JPH01255678A - 多層金属膜のエッチング方法 - Google Patents
多層金属膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH01255678A JPH01255678A JP8192988A JP8192988A JPH01255678A JP H01255678 A JPH01255678 A JP H01255678A JP 8192988 A JP8192988 A JP 8192988A JP 8192988 A JP8192988 A JP 8192988A JP H01255678 A JPH01255678 A JP H01255678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- resist
- metal film
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、多層の異なる金属膜を薬液を用いて同一パタ
ーンにエツチングする方法に関する。
ーンにエツチングする方法に関する。
液晶パネル等の基板上のパターンは、先ず基板、例えば
ガラス基板との密着性がよい金属膜であるクロムを成膜
し、その上に電気抵抗の小さいアルミニュームやインジ
ューム錫酸化物を成膜した後レジストを塗布し、選択的
に露光をしてレジストの現像処理を行って形成される。
ガラス基板との密着性がよい金属膜であるクロムを成膜
し、その上に電気抵抗の小さいアルミニュームやインジ
ューム錫酸化物を成膜した後レジストを塗布し、選択的
に露光をしてレジストの現像処理を行って形成される。
従来のエツチング方法では、上記パターンニングされた
基板の第一の金属膜であるアルミニュームをエツチング
した後、続いて第二の金属膜であるクロムのエツチング
を行う。
基板の第一の金属膜であるアルミニュームをエツチング
した後、続いて第二の金属膜であるクロムのエツチング
を行う。
一方、エツチング液を用いた湿式エツチング法の場合、
異なる金属が接触すると電蝕作用により、その境界にお
けるエツチング速度が５倍以上も速（なる、従って、ア
ルミニュームをエツチングした後のクロムのエツチング
ではアルミニュームと接触した境界面のクロムのエツチ
ング速度が速く、サイドエッチが大きくなるという欠陥
がある。
異なる金属が接触すると電蝕作用により、その境界にお
けるエツチング速度が５倍以上も速（なる、従って、ア
ルミニュームをエツチングした後のクロムのエツチング
ではアルミニュームと接触した境界面のクロムのエツチ
ング速度が速く、サイドエッチが大きくなるという欠陥
がある。
クロムの膜厚が厚い時は、サイドエッチが大きくなりパ
ターンニングされたアルミニュームが剥離するという欠
陥がある。
ターンニングされたアルミニュームが剥離するという欠
陥がある。
本発明は上記欠陥を除去した新規な発明であって、その
目的は多層の異なる金属膜を少ないサイドエッチで同一
パターンにエツチングする方法を提供することである。
目的は多層の異なる金属膜を少ないサイドエッチで同一
パターンにエツチングする方法を提供することである。
本発明の金属膜のエツチング方法は第一の金属膜をエツ
チングした後、該エツチングされた第一の金属膜パター
ンをレジストでカバーして第二の金属膜をエツチングす
ることを特徴とするものである。
チングした後、該エツチングされた第一の金属膜パター
ンをレジストでカバーして第二の金属膜をエツチングす
ることを特徴とするものである。
このようなエツチング方法によれば、サイドエッチの少
ないエツチングの実現が期待される。
ないエツチングの実現が期待される。
以下、本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は、本発明になるエツチング方法を示す基板の断
面図である。
面図である。
第１図ｆａ）は、ガラス基板１の上にクロム膜２とアル
ミニューム膜３を成膜した後レジスト４を塗布し、選択
的に露光した後レジストの現像処理を行いパターンニン
グした図である。
ミニューム膜３を成膜した後レジスト４を塗布し、選択
的に露光した後レジストの現像処理を行いパターンニン
グした図である。
アルミニューム膜３をエツチング液、例えば、りん酸を
用いてエツチングすると第１図（ｂ）となる。
用いてエツチングすると第１図（ｂ）となる。
次に、レジスト４を剥離した後、再度レジスト５を全面
に塗布し、第１図（ａｌをパターンニングした時と同様
に同一のパターンを選択的に露光した後レジストの現像
処理を行い、第１図（Ｃ１の如くパターンニングする。
に塗布し、第１図（ａｌをパターンニングした時と同様
に同一のパターンを選択的に露光した後レジストの現像
処理を行い、第１図（Ｃ１の如くパターンニングする。
即ち、アルミニュームＩ！ｉ！ ３をレジスト５でカバ
ーした後、クロム膜２をエツチング液、例えば硝酸第二
セリウムアンモンと過塩素酸の水溶液でエツチングする
と、第１図（ｄ）の如くアルミニューム膜３と同一のパ
ターンのサイドエッチの少ないクロム膜２のパターンが
得られる。
ーした後、クロム膜２をエツチング液、例えば硝酸第二
セリウムアンモンと過塩素酸の水溶液でエツチングする
と、第１図（ｄ）の如くアルミニューム膜３と同一のパ
ターンのサイドエッチの少ないクロム膜２のパターンが
得られる。
上記説明では、第−層がクロムで第二層がアルミニュー
ムの場合について述べたが、本発明はこれに限定される
ものではなく、さらに、その上に第三層としてクロムが
成膜している場合についても、あるいは第四層、第五層
の金属膜がさらに成膜されている場合についても全く同
様に実現できる。
ムの場合について述べたが、本発明はこれに限定される
ものではなく、さらに、その上に第三層としてクロムが
成膜している場合についても、あるいは第四層、第五層
の金属膜がさらに成膜されている場合についても全く同
様に実現できる。
即ち、先ず第三層のクロムをエツチングした後、第三層
のクロムをレジストでカバーして第二層のアルミニュー
ムのエツチングを行い、さらに第三層のクロムと第二層
のアルミニュームをカバーして第−層のクロムのエツチ
ングを行うことによって達成される。
のクロムをレジストでカバーして第二層のアルミニュー
ムのエツチングを行い、さらに第三層のクロムと第二層
のアルミニュームをカバーして第−層のクロムのエツチ
ングを行うことによって達成される。
また、上記説明では基板がガラスである場合について述
べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、セラ
ミック基板であっても、樹脂基板であっても全く同様に
本発明を実現できることは明らかである。
べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、セラ
ミック基板であっても、樹脂基板であっても全く同様に
本発明を実現できることは明らかである。
また、上記説明では金属膜がクロムとアルミニュームで
ある場合について述べたが本発明はこれに限定されるも
のではなく、銅であっても、あるいはインジュームｔ！
酸化物であっても、あるいは金であっても異なる金属膜
が重なっているものであれば全く同様に本発明を実現で
きることは明らかである。
ある場合について述べたが本発明はこれに限定されるも
のではなく、銅であっても、あるいはインジュームｔ！
酸化物であっても、あるいは金であっても異なる金属膜
が重なっているものであれば全く同様に本発明を実現で
きることは明らかである。
以上詳述した如く本発明のエツチング方法によれば、多
層の金属膜をサイドエッチが少ない同一パターンにエツ
チングすることができ、品質の高いパターン形成が可能
になるなど顕著な効果を奏するものである。
層の金属膜をサイドエッチが少ない同一パターンにエツ
チングすることができ、品質の高いパターン形成が可能
になるなど顕著な効果を奏するものである。
第１図は本発明になるエツチング方法を示す基板の断面
図である。 １・・・ガラス基板、２・・・クロム膜、３・・・アル
ミニューム膜、４，５・・・レジスト。 特許出願人 シグマ技術工業株式会社代表者 神
１） 薫
図である。 １・・・ガラス基板、２・・・クロム膜、３・・・アル
ミニューム膜、４，５・・・レジスト。 特許出願人 シグマ技術工業株式会社代表者 神
１） 薫
Claims (1)
- 基板上にレジストでパターンニングされた多層の異なる
金属膜を同一のパターンに薬液を用いてエッチングする
方法において、第一の金属膜をエッチングした後、該エ
ッチングされた第一の金属膜パターンをレジストでカバ
ーして第二の金属膜をエッチングすることを特徴とする
多層金属膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8192988A JPH01255678A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 多層金属膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8192988A JPH01255678A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 多層金属膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255678A true JPH01255678A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13760157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8192988A Pending JPH01255678A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 多層金属膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255678A (ja) |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP8192988A patent/JPH01255678A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4451554A (en) | Method of forming thin-film pattern | |
| EP0361752A2 (en) | Selective solder formation on printed circuit boards | |
| RU2213383C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочных резисторов | |
| JPH0681173A (ja) | 金属膜パターン形成方法 | |
| JPH03154214A (ja) | 導体パターン形成方法と磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0418789A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPS6356718B2 (ja) | ||
| JPS5864616A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS6325356B2 (ja) | ||
| JPH0293081A (ja) | 多層膜のエッチング法 | |
| JPS58210168A (ja) | 二層膜のエツチング方法 | |
| JPS61267054A (ja) | フオトマスクブランクスのエツチング方法 | |
| JPH0195536A (ja) | 多重膜配線体の製造方法 | |
| JPH043044B2 (ja) | ||
| JPH023926A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPS62131433A (ja) | 間接放電パネル用電極基板の製造法 | |
| JPS63110656A (ja) | 配線層の形成方法 | |
| JPH0658896B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6032203A (ja) | 透明薄膜のパタ−ニング方法 | |
| JPS62231414A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH03239331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6097690A (ja) | 厚膜薄膜配線基板の製造方法 | |
| JPS6047423A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS60167431A (ja) | めつき膜の製造方法 | |
| JPH03211834A (ja) | 配線パターンの形成方法 |