JPH05243406A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05243406A JPH05243406A JP4075430A JP7543092A JPH05243406A JP H05243406 A JPH05243406 A JP H05243406A JP 4075430 A JP4075430 A JP 4075430A JP 7543092 A JP7543092 A JP 7543092A JP H05243406 A JPH05243406 A JP H05243406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- package substrate
- melting point
- low melting
- point glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低融点ガラスによって封止するセラミックパ
ッケージＩＣにおいて、大ペレット化に伴う封止強度の
低下を防止する。 【構成】 パッケージ基板１にペレット３をダイボンデ
ィングする。内部フレームを長くしたリードフレーム２
をパッケージ基板１の低融点ガラス６に圧着し、内部フ
レームをペレット３の上に位置付けする。これにより、
ワイヤボンディング後、ボンディングワイヤに接触しな
いでキャップの封止幅を大きくすることができ、封止強
度を向上させることができる。
ッケージＩＣにおいて、大ペレット化に伴う封止強度の
低下を防止する。 【構成】 パッケージ基板１にペレット３をダイボンデ
ィングする。内部フレームを長くしたリードフレーム２
をパッケージ基板１の低融点ガラス６に圧着し、内部フ
レームをペレット３の上に位置付けする。これにより、
ワイヤボンディング後、ボンディングワイヤに接触しな
いでキャップの封止幅を大きくすることができ、封止強
度を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、さらに詳し
くいえば、低融点ガラスにより封止するセラミックパッ
ケージＩＣに関する。
くいえば、低融点ガラスにより封止するセラミックパッ
ケージＩＣに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体装置の構造を示す断
面図で、製造工程を説明するための図である。図２
（ａ）に示す予め低融点ガラス１６をエッジ部に付着さ
せた凹み形状のパッケージ基板１１に、図２（ｂ）に示
すようにリードフレーム１２を圧着している。つぎに図
２（ｃ）に示すようにパッケージ基板１にペレット１３
をダイボンディングしている。ついで図２（ｄ）のよう
にペレット１３の電極パッドとリードフレーム１２の内
部リードをボンディングワイヤ１４で接続している。そ
の後、図２（ｆ）に示すようにキャップ１５を被せて封
止している。
面図で、製造工程を説明するための図である。図２
（ａ）に示す予め低融点ガラス１６をエッジ部に付着さ
せた凹み形状のパッケージ基板１１に、図２（ｂ）に示
すようにリードフレーム１２を圧着している。つぎに図
２（ｃ）に示すようにパッケージ基板１にペレット１３
をダイボンディングしている。ついで図２（ｄ）のよう
にペレット１３の電極パッドとリードフレーム１２の内
部リードをボンディングワイヤ１４で接続している。そ
の後、図２（ｆ）に示すようにキャップ１５を被せて封
止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の半導体は
予めリードフレームが圧着されたパッケージ基板にダイ
ボンディングおよびワイヤボンディングし、その後にキ
ャップによって封止している。そのため、ある一定の大
きさのパッケージにペレットを搭載しようとした場合、
ペレットサイズが大きくなるに従い封止幅が小さくな
る。特にキャップ側はキャップを装着する際にボンディ
ングワイヤに接触しないようにしなければならないの
で、大幅に封止幅が小さくなるという欠点がある。本発
明の目的は上記欠点を解決するもので、ある一定の大き
さのパッケージに大きなサイズのペレットを搭載しても
キャップの封止幅を大きくできる半導体装置を提供する
ことにある。
予めリードフレームが圧着されたパッケージ基板にダイ
ボンディングおよびワイヤボンディングし、その後にキ
ャップによって封止している。そのため、ある一定の大
きさのパッケージにペレットを搭載しようとした場合、
ペレットサイズが大きくなるに従い封止幅が小さくな
る。特にキャップ側はキャップを装着する際にボンディ
ングワイヤに接触しないようにしなければならないの
で、大幅に封止幅が小さくなるという欠点がある。本発
明の目的は上記欠点を解決するもので、ある一定の大き
さのパッケージに大きなサイズのペレットを搭載しても
キャップの封止幅を大きくできる半導体装置を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明による半導体装置はパッケージ基板と、前記パ
ッケージ基板に搭載されたペレットと、前記ペレットの
電極パッドと前記パッケージに装着された低融点ガラス
に圧着されたリードがボンディングワイヤで接続され、
前記パッケージ基板，前記ペレットおよびボンディング
ワイヤを封止するキャップよりなる半導体装置におい
て、前記低融点ガラスに支持されるリードの先端部が前
記ペレットの上面に位置するように構成されている。
に本発明による半導体装置はパッケージ基板と、前記パ
ッケージ基板に搭載されたペレットと、前記ペレットの
電極パッドと前記パッケージに装着された低融点ガラス
に圧着されたリードがボンディングワイヤで接続され、
前記パッケージ基板，前記ペレットおよびボンディング
ワイヤを封止するキャップよりなる半導体装置におい
て、前記低融点ガラスに支持されるリードの先端部が前
記ペレットの上面に位置するように構成されている。
【０００５】
【作用】上記構成によれば、封止部分の幅を大きく取
れ、一定の大きさのパッケージ基板に対し大きいペレッ
トを搭載しても、その封止強度を大ききできる。
れ、一定の大きさのパッケージ基板に対し大きいペレッ
トを搭載しても、その封止強度を大ききできる。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。図１は本発明による半導体装置の実施例を示
す断面図で、製造過程を示す図である。まず、図１
（ａ）に示すような周囲エッジに低融点ガラスを付着さ
せた凹み形状のパッケージ基板１に図１（ｂ）に示すよ
うにペレット３をダイボンディングする。
説明する。図１は本発明による半導体装置の実施例を示
す断面図で、製造過程を示す図である。まず、図１
（ａ）に示すような周囲エッジに低融点ガラスを付着さ
せた凹み形状のパッケージ基板１に図１（ｂ）に示すよ
うにペレット３をダイボンディングする。
【０００７】つぎに従来のリードフレームより内部リー
ド部を長くしたリードフレーム２を図１（ｃ）に示すよ
うにパッケージ基板１に装着された低融点ガラス６に圧
着する。このときリードフレーム２の内部リード部の先
端部はペレット３の上に位置する。次に図１（ｄ）のよ
うにペレット３の電極パッドとリードフレーム２の内部
リードをボンディングワイヤ４によって接続する。そし
て、図１（ｆ）に示すようにキャップ５をパッケージ基
板１に被せ封止する。キャップ５の低融点ガラス６の圧
着部の幅はパッケージ基板の圧着部の幅と同じにするこ
とができる。
ド部を長くしたリードフレーム２を図１（ｃ）に示すよ
うにパッケージ基板１に装着された低融点ガラス６に圧
着する。このときリードフレーム２の内部リード部の先
端部はペレット３の上に位置する。次に図１（ｄ）のよ
うにペレット３の電極パッドとリードフレーム２の内部
リードをボンディングワイヤ４によって接続する。そし
て、図１（ｆ）に示すようにキャップ５をパッケージ基
板１に被せ封止する。キャップ５の低融点ガラス６の圧
着部の幅はパッケージ基板の圧着部の幅と同じにするこ
とができる。
【０００８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明はダイボン
ディング後にリードフレームをパッケージ基板の低融点
ガラスに圧着し、低融点ガラスによって支えられる内部
リードをペレットの上面に位置するように構成したの
で、ワイヤボンディング後、ボンディングワイヤに接触
しないでキャップ側の封止幅を大きくできる。これによ
り、封止強度の向上を図れるとともに封止不良を低減化
できるという効果がある。
ディング後にリードフレームをパッケージ基板の低融点
ガラスに圧着し、低融点ガラスによって支えられる内部
リードをペレットの上面に位置するように構成したの
で、ワイヤボンディング後、ボンディングワイヤに接触
しないでキャップ側の封止幅を大きくできる。これによ
り、封止強度の向上を図れるとともに封止不良を低減化
できるという効果がある。
【図１】本発明による半導体装置の実施例を示す断面図
で、（ａ）〜（ｆ）は製造工程を示している。
で、（ａ）〜（ｆ）は製造工程を示している。
【図２】従来の半導体装置の一例を示す断面図で、
（ａ）〜（ｆ）は製造工程を示している。
（ａ）〜（ｆ）は製造工程を示している。
１，１１…パッケージ基板 ２，１２…リードフレーム ３，１３…ペレット ４，１４…ボンディングワイヤ ５，１５…キャップ ６，１６…低融点ガラス
Claims (1)
- 【請求項１】 パッケージ基板と、前記パッケージ基板
に搭載されたペレットと、前記ペレットの電極パッドと
前記パッケージに装着された低融点ガラスに圧着された
リードがボンディングワイヤで接続され、前記パッケー
ジ基板，前記ペレットおよびボンディングワイヤを封止
するキャップよりなる半導体装置において、 前記低融点ガラスに支持されるリードの先端部が前記ペ
レットの上面に位置するように構成したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075430A JPH05243406A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075430A JPH05243406A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243406A true JPH05243406A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13576001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4075430A Pending JPH05243406A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243406A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237930B2 (ja) * | 1982-10-04 | 1987-08-14 | Mitsubishi Agricult Mach | |
| JPH03270062A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-02 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP4075430A patent/JPH05243406A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237930B2 (ja) * | 1982-10-04 | 1987-08-14 | Mitsubishi Agricult Mach | |
| JPH03270062A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-02 | Nec Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10189830A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH1174440A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4822038B2 (ja) | ディスクリート用パッケージ及びその製造方法並びにそれに用いるリードフレーム | |
| JPH05243406A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07101698B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH03105950A (ja) | 半導体集積回路のパッケージ | |
| JP3847432B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100373891B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JP2665061B2 (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
| JPS62296528A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0547988A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0498861A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS5930538Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2846095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH113963A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム | |
| JPH05243307A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6333851A (ja) | Ｉｃパツケ−ジ | |
| JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH05218271A (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JPS61141162A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61148849A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05226393A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH09275176A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11162998A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06260592A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |