JPH052143B2 - - Google Patents
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- JPH052143B2 JPH052143B2 JP10701385A JP10701385A JPH052143B2 JP H052143 B2 JPH052143 B2 JP H052143B2 JP 10701385 A JP10701385 A JP 10701385A JP 10701385 A JP10701385 A JP 10701385A JP H052143 B2 JPH052143 B2 JP H052143B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
-
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、フオトマスクの作成時におけるフオ
トマスクブランクスのエツチング方法に関し、更
に詳しくは透明基板上にクロム、酸化クロム多層
遮光層を備えたフオトマスクブランクスの該遮光
層上に常法に従つてフオトレジスト等の所望パタ
ーンの被覆体を設け、該被覆体で覆われていない
部分をエツチングして窓部を形成するフオトマス
クブランクスのエツチング方法に関する。
トマスクブランクスのエツチング方法に関し、更
に詳しくは透明基板上にクロム、酸化クロム多層
遮光層を備えたフオトマスクブランクスの該遮光
層上に常法に従つてフオトレジスト等の所望パタ
ーンの被覆体を設け、該被覆体で覆われていない
部分をエツチングして窓部を形成するフオトマス
クブランクスのエツチング方法に関する。
（従来の技術）
従来、この種フオトマスクブランクスのエツチ
ング方法としては、第１図示の如く透明基板ａ上
にクロム層ｂと酸化クロム層ｃの多層遮光層ｄを
備えたフオトマスクブランクスｅの該遮光層ｄ上
に常法に従つてフオトレジスト等の被覆体ｆを設
けて所望パターンを形成し、次で第２図示の如く
被覆体ｆで覆われていない部分の遮光層ｄをセリ
ウム（）塩系エツチング液でエツチングして窓
部ｈを形成する方法が知られている。
ング方法としては、第１図示の如く透明基板ａ上
にクロム層ｂと酸化クロム層ｃの多層遮光層ｄを
備えたフオトマスクブランクスｅの該遮光層ｄ上
に常法に従つてフオトレジスト等の被覆体ｆを設
けて所望パターンを形成し、次で第２図示の如く
被覆体ｆで覆われていない部分の遮光層ｄをセリ
ウム（）塩系エツチング液でエツチングして窓
部ｈを形成する方法が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前記従来法によれば、セリウム
（）塩系エツチング液によるクロムと酸化クロ
ムに対するエツチング速度が４：１と差があるた
めに、第２図示の如くクロム層ｂの方がエツチン
グされ過ぎて酸化クロム層ｃにオーバハング部ｇ
が形成されてしまいクリテイカルデイメンシヨン
にばらつきが生じたり、また該オーバハング部ｇ
が欠落した場合にはパターンエツジにギザつきが
生じたりして、得られたフオトマスクのパターン
精度があまり良くないという不都合を有してい
た。
（）塩系エツチング液によるクロムと酸化クロ
ムに対するエツチング速度が４：１と差があるた
めに、第２図示の如くクロム層ｂの方がエツチン
グされ過ぎて酸化クロム層ｃにオーバハング部ｇ
が形成されてしまいクリテイカルデイメンシヨン
にばらつきが生じたり、また該オーバハング部ｇ
が欠落した場合にはパターンエツジにギザつきが
生じたりして、得られたフオトマスクのパターン
精度があまり良くないという不都合を有してい
た。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、過マンガン酸塩系エツチング液
が酸化クロム層のみを選択的にエツチングする性
質を有するという知見を得、かかる知見に基い
て、過マンガン酸塩系エツチング液によるエツチ
ング処理とセリウム（）塩系エツチング液によ
るエツチング処理とを組合せることによつてエツ
チング後の酸化クロム層とクロム層の端面を精確
に同一面に合せることができるフオトマスクブラ
ンクスのエツチング方法を提供するもので、その
第１発明は、透明基板上にクロム、酸化クロム多
層遮光層を備えたフオトマスクブランクスの該遮
光層上に常法に従つてフオトレジスト等の所望パ
ターンの被覆体を設け、該被覆体で覆われていな
い部分をエツチングして窓部を形成するフオトマ
スクブランクスのエツチング方法において、まず
セリウム（）塩系エツチング液で酸化クロム層
とクロム層を共にエツチングして、次で酸化クロ
ム層のオーバハングした部分を過マンガン酸塩系
エツチング液でエツチングしながらこれらクロム
層と酸化クロム層の端面を合わせることを特徴と
する。
が酸化クロム層のみを選択的にエツチングする性
質を有するという知見を得、かかる知見に基い
て、過マンガン酸塩系エツチング液によるエツチ
ング処理とセリウム（）塩系エツチング液によ
るエツチング処理とを組合せることによつてエツ
チング後の酸化クロム層とクロム層の端面を精確
に同一面に合せることができるフオトマスクブラ
ンクスのエツチング方法を提供するもので、その
第１発明は、透明基板上にクロム、酸化クロム多
層遮光層を備えたフオトマスクブランクスの該遮
光層上に常法に従つてフオトレジスト等の所望パ
ターンの被覆体を設け、該被覆体で覆われていな
い部分をエツチングして窓部を形成するフオトマ
スクブランクスのエツチング方法において、まず
セリウム（）塩系エツチング液で酸化クロム層
とクロム層を共にエツチングして、次で酸化クロ
ム層のオーバハングした部分を過マンガン酸塩系
エツチング液でエツチングしながらこれらクロム
層と酸化クロム層の端面を合わせることを特徴と
する。
また、本願の第２発明は、透明基板上にクロ
ム、酸化クロム多層遮光層を備えたフオトマスク
ブランクスの該遮光層上に常法に従つてフオトレ
ジスト等の所望パターンの被覆体を設け、該被覆
体で覆われていない部分をエツチングして窓部を
形成するフオトマスクブランクスのエツチング方
法において、まず過マンガン酸塩系エツチング液
で酸化クロム層のみをエツチングしておき、次で
セリウム（）塩系エツチング液で該酸化クロム
層と該クロム層をエツチングしながらこれら酸化
クロム層とクロム層の端面を合わせることを特徴
とする。
ム、酸化クロム多層遮光層を備えたフオトマスク
ブランクスの該遮光層上に常法に従つてフオトレ
ジスト等の所望パターンの被覆体を設け、該被覆
体で覆われていない部分をエツチングして窓部を
形成するフオトマスクブランクスのエツチング方
法において、まず過マンガン酸塩系エツチング液
で酸化クロム層のみをエツチングしておき、次で
セリウム（）塩系エツチング液で該酸化クロム
層と該クロム層をエツチングしながらこれら酸化
クロム層とクロム層の端面を合わせることを特徴
とする。
エツチングの対象となるフオトマスクブランク
スは、一般にガラス等の透明基板にクロム層と更
に酸化クロム層を蒸着法やスパツタリング法にて
多層遮光層に形成してある。
スは、一般にガラス等の透明基板にクロム層と更
に酸化クロム層を蒸着法やスパツタリング法にて
多層遮光層に形成してある。
フオトマスクブランクスの多層遮光層を所望パ
ターンに被覆する被覆体は、一般にはフオトレジ
ストを該遮光層の全面に亘つて被覆して原型パタ
ーンを介して予定区域のみ感光させ、これを現像
処理して該感光部或いは未感光部のみを該遮光層
上に残すフオトレジスト法などによつて形成す
る。
ターンに被覆する被覆体は、一般にはフオトレジ
ストを該遮光層の全面に亘つて被覆して原型パタ
ーンを介して予定区域のみ感光させ、これを現像
処理して該感光部或いは未感光部のみを該遮光層
上に残すフオトレジスト法などによつて形成す
る。
尚、フオトマスクブランクスは予めパターン化
されていないフオトレジスト被覆層を備えるよう
にしたものも用い得る。
されていないフオトレジスト被覆層を備えるよう
にしたものも用い得る。
過マンガン酸塩系エツチング液としては一般に
は亜鉛、アンモニウム、カドミウム、カリウム、
カルシウム、銀、ストロンチウム、セシウム、ナ
トリウム、バリウム、マグネシウム、リチウム、
ルビジウム等の過マンガン酸塩の1/10Ｎ〜3N溶
液が用いられる。
は亜鉛、アンモニウム、カドミウム、カリウム、
カルシウム、銀、ストロンチウム、セシウム、ナ
トリウム、バリウム、マグネシウム、リチウム、
ルビジウム等の過マンガン酸塩の1/10Ｎ〜3N溶
液が用いられる。
また、セリウム（）塩系エツチング液として
は、一般には硝酸第二セリウムアンモニウムと過
塩素酸の混合水溶液が用いられる。
は、一般には硝酸第二セリウムアンモニウムと過
塩素酸の混合水溶液が用いられる。
これら、両エツチング液を用いてクロム層と酸
化クロム層の端面を合せるには、各エツチング液
の液温とフオトマスクブランクスの各エツチング
液への浸漬時間を調整すること等によつて行う。
化クロム層の端面を合せるには、各エツチング液
の液温とフオトマスクブランクスの各エツチング
液への浸漬時間を調整すること等によつて行う。
（実施例）
以下、添附図面に従つて本願の第１発明並びに
第２発明の実施例を夫々実施例１及び実施例２と
して示す。
第２発明の実施例を夫々実施例１及び実施例２と
して示す。
実施例 １
まず、第３図示の如くガラス製の透明基板１上
に膜厚61nｍのクロム層２、及び膜厚25nｍの酸
化クロル層３の多層遮光層４を備えたフオトマス
クブランクス５を用意して、該遮光層４上にフオ
トレジスト（例えばAZ1350（ヘキスト社製））の
被覆層を設け、該被覆層に常法の現像処理を施し
てこれを所望パターンの被覆体６形成する。
に膜厚61nｍのクロム層２、及び膜厚25nｍの酸
化クロル層３の多層遮光層４を備えたフオトマス
クブランクス５を用意して、該遮光層４上にフオ
トレジスト（例えばAZ1350（ヘキスト社製））の
被覆層を設け、該被覆層に常法の現像処理を施し
てこれを所望パターンの被覆体６形成する。
次で、第４図示の如く該フオトマスクブランク
ス５を硝酸第二セリウムアンモニウム100ｇ、過
塩素酸26c.c.、純水440c.c.から成る液温20℃のエツ
チング液に60秒間浸漬して酸化クロム層３とクロ
ム層２を共にエツチングして窓部７を形成し、該
エツチング液を水洗する。
ス５を硝酸第二セリウムアンモニウム100ｇ、過
塩素酸26c.c.、純水440c.c.から成る液温20℃のエツ
チング液に60秒間浸漬して酸化クロム層３とクロ
ム層２を共にエツチングして窓部７を形成し、該
エツチング液を水洗する。
最後に、第５図示の如く該フオトマスクブラン
クス５を0.5Nの過マンガン酸カリウム水溶液か
ら成る液温60℃のエツチング液に180秒間浸漬し
て酸化クロム層３のオーバハングした部分をエツ
チングし、該エツチング液を水洗してエツチング
処理を終了した。
クス５を0.5Nの過マンガン酸カリウム水溶液か
ら成る液温60℃のエツチング液に180秒間浸漬し
て酸化クロム層３のオーバハングした部分をエツ
チングし、該エツチング液を水洗してエツチング
処理を終了した。
得られたフオトマスクの酸化クロム層３とクロ
ム層２の端面は極めて精確に同一面に整合してい
た。
ム層２の端面は極めて精確に同一面に整合してい
た。
実施例 ２
第６図示の如く実施例１と同様にして、フオト
マスクブランクス５に所望パターンのフオトレジ
スト被覆体６を形成する。
マスクブランクス５に所望パターンのフオトレジ
スト被覆体６を形成する。
次で、第７図示の如く該フオトマスクブランク
ス５を0.5Nの過マンガン酸カリウム水溶液から
成る液温60℃のエツチング液に180秒間浸漬して
セリウム（）塩系のエツチング液に対してクロ
ム層２よりもエツチングされにくい酸化クロム層
３のみを予めエツチングしておき、該エツチング
液を水洗いする。
ス５を0.5Nの過マンガン酸カリウム水溶液から
成る液温60℃のエツチング液に180秒間浸漬して
セリウム（）塩系のエツチング液に対してクロ
ム層２よりもエツチングされにくい酸化クロム層
３のみを予めエツチングしておき、該エツチング
液を水洗いする。
最後に、第８図示の如く該フオトマスクブラン
クス５を硝酸第二セリウムアンモニウム100ｇ、
過塩素酸26c.c.、純水440c.c.から成る液温20℃のエ
ツチング液に40秒間浸漬してこんどは酸化クロム
層３とクロム層２を共にエツチングして窓部７を
形成し、該エツチング液を水洗してエツチング処
理を終了した。
クス５を硝酸第二セリウムアンモニウム100ｇ、
過塩素酸26c.c.、純水440c.c.から成る液温20℃のエ
ツチング液に40秒間浸漬してこんどは酸化クロム
層３とクロム層２を共にエツチングして窓部７を
形成し、該エツチング液を水洗してエツチング処
理を終了した。
得られたフオトマスクの酸化クロム層３とクロ
ム層２の端面は極めて精確に同一面に整合してい
た。
ム層２の端面は極めて精確に同一面に整合してい
た。
（発明の効果）
このように、本願の第１発明並びに第２発明の
フオトマスクブランクスのエツチング方法によれ
ば、セリウム（）塩系エツチング液の酸化クロ
ムとクロムに対するエツチング速度の差と過マン
ガン酸塩系エツチング液の酸化クロムに対する選
択的エツチングとを利用して、エツチング後の多
層遮光層の酸化クロム層とクロム層の端面を簡単
且つ極めて精確に同一面に合せることができる効
果を有する。
フオトマスクブランクスのエツチング方法によれ
ば、セリウム（）塩系エツチング液の酸化クロ
ムとクロムに対するエツチング速度の差と過マン
ガン酸塩系エツチング液の酸化クロムに対する選
択的エツチングとを利用して、エツチング後の多
層遮光層の酸化クロム層とクロム層の端面を簡単
且つ極めて精確に同一面に合せることができる効
果を有する。
第１図並びに第２図は夫々従来のフオトマスク
ブランクスのエツチング方法によるエツチング液
処理前並びに処理後のフオトマスクブランクスの
裁断面図、第３図乃至第５図は夫々本願第１発明
のフオトマスクブランクスのエツチング方法の１
実施例によるエツチング液処理前、セリウム
（）塩系エツチング液処理後並びに過マンガン
酸塩系エツチング液処理後のフオトマスクブラン
クスの裁断面図、第６図乃至第８図は夫々本願第
２発明のフオトマスクブランクスのエツチング方
法の１実施例によるエツチング液処理前、過マン
ガン酸塩系エツチング液処理後並びにセリウム
（）塩系エツチング液処理後のフオトマスクブ
ランクスの裁断面図である。 １……透明基板、２……クロム層、３……酸化
クロム層、４……多層遮光層、５……フオトマス
クブランクス、６……被覆体、７……窓部。
ブランクスのエツチング方法によるエツチング液
処理前並びに処理後のフオトマスクブランクスの
裁断面図、第３図乃至第５図は夫々本願第１発明
のフオトマスクブランクスのエツチング方法の１
実施例によるエツチング液処理前、セリウム
（）塩系エツチング液処理後並びに過マンガン
酸塩系エツチング液処理後のフオトマスクブラン
クスの裁断面図、第６図乃至第８図は夫々本願第
２発明のフオトマスクブランクスのエツチング方
法の１実施例によるエツチング液処理前、過マン
ガン酸塩系エツチング液処理後並びにセリウム
（）塩系エツチング液処理後のフオトマスクブ
ランクスの裁断面図である。 １……透明基板、２……クロム層、３……酸化
クロム層、４……多層遮光層、５……フオトマス
クブランクス、６……被覆体、７……窓部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上にクロム、酸化クロム多層遮光層
を備えたフオトマスクブランクスの該遮光層上に
常法に従つてフオトレジスト等の所望パターンの
被覆体を設け、該被覆体で覆われていない部分を
エツチングして窓部を形成するフオトマスクブラ
ンクスのエツチング方法において、まずセリウム
（）塩系エツチング液で酸化クロム層とクロム
層を共にエツチングして、次で酸化クロム層のオ
ーバハングした部分を過マンガン酸塩系エツチン
グ液でエツチングしながらこれらクロム層と酸化
クロム層の端面を合わせることを特徴とするフオ
トマスクブランクスのエツチング方法。 ２ 透明基板上にクロム、酸化クロム多層遮光層
を備えたフオトマスクブランクスの該遮光層上に
常法に従つてフオトレジスト等の所望パターンの
被覆体を設け、該被覆体で覆われていない部分を
エツチングして窓部を形成するフオトマスクブラ
ンクスのエツチング方法において、まず過マンガ
ン酸塩系エツチング液で酸化クロム層のみをエツ
チングしておき、次でセリウム（）塩系エツチ
ング液で該酸化クロム層と該クロム層をエツチン
グしながらこれら酸化クロム層とクロム層の端面
を合わせることを特徴とするフオトマスクブラン
クスのエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107013A JPS61267054A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | フオトマスクブランクスのエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107013A JPS61267054A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | フオトマスクブランクスのエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267054A JPS61267054A (ja) | 1986-11-26 |
| JPH052143B2 true JPH052143B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=14448288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60107013A Granted JPS61267054A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | フオトマスクブランクスのエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267054A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485814A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | マスクの作成方法 |
| JP6564734B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2019-08-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| EP3125041B1 (en) * | 2015-07-27 | 2020-08-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing a photomask |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP60107013A patent/JPS61267054A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61267054A (ja) | 1986-11-26 |
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