JPH05259093A - ガス濃度検知器付常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
ガス濃度検知器付常圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05259093A JPH05259093A JP4086340A JP8634092A JPH05259093A JP H05259093 A JPH05259093 A JP H05259093A JP 4086340 A JP4086340 A JP 4086340A JP 8634092 A JP8634092 A JP 8634092A JP H05259093 A JPH05259093 A JP H05259093A
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- JP
- Japan
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- reaction gas
- impurity concentration
- flow rate
- atmospheric pressure
- pressure cvd
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 常圧ＣＶＤ装置において、半導体基板上に膜
を生成する場合、反応ガス中の不純物濃度異常による膜
質異常を防止する。 【構成】 反応ガス流量設定器１ａ，１ｂおよび１ｃと
整流器３を接続する配管２の間に、不純物濃度検知器
６，不純物濃度制御器７を設けてある。そして、不純物
濃度制御器７の出力は反応ガス流量設定器１ａ，１ｂお
よび１ｃに接続されている。これにより反応ガス中の不
純物濃度が常に一定になるように制御され、不純物濃度
異常による膜質異常を防止できる。
を生成する場合、反応ガス中の不純物濃度異常による膜
質異常を防止する。 【構成】 反応ガス流量設定器１ａ，１ｂおよび１ｃと
整流器３を接続する配管２の間に、不純物濃度検知器
６，不純物濃度制御器７を設けてある。そして、不純物
濃度制御器７の出力は反応ガス流量設定器１ａ，１ｂお
よび１ｃに接続されている。これにより反応ガス中の不
純物濃度が常に一定になるように制御され、不純物濃度
異常による膜質異常を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は常圧状態で加熱された半
導体基板上に反応ガスを散布し半導体基板上に膜を生成
する常圧ＣＶＤ装置に関する。
導体基板上に反応ガスを散布し半導体基板上に膜を生成
する常圧ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の常圧ＣＶＤ装置の一例を示
す概略図である。反応ガス流量設定器１ａ，１ｂおよび
１ｃに反応ガス導入管１０ａ，１０ｂおよび１０ｃが接
続されている。各反応ガス流量設定器１ａ，１ｂおよび
１ｃは配管２に接続され、配管２の一方端は整流器３に
接続されている。整流器３は半導体基板４を搬送する搬
送系５の上部に配置され、その位置の搬送系の下部には
半導体基板加熱用ヒータ９が設けられている。
す概略図である。反応ガス流量設定器１ａ，１ｂおよび
１ｃに反応ガス導入管１０ａ，１０ｂおよび１０ｃが接
続されている。各反応ガス流量設定器１ａ，１ｂおよび
１ｃは配管２に接続され、配管２の一方端は整流器３に
接続されている。整流器３は半導体基板４を搬送する搬
送系５の上部に配置され、その位置の搬送系の下部には
半導体基板加熱用ヒータ９が設けられている。
【０００３】反応ガス流量設定器１ａ，１ｂおよび１ｃ
は予め設定した流量で反応ガスを配管２に送り出す。整
流器３は半導体基板４上へ反応ガスを散布し、膜を生成
する。
は予め設定した流量で反応ガスを配管２に送り出す。整
流器３は半導体基板４上へ反応ガスを散布し、膜を生成
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の常圧ＣＶＤ装置
では、図２から明らかなように反応ガス中の不純物濃度
を常に一定にするような構成にはなっていない。そのた
め、不純物濃度の異常によって膜質異常が発生し歩留り
低下を引き起こすという問題があった。本発明の目的は
上記問題を解決するもので、常に均一な膜を生成し、歩
留りを向上させるとともに装置の安定稼働に寄与できる
常圧ＣＶＤ装置に提供することにある。
では、図２から明らかなように反応ガス中の不純物濃度
を常に一定にするような構成にはなっていない。そのた
め、不純物濃度の異常によって膜質異常が発生し歩留り
低下を引き起こすという問題があった。本発明の目的は
上記問題を解決するもので、常に均一な膜を生成し、歩
留りを向上させるとともに装置の安定稼働に寄与できる
常圧ＣＶＤ装置に提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明による常圧ＣＶＤ装置は常圧状態で加熱された
半導体基板上に反応ガスを散布し半導体基板上に膜を生
成する常圧ＣＶＤ装置において、反応ガス中の不純物濃
度を常時検出し、その濃度を設定値に制御する制御機構
を備えて構成されている。
に本発明による常圧ＣＶＤ装置は常圧状態で加熱された
半導体基板上に反応ガスを散布し半導体基板上に膜を生
成する常圧ＣＶＤ装置において、反応ガス中の不純物濃
度を常時検出し、その濃度を設定値に制御する制御機構
を備えて構成されている。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく
説明する。図１は本発明によるガス濃度検知器付常圧Ｃ
ＶＤ装置の実施例を示す概略図である。図１において、
図２と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付してあ
る。配管２の中間部に不純物濃度検知器６を配置してあ
る。そして、不純物濃度検知器６の検出出力により不純
物濃度を制御する制御器７を設けてある。
説明する。図１は本発明によるガス濃度検知器付常圧Ｃ
ＶＤ装置の実施例を示す概略図である。図１において、
図２と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付してあ
る。配管２の中間部に不純物濃度検知器６を配置してあ
る。そして、不純物濃度検知器６の検出出力により不純
物濃度を制御する制御器７を設けてある。
【０００７】制御器７の出力は反応ガス流量制御用ケー
ブル８を介して反応ガス流量設定器１ａ，１ｂおよび１
ｃに接続されている。反応ガス流量設定器１ａ，１ｂお
よび１ｃは制御器７からの制御信号により予め設定して
ある流量になるように制御される。半導体基板４は半導
体基板搬送系５によって図中矢印方向に搬送されてヒー
タ９により加熱される。加熱された半導体基板４上に整
流器３によって反応ガスが散布され膜が形成される。
ブル８を介して反応ガス流量設定器１ａ，１ｂおよび１
ｃに接続されている。反応ガス流量設定器１ａ，１ｂお
よび１ｃは制御器７からの制御信号により予め設定して
ある流量になるように制御される。半導体基板４は半導
体基板搬送系５によって図中矢印方向に搬送されてヒー
タ９により加熱される。加熱された半導体基板４上に整
流器３によって反応ガスが散布され膜が形成される。
【０００８】反応ガスは反応ガス導入管１０ａ，１０ｂ
および１０ｃにより図中矢印の方向に導入され、反応ガ
ス流量設定器１ａ，１ｂおよび１ｃによって設定値通り
の流量に制御され、配管２を通して整流器３に送られ
る。配管２中の反応ガス不純物濃度は不純物濃度検知器
６によって検出され、不純物濃度制御器７によって予め
設定した不純物濃度か否かを判定し、設定値通りでない
場合には不純物濃度設定値通りになるように反応ガス流
量ケーブル８によって反応ガス流量設定器１ａ，１ｂお
よび１ｃの流量設定値を変更する。
および１０ｃにより図中矢印の方向に導入され、反応ガ
ス流量設定器１ａ，１ｂおよび１ｃによって設定値通り
の流量に制御され、配管２を通して整流器３に送られ
る。配管２中の反応ガス不純物濃度は不純物濃度検知器
６によって検出され、不純物濃度制御器７によって予め
設定した不純物濃度か否かを判定し、設定値通りでない
場合には不純物濃度設定値通りになるように反応ガス流
量ケーブル８によって反応ガス流量設定器１ａ，１ｂお
よび１ｃの流量設定値を変更する。
【０００９】
【発明の効果】以上、説明したように本発明による常圧
ＣＶＤ装置は常に反応ガス中の不純物濃度を制御するよ
うに構成されているので、常に均一な膜質の膜を生成で
きる。したがって、半導体装置の歩留りを向上させるこ
とができ、これにより装置の安定稼働を実現できるとい
う効果がある。
ＣＶＤ装置は常に反応ガス中の不純物濃度を制御するよ
うに構成されているので、常に均一な膜質の膜を生成で
きる。したがって、半導体装置の歩留りを向上させるこ
とができ、これにより装置の安定稼働を実現できるとい
う効果がある。
【図１】本発明によるガス濃度検知器付常圧ＣＶＤ装置
の実施例を示す概略図である。
の実施例を示す概略図である。
【図２】従来の常圧ＣＶＤ装置の一例を示す概略図であ
る。
る。
１ａ，１ｂ，１ｃ…反応ガス流量設定器 ２…配管 ３…整流器 ４…半導体基板 ５…半導体基板搬送系 ６…不純物濃度検知器 ７…不純物濃度制御器 ８…反応ガス流量制御用ケーブル ９…半導体基板加熱用ヒータ １０ａ，１０ｂ，１０ｃ…反応ガス導入管
Claims (2)
- 【請求項１】 常圧状態で加熱された半導体基板上に反
応ガスを散布し半導体基板上に膜を生成する常圧ＣＶＤ
装置において、 反応ガス中の不純物濃度を常時検出し、その濃度を設定
値に制御する制御機構を備えたことを特徴とするガス濃
度検知器付常圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記制御機構は反応ガスを半導体基板上
に導く配管の途中に設けた不純物濃度検知器と、 前記不純物濃度検出器の出力により不純物濃度を制御す
る制御器と、 前記制御器の反応ガス流量制御信号により反応ガス流量
が制御される反応ガス流量設定器と、 から構成したことを特徴とする請求項１記載のガス濃度
検知器付常圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086340A JPH05259093A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | ガス濃度検知器付常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086340A JPH05259093A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | ガス濃度検知器付常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259093A true JPH05259093A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13884127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4086340A Pending JPH05259093A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | ガス濃度検知器付常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259093A (ja) |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP4086340A patent/JPH05259093A/ja active Pending
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