JPH05235233A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPH05235233A JPH05235233A JP4039000A JP3900092A JPH05235233A JP H05235233 A JPH05235233 A JP H05235233A JP 4039000 A JP4039000 A JP 4039000A JP 3900092 A JP3900092 A JP 3900092A JP H05235233 A JPH05235233 A JP H05235233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- lead frame
- resin
- protrusion
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、樹脂封止の際、アイランドが偏
心し、アイランドがモ−ルドの外へ露呈するという問題
を解決し、アイランドが偏心することのないリ−ドフレ
−ムを提供しようとするものである。 【構成】 半導体チップを載置するアイランド（１８）
に、樹脂の流れ（Ａ）を受けて、このアイランド（１
８）を浮上させるような力を生ずる突起部（２０）を設
けたことを、主要な特徴としている。
心し、アイランドがモ−ルドの外へ露呈するという問題
を解決し、アイランドが偏心することのないリ−ドフレ
−ムを提供しようとするものである。 【構成】 半導体チップを載置するアイランド（１８）
に、樹脂の流れ（Ａ）を受けて、このアイランド（１
８）を浮上させるような力を生ずる突起部（２０）を設
けたことを、主要な特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製作に
用いられるリ−ドフレ−ムに関する。
用いられるリ−ドフレ−ムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製作に用いられる部品とし
て、リ−ドフレ−ムがある。リ−ドフレ−ムには、半導
体装置のリ−ドとなるリ−ド部、および半導体チップを
載置するアイランド等が設けられている。
て、リ−ドフレ−ムがある。リ−ドフレ−ムには、半導
体装置のリ−ドとなるリ−ド部、および半導体チップを
載置するアイランド等が設けられている。
【０００３】半導体装置は、ＩＣチップをアイランド部
に載置した後、ＩＣチップのパッドとリ−ドフレ−ムの
リ−ド部とをワイヤボンディングし、次いで、ＩＣチッ
プ、およびリ−ド部のうちインナ−リ−ド部とを樹脂に
て封止し、次いで、リ−ドフレ−ムの不要な部分をカッ
トする等して製作される。
に載置した後、ＩＣチップのパッドとリ−ドフレ−ムの
リ−ド部とをワイヤボンディングし、次いで、ＩＣチッ
プ、およびリ−ド部のうちインナ−リ−ド部とを樹脂に
て封止し、次いで、リ−ドフレ−ムの不要な部分をカッ
トする等して製作される。
【０００４】上記のような製作過程において、樹脂封止
後、アイランドが偏心し、アイランドがモ−ルドの外へ
露呈するという事故が発生した。アイランドがモ−ルド
の外へ露呈すると、半導体装置の耐湿性の問題が生ずる
とともに、ＩＣの電気的特性に支障をきたす。また、外
観も不良であるという理由から、製品として出荷でき
ず、歩留りを低下させる。この種の事故は特にモ−ルド
厚が薄い、薄型の半導体装置で多発している。
後、アイランドが偏心し、アイランドがモ−ルドの外へ
露呈するという事故が発生した。アイランドがモ−ルド
の外へ露呈すると、半導体装置の耐湿性の問題が生ずる
とともに、ＩＣの電気的特性に支障をきたす。また、外
観も不良であるという理由から、製品として出荷でき
ず、歩留りを低下させる。この種の事故は特にモ−ルド
厚が薄い、薄型の半導体装置で多発している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな点に鑑みてなされたもので、その目的は、アイラン
ドが偏心することのないリ−ドフレ−ムを提供すること
にある。
うな点に鑑みてなされたもので、その目的は、アイラン
ドが偏心することのないリ−ドフレ−ムを提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明のリ−ドフレ−
ムは、半導体チップを載置するアイランドに、樹脂の流
れを受けてこのアイランドを浮上させる浮上手段を設け
たことを特徴としている。
ムは、半導体チップを載置するアイランドに、樹脂の流
れを受けてこのアイランドを浮上させる浮上手段を設け
たことを特徴としている。
【０００７】
【作用】上記リ−ドフレ−ムにあっては、樹脂の流れを
受けてこのアイランドを浮上させる浮上手段を具備する
ので、アイランドを浮上させることができる。これによ
り、アイランドが偏心することを防止できる。
受けてこのアイランドを浮上させる浮上手段を具備する
ので、アイランドを浮上させることができる。これによ
り、アイランドが偏心することを防止できる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を一実施例に
より説明する。図１は、この発明の一実施例に係わるリ
−ドフレ−ムの平面図である。
より説明する。図１は、この発明の一実施例に係わるリ
−ドフレ−ムの平面図である。
【０００９】図１に示すように、リ−ドフレ−ム１０に
は、半導体装置のリ−ドとなるリ−ド部１２が設けられ
ている。リ−ド部１２は、図示せぬＩＣチップとともに
樹脂封止されるインナ−リ−ド部１４を持つ。リ−ドフ
レ−ム１０には、吊りピン１６によって、図示せぬＩＣ
チップが載置されるアイランド１８が固定されている。
アイランド１８には、モ−ルド樹脂の流れＡを受けてア
イランド１８を浮上させる突起部２０が設けられてい
る。突起部２０は、モ−ルド樹脂の流れＡの抵抗を利用
して浮力が得られるように、モ−ルド樹脂の流れＡに沿
うようにして、例えばアイランド１８の側面部等に設け
られる。
は、半導体装置のリ−ドとなるリ−ド部１２が設けられ
ている。リ−ド部１２は、図示せぬＩＣチップとともに
樹脂封止されるインナ−リ−ド部１４を持つ。リ−ドフ
レ−ム１０には、吊りピン１６によって、図示せぬＩＣ
チップが載置されるアイランド１８が固定されている。
アイランド１８には、モ−ルド樹脂の流れＡを受けてア
イランド１８を浮上させる突起部２０が設けられてい
る。突起部２０は、モ−ルド樹脂の流れＡの抵抗を利用
して浮力が得られるように、モ−ルド樹脂の流れＡに沿
うようにして、例えばアイランド１８の側面部等に設け
られる。
【００１０】図２は、図１中のアイランド１８近傍の拡
大図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。尚、
図２（ａ）および（ｂ）では、アイランド１８をディプ
レスさせた後を示している。
大図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。尚、
図２（ａ）および（ｂ）では、アイランド１８をディプ
レスさせた後を示している。
【００１１】図２（ａ）および（ｂ）に示すように、突
起部２０がアイランド１８に、このアイランド１８に対
して上向きとなるように所定の角度θをもって設けられ
ている。
起部２０がアイランド１８に、このアイランド１８に対
して上向きとなるように所定の角度θをもって設けられ
ている。
【００１２】図示せぬＩＣチップをモ−ルドの厚みのほ
ぼ中心に位置させるためにアイランド１８をディプレス
させる型の半導体装置、例えばモ−ルド厚が薄い、薄型
の半導体装置では、アイランド１８上方の樹脂の厚み
が、アイランド１８下方のそれよりも厚くなる。従っ
て、アイランド１８には、樹脂の重みが加わり、アイラ
ンド１８を下方へ押す力Ｐが作用する。この押力Ｐは、
アイランドを偏心させる原因である。
ぼ中心に位置させるためにアイランド１８をディプレス
させる型の半導体装置、例えばモ−ルド厚が薄い、薄型
の半導体装置では、アイランド１８上方の樹脂の厚み
が、アイランド１８下方のそれよりも厚くなる。従っ
て、アイランド１８には、樹脂の重みが加わり、アイラ
ンド１８を下方へ押す力Ｐが作用する。この押力Ｐは、
アイランドを偏心させる原因である。
【００１３】これに対して、上記一実施例に係わるリ−
ドフレ−ム１０では突起部２０が、樹脂の流れＡを受
け、押力Ｐと反対の方向に作用してアイランド１８を浮
上させるような浮力Ｌを生ずる。従って、押力Ｐを浮力
Ｌによって相殺することができるようになり、アイラン
ド１８が偏心する欠点が改善される。
ドフレ−ム１０では突起部２０が、樹脂の流れＡを受
け、押力Ｐと反対の方向に作用してアイランド１８を浮
上させるような浮力Ｌを生ずる。従って、押力Ｐを浮力
Ｌによって相殺することができるようになり、アイラン
ド１８が偏心する欠点が改善される。
【００１４】なお、突起部２０の角度θ、および突起部
２０の樹脂の流れＡに抵抗を生ずる部分の長さｌは、浮
力Ｌが押力Ｐを相殺できるような値になるように、適
宜、設計されることが望ましい。なぜならば、装置仕様
に応じて、樹脂の重みが様々に変わるため、押力Ｐが変
化するからである。さらに、上記一実施例では、浮力Ｌ
が作用して押力Ｐを相殺できることを述べたが、上記一
実施例によれば、次のような効果も得られる。図３は、
一実施例に係わるリ−ドフレ−ムを用いた時の樹脂の流
れを示す図である。
２０の樹脂の流れＡに抵抗を生ずる部分の長さｌは、浮
力Ｌが押力Ｐを相殺できるような値になるように、適
宜、設計されることが望ましい。なぜならば、装置仕様
に応じて、樹脂の重みが様々に変わるため、押力Ｐが変
化するからである。さらに、上記一実施例では、浮力Ｌ
が作用して押力Ｐを相殺できることを述べたが、上記一
実施例によれば、次のような効果も得られる。図３は、
一実施例に係わるリ−ドフレ−ムを用いた時の樹脂の流
れを示す図である。
【００１５】図３に示すように、突起部２０はアイラン
ド１８に対して上向きとなるように設けられているた
め、樹脂の流れＡは、突起部２０によってアイランド１
８の下方へと方向が変換される。
ド１８に対して上向きとなるように設けられているた
め、樹脂の流れＡは、突起部２０によってアイランド１
８の下方へと方向が変換される。
【００１６】この樹脂の流れＡの変換によれば、樹脂が
アイランド１８の下部に回りやすくなり、アイランド１
８の下部にも樹脂を十分に充填されるようになる。アイ
ランド１８の下部に樹脂が良好に充填されるようになれ
ば、押力Ｐも弱められるとともに、樹脂の未充填による
装置の外観不良も改善することができる。図４は、上記
一実施例に係わるリ−ドフレ−ムの作り方を説明する斜
視図で、（ａ）はディプレス前、（ｂ）はディプレス後
を示す図である。この発明に係わるリ−ドフレ−ムを作
る場合、例えばアイランド１８をディプレスさせる型の
半導体装置では、工程の増加は無い。
アイランド１８の下部に回りやすくなり、アイランド１
８の下部にも樹脂を十分に充填されるようになる。アイ
ランド１８の下部に樹脂が良好に充填されるようになれ
ば、押力Ｐも弱められるとともに、樹脂の未充填による
装置の外観不良も改善することができる。図４は、上記
一実施例に係わるリ−ドフレ−ムの作り方を説明する斜
視図で、（ａ）はディプレス前、（ｂ）はディプレス後
を示す図である。この発明に係わるリ−ドフレ−ムを作
る場合、例えばアイランド１８をディプレスさせる型の
半導体装置では、工程の増加は無い。
【００１７】すなわち、図４（ａ）に示すように、ディ
プレス用のダイにおいて、下型３０に、角度θをもって
突出した突起３２を設ける。また、リ−ドフレ−ム１０
のアイランド１８には突起部２０を形成するための張出
部２１を設けておく。次いで、図４（ｂ）に示すよう
に、上型３４と下型３０とを用いてアイランド１８をデ
ィプレスすると、張出部２１の一部が突起３２によって
押し上げられるとともに、アイランド１８から剪断さ
れ、突起部２０が形成される。なお、突起部２０の形成
を一層容易とするために、張出部２１の突起部２０に対
応する部分に切り込みを入れておいても良い。図５は、
上記一実施例の変形例を示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。
プレス用のダイにおいて、下型３０に、角度θをもって
突出した突起３２を設ける。また、リ−ドフレ−ム１０
のアイランド１８には突起部２０を形成するための張出
部２１を設けておく。次いで、図４（ｂ）に示すよう
に、上型３４と下型３０とを用いてアイランド１８をデ
ィプレスすると、張出部２１の一部が突起３２によって
押し上げられるとともに、アイランド１８から剪断さ
れ、突起部２０が形成される。なお、突起部２０の形成
を一層容易とするために、張出部２１の突起部２０に対
応する部分に切り込みを入れておいても良い。図５は、
上記一実施例の変形例を示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。
【００１８】図５（ａ）および（ｂ）に示すように、突
起部２０は、アイランド１８の一辺に複数設けるように
しても良い。さらに、アイランド１８において、突起部
２０を設ける位置は、上記一実施例に限られることはな
く、浮力Ｌが得られるよう位置、または浮力Ｌとともに
樹脂がアイランド１８の下方に良好に充填されるような
位置であれば良い。
起部２０は、アイランド１８の一辺に複数設けるように
しても良い。さらに、アイランド１８において、突起部
２０を設ける位置は、上記一実施例に限られることはな
く、浮力Ｌが得られるよう位置、または浮力Ｌとともに
樹脂がアイランド１８の下方に良好に充填されるような
位置であれば良い。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、アイランドが偏心することのないリ−ドフレ−ムを
提供できる。
ば、アイランドが偏心することのないリ−ドフレ−ムを
提供できる。
【図１】図１は、この発明の一実施例に係わるリ−ドフ
レ−ムの平面図である。
レ−ムの平面図である。
【図２】図２は、図１中のアイランド１８近傍の拡大図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図３】図３は、この発明の一実施例に係わるリ−ドフ
レ−ムを用いた時の樹脂の流れを示す図である。
レ−ムを用いた時の樹脂の流れを示す図である。
【図４】図４は、この発明の一実施例に係わるリ−ドフ
レ−ムの作り方を説明する斜視図で、（ａ）はディプレ
ス前、（ｂ）はディプレス後を示す図である。
レ−ムの作り方を説明する斜視図で、（ａ）はディプレ
ス前、（ｂ）はディプレス後を示す図である。
【図５】図５は、この発明の上記一実施例の変形例を示
す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
１０…リ−ドフレ−ム、１８…アイランド、２０…突起
部。
部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板倉 悟 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップを載置するアイランドと、 前記アイランドに設けられた、樹脂の流れを受けてこの
アイランドを浮上させる浮上手段とを具備することを特
徴とするリ−ドフレ−ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039000A JPH05235233A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039000A JPH05235233A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235233A true JPH05235233A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12540860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4039000A Pending JPH05235233A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235233A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144088A (en) * | 1996-07-23 | 2000-11-07 | Infineon Technologies Ag | Leadframe for semiconductor chips and semiconductor module having the lead frame |
| WO2001009953A1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Amkor Technology, Inc. | Lead frame with downset die pad |
| KR100476667B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임및이를이용한반도체칩패키지 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP4039000A patent/JPH05235233A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144088A (en) * | 1996-07-23 | 2000-11-07 | Infineon Technologies Ag | Leadframe for semiconductor chips and semiconductor module having the lead frame |
| KR100476667B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임및이를이용한반도체칩패키지 |
| WO2001009953A1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Amkor Technology, Inc. | Lead frame with downset die pad |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000523 |