JPH05209931A - 半導体素子測定装置 - Google Patents

半導体素子測定装置

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JPH05209931A
JPH05209931A JP350892A JP350892A JPH05209931A JP H05209931 A JPH05209931 A JP H05209931A JP 350892 A JP350892 A JP 350892A JP 350892 A JP350892 A JP 350892A JP H05209931 A JPH05209931 A JP H05209931A
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measuring apparatus
measurement
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Shigeru Suzuki
滋 鈴木
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Abstract

(57)【要約】 【目的】オートハンドラによる半導体素子の測定を行な
う場合に、外因ノイズの影響を遮断し、測定値を安定さ
せ測定精度を向上させることを目的とする。 【構成】半導体素子hを測定時に固定するソケットbを
取り付けた金属製の測定テーブルcと、それと平行に半
導体素子を押える部分と一体化されて配置される金属製
のシールド板lをもち、その測定テーブルとシールド板
をハンドラ本体から電気的に絶縁し、測定系の接地線に
接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子測定装置に関
し、特にオートハンドラを使用した微小信号測定時に有
効な半導体素子測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体素子測定装置は、図7に示
すように半導体素子hを装着するソケットbを取付けた
測定テーブルcを絶縁部gによりハンドラ本体fより電
気的に絶縁する。測定用テストボックスdは測定テーブ
ルcと電気的に接続されており、ハンドラ側とは独立し
た測定系接地線に接続されている。
【0003】半導体素子hを押える機構は、吸着ノズル
i,リード固定部j,リード固定部品支持部kより構成
され、各部品は全て絶縁物により構成されていて、半導
体素子hに対して電気的に絶縁されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体素子
測定装置のシールド機構では、測定時に半導体素子の上
方がカバーされておらず、製品押え部が絶縁された状態
でハンドラ側,測定器側のいずれにも接続されていない
ため、半導体素子を供給するハンドラのメカ駆動パルス
モータ,サーボモータ,大電流スイッチ回路からの高周
波伝搬ノイズを完全に遮断できず、測定値が安定しな
い,測定精度が悪化する等の問題点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
素子を固定するソケットを取付けた導電性の測定テーブ
ルと、導電性の半導体素子押え部と、押え部と電気的に
接続された導電性のシールド板とを有し、測定テーブル
とシールド板とはハンドラから電気的に絶縁されている
半導体素子測定装置が得られる。
【0006】更に、本発明によれば、測定テーブルとシ
ールド板とが接地されている前述の半導体素子測定装置
が得られる。
【0007】更にまた、本発明によれば、測定テーブル
とシールド板とが更に測定用テストボックスと電気的に
接続されている前述の半導体素子測定装置が得られる。
【0008】また、本発明によれば、シールド板が複数
の板からなる前述の半導体素子測定装置が得られる。
【0009】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0010】図1は本発明の第一の実施例を示す半導体
素子測定装置の断面図である。図2は図1の測定装置の
製品押え部の拡大図、図3は図2の製品押え部を吸着ノ
ズル上方から見た図であり、左側はシールド板付、右側
はシールド板を取り除いた状態をそれぞれ示している。
【0011】半導体素子hは、ハンドラ本体fより絶縁
部gにより電気的に絶縁された金属製の測定テーブルc
に組込まれたソケットbに吸着ノズルiとリード固定部
jにより固定される。このとき、リ−ド固定部品支持部
kと金属製の吸着ノズルiが一体化構造をもち、測定テ
ーブルcと平行に金属製のシールド板lが配置される。
この状態で、製品押え部aはハンドラfからは絶縁され
ており、測定テーブルcと電気的に接続されたテストボ
ックスdにGND線eにより接続される。このとき、テ
ストボックスdはハンドラとは独立に測定系の接地線に
接続されている。
【0012】シールド板の大きさは、下記の仕様のとき
に測定に影響する外因ノイズの遮断に対して硬化が得ら
れた。
【0013】図4においてシールド板の一辺の長さWが
半導体素子の大きさと比較して十分大きく、かつ、半導
体素子の上面からシールド板までの高さHとWの関係
は、W≧3Hである。
【0014】図5は本発明の第2の実施例を示す半導体
素子測定装置の機構動作図であり、図6は本発明の一実
施例の半導体素子測定装置のシールド板の平面図であ
る。第2の実施例においては、複数に分割されている。
【0015】図5(A)の状態で半導体素子hは吸着ノ
ズルiにより測定テーブルc上のソケットbの位置まで
搬送される。この状態で図5(B)のように半導体素子
hはソケットb上に押えられる。
【0016】次に、図5(C)のように左右のリード固
定部j,シールド板lが半導体素子hを固定する。
【0017】このとき、図6に示す吸着ノズルへの接続
用くぼみmによりシールド板lと吸着ノズルiが電気的
に接続する。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ハンドラ
本体とは電気的に絶縁され、互いに平行に配置された測
定テーブルとシールド板とをもち、両者を測定用テスト
ボックスに電気的に接続した構造を有するため、半導体
素子の測定に際し、外因ノイズの影響をノイズのピーク
レベルとして約90%遮断でき、その結果測定値の安定
性,測定値の精度向上を計れるという効果を有する。
【0019】また、シールド板を左右に2分割し、吸着
ノズルから分離し、各々を独立に動作させることによ
り、吸着ノズルを含む半導体素子の搬送系が軽量化でき
るので、メカ動作のスピードアップ及びシールド板開閉
などのロスタイムの短縮が容易に行なえるので、オート
ハンドラの能力の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第一の実施例を示す半導体素子測
定装置の断面図である。
【図2】図1に示した測定装置のリード押え部の拡大図
である。
【図3】図2のリード押え部を吸着ノズル上方より見た
平面図である。
【図4】本発明による第1の実施例を示す半導体素子の
測定装置のモデル断面図である。
【図5】本発明の第二の実施例を示す半導体素子測定装
置の機構動作図である。
【図6】本発明の第2の実施例を示す半導体素子測定装
置のシールド板の平面図である。
【図7】従来の半導体素子測定装置の断面図である。
【符号の説明】
a 製品押え部 b ソケット c 測定テーブル d テストボックス e GND線 f ハンドラ本体 g 絶縁部 h 半導体素子 i 吸着ノズル j リード固定部 k リード固定部品支持部 l シールド板 m 吸着ノズルへの接続用くぼみ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子を固定するソケットを取付け
    た導電性の測定テーブルと、導電性の前記半導体素子押
    え部と、前記押え部と電気的に接続された導電性のシー
    ルド板とを有し、前記測定テーブルと前記シールド板と
    はハンドラから電気的に絶縁されていることを特徴とす
    る半導体素子測定装置。
  2. 【請求項2】 前記測定テーブルと前記シールド板とが
    接地されていることを特徴とする請求項1記載の半導体
    素子測定装置。
  3. 【請求項3】 前記測定テーブルと前記シールド板とが
    更に測定用テストボックスと電気的に接続されているこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体素子測定装置。
  4. 【請求項4】 前記シールド板が複数の板からなること
    を特徴とする請求項1記載の半導体素子測定装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006047306A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Agilent Technol Inc 自動試験システム内において電磁干渉シールドする方法及び装置
JP2006194699A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd プロービング装置
KR100714569B1 (ko) * 2006-04-17 2007-05-07 삼성전기주식회사 반도체 집적회로 시험장치
JP5379474B2 (ja) * 2006-04-28 2013-12-25 日本発條株式会社 導電性接触子ホルダ
US10897840B2 (en) 2016-06-13 2021-01-19 Advanced Semiconductor Engineering Korea, Inc. Shield box, shield box assembly and apparatus for testing a semiconductor device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58124240A (ja) * 1982-01-20 1983-07-23 Hitachi Ltd 半導体装置用検査装置
JPH03263348A (ja) * 1990-03-13 1991-11-22 Fujitsu Ltd Icキャリアおよび吸着搬送装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58124240A (ja) * 1982-01-20 1983-07-23 Hitachi Ltd 半導体装置用検査装置
JPH03263348A (ja) * 1990-03-13 1991-11-22 Fujitsu Ltd Icキャリアおよび吸着搬送装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006047306A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Agilent Technol Inc 自動試験システム内において電磁干渉シールドする方法及び装置
TWI393528B (zh) * 2004-07-30 2013-04-11 Advantest Singapore Pte Ltd 於自動化測試系統中進行電磁干擾屏蔽之方法與裝置
JP2006194699A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd プロービング装置
KR100714569B1 (ko) * 2006-04-17 2007-05-07 삼성전기주식회사 반도체 집적회로 시험장치
JP5379474B2 (ja) * 2006-04-28 2013-12-25 日本発條株式会社 導電性接触子ホルダ
US10897840B2 (en) 2016-06-13 2021-01-19 Advanced Semiconductor Engineering Korea, Inc. Shield box, shield box assembly and apparatus for testing a semiconductor device

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