JPH05234997A - 半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】金属配線に生じたやせ細りを電気的にスクリー
ニング可能とする。 【構成】半導体基板１の表面にはボンディンパッド２が
形成され、ボンディンパッド２より主金属配線３が導出
される。一方、ボンディングパッド２より主金属配線３
の両側に並行して第１と第２の副金属配線４Ａ，４Ｂが
形成され、この第１と第２の副金属配線４Ａ，４Ｂの終
端部にはそれぞれテストパッド５Ａ，５Ｂが形成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に金属配線の構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路を構成する半導体基板の
表面には、外部端子にボンディングワイヤで接続するた
めのボンディングパッドと、このボンディングバッドと
内部回路を接続するための金属配線が形成されている。

【０００３】図３は従来の一般的な半導体集積回路装置
の構造を説明するための上面図である。図３において、
半導体基板１の表面にはボンディンパッド２と、このボ
ンディングパッド２より導出され、内部回路（図示せ
ず）に接続するための金属配線３Ａが形成されている。
通常ボンディングパッド２及び金属配線３Ａはアルミニ
ウムで形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】半導体基板１にボンデ
ィングパッド２及び金属配線３Ａを形成するには、まず
半導体基板１の表面全体にアルミニウムの膜をつけ、露
光技術によりボンディングパッド２及び金属配線３Ａの
部分を残して他の部分をエッチングする。この時、アル
ミニウムの成膜段階又は露光時に表面にごみが付着する
と、ごみの部分も後工程のエッチングの段階でエッチン
グされてしまい、ごみが金属配線３Ａの部分にあった場
合には金属配線３Ａのごみのあった部分６に欠けが生じ
る。このように金属配線の一部が欠けてしまった場合、
金属配線が完全に断線している場合はテスト段階で発見
されて不良として除去できるが金属配線の一部がやせ細
っている場合には電気的なテストで発見することが困難
である。

【０００５】このため製品を長期間に渡り使用した場
合、進行性の不良として市場で故障が発生する。特に高
信頼度を要求される、例えば自動車電装用途などでは、
時には人命にかかわる事故につながる。また、前述した
金属配線のやせ細りの進行は、特に金属配線に流れる電
流が比較的大きい電源や接地の配線に発生し易い。

【０００６】従来は前述した金属配線のやせ細りをスク
リーニングするために、半導体基板の表面を目視で拡大
観察するため、多大な工数を要するという欠点があっ
た。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、半導体基板上に形成されたボンディングパッドと、
このボンディングパッドに接続された主金属配線と、こ
の主金属配線の両側に並列して配置され一端が前記ボン
ディングパッドに接続し他端がテストパッドに接続した
副金属配線とを含むものである。

【０００８】

【実施例】次に本発明を図面を用いて説明する。図１は
本発明の一実施例の上面図である。

【０００９】図１において、半導体基板１の表面にはボ
ンディングパッド２が形成され、このボンディングパッ
ド２より主金属配線３が導出されて内部回路（図示せ
ず）へ接続されている。さらにこのボンディングパッド
２より主金属配線３の両側に並行して第１と第２の副金
属配線４Ａ，４Ｂが形成され、その終端部にはそれぞれ
テストパッド５Ａ，５Ｂが形成されている。

【００１０】この様に構成された実施例では、製造時
に、図２に示すように、主金属配線３の一部にごみが付
着し、ごみのあった部分６がやせ細った場合に、ごみが
副金属配線４Ａ（又は４Ｂ）にもかかるため、同じよう
に欠けを生じさせる。このため、副金属配線４Ａ（又は
４Ｂ）には断線が生じるため、ボンディングパッド２と
テストパッド５Ａ（又は５Ｂ）との間で導通テストを行
えば、主金属配線３のやせ細りを電気的に検出すること
が可能である。この導通テストは通常行なわれるテスト
工程と同時に実施できるものである。

【００１１】本発明を効果的に実施するためには、副金
属配線４Ａ，４Ｂがごみによりすぐに断線する様にごく
細く形成し、なおかつ主金属配線３のすぐ近くに配置す
ることが必要である。また主金属配線３は電流容量を必
要とするため一般的に数十μｍの太さに対し、副金属配
線４Ａ，４Ｂは通常は電流が流れないため１〜２μｍの
太さにでき、更に主金属配線３と副金属配線４Ａ，４Ｂ
は同電位のため配線間の絶縁耐圧を考えなくても良いた
め両者の間隔はやはり１〜２μｍと近くに配置できる。
また、テストパッド５Ａ，５Ｂはプローブ針が立てられ
れば良いため、ボンディングパッド２（通常は１００μ
ｍ程度）に対し小さなもので良い。

【００１２】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、主金属配
線のやせ細りを電気的に検出することが可能であるた
め、従来行われていた目視によるスクリーニングを省略
することができ、半導体集積回路の製造コストを低減で
きる。更に不良の除去がより完全になるため、半導体集
積回路の信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の上面図。

【図２】実施例の効果を説明するための上面図。

【図３】従来の半導体集積回路の一例の上面図。

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ ボンディングパッド ３，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂ 金属配線 ５Ａ，５Ｂ テストパッド ６ ごみのあった部分

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に形成されたボンディング
   パッドと、このボンディングパッドに接続された主金属
   配線と、この主金属配線の両側に並列して配置され一端
   が前記ボンディングパッドに接続し他端がテストパッド
   に接続した副金属配線とを含むことを特徴とする半導体
   集積回路。