JPH05211129A - イオン注入装置におけるウェハ載置用ゴム板の押付け用モールド加工方法 - Google Patents
イオン注入装置におけるウェハ載置用ゴム板の押付け用モールド加工方法Info
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- JPH05211129A JPH05211129A JP3089308A JP8930891A JPH05211129A JP H05211129 A JPH05211129 A JP H05211129A JP 3089308 A JP3089308 A JP 3089308A JP 8930891 A JP8930891 A JP 8930891A JP H05211129 A JPH05211129 A JP H05211129A
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Abstract
用のゴム板を貼り付けるために使用されるモールドを改
良してゴム板とウェハとの密着性及びウェハのスティッ
キング防止に寄与せしめる。 【構成】 モールド(25)をその周縁部において固定
状態とし、このモールドの被加工面とは反対側の面の中
心部に押付け力を作用させた状態で前記被加工面にフラ
イス加工を施すことにより、前記被加工面が凹球面とな
るようにした。この凹球面をゴム板への押圧面としてゴ
ム板をウェハ保持部にセットする。
Description
部に保持されたウェハにイオンビームを照射するイオン
注入装置におけるウェハ冷却のための改良に関し、具体
的にはウェハの冷却促進及びウェハとゴム板との間のス
テッキング防止のためにウェハ保持部に設置されるゴム
板の設置状態を良好にするための改良に関する。
簡単に説明する。図3において、ディスクチャンバ20
内にウェハ保持用のディスク21が回転可能に配設され
ている。ディスク21は図示しない駆動装置により中心
軸22の回りに高速で回転される。ディスク21の周縁
部に近い環状領域には複数のウェハ保持部が周方向に等
間隔をおいて設けられており、それぞれのウェハ保持部
にウェハ23が保持されている。図示しないイオン発生
源よりイオンビーム24が発生され、このイオンビーム
24はディスク21の半径方向にスキャンされること
で、回転しているディスク21上の各ウェハ23にイオ
ンが注入される。
中の温度上昇を抑制するという目的で冷却効果の高いゴ
ム板(例えば、室温硬化性シリコーンゴム)を介してウ
ェハ保持部に保持される。このゴム板は、モールドと呼
ばれる治具によりウェハ保持部にセットされる。このこ
とを図4を参照して簡単に説明すると、モールド25は
ディスク21のウェハ保持部26にゴム板27を貼り付
けるための押し型であり、モールド25の表面形状及び
表面粗さがそのままゴム板27の表面形状、表面粗さに
反映される。モールドの一例として、ゴム板への押付け
面が凹球面となるように旋盤加工にて仕上げたものがあ
る。しかし、このモールドは旧タイプのイオン注入装
置、すなわちウェハをゴム板に押付けるためのウェハ表
面クランプ機構を有するディスクを用い、しかもウェハ
をゴム板に対してロード、アンロードする都度ディスク
が大気解放されるタイプのイオン注入装置に用いられる
ものであった。
たイオン注入装置、すなわちウェハ表面クランプ機構を
廃したクランプレスディスクを使用し、ロード、アンロ
ードを真空中にて行うロードロック機構を有するイオン
注入装置では、上述のモールドを使用してセットしたゴ
ム板ではウェハ冷却効果が不十分である。その原因とし
ては、第1にモールドが旋盤により凹球面に加工されて
いるため、加工面に同心円状のバイト目が段状に残り、
面粗度も粗くゴム板とウェハとの密着性が不十分である
ことがあげられる。第2の原因としては、ロードロック
タイプのイオン注入装置では、ディスクは常時真空中に
置かれているためゴム板が硬化し、均一で十分な熱伝導
が行われないことが考えられる。
種の改良が加えられている。その第1の例として、モー
ルド表面(ウェハと接する側の面)を平面とし、研摩加
工にて表面仕上げを行なって面粗度を向上させたものが
提供されている。このようなモールドを使用すること
で、ゴム板に対するウェハの密着性を良くし、ウェハ冷
却効果を高めることができる。しかし、密着性が良くな
るためにウェハのスティッキング(ウェハがゴムに貼り
付いて離れにくくなる)が発生しやすくなる。また、研
摩加工の際にモールドの周縁部に肩だれ現象(周縁部が
滑らかな弧を描くようになる)を生じ易い。このような
モールドによりセットされたゴム板はその周縁部におい
て滑らかな凹面を形成することとなり、ウェハのスティ
ッキングを更に助長する。加えて、研摩加工は面粗度の
管理が難しい。
を解決する第2の例として、モールド表面をフライス加
工にて平面に仕上げたものが提供されている。フライス
加工によれば、モールド周縁部での肩だれ現象は無く、
加工条件(回転数、送り速度、切込み量等)を指定する
ことにより面粗度の管理も容易である。このようにして
モールド周縁部での肩だれ現象を無くしたことにより、
良好なウェハ冷却効果を得られるだけでなく、上記第1
の例のモールドに比べてウェハのスティッキングも発生
しにくい。しかし、スティッキングについては、更に発
生しにくくするための改良が望まれている。本発明の課
題は、ウェハの冷却効果の向上とウェハのスティッキン
グ防止に効果的なモールドの加工方法を提供することに
ある。
加工方法は、モールドをその周縁部において固定し、こ
のモールドの被加工面とは反対側の面の中心部に押付け
力を作用させた状態で前記被加工面にフライス加工を施
すことにより、前記被加工面が凹球面となるようにした
ことを特徴とする。
の周縁部が固定で、中央部が周縁部に比べて突出した状
態でフライス加工されることにより、被加工面はその中
央部領域の加工度が周縁部領域より高く、結果として被
加工面は曲率半径の大きな凹球面となる。この凹球面
は、ディスクのウェハ保持部にゴム板を貼り付ける際の
押圧面となる。このようなモールドによりウェハ保持部
に貼り付けられたゴム板のウェハ載置面は凸球面とな
る。このようなゴム板にウェハを載置すると、ウェハ周
縁部ではゴム板との間に微小のすき間が生ずるので、ウ
ェハをゴム板から取り去る時離れ易くなる。なお、ウェ
ハ周縁部とゴム板との間のすき間は微小であって、しか
もイオン注入処理中はディスクの回転による遠心力の分
力でウェハがゴム板に押し付けられ、ウェハ周縁部もゴ
ム板に密着する。それ故、ゴム板とウェハとの密着性も
良く、ウェハ冷却に悪影響を及ぼすことも無い。
て説明する。図2において、本発明による加工方法は、
モールド25に対して図示しないフライス研削機により
フライス加工を施している間のモールド25の保持方法
に特徴がある。すなわち、モールド25はその側縁部で
あって90°の角度間隔をおいた位置に溝25−1を有
する。そして、モールド25を締付けにより保持する手
段として、プレート30と、モールド25を挾持するた
めの2つの分割リング31,32と、モールド25にた
わみを与えるための押しボルト33とから成る保持機構
を用いる。
において機械的に分離可能な状態で結合しており、モー
ルド25の溝25−1に対応した位置には溝25−1に
嵌入可能な突出部31a,31b,32a,32bを有
する。分割リング31,32はまた、突出部31a,3
1b,32a,32bの設置箇所に、ねじによるプレー
ト30への取付部36,37,38,39を有する。す
なわち、各取付部36〜39においてねじ(図示せず)
をプレート30のねじ孔にねじ込むことにより、分割リ
ング31,32をプレート30に固定すると共に、プレ
ート30上のモールド25を挾持する。押しボルト33
は、プレート30の中心部にプレート30から出没自在
に設けられており、分割リング31,32により挾持さ
れているモールド25に対してその被加工面(図中、上
面)の中心部を図中上方に突出させるためのものであ
る。
法について順を追って説明する。図1(a)ではまず、
表面がフラットで側縁部の複数箇所に溝25−1を有す
るモールド25を固定する。図1(b)では図2で説明
した保持機構にモールド25をその被加工面を上にして
セットする。図1(c)では、押しボルト33によりモ
ールド25の中心部を押し上げ、たわませる。すなわ
ち、押しボルト33をねじ込むと、モールド25はその
周縁部が分割リング31,32で固定状態にあるので、
中心部のみが上方にたわむ。勿論、モールド25のたわ
み量は押しボルト33で調節可能であり、あらかじめ計
算された所望の値に設定される。図1(d)では図1
(c)でたわみを与えた状態で被加工面に対してフライ
ス研削機(図示せず)によりフライス加工を施す。フラ
イス加工によれば面粗度の良好な加工面が得られる。フ
ライス加工が終了したら、図1(e)に示す如く、押し
ボルト33を元の位置に戻し、モールド25に対するた
わみを除去する。モールド25を保持機構から取り外す
と、図1(f)に示す如く、モールド25には面粗度が
良好でしかも被加工面の中心部が最も深いゆるやかな曲
率による凹球面が形成される。
球面をゴム板への押圧面として図4に示すように、ゴム
板27をウェハ保持部26に貼り付ける。このようにし
て貼り付けられたゴム板は、そのウェハ載置面(上面)
がゆるやかでしかも面粗度の良好な凸球面となる。この
ようなゴム板にウェハを載置すると、ウェハ周縁部では
ゴム板との間に微小のすき間ができるので、イオン注入
処理の終了後ウェハをゴム板から取り去る時にステッキ
ングを生ずることが無くなる。一方、イオン注入処理中
は、ディスクが高速で回転してウェハは遠心力の分力で
ゴム板に密着するように押し付けられるのでゴム板とウ
ェハとの密着性が良く、所望のウェハ冷却効果を得るこ
とができる。
方法によれば、ゴム板を押圧するモールド表面をフライ
ス加工により面粗度の良好な凹球面とすることにより、
スティッキング発生が非常に少なく、しかもウェハ冷却
効果の高いゴム板の貼り付け状態を提供することができ
る。
の図である。
持機構を示した図である。
示した図である。
た図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 所定形状のモールドをその周縁部におい
て固定し、該モールドの被加工面とは反対側の面の中心
部に押付け力を作用させた状態で前記被加工面にフライ
ス加工を施すことにより、前記被加工面が凹球面となる
ようにしたことを特徴とするイオン注入装置におけるウ
ェハ載置用ゴム板の押付け用モールド加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3089308A JP2748194B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | イオン注入装置におけるウェハ載置用ゴム板の押付け用モールド加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3089308A JP2748194B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | イオン注入装置におけるウェハ載置用ゴム板の押付け用モールド加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211129A true JPH05211129A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2748194B2 JP2748194B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=13967039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3089308A Expired - Fee Related JP2748194B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | イオン注入装置におけるウェハ載置用ゴム板の押付け用モールド加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748194B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10177964A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | イオン注入機用プラテン |
| US6826822B2 (en) * | 2001-03-05 | 2004-12-07 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for preparing rubber plate used in an ion implanter |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3089308A patent/JP2748194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10177964A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | イオン注入機用プラテン |
| US6826822B2 (en) * | 2001-03-05 | 2004-12-07 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for preparing rubber plate used in an ion implanter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748194B2 (ja) | 1998-05-06 |
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