JPH05251505A - Ｉｃチップのエリアテープへの接続方法 - Google Patents
Ｉｃチップのエリアテープへの接続方法Info
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- JPH05251505A JPH05251505A JP3347086A JP34708691A JPH05251505A JP H05251505 A JPH05251505 A JP H05251505A JP 3347086 A JP3347086 A JP 3347086A JP 34708691 A JP34708691 A JP 34708691A JP H05251505 A JPH05251505 A JP H05251505A
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- tape
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はＩＣチップのエリアテープへの接続
方法に関し、バンプのないＩＣチップでもエリアテープ
に接続することができる接続方法を実現することを目的
とする。 【構成】 誘電体フィルムよりなる基材の上に複数の金
属配線を有し、且つ該基材に金属配線に通ずるビアホー
ルが形成されてなるエリアテープと、パッド電極を有す
るＩＣチップとの接続方法であって、前記エリアテープ
１６のビアホール１５内に少なくとも１個の金属ボール
１８を挿入する工程と、該金属ボール１８にＩＣチップ
１９のパッド電極２０が接触するように位置合わせして
載置する工程と、ＩＣチップ１９とエリアテープ１６を
加圧、加熱してエリアテープ１６の金属配線１４とＩＣ
チップ１９のパッド電極２０間を金属ボールを介して接
続する工程、とよりなるように構成する。
方法に関し、バンプのないＩＣチップでもエリアテープ
に接続することができる接続方法を実現することを目的
とする。 【構成】 誘電体フィルムよりなる基材の上に複数の金
属配線を有し、且つ該基材に金属配線に通ずるビアホー
ルが形成されてなるエリアテープと、パッド電極を有す
るＩＣチップとの接続方法であって、前記エリアテープ
１６のビアホール１５内に少なくとも１個の金属ボール
１８を挿入する工程と、該金属ボール１８にＩＣチップ
１９のパッド電極２０が接触するように位置合わせして
載置する工程と、ＩＣチップ１９とエリアテープ１６を
加圧、加熱してエリアテープ１６の金属配線１４とＩＣ
チップ１９のパッド電極２０間を金属ボールを介して接
続する工程、とよりなるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣチップ特にバンプの
ないＩＣチップのエリアテープへの接続方法に関する。
近年ＩＣチップの高集積化により高密度接続が可能なＴ
ＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｉｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）方式による半導体装置の組立が注目されている。こ
のＴＡＢ方式はポリイミド又はポリエステル等のフィル
ムに銅箔をはりつけ、それをホトリソグラフィ技術によ
りエッチングして金属配線を形成し、その金属配線にＩ
Ｃチップの電極をボンディングするものである。この
後、このフィルムにボンディングされたＩＣはプリント
配線板あるいはパッケージに搭載されて用いられる。
ないＩＣチップのエリアテープへの接続方法に関する。
近年ＩＣチップの高集積化により高密度接続が可能なＴ
ＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｉｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）方式による半導体装置の組立が注目されている。こ
のＴＡＢ方式はポリイミド又はポリエステル等のフィル
ムに銅箔をはりつけ、それをホトリソグラフィ技術によ
りエッチングして金属配線を形成し、その金属配線にＩ
Ｃチップの電極をボンディングするものである。この
後、このフィルムにボンディングされたＩＣはプリント
配線板あるいはパッケージに搭載されて用いられる。
【０００２】上記のＴＡＢ方式の応用製品の一つとし
て、高密度接続を行うためチップの周辺のみならず中央
部にも電極を有するＩＣに用いることができるエリアテ
ープが開発されている。
て、高密度接続を行うためチップの周辺のみならず中央
部にも電極を有するＩＣに用いることができるエリアテ
ープが開発されている。
【０００３】図４は従来のエリアテープを示す図で、同
図（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線におけ
る断面図である。同図において、１はエリアテープであ
る。２はパーフォレーション３を有するポリイミド又は
ポリエステル等の誘電体からなるフィルムであり、ＩＣ
搭載部４の周囲には窓５が設けられている。またＩＣ搭
載部４には複数のビアホール６が穿設されており、該ビ
アホール６から窓５をまたいで金属配線７が設けられて
いる。なお窓５はＩＣチップをプリント配線板又はパッ
ケージに搭載する場合に金属配線７を切断し易くするた
めのものである。
図（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線におけ
る断面図である。同図において、１はエリアテープであ
る。２はパーフォレーション３を有するポリイミド又は
ポリエステル等の誘電体からなるフィルムであり、ＩＣ
搭載部４の周囲には窓５が設けられている。またＩＣ搭
載部４には複数のビアホール６が穿設されており、該ビ
アホール６から窓５をまたいで金属配線７が設けられて
いる。なお窓５はＩＣチップをプリント配線板又はパッ
ケージに搭載する場合に金属配線７を切断し易くするた
めのものである。
【０００４】
【従来の技術】図５に従来技術である半田バンプ付きＩ
Ｃとエリアテープとの接続例を示す。この半田バンプ付
きＩＣとエリアテープとの接続工程は、予め電極部に半
田バンプ８が形成されたＩＣチップ９をエリアテープ１
の上にフェースダウンで位置合わせし、バンプ８がビア
ホール６に挿入されるようにして載置する。次いでエリ
アテープ１もしくはＩＣチップ９を加熱することにより
ビアホール６内に半田バンプ８を溶融し、金属配線７に
接合させるのである。このようにしてＩＣチップ９の電
極とエリアテープ１の金属配線７との接続を行うことが
できる。
Ｃとエリアテープとの接続例を示す。この半田バンプ付
きＩＣとエリアテープとの接続工程は、予め電極部に半
田バンプ８が形成されたＩＣチップ９をエリアテープ１
の上にフェースダウンで位置合わせし、バンプ８がビア
ホール６に挿入されるようにして載置する。次いでエリ
アテープ１もしくはＩＣチップ９を加熱することにより
ビアホール６内に半田バンプ８を溶融し、金属配線７に
接合させるのである。このようにしてＩＣチップ９の電
極とエリアテープ１の金属配線７との接続を行うことが
できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＩＣチップ
とエリアテープとの接続方法では、ＩＣチップ上に必ず
半田バンプを形成する事が必要である。このため、ユー
ザーにおいて、半田バンプを形成する能力が無い場合、
あるいはバンプ付きのチップの供給を受けられない場合
にはエリアテープの使用は不可能となるという問題があ
った。又通常、ＩＣチップ上へのバンプ形成はメッキ法
により行うため、メッキ液によるＩＣチップの汚染とい
う問題があり、ＩＣチップの腐食や誤動作を引き越こし
やすいという問題があった。
とエリアテープとの接続方法では、ＩＣチップ上に必ず
半田バンプを形成する事が必要である。このため、ユー
ザーにおいて、半田バンプを形成する能力が無い場合、
あるいはバンプ付きのチップの供給を受けられない場合
にはエリアテープの使用は不可能となるという問題があ
った。又通常、ＩＣチップ上へのバンプ形成はメッキ法
により行うため、メッキ液によるＩＣチップの汚染とい
う問題があり、ＩＣチップの腐食や誤動作を引き越こし
やすいという問題があった。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑み、バンプのあ
るＩＣはもちろんのことバンプのないＩＣチップでもエ
リアテープに接続することができる接続方法を実現しよ
うとする。
るＩＣはもちろんのことバンプのないＩＣチップでもエ
リアテープに接続することができる接続方法を実現しよ
うとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＣチップのエ
リアテープへの接続方法に於いては、誘電体フィルムよ
りなる基材の上に複数の金属配線を有し、且つ該基材に
金属配線に通ずるビアホールが形成されてなるエリアテ
ープと、パッド電極を有するＩＣチップとの接続方法で
あって、前記エリアテープのビアホール内に少なくとも
１個の金属ボールを挿入する工程と、該金属ボールにＩ
Ｃチップのパッド電極が接触するように顕微鏡等により
位置合わせして載置する工程と、ＩＣチップとエリアテ
ープの少くとも一方の側から加圧、加熱してエリアテー
プの金属配線とＩＣチップのパッド電極間を金属ボール
を介して接続する工程、とよりなることを特徴とする。
この構成を採ることにより、バンプのないＩＣチップで
もエリアテープに接続することができる接続方法が得ら
れる。なお、本発明において、金属ボールのビアホール
への挿入方法としては、特に限定されるものではない
が、エリアテープの上からふりかけて、余計な金属ボー
ルを払いおとす方法、金属ボールをふりかけた後、エリ
アテープの反体面より吸引する方法、金属ボールと有機
バインダーあるいは溶剤を混ぜ合わせ、ペースト状態に
して、スクリーン印刷する方法等が好ましい。
リアテープへの接続方法に於いては、誘電体フィルムよ
りなる基材の上に複数の金属配線を有し、且つ該基材に
金属配線に通ずるビアホールが形成されてなるエリアテ
ープと、パッド電極を有するＩＣチップとの接続方法で
あって、前記エリアテープのビアホール内に少なくとも
１個の金属ボールを挿入する工程と、該金属ボールにＩ
Ｃチップのパッド電極が接触するように顕微鏡等により
位置合わせして載置する工程と、ＩＣチップとエリアテ
ープの少くとも一方の側から加圧、加熱してエリアテー
プの金属配線とＩＣチップのパッド電極間を金属ボール
を介して接続する工程、とよりなることを特徴とする。
この構成を採ることにより、バンプのないＩＣチップで
もエリアテープに接続することができる接続方法が得ら
れる。なお、本発明において、金属ボールのビアホール
への挿入方法としては、特に限定されるものではない
が、エリアテープの上からふりかけて、余計な金属ボー
ルを払いおとす方法、金属ボールをふりかけた後、エリ
アテープの反体面より吸引する方法、金属ボールと有機
バインダーあるいは溶剤を混ぜ合わせ、ペースト状態に
して、スクリーン印刷する方法等が好ましい。
【０００８】
【作用】エリアテープのビアホール内に金属ボールを挿
入し、該金属ボールにＩＣチップのパッド電極が接触す
るようにＩＣチップをエリアテープ上に載置し、加熱、
加圧することにより、金属ボールは溶融して、エリアテ
ープの金属配線とＩＣチップのパッド電極間を接続す
る。また金属ボールが溶融しない場合は拡散により接続
する。
入し、該金属ボールにＩＣチップのパッド電極が接触す
るようにＩＣチップをエリアテープ上に載置し、加熱、
加圧することにより、金属ボールは溶融して、エリアテ
ープの金属配線とＩＣチップのパッド電極間を接続す
る。また金属ボールが溶融しない場合は拡散により接続
する。
【０００９】
【実施例】本実施例の接続方法に用いられるエリアテー
プは図１に示す工程で作成される。この工程は、先ず図
１（ａ）の如ポリイミド等の誘電体フィルムよりなる基
材１０の一方の面にフラッシュメッキ１１を施す。次い
で図１（ｂ）の如く両面にフォトレジストのドライフィ
ルム１２，１２′をラミネートする。次いで図１（ｃ）
の如くガラスマスク１３，１３′を用いて露光し、現像
して図１（ｄ）の如くレジストパターンを形成する。
プは図１に示す工程で作成される。この工程は、先ず図
１（ａ）の如ポリイミド等の誘電体フィルムよりなる基
材１０の一方の面にフラッシュメッキ１１を施す。次い
で図１（ｂ）の如く両面にフォトレジストのドライフィ
ルム１２，１２′をラミネートする。次いで図１（ｃ）
の如くガラスマスク１３，１３′を用いて露光し、現像
して図１（ｄ）の如くレジストパターンを形成する。
【００１０】次いで図１（ｅ）の如くフラッシュメッキ
１１が露出している部分に銅メッキして金属配線１４を
形成し、他方の面は基体１０をエッチングしてビアホー
ル１５を形成する。次いでレジストフィルム１２，１
２′及び余分なフラッシュメッキを除去して図１（ｆ）
の如くエリアテープ１６を完成する。なおビアホール１
５の形状は図２の如く漏斗状をなしその最小径部分は２
０μｍ以上で、角θは２０〜８０°であることが好まし
い。
１１が露出している部分に銅メッキして金属配線１４を
形成し、他方の面は基体１０をエッチングしてビアホー
ル１５を形成する。次いでレジストフィルム１２，１
２′及び余分なフラッシュメッキを除去して図１（ｆ）
の如くエリアテープ１６を完成する。なおビアホール１
５の形状は図２の如く漏斗状をなしその最小径部分は２
０μｍ以上で、角θは２０〜８０°であることが好まし
い。
【００１１】次に、このように形成されたエリアテープ
にバンプの無いＩＣチップを接続する方法を図３により
説明する。先ず、図３（ａ）に示すように、ステージヒ
ータ１７の上にエリアテープ１６をその金属配線１４が
下になるようにして載置する。そして該エリアテープ１
６の各ビアホール１５に金属ボール１８を挿入する。こ
こで、金属ボールは、エリアテープの反対面より吸引し
ながら、エリアテープ上にふりかけて行った。そして、
その後余分な金属ボールをスキージーでそぎとった。な
お、金属ボールがビアホールに確実に挿入されたか否
か、あるいはビアホール以外の部分に金属ボールが存在
しないかどうかの確認は、顕微鏡により行った。
にバンプの無いＩＣチップを接続する方法を図３により
説明する。先ず、図３（ａ）に示すように、ステージヒ
ータ１７の上にエリアテープ１６をその金属配線１４が
下になるようにして載置する。そして該エリアテープ１
６の各ビアホール１５に金属ボール１８を挿入する。こ
こで、金属ボールは、エリアテープの反対面より吸引し
ながら、エリアテープ上にふりかけて行った。そして、
その後余分な金属ボールをスキージーでそぎとった。な
お、金属ボールがビアホールに確実に挿入されたか否
か、あるいはビアホール以外の部分に金属ボールが存在
しないかどうかの確認は、顕微鏡により行った。
【００１２】この金属ボール１８としては、ハンダ等の
低融点金属の単体およびその合金や金、銅等の高融点金
属及びその合金を用いることができる。また金属ボール
１８の大きさについては、１つのビアホール１５に対し
て金属ボール１個の場合はビアホールの大きさに合わせ
た大きさのボールを用い、金属ボール１８が小さい場合
（パウダーを含む）は複数個用い、全ボールの体積がビ
アホールの容積の５０〜２００％となる様にすることが
適当である。
低融点金属の単体およびその合金や金、銅等の高融点金
属及びその合金を用いることができる。また金属ボール
１８の大きさについては、１つのビアホール１５に対し
て金属ボール１個の場合はビアホールの大きさに合わせ
た大きさのボールを用い、金属ボール１８が小さい場合
（パウダーを含む）は複数個用い、全ボールの体積がビ
アホールの容積の５０〜２００％となる様にすることが
適当である。
【００１３】次に、図３（ｂ）の如く、エリアテープ１
６の上にバンプのないＩＣチップ１９をフェースダウン
で載置する。この場合、ＩＣチップ１９は、そのパッド
電極２０がエリアテープ１６のビアホール１５に対向し
て金属ボール１８に接触するように位置決めする。
６の上にバンプのないＩＣチップ１９をフェースダウン
で載置する。この場合、ＩＣチップ１９は、そのパッド
電極２０がエリアテープ１６のビアホール１５に対向し
て金属ボール１８に接触するように位置決めする。
【００１４】次いで、ステージヒータ１７を昇温させて
エリアテープ１６を加熱する。同時にＩＣチップ１９の
背後から該ＩＣチップ１９をエリアテープ１６に向って
加熱、加圧する。これにより図３（ｃ）の如く金属ボー
ル１８はビアホール１５内に押し潰され、エリアテープ
１６の金属配線１４とＩＣチップ１９のパッド電極２０
にそれぞれ接合し、該金属配線１４とパッド電極２０間
を電気的に接続する。
エリアテープ１６を加熱する。同時にＩＣチップ１９の
背後から該ＩＣチップ１９をエリアテープ１６に向って
加熱、加圧する。これにより図３（ｃ）の如く金属ボー
ル１８はビアホール１５内に押し潰され、エリアテープ
１６の金属配線１４とＩＣチップ１９のパッド電極２０
にそれぞれ接合し、該金属配線１４とパッド電極２０間
を電気的に接続する。
【００１５】この場合、金属ボール１８が半田等の低融
点金属の単体およびその合金である場合、例えば６：４
ハンダであれば１９０〜２５０℃程度に加熱して溶融さ
せ金属配線１４とパッド電極２０間を接続する。加熱手
段はヒーターヘッド、ステージヒータのほかリフロープ
ロセスでも良い。
点金属の単体およびその合金である場合、例えば６：４
ハンダであれば１９０〜２５０℃程度に加熱して溶融さ
せ金属配線１４とパッド電極２０間を接続する。加熱手
段はヒーターヘッド、ステージヒータのほかリフロープ
ロセスでも良い。
【００１６】また金属ボール１８が金、銅等の高融点金
属の単体およびその合金の場合は５００℃程度に加熱し
て加圧するか、或いは室温〜３００℃に加熱したツール
で圧力と超音波を加えることにより金属配線１４とパッ
ド電極２０との間を接続することができる。
属の単体およびその合金の場合は５００℃程度に加熱し
て加圧するか、或いは室温〜３００℃に加熱したツール
で圧力と超音波を加えることにより金属配線１４とパッ
ド電極２０との間を接続することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明に依れば、バ
ンプのあるＩＣチップはもちろんのこと従来不可能であ
ったエリアテープへのバンプ無しＩＣチップの接続が、
極めて簡単な方法により可能となり、エリアテープの応
用範囲の拡大に寄与することができる。
ンプのあるＩＣチップはもちろんのこと従来不可能であ
ったエリアテープへのバンプ無しＩＣチップの接続が、
極めて簡単な方法により可能となり、エリアテープの応
用範囲の拡大に寄与することができる。
【図１】本発明の実施例におけるエリアテープの製造工
程を説明するための図である。
程を説明するための図である。
【図２】本発明の実施例におけるエリアテープのビアホ
ールの形状を示す図である。
ールの形状を示す図である。
【図３】本発明の実施例を説明するための図である。
【図４】従来のエリアテープを示す図で、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における断面図であ
る。
【図５】従来技術である半田バンプ付ＩＣとエリアテー
プの接続例を示す図である。
プの接続例を示す図である。
１０…基材 １１…フラッシュメッキ １２，１２′…ドライフィルム １３，１３′…ガラスマスク １４…金属配線 １５…ビアホール １６…エリアテープ １７…ステージヒータ １８…金属ボール １９…ＩＣチップ ２０…パッド電極
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体フィルムよりなる基材の上に複数
の金属配線を有し、 且つ該基材に金属配線に通ずるビアホールが形成されて
なるエリアテープと、パッド電極を有するＩＣチップと
の接続方法であって、 前記エリアテープのビアホール内に少なくとも１個の金
属ボールを挿入する工程と、 該金属ボールにＩＣチップのパッド電極が接触するよう
に位置合わせして載置する工程と、 ＩＣチップとエリアテープの少くとも一方の側から加熱
すると共に加圧してエリアテープの金属配線とＩＣチッ
プのパッド電極間を金属ボールを介して接続する工程、 とよりなることを特徴とするＩＣチップのエリアテープ
への接続方法。 - 【請求項２】 前記ＩＣチップがバンプを有しないこと
を特徴とする請求項１のＩＣチップのエリアテープへの
接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347086A JPH05251505A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Ｉｃチップのエリアテープへの接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3347086A JPH05251505A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Ｉｃチップのエリアテープへの接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251505A true JPH05251505A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=18387820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3347086A Pending JPH05251505A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | Ｉｃチップのエリアテープへの接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251505A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040015953A (ko) * | 2002-08-14 | 2004-02-21 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지용 필름 기판 및 이의 제조 방법 |
| JP2007019430A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| US7247508B2 (en) | 2001-04-25 | 2007-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device with intermediate connector |
| JP2009110991A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5718347A (en) * | 1980-07-08 | 1982-01-30 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting structure of ic |
| JPH0385741A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03129745A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の実装方法 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3347086A patent/JPH05251505A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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