2H,ABq,J=17.6Hz),
5.26 (1H,d,J=5.1Hz),5.92 (1H,dd,J=8.9Hz & 5.1Hz),
6.36 (1H,d,J=15.6Hz), 6.96 (1H,s),7.18 (1H,br s),
7.2-7.6 (12H,m), 8.16 (1H,s), 9.16 (1H,d,J=8.9Hz)
ニルオキシ−3−セフェム−4−カルボキシラート
(4.288g)のN−メチル−2−ピロリドン(30
ml)溶液に(E)−2−カルバモイルエテニル−トリ
ブチル錫(3.161g)と臭化リチウム(1.528
g)を加える。混合物をアルゴンで5分間脱気する。こ
の混合物に塩化パラジウムビス(アセトニトリル)(1
14mg)を加え、混合物を室温で15分間、ついで3
5℃で1.1時間撹拌する。冷却後、混合物を酢酸エチ
ルと水の混合物に注ぎ、有機層を分離し、水および食塩
水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、真空下蒸発操
作に付す。残留物に酢酸エチルを加え、結晶性化合物を
濾取して、ベンズヒドリル7β−ホルムアミド−3−
((E)−2−カルバモイルエテニル)−3−セフェム
−4−カルボキシラート(950mg)を得る。濾液か
らさらに同じ結晶性化合物(732mg)を得た。 IR(ヌジョール): 3580, 3460, 3200, 1785, 1670, 16
00, 1525 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 3.75 & 3.85 (2H,ABq,J=17.6Hz),
5.26 (1H,d,J=5.1Hz),5.92 (1H,dd,J=8.9Hz & 5.1Hz),
6.36 (1H,d,J=15.6Hz), 6.96 (1H,s),7.18 (1H,br s),
7.2-7.6 (12H,m), 8.16 (1H,s), 9.16 (1H,d,J=8.9Hz)
【0047】製造例6 ベンズヒドリル7β−t−ブトキシカルボニルアミノ−
3−[(E)−2−(N,N−ジメチルカルバモイル)
エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート
(2.5g)のアセトニトリル(30ml)溶液にp−
トルエンスルホン酸1水和物(1.69g)を加え、混
合物を40℃で5時間撹拌する。反応混合物を酢酸エチ
ルと水の混合物に注ぎ、混合物を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液でpH7.0に調整する。有機層を分離し、水
および食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、真
空下蒸発操作に付す。残留物に酢酸エチルを加え、不溶
物を濾取して、ベンズヒドリル7β−アミノ−3−
[(E)−2−(N,N−ジメチルカルバモイル)エテ
ニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(970
mg)を白色粉末として得る。 IR(ヌジョール): 1700, 1720, 1630, 1580 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.40 (2H,br s), 2.89 (3H,s), 3.
08 (3H,s), 3.62 &4.07 (2H.ABq,J=18Hz), 4.90 (1H,br
s), 5.12 (1H,d,J=5Hz), 6.86 (1H,d,J=15Hz), 6.93
(1H,s), 7.2-7.5 (10H,m), 7.52 (1H,d,J=15Hz)
3−[(E)−2−(N,N−ジメチルカルバモイル)
エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート
(2.5g)のアセトニトリル(30ml)溶液にp−
トルエンスルホン酸1水和物(1.69g)を加え、混
合物を40℃で5時間撹拌する。反応混合物を酢酸エチ
ルと水の混合物に注ぎ、混合物を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液でpH7.0に調整する。有機層を分離し、水
および食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、真
空下蒸発操作に付す。残留物に酢酸エチルを加え、不溶
物を濾取して、ベンズヒドリル7β−アミノ−3−
[(E)−2−(N,N−ジメチルカルバモイル)エテ
ニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(970
mg)を白色粉末として得る。 IR(ヌジョール): 1700, 1720, 1630, 1580 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.40 (2H,br s), 2.89 (3H,s), 3.
08 (3H,s), 3.62 &4.07 (2H.ABq,J=18Hz), 4.90 (1H,br
s), 5.12 (1H,d,J=5Hz), 6.86 (1H,d,J=15Hz), 6.93
(1H,s), 7.2-7.5 (10H,m), 7.52 (1H,d,J=15Hz)
【0048】製造例7 ベンズヒドリル7β−ホルムアミド−3−[(E)−カ
ルバモイルエテニル]−3−セフェム−4−カルボキシ
ラート(464mg)のメタノール中懸濁液に濃塩酸
(834μl)を加え、混合物を室温で3.3時間撹拌
する。混合物を酢酸エチルと水の混合物に注ぎ、飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液を加えてpH7に調整する。有
機層を分離し、水および食塩水で洗浄後、硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、真空下蒸発操作に付す。残留物をシリカ
ゲルクロマトグラフィーで精製して、ベンズヒドリル7
β−アミノ−3−[(E)−2−カルバモイルエテニ
ル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(340m
g)を得る。 IR(ヌジョール): 1760, 1715, 1650, 1580 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.3-2.5 (2H,br s), 3.64 & 3.77
(2H,ABq,J=17.4Hz),4.90 (1H,br s), 5.11 (1H,d,J=5.2
Hz), 6.32 (1H,d,J=15.6Hz), 6.93(1H,s), 7.15 (1H,br
s), 7.2-7.6 (12H,m)
ルバモイルエテニル]−3−セフェム−4−カルボキシ
ラート(464mg)のメタノール中懸濁液に濃塩酸
(834μl)を加え、混合物を室温で3.3時間撹拌
する。混合物を酢酸エチルと水の混合物に注ぎ、飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液を加えてpH7に調整する。有
機層を分離し、水および食塩水で洗浄後、硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、真空下蒸発操作に付す。残留物をシリカ
ゲルクロマトグラフィーで精製して、ベンズヒドリル7
β−アミノ−3−[(E)−2−カルバモイルエテニ
ル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(340m
g)を得る。 IR(ヌジョール): 1760, 1715, 1650, 1580 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.3-2.5 (2H,br s), 3.64 & 3.77
(2H,ABq,J=17.4Hz),4.90 (1H,br s), 5.11 (1H,d,J=5.2
Hz), 6.32 (1H,d,J=15.6Hz), 6.93(1H,s), 7.15 (1H,br
s), 7.2-7.6 (12H,m)
【0049】実施例1 ベンズヒドリル7β−t−ブトキシカルボニルアミノ−
3−[(Z)−2−(N−メチルカルバモイル)エテニ
ル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(1.16
g)のアセトニトリル(14ml)溶液にp−トルエン
スルホン酸1水和物(803mg)を加え、混合物を4
0℃で3.5時間撹拌する。反応混合物を酢酸エチル
(30ml)と水(30ml)の混合物に注ぎ、混合物
を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液でpH7.0に調整す
る。水層を有機層から分離する。水層にテトラヒドロフ
ラン(40ml)を加え、混合物を5℃に冷却する。こ
れに2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−メ
トキシイミノアセチルクロリド・塩酸塩(シン異性体)
(270mg)を少量づつ加える。pHを7に維持しな
がら反応混合物を5℃で5時間撹拌する。反応混合物に
酢酸エチル(100ml)を加え、水層を分離し、有機
溶媒を減圧留去する。水溶液をダイヤイオンHP−20
(商標:三菱化成工業(株))を用いるクロマトグラフ
ィーに付し、8−10%イソプロピルアルコール水溶液
で溶出する。溶出液を凍結乾燥して、7β−[2−(2
−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシイミノ
アセトアミド]−3−[(E)−2−(N−メチルカル
バモイル)]エテニル]−3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)(化合物C)(195mg)を得る。
前記有機層を水および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、真空下蒸発操作に付して、ベンズヒドリル
7β−アミノ−3−[(Z)−2−(N−メチルカルバ
モイル)エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラ
ート(化合物D)(304mg)を得る。 IR(ヌジョール) 化合物C : 1765, 1640-1520 cm-1 化合物D : 3300, 1760, 1715, 1650, 1530 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) 化合物C : 2.66 (3H,d,J=5Hz), 3.66 (2H,s), 3.85 (3
H,s), 5.21 (1H,d,J=5Hz), 5.80 (1H,dd,J=5Hz, 8Hz),
6.21 (1H,d,J=16Hz), 6.74 (1H,s), 7.25 (2H,br s),
7.55 (1H,d,J=16Hz), 8.05 (1H,q-様), 9.85 (1H,d,J=8
Hz) 化合物D : 2.32 (2H,br s), 2.60 (3H,d,J=5Hz), 3.68
(2H,s), 4.85(1H,q-様), 5.02 (1H,d,J=5Hz), 5.83 (1
H,d,J=12Hz), 6.58 (1H,d,J=12Hz), 6.93 (1H,s), 7.2-
7.6 (10H,m), 8.09 (1H,q-様)
3−[(Z)−2−(N−メチルカルバモイル)エテニ
ル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(1.16
g)のアセトニトリル(14ml)溶液にp−トルエン
スルホン酸1水和物(803mg)を加え、混合物を4
0℃で3.5時間撹拌する。反応混合物を酢酸エチル
(30ml)と水(30ml)の混合物に注ぎ、混合物
を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液でpH7.0に調整す
る。水層を有機層から分離する。水層にテトラヒドロフ
ラン(40ml)を加え、混合物を5℃に冷却する。こ
れに2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−メ
トキシイミノアセチルクロリド・塩酸塩(シン異性体)
(270mg)を少量づつ加える。pHを7に維持しな
がら反応混合物を5℃で5時間撹拌する。反応混合物に
酢酸エチル(100ml)を加え、水層を分離し、有機
溶媒を減圧留去する。水溶液をダイヤイオンHP−20
(商標:三菱化成工業(株))を用いるクロマトグラフ
ィーに付し、8−10%イソプロピルアルコール水溶液
で溶出する。溶出液を凍結乾燥して、7β−[2−(2
−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシイミノ
アセトアミド]−3−[(E)−2−(N−メチルカル
バモイル)]エテニル]−3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)(化合物C)(195mg)を得る。
前記有機層を水および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、真空下蒸発操作に付して、ベンズヒドリル
7β−アミノ−3−[(Z)−2−(N−メチルカルバ
モイル)エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラ
ート(化合物D)(304mg)を得る。 IR(ヌジョール) 化合物C : 1765, 1640-1520 cm-1 化合物D : 3300, 1760, 1715, 1650, 1530 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) 化合物C : 2.66 (3H,d,J=5Hz), 3.66 (2H,s), 3.85 (3
H,s), 5.21 (1H,d,J=5Hz), 5.80 (1H,dd,J=5Hz, 8Hz),
6.21 (1H,d,J=16Hz), 6.74 (1H,s), 7.25 (2H,br s),
7.55 (1H,d,J=16Hz), 8.05 (1H,q-様), 9.85 (1H,d,J=8
Hz) 化合物D : 2.32 (2H,br s), 2.60 (3H,d,J=5Hz), 3.68
(2H,s), 4.85(1H,q-様), 5.02 (1H,d,J=5Hz), 5.83 (1
H,d,J=12Hz), 6.58 (1H,d,J=12Hz), 6.93 (1H,s), 7.2-
7.6 (10H,m), 8.09 (1H,q-様)
【0050】実施例2 ベンズヒドリル7β−t−ブトキシカルボニルアミノ−
3−[(Z)−2−(N,N−ジメチルカルバモイル)
エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート
(3.68g)のアセトニトリル(45ml)溶液にp
−トルエンスルホン酸1水和物(2.48g)を加え、
混合物を40℃で1時間撹拌する。反応混合物を酢酸エ
チル(70ml)と水(70ml)の混合物に注ぎ、混
合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液でpH7.0に調
整する。水層を有機層から分離する。水層にテトラヒド
ロフラン(70ml)を加え、混合物を5℃に冷却す
る。混合物に2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−アセトキシイミノアセチルクロリド・塩酸塩(シ
ン異性体)(800mg)を少量づつ加える。pHを7
に維持しながら反応混合物を5℃で4.5時間撹拌す
る。反応混合物にメタノール(10ml)と塩化アンモ
ニウム(578mg)を加え、pHを8.3に維持しな
がら反応混合物を室温で1.5時間撹拌後、pHを3に
調整し、有機溶媒を減圧留去する。水溶液をダイヤイオ
ンHP−20を用いるクロマトグラフィーに付し、8−
12%イソプロピルアルコール水溶液で溶出する。溶出
液を凍結乾燥して、7β−[2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]
−3−[(E)−2−(N,N−ジメチルカルバモイ
ル)エテニル]−3−セフェム−4−カルボン酸(シン
異性体)(化合物E)(376mg)を得る。前記有機
層を水および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後、真空下蒸発操作に付して、ベンズヒドリル7β−ア
ミノ−3−[(Z)−2−(N,N−ジメチルカルバモ
イル)エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラー
ト(化合物F)(1.59g)を得る。 IR(ヌジョール) 化合物E : 1760, 1715, 1615 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) 化合物E : 2.35 (2H,br s), 2.81 & 2.87 (3H それぞ
れ,いずれも s),3.47 & 3.63 (2H,ABq,J=18Hz), 4.86
(1H,d-様), 5.05 (1H,d,J=5Hz),6.15 (1H,d,J=12Hz),
6.50 (1H,d,J=12Hz), 7.2-7.6 (10H,m) 化合物F : 2.35 (2H,br s), 2.81 & 2.87 (3H それぞ
れ,いずれも s),3.47 & 3.63 (2H,ABq,J=18Hz), 4.86
(1H,d,J=5Hz), 5.05 (1H,d,J=5Hz),6.15 (1H,d,J=12H
z), 6.50 (1H,d,J=12Hz), 6.88 (1H,s), 7.2-7.6(10H,
m)
3−[(Z)−2−(N,N−ジメチルカルバモイル)
エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート
(3.68g)のアセトニトリル(45ml)溶液にp
−トルエンスルホン酸1水和物(2.48g)を加え、
混合物を40℃で1時間撹拌する。反応混合物を酢酸エ
チル(70ml)と水(70ml)の混合物に注ぎ、混
合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液でpH7.0に調
整する。水層を有機層から分離する。水層にテトラヒド
ロフラン(70ml)を加え、混合物を5℃に冷却す
る。混合物に2−(2−アミノチアゾール−4−イル)
−2−アセトキシイミノアセチルクロリド・塩酸塩(シ
ン異性体)(800mg)を少量づつ加える。pHを7
に維持しながら反応混合物を5℃で4.5時間撹拌す
る。反応混合物にメタノール(10ml)と塩化アンモ
ニウム(578mg)を加え、pHを8.3に維持しな
がら反応混合物を室温で1.5時間撹拌後、pHを3に
調整し、有機溶媒を減圧留去する。水溶液をダイヤイオ
ンHP−20を用いるクロマトグラフィーに付し、8−
12%イソプロピルアルコール水溶液で溶出する。溶出
液を凍結乾燥して、7β−[2−(2−アミノチアゾー
ル−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド]
−3−[(E)−2−(N,N−ジメチルカルバモイ
ル)エテニル]−3−セフェム−4−カルボン酸(シン
異性体)(化合物E)(376mg)を得る。前記有機
層を水および食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥
後、真空下蒸発操作に付して、ベンズヒドリル7β−ア
ミノ−3−[(Z)−2−(N,N−ジメチルカルバモ
イル)エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラー
ト(化合物F)(1.59g)を得る。 IR(ヌジョール) 化合物E : 1760, 1715, 1615 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) 化合物E : 2.35 (2H,br s), 2.81 & 2.87 (3H それぞ
れ,いずれも s),3.47 & 3.63 (2H,ABq,J=18Hz), 4.86
(1H,d-様), 5.05 (1H,d,J=5Hz),6.15 (1H,d,J=12Hz),
6.50 (1H,d,J=12Hz), 7.2-7.6 (10H,m) 化合物F : 2.35 (2H,br s), 2.81 & 2.87 (3H それぞ
れ,いずれも s),3.47 & 3.63 (2H,ABq,J=18Hz), 4.86
(1H,d,J=5Hz), 5.05 (1H,d,J=5Hz),6.15 (1H,d,J=12H
z), 6.50 (1H,d,J=12Hz), 6.88 (1H,s), 7.2-7.6(10H,
m)
【0051】実施例3 (1) ベンズヒドリル7β−アミノ−3−[(E)−
2−(N,N−ジメチルカルバモイル)エテニル]−3
−セフェム−4−カルボキシラート(1.63g)の塩
化メチレン(20ml)溶液にビス(トリメチルシリ
ル)アセトアミド(2.61ml)を加える。混合物を
室温で10分間撹拌後、5℃に冷却する。反応混合物に
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキ
シイミノアセチルクロリド・塩酸塩(シン異性体)
(1.08g)を加え、混合物を5℃で2時間撹拌す
る。反応混合物を酢酸エチルと水の混合物に注ぎ、混合
物を炭酸水素ナトリウム水溶液でpH6.0に調整す
る。有機層を分離し、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、真空下蒸発操作に付す。残留物に酢酸エチ
ルを加え、不溶物を濾取して、ベンズヒドリル7β−
[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−メト
キシイミノアセトアミド−3−[(E)−2−(N,N
−ジメチルカルバモイル)エテニル]−3−セフェム−
4−カルボキシラート(シン異性体)(895mg)を
黄色粉末として得る。 IR(ヌジョール): 1770, 1710, 1665, 1625, 1580, 15
20 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.89, (3H,s), 3.08 (3H,s), 3.69
& 4.12 (2H,ABq,J=18Hz), 3.85 (3H,s), 5.31 (1H,d,J
=5Hz), 5.93 (1H,dd,J=5Hz, 8Hz),6.78 (1H,s), 6.90
(1H,d,J=15Hz), 6.95 (1H,s), 7.2-7.5 (12H,m),7.56
(1H,d,J=15Hz), 9.70 (1H,d,J=8Hz) 実施例3−(1)と同様にして下記の化合物を得る。
2−(N,N−ジメチルカルバモイル)エテニル]−3
−セフェム−4−カルボキシラート(1.63g)の塩
化メチレン(20ml)溶液にビス(トリメチルシリ
ル)アセトアミド(2.61ml)を加える。混合物を
室温で10分間撹拌後、5℃に冷却する。反応混合物に
2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキ
シイミノアセチルクロリド・塩酸塩(シン異性体)
(1.08g)を加え、混合物を5℃で2時間撹拌す
る。反応混合物を酢酸エチルと水の混合物に注ぎ、混合
物を炭酸水素ナトリウム水溶液でpH6.0に調整す
る。有機層を分離し、食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、真空下蒸発操作に付す。残留物に酢酸エチ
ルを加え、不溶物を濾取して、ベンズヒドリル7β−
[2−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−メト
キシイミノアセトアミド−3−[(E)−2−(N,N
−ジメチルカルバモイル)エテニル]−3−セフェム−
4−カルボキシラート(シン異性体)(895mg)を
黄色粉末として得る。 IR(ヌジョール): 1770, 1710, 1665, 1625, 1580, 15
20 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.89, (3H,s), 3.08 (3H,s), 3.69
& 4.12 (2H,ABq,J=18Hz), 3.85 (3H,s), 5.31 (1H,d,J
=5Hz), 5.93 (1H,dd,J=5Hz, 8Hz),6.78 (1H,s), 6.90
(1H,d,J=15Hz), 6.95 (1H,s), 7.2-7.5 (12H,m),7.56
(1H,d,J=15Hz), 9.70 (1H,d,J=8Hz) 実施例3−(1)と同様にして下記の化合物を得る。
【0052】(2) ベンズヒドリル7β−[2−(2
−アミノチアゾール−4−イル)−2−アセトキシイミ
ノアセトアミド]−3−[(E)−2−カルバモイルエ
テニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(シン
異性体) IR(ヌジョール): 1770, 1670, 1525 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.19 (3H,s), 3.74 & 3.86 (2H,AB
q,J=17.7Hz), 5.34(1H,d,J=5.0Hz), 5.98 (1H,dd,J=8.1
& 5.0Hz), 6.37 (1H,d,J=15.6Hz), 6.96 (1H,s), 7.11
(1H,s), 7.2-7.6 (13H,m), 9.98 (1H,d,J=8.1Hz) (3) ベンズヒドリル7β−[2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[(E)−2−カルバモイルエテニル]−3
−セフェム−4−カルボキシラート(シン異性体) IR(ヌジョール): 1780, 1670, 1520 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 3.7-3.9 (2H,m), 3.85 (3H,s), 5.
29 (1H,d,J=5.0Hz),5.94 (1H,dd,J=8.2 & 5.0Hz), 6.35
(1H,d,J=15.6Hz), 6.75 (1H,s),6.96 (1H,s), 7.2-7.6
(13H,m), 9.69 (1H,d,J=8.2Hz)
−アミノチアゾール−4−イル)−2−アセトキシイミ
ノアセトアミド]−3−[(E)−2−カルバモイルエ
テニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート(シン
異性体) IR(ヌジョール): 1770, 1670, 1525 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.19 (3H,s), 3.74 & 3.86 (2H,AB
q,J=17.7Hz), 5.34(1H,d,J=5.0Hz), 5.98 (1H,dd,J=8.1
& 5.0Hz), 6.37 (1H,d,J=15.6Hz), 6.96 (1H,s), 7.11
(1H,s), 7.2-7.6 (13H,m), 9.98 (1H,d,J=8.1Hz) (3) ベンズヒドリル7β−[2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[(E)−2−カルバモイルエテニル]−3
−セフェム−4−カルボキシラート(シン異性体) IR(ヌジョール): 1780, 1670, 1520 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 3.7-3.9 (2H,m), 3.85 (3H,s), 5.
29 (1H,d,J=5.0Hz),5.94 (1H,dd,J=8.2 & 5.0Hz), 6.35
(1H,d,J=15.6Hz), 6.75 (1H,s),6.96 (1H,s), 7.2-7.6
(13H,m), 9.69 (1H,d,J=8.2Hz)
【0053】実施例4 (1) ベンズヒドリル7β−[2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[(E)−(N,N−ジメチルカルバモイ
ル)エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート
(シン異性体)(880mg)と塩化メチレン(4.4
ml)の混合物にアニソール(0.88ml)を加え、
混合物を5℃に冷却する。これにトリフルオロ酢酸
(1.8ml)を加え、混合物を5℃で45分間撹拌す
る。反応混合物をイソプロピルエーテルに滴下し、不溶
物を濾取し、イソプロピルエーテルで洗浄後、真空下に
乾燥する。粉末をpH4で水(50ml)に溶解する。
溶液をダイヤイオンHP−20(20ml)を用いるク
ロマトグラフィーに付し、4%イソプロピルアルコール
水溶液で溶出する。溶出液を凍結乾燥して、7β−[2
−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミド]−3−[(E)−2−(N,N−
ジメチルカルバモイル)エテニル]−3−セフェム−4
−カルボン酸(シン異性体)(300mg)を得る。 IR(ヌジョール): 3600-3100 (br), 1760, 1600 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.88, (3H,s), 3.08 (3H,s), 3.56
& 3.87 (2H,ABq,J=17Hz), 3.84 (3H,s), 5.17 (1H,d,J
=17Hz), 5.73 (1H,dd,J=5Hz,8Hz), 6.61 (1H,d,J=15H
z), 6.76 (1H,s), 7.24 (2H,br s), 7.60 (1H,d,J=15H
z), 9.64 (1H,d,J=8Hz) 実施例4−(1)と同様にして下記の化合物を得る。 (2)7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−
[(E)−2−カルバモイルエテニル]−3−セフェム
−4−カルボン酸(シン異性体) IR(ヌジョール): 3150, 1760, 1650, 1520 cm-1 NMR (D2O + NaHCO3,δ) : 3.68 (2H,s), 3.99 (3H,s),
5.29 (1H,d,J=4.8Hz),5.84 (1H,d,J=4.8Hz), 6.19 (1H,
d,J=15.8Hz), 7.01 (1H,s), 7.49 (1H,d,J=15.8Hz)
ゾール−4−イル)−2−メトキシイミノアセトアミ
ド]−3−[(E)−(N,N−ジメチルカルバモイ
ル)エテニル]−3−セフェム−4−カルボキシラート
(シン異性体)(880mg)と塩化メチレン(4.4
ml)の混合物にアニソール(0.88ml)を加え、
混合物を5℃に冷却する。これにトリフルオロ酢酸
(1.8ml)を加え、混合物を5℃で45分間撹拌す
る。反応混合物をイソプロピルエーテルに滴下し、不溶
物を濾取し、イソプロピルエーテルで洗浄後、真空下に
乾燥する。粉末をpH4で水(50ml)に溶解する。
溶液をダイヤイオンHP−20(20ml)を用いるク
ロマトグラフィーに付し、4%イソプロピルアルコール
水溶液で溶出する。溶出液を凍結乾燥して、7β−[2
−(2−アミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシ
イミノアセトアミド]−3−[(E)−2−(N,N−
ジメチルカルバモイル)エテニル]−3−セフェム−4
−カルボン酸(シン異性体)(300mg)を得る。 IR(ヌジョール): 3600-3100 (br), 1760, 1600 cm-1 NMR (DMSO-d6,δ) : 2.88, (3H,s), 3.08 (3H,s), 3.56
& 3.87 (2H,ABq,J=17Hz), 3.84 (3H,s), 5.17 (1H,d,J
=17Hz), 5.73 (1H,dd,J=5Hz,8Hz), 6.61 (1H,d,J=15H
z), 6.76 (1H,s), 7.24 (2H,br s), 7.60 (1H,d,J=15H
z), 9.64 (1H,d,J=8Hz) 実施例4−(1)と同様にして下記の化合物を得る。 (2)7β−[2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−
[(E)−2−カルバモイルエテニル]−3−セフェム
−4−カルボン酸(シン異性体) IR(ヌジョール): 3150, 1760, 1650, 1520 cm-1 NMR (D2O + NaHCO3,δ) : 3.68 (2H,s), 3.99 (3H,s),
5.29 (1H,d,J=4.8Hz),5.84 (1H,d,J=4.8Hz), 6.19 (1H,
d,J=15.8Hz), 7.01 (1H,s), 7.49 (1H,d,J=15.8Hz)
【0054】実施例5 ベンズヒドリル7β−[2−(2−アミノチアゾール−
4−イル)−2−アセトキシイミノアセトアミド]−3
−[(E)−2−カルバモイルエテニル]−3−セフェ
ム−4−カルボキシラート(シン異性体)(1.86
g)のジクロロメタン(10ml)−アニソール(2m
l)中懸濁液にトリフルオロ酢酸(4ml)を5℃で加
え、混合物を同温で1.8時間撹拌する。混合物をイソ
プロピルエーテル(300ml)に滴下し、得られた析
出物を濾取し、イソプロピルエーテルで洗浄後、真空下
に乾燥する。残留物を水(60ml)とメタノール(6
ml)の混合物に溶解し、この溶液に塩化アンモニウム
(462mg)を加える。混合物を飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液でpH8.0に調整後、室温で1.5時間撹
拌する。反応混合物をpH6.0に調整し、メタノール
を減圧留去する。水溶液をpH4.2に調整後、ダイヤ
イオンHP−20(40ml)を用いるクロマトグラフ
ィーに付し、5%イソプロピルアルコール水溶液で溶出
する。溶出液を凍結乾燥して、7β−[2−(2−アミ
ノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセ
トアミド]−3−[(E)−2−カルバモイルエテニ
ル]−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)
(215mg)を得る。 IR(ヌジョール): 1760, 1640, 1540 cm-1 NMR (D2O + NaHCO3,δ) : 3.68 (2H,s), 5.30 (1H,d,J=
4.8Hz), 5.87 (1H,d,J=4.8Hz), 6.19 (1H,d,J=15.8Hz),
7.01 (1H,s), 7.49 (1H,d,J=15.8Hz)
4−イル)−2−アセトキシイミノアセトアミド]−3
−[(E)−2−カルバモイルエテニル]−3−セフェ
ム−4−カルボキシラート(シン異性体)(1.86
g)のジクロロメタン(10ml)−アニソール(2m
l)中懸濁液にトリフルオロ酢酸(4ml)を5℃で加
え、混合物を同温で1.8時間撹拌する。混合物をイソ
プロピルエーテル(300ml)に滴下し、得られた析
出物を濾取し、イソプロピルエーテルで洗浄後、真空下
に乾燥する。残留物を水(60ml)とメタノール(6
ml)の混合物に溶解し、この溶液に塩化アンモニウム
(462mg)を加える。混合物を飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液でpH8.0に調整後、室温で1.5時間撹
拌する。反応混合物をpH6.0に調整し、メタノール
を減圧留去する。水溶液をpH4.2に調整後、ダイヤ
イオンHP−20(40ml)を用いるクロマトグラフ
ィーに付し、5%イソプロピルアルコール水溶液で溶出
する。溶出液を凍結乾燥して、7β−[2−(2−アミ
ノチアゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセ
トアミド]−3−[(E)−2−カルバモイルエテニ
ル]−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)
(215mg)を得る。 IR(ヌジョール): 1760, 1640, 1540 cm-1 NMR (D2O + NaHCO3,δ) : 3.68 (2H,s), 5.30 (1H,d,J=
4.8Hz), 5.87 (1H,d,J=4.8Hz), 6.19 (1H,d,J=15.8Hz),
7.01 (1H,s), 7.49 (1H,d,J=15.8Hz)
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式: 【化1】 [式中、R1 はアミノまたは保護されたアミノ、R2 は
水素または有機基、R3 はカルボキシまたは保護された
カルボキシ、R4 は適当な置換基を有していてもよいカ
ルバモイル、ZはNまたはCHをそれぞれ示す]で表わ
される新規セフェム化合物およびその医薬として許容さ
れる塩。 - 【請求項2】 一般式: 【化2】 [式中、R3 はカルボキシまたは保護されたカルボキ
シ、R4 は適当な置換基を有していてもよいカルバモイ
ルをそれぞれ示す]で表わされる化合物およびその塩。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB919115159A GB9115159D0 (en) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | New cephem compounds and processes for preparation thereof |
| GB9115159-7 | 1991-07-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05202061A true JPH05202061A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=10698322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4178656A Pending JPH05202061A (ja) | 1991-07-12 | 1992-07-06 | 新規セフェム化合物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05202061A (ja) |
| GB (1) | GB9115159D0 (ja) |
-
1991
- 1991-07-12 GB GB919115159A patent/GB9115159D0/en active Pending
-
1992
- 1992-07-06 JP JP4178656A patent/JPH05202061A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9115159D0 (en) | 1991-08-28 |
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